一种DRAM内存颗粒测试系统及方法与流程

本发明涉及内存测试领域，特别是涉及一种dram内存颗粒测试系统及方法。

背景技术：

1、内存是计算机的重要组成部分，作为临时数据存储介质存放着计算机正在运行的程序以及所需的数据，可以与中央处理器直接交换数据，dram是最常见的内存，下面以dram内存颗粒为例进行说明。

2、如果内存发生故障，会导致程序不能正常运行甚至宕机。dram内存颗粒是内存的基本单元，若要确保内存的可靠性，需要首先确保dram内存颗粒的可靠性，这就需要对dram内存颗粒进行测试。

3、目前，对于dram内存颗粒测试都是通过专用的测试机台进行，但是这种测试机台的价格非常昂贵，从而导致dram内存颗粒的测试成本过高。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种dram内存颗粒测试系统及方法，无需专用测试机台即可对内存颗粒进行测试，节省了大量成本，且测试过程快捷方便。

2、本发明提供了一种dram内存颗粒测试方法，所述方法包括：

3、在测试基板上电且自检程序通过时，启动测试程序对内存颗粒进行测试；

4、在所述测试程序未通过时，获取接口模块发出的第一电压调节指令，并根据所述第一电压调节指令对电源电压进行先调高再调低；

5、基于调高或调低的所述电源电压重启所述测试程序，直到测试程序通过。

6、在其中一个实施例中，所述内存颗粒具有三个电源电压，所述根据所述第一电压调节指令对电源电压进行先调高再调低，包括：

7、基于设定电压差，在所述内存颗粒的三个电源电压的设定电压调节范围内对所述电源电压进行调高，得到首次调高后电源电压；

8、基于设定电压差，在所述内存颗粒的三个电源电压的设定电压调节范围内对所述电源电压进行调低，得到首次调低后电源电压。

9、在其中一个实施例中，所述根据所述第一电压调节指令对电源电压进行先调高再调低，还包括：

10、基于设定电压差，在所述内存颗粒的三个电源电压的整数倍设定电压调节范围内对所述首次调高后电源电压进行再调高；

11、基于设定电压差，在所述内存颗粒的三个电源电压的整数倍设定电压调节范围内对所述首次调低后电源电压进行再调低。

12、在其中一个实施例中，所述测试基板具有两个内存通道，所述方法还包括：

13、在测试基板上电且自检程序未通过时，对两个内存通道进行故障定位，并确定最下级的8位故障位。

14、在其中一个实施例中，所述对两个内存通道进行故障定位，并确定最下级的8位故障位，包括：

15、对所述内存通道进行首次故障定位，确定故障内存通道；

16、对所述故障内存通道进行二次故障定位，确定高位16位或低位16位故障；

17、对所述高位16位或低位16位进行再次故障定位，并基于所述再次故障定位结果的比较确定最下级的8位故障位。

18、在其中一个实施例中，在进行故障定位时，获取接口模块发出的第二电压调节指令，并根据所述第二电压调节指令对电源电压进行先调高再调低；

19、基于调高或调低的所述电源电压重启所述自检程序。

20、在其中一个实施例中，当多次重启所述自检程序均未通过时，判定当前所述内存通道或当前位存在故障。

21、在其中一个实施例中，还包括：

22、在测试基板上电且自检未通过时，向数码管发送自检信号，以使所述数码管根据所述自检信号显示不同的代码，所述代码用于表示自检未通过原因。

23、在其中一个实施例中，所述未通过原因包括内存初始化错误或存在8位故障位。

24、本发明还提供了一种dram内存颗粒测试系统，包括应用上述任一项实施例所述的dram内存颗粒测试方法的测试模块，所述系统还包括：

25、测试基板，装载有多个内存颗粒，所述测试基板上电时启动自检程序；

26、接口模块，用于接收测试系统的调试信息，并发送至所述测试模块，所述调试信息包括第一电压调节指令和第二电压调节指令；

27、电源模块，用于为所述测试基板提供电源电压。

28、上述dram内存颗粒测试系统及方法，首先在测试基板上设置自检程序用于判断测试基板上的内存本身或安装等是否存在问题，然后在自检通过后启动测试程序，并基于测试程序结果对电源电压进行调节，然后根据调节后的电源电压再次启动测试程序，直到测试程序通过，从而确定内存颗粒问题点，该测试方法无需专用测试机台即可对内存颗粒进行测试，节省了大量成本，且测试过程快捷方便。

技术特征：

1.一种dram内存颗粒测试方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的dram内存颗粒测试方法，其特征在于，所述内存颗粒具有三个电源电压，所述根据所述第一电压调节指令对电源电压进行先调高再调低，包括：

3.根据权利要求2所述的dram内存颗粒测试方法，其特征在于，所述根据所述第一电压调节指令对电源电压进行先调高再调低，还包括：

4.根据权利要求1所述的dram内存颗粒测试方法，其特征在于，所述测试基板具有两个内存通道，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的dram内存颗粒测试方法，其特征在于，所述对两个内存通道进行故障定位，并确定最下级的8位故障位，包括：

6.根据权利要求5所述的dram内存颗粒测试方法，其特征在于，在进行故障定位时，获取接口模块发出的第二电压调节指令，并根据所述第二电压调节指令对电源电压进行先调高再调低；

7.根据权利要求6所述的dram内存颗粒测试方法，其特征在于，当多次重启所述自检程序均未通过时，判定当前所述内存通道或当前位存在故障。

8.根据权利要求7所述的dram内存颗粒测试方法，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求1所述的dram内存颗粒测试方法，其特征在于，所述未通过原因包括内存初始化错误或存在8位故障位。

10.一种dram内存颗粒测试系统，包括应用上述权利要求1至9任一项所述dram内存颗粒测试方法的测试模块，其特征在于，还包括：

技术总结
本发明涉及内存测试领域，特别是涉及一种DRAM内存颗粒测试系统及方法。包括以下步骤：在测试基板上电且自检程序通过时，启动测试程序对内存颗粒进行测试；在测试程序未通过时，获取接口模块发出的第一电压调节指令，并根据第一电压调节指令对电源电压进行先调高再调低；基于调高或调低的电源电压重启测试程序，直到测试程序通过。首先在测试基板上设置自检程序用于判断测试基板上的内存本身或安装等是否存在问题，然后在自检通过后启动测试程序，并基于测试程序结果对电源电压进行调节，然后根据调节后的电源电压再次启动测试程序，直到测试程序通过，从而确定内存颗粒问题点，该测试方法无需专用测试机台即可对内存颗粒进行测试。

技术研发人员：劳春路
受保护的技术使用者：深圳市迈迪杰电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29