专利名称：用于单层磁性薄膜式垂直磁化介质的记录磁头的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于具有单层磁性薄膜的垂直磁化介质的记录磁头。
近些年来，随着在降低磁盘驱动器尺寸和增加磁盘驱动器容量取得进展，需要使介质中的磁性颗粒细化。然而，在常规的被称为面内式记录装置的记录装置中，要使磁性颗粒显著地细化是困难的，因为这样会成为形成热不稳定性的一个因素，因此，对优于热磁化松弛之类装置的垂直磁化记录装置进行了研究。在常规的垂直磁化记录装置中，采用两层式薄膜介质，即一软磁基本层层叠在基片上，一垂直磁化薄膜层叠在该软磁基本层上。
然而，由于利用两层式薄膜介质难于降低磁噪声，近来研究另一种垂直磁化记录系统，其采用单层式磁性薄膜介质，其中一垂直磁化薄膜直接层叠在基片上或利用夹在它们中间的绝缘薄膜进行层叠。然而，在采用该在基片上不具有软磁基本层作为记录介质的单层垂直磁化薄膜的情况下，主要需要形成一种具有陡峭磁场变化梯度的记录磁头(写入头)。
在采用单层磁性薄膜介质的常规的垂直磁化记录装置中，采用通常的用于面内式记录装置环形磁头，即气隙内金属(MIG)式环形磁头或薄膜环形磁头，从介质平面的方向观察它的前缘磁极和后缘磁极具有相同的高度。参照
图1和2介绍常规的薄膜环形磁头的一般结构。一磁头滑块2具有一对浮动用轨道4和6，以及一形成在磁头滑块的下游侧端部2a处薄膜环形磁头8，该端部是指沿用箭头标志P表示的磁盘介质的运动方向浮动用轨道4所在的位置。
参阅图2，该图为薄膜环形磁头8的放大断面图，同时示有单层磁性薄膜介质10。该单层磁性薄膜介质10包含非磁性基片12以及层叠在该非磁性基片12上例如由Co-Cr制成的垂直磁化薄膜14。薄膜环形磁头8的非磁性基片16构成磁头滑块2的一部分，例如由Al2O3·TiC构成。前缘磁极18由Ni-Fe坡莫合金磁性薄膜或类似材料构成，其形成在非磁性基片16上。
标号20标注以相似方式由坡莫合金或类似材料的磁性薄膜构成的后缘磁极，在面向介质10的前缘磁极18的端部18a和后缘磁极20的端部之间形成小的气隙22。前缘磁极18的后端部18b和后缘磁极20的后端部20b以彼此接触预定长度的方式固定在一起，通常由后缘磁极20和前缘磁极18形成环形结构。小的气隙22的长度约为0.5μm。
围绕前缘磁极18和后缘磁极20的接触部分设有铜(Cu)制的螺旋形薄膜线圈24。前缘磁极18、后缘磁极20和薄膜线圈24埋置在绝缘层26中。图3表示接近常规的环形磁头8的端部部分的放大图。在垂直磁化记录装置中，介质的易于磁化的轴线垂直于介质薄膜的平面，因此，利用沿在介质中由磁头产生的磁化矢量(磁头磁场)的垂直方向的磁场分量将数据写入记录介质。
常规环形磁头8产生的垂直磁场分量Hz如图4中所示对称分布在小气隙22的中心点，并具有两个具有不同符号的峰值，一个接近面向小的气隙22的前缘磁极18的端部，一个接近面向小的气隙22的后缘磁极22的端部。因此，虽然，介质曾经由前缘磁极18侧的峰值磁场所磁化(被记录)，其实际上利用后缘磁极20侧的峰值磁场最终重新写入。
因此，对于出现在接近面向小的气隙22的后缘磁极22边沿的峰值磁场，按照在邻近后缘磁极侧(在介质离开的那一侧)的磁场变化梯度形成磁化强度转变。然而，由于在这一部分的磁场变化梯度是十分平缓的，难于形成陡峭的磁化强度转变。为了消弱这一缺点，介质需具有十分强的垂直磁化方向性和磁各向异向性。
图5表示常规环形磁头8的磁通28和具有单层垂直磁化薄膜14的单层磁性薄膜介质10之间的相互关系。由前缘磁极18的端部18a流出的几乎所有磁通28通过垂直磁化薄膜14并返回到后缘磁极20。由于层叠在基片12上的垂直磁化薄膜14厚度小于0.1μm，非常薄，为了在垂直磁化薄膜14产生沿垂直方向大的磁场分量，主要需采用将气隙长度G1设定得非常小的长度的环形磁头8。气隙长度G1例如接近0.5μm。
为了进行比较，在图6中表示了常规的记录磁头37和两层磁性薄膜式垂直磁化介质30之间的相互关系。两层磁性薄膜式垂直磁化介质30包括非磁性基片32、层叠在非磁性基片32上由Ni-Fe或类似材料制成的软磁基本薄膜34，以及层叠在软磁基本薄膜34上的由Co-Cr制成的垂直磁化层36。软磁基本薄膜34的厚度为大于1μm，以及垂直磁化层36的厚度小于0.1μm。由记录磁头37的主磁极38的端部38a流出的几乎所有磁通42通过软磁基本薄膜34并返回到辅助磁极40。
在两层磁性薄膜式垂直磁化介质30中，由于几乎所有的磁通42通过大厚度的软磁基本薄膜34并按这样一种方式返回辅助磁极40，故易于沿与垂直磁化层36相垂直的方向施加陡峭变化的磁场。在主磁极38的端部38a与辅助磁极40的端部40a之间形成的气隙长度G2不需要像在图5中所示的薄膜环形磁头8中一样设定到小的长度，气隙长度G2通常设定为一接近10μm的较大的长度。
通过在图5和图6之间比较可以明显看出，气隙长度G1十分小的环形磁头8必须用于单层薄性薄膜介质10，对于两层磁层薄膜式垂直磁化介质30，使用结构十分不同于薄膜环形磁头8的且具有大的气隙长度G2的记录磁头37。对于用于两层磁性薄膜式垂直磁化介质的记录磁头，已经提出几种记录磁头，它们的结构为使辅助磁极距介质表面间隔距离远于主磁极(公开的日本专利申请Heisei 1-151011以及公开的日本专利申请Heisei 4-90101)。
然而，对于用于单层磁性薄膜介质10的常规环形磁头8，采用一种环形磁头，其中从前缘磁极18的端部18a到介质的表面的距离和从后缘磁极20的端部20a到介质的表面的距离彼此相等。在采用上述结构的薄膜环形磁头8作为用于单层磁性薄膜式垂直磁化介质的记录磁头的情况下，由于对于介质需要具有很强的垂直磁化方向性和垂直磁化各向异向性，不易于制造该介质。在采用不具有充分磁化特性的介质的情况下，明显使记录和/或重现特性变差。
因此，本发明的目的是提供一种用于具有单层磁性薄膜的垂直磁化介质的记录磁头，利用它可以得到记录磁场分布非常陡峭变化的垂直方向分量。
根据本发明的一个方面，提供一种用于具有单层磁性薄膜的磁性介质的记录磁头，该薄膜具有的易于磁化的轴线方向与磁性介质的平面内的方向相倾斜，该磁头包含形成在沿介质运动方向的上游侧的且一个端部面向介质的前缘磁极、形成在沿介质运动方向的下游侧的后缘磁极，它的面向介质的一个端部与前缘磁极的该端部相互配合在其间形成一小的气隙，它的后端以与前缘磁极相接触的方式固定；一个线圈，围绕前缘磁极和后缘磁极的接触部分绕制，其中后缘磁极的端部由前缘磁极的端部退回预定的长度。
最好，该预定长度大于小的气隙长度，并且该单层磁性薄膜是一种垂直磁化薄膜，它的易于磁化的轴线在与薄膜表面垂直的方向上。
根据本发明的另一个方面，提供一种用于具有单层磁性薄膜的磁性介质的记录磁头，该薄膜的易于磁化的轴线在与磁性介质的平面内方向成倾斜的方向上，该磁头包含形成在沿介质运动方向上游侧且一端部面向该介质的前缘磁极、形成在沿介质运动方向下游侧的后缘磁极，它的一个面向介质的端部与前缘磁极的该端部相互配合在其间形成一小的气隙，它的后端部以与前缘磁极接触的方式固定；以及一线圈，围绕前缘磁极和后缘磁极的接触部分绕制，其中前缘磁极的端部与后缘磁极的端部齐平，以及后缘磁极具有在其面向气隙的端部处形成的具有预定深度的凹槽部分。
根据本发明，由于记录磁头这样构成，即后缘磁极端部距介质表面的间隔距离远于前缘磁极端部，在前沿磁极侧在介质上形成的磁场比在后缘磁极侧的磁场更强。因此，在本发明中，由于在介质的磁性薄膜中按照在气隙处的具有很陡峭的倾斜度的磁场梯度形成磁化强度变换，该记录磁头作为一种用于一种没有软磁基本薄的单层磁性薄膜式垂直磁化介质的记录磁头是有效的。
通过参照表示本发明的某些优选实施例的附图，研究如下的介绍和所提出的权利要求，可以使本发明的上述和其它目的、特征和优点以及实施本发明的方式变得更清楚，将全更好地理解本发明本身。
图1是磁头滑块的透视图；图2是常规薄膜环形磁头的断面图3是常规薄膜环形磁头端部部分的放大图；图4是表示由常规薄环形磁头产生的记录用磁场的垂直分量分布的示意图；图5是表示利用常规的薄膜环形磁头产生的磁通和单层磁性薄膜式垂直磁化介质之间的相互关系的示意图；图6是表示由常规的记录磁头产生的磁通和两层磁性薄式垂直磁化介质之间相互关系的示意图；图7是表示本发明的薄膜环形磁头的原理结构的示意图；图8是表示由本发明的薄膜环形磁头产生的记录用磁场的垂直方向分量分布的示意图；图9A是本发明第一实施例的薄膜环形磁头的端部部分的示意图；图9B是表示常规的在后缘磁极的端部不具有凹槽部分的实例的示意图；图10是表示对在介质部分处的磁头磁场垂直分量的三维数值计算的实例的示意图；图11是表示后缘磁极凹槽深度相关关系的示意图；图12是表示后缘磁极凹槽深度与垂直磁场分布的相关关系的曲线图；图13是表示后缘磁极凹槽区的沿磁道方向的长度和沿横越磁道方向的宽度的相关关系的示意图；图14是表示凹槽区沿磁道方向的长度和垂直磁场分布相关关系的曲线图；图15是表示本发明的薄膜环形磁头的端部部分的透视图；图16是在对前缘磁极的端部加工以前和以后的磁头磁场分布之间差别的曲线图。
首先参照图7介绍本发明的环形磁头8A的原理。本发明的环形磁头8A与常规的如图2和3所示的环形磁头8的不同之处仅在于后缘磁极44的结构，而在其它结构方面与常规的薄膜环形磁头8则是共同的，因而，为避免重复，在这里略去了对共同结构的重复介绍。如由图7中的虚线所示，在常规的环形磁头8中，前缘磁极18的高度和后缘磁极20的高度是彼此相等的。换句话说，由介质表面到两个磁极18和20的距离是彼此相等的。
相反，在本发明中，为了实现上述目的，该环形磁头8A的特征在于，位于在沿介质10运动方向的下游侧的后缘磁极44的高度低于位于在上游侧的前缘磁极18的高度，使得在介质10和前缘磁极18的端部18a之间的距离比在介质10和后缘磁极44的端部44a之间的距离大于预定的长度。利用由这种结构产生的垂直磁场分布的陡峭变化梯度部分来写入数据。
由图4可以看出，由常规的环形磁头8产生的记录用磁场的垂直方向分量的分布具有在接近面向气隙的前缘磁极18的边沿和在接近同样面向气隙的前缘磁极20的端部处且位于小气隙22中心的彼此具有不同极性的峰值。与之对照，在本发明中，由于当从介质10观看时，距前缘磁极18距离比后缘磁极44距离更短，在前缘磁极18侧作用在介质上的磁场比后缘磁极44侧更强。
参照图8，用虚线表示常规的环形磁头8的垂直磁场分量Hz的分布，其极性与图4中所示的相反。与之对照，由于由本发明的环形磁头8A产生的垂直磁场分量Hz由于上述的原因在后缘侧形成的磁场较弱，得到用实线表示的分布。由于环形磁头8A具有如上所述的这样的垂直磁场分量分布，如果在后缘磁极44侧的峰值磁场降低到一强度低于介质的矫顽力的数据，则由前缘磁极18侧的磁场磁化的介质再也不会由后缘磁极44侧的磁场重新写入。
因此，在常规的薄膜环形磁头8中是按照在后缘磁极侧的峰值的下游侧的部分A处的磁场变化梯度形成磁化强度变换，而在环形磁头8A，是按照在气隙中的部分B处的磁场变化梯度形成磁化强度变换。由于在该部分B处的磁场变化梯度比在部分A处的磁场变化梯度相比具有十发陡峭的变化梯度，通过利用垂直磁场分量的陡峭变化梯度部分B，可以形成用于具有单层磁性薄膜的垂直磁化介质的优异的记录磁头。
已有报导(由G.E.Roberts，T.A.Roscamp和P.D.Frank所著“在利用磁盘用薄膜磁头记录时的重放不对称性的原因”见IEEE Trans.On Magn.，Vol.，MAG-17 No.6，1981)一种常规的面内式磁记录装置，其中的薄膜环形磁头的后缘磁极内部形成凹槽。然而在这一报告中，该记录装置局限于面内式磁记录装置，此外，仅介绍了该薄膜环形磁头应用于重放的情况。因此，很明显，该报告没有提出将磁头磁场的垂直分量分布用于写入一垂直磁化介质的概念。
同时，作为一种用于如上所述的在垂直磁化薄和基片之间具有软磁基本薄膜的两层薄膜式垂直磁化介质的磁头，已知这样一种磁头，其中辅助磁极与记录介质的间隔距离远于主磁极。然而，利用两层薄膜式垂直磁化介质，正常沿垂直方向施加到垂直磁化层36上的磁场如图6中所示。这一点也以相似方式适合于这样一种情况，即其中的辅助磁极40与介质30的间隔距离远于主磁极38。
因而，在用于两层薄膜式垂直磁化介质的磁头中，为什么辅助磁极40与介质表面的间隔距离远于主磁极38的原因在于，希望使由辅助磁极40产生的磁场减弱以降低磁噪声，以及将具有陡峭变化梯度的磁场变化部分用于写入数据的技术概念在任何先有技术文件中完全没有公开。
图9A是本发明第一实施例的局部放大示意图，表示接近薄膜环形磁头端部的部分，其中后缘磁极48的端部(面向介质的表面)通过整形被局部除去，以形成带凹槽的部分50。标号46代表前缘磁极，箭头标志P代表介质运动方向。在本实施例中，前缘磁极46和后缘磁极48的沿介质运动方向(沿磁道方向)的宽度为3.5μm；气隙长度为0.5μm；前缘磁极46沿横越磁道的方向的宽度为3.0μm；通过整形形成的后缘磁极48的凹槽深度D为1.0μm；以及凹槽部分50的宽度是10.0μm。
为了比较，常规的即未进行整形的环形磁头，其中后缘磁极48′在其面内介质的表面处不具有凹槽部分，如图9B所示。在图10中表示了对于在图9A和9B中所示的两种记录磁头进行的对在该介质部分的磁头磁场垂直分量的三维数字值的计算结果。用实线相互连接的空白圆圈代表针对本发明的垂直磁化介质的记录用磁场分布，用虚线相互连接的实芯圆圈代表常规磁头的记录用磁场分布。此外，作为参考，用虚线表示针对常规环形磁头的面内式磁化介质的记录用磁场分布。横坐标轴表示沿介质运动方向(沿磁道方向)的距离，纵坐标轴表示归一化的记录磁头磁场。
由图10可以看出，常规的环形磁头的记录用磁场变化梯度是十分缓和的，即使在与后缘侧的峰值位置(在图10中左侧)间隔0.5μm的位置处还维持峰值磁场的磁场强度的50％或其以上。与之对比，利用本发明的磁头的记录用磁场，在距后缘侧的峰值位置0.5μm的距离处，该磁场强度约为0。这是十分陡峭的磁场变化梯度，基本上等同于由虚线表示的常规的环形磁头的面内式记录用磁场分量分布。
虽然按照这种方式根据本发明的垂直磁场分量分布具有十分陡峭的磁场变化梯度，本发明的原理还可以应用到并不是完全沿垂直方向的磁场分量分布的场合。特别是，假设易于磁化的轴线由与薄膜的表面垂直的方向朝平面内方面倾斜一些，如果易于磁化的轴线的倾斜在距垂直方向约30°的范围内，还根据沿倾斜的轴线方向的写入用磁场分量的分布，得到比常规的环形磁头的倾斜方向的磁场分量分布具有更陡峭的磁场变化梯度。因此，本发明可适用于一种用于这样一种倾斜磁化介质的磁头，该介质的易于磁化的轴线与薄膜表面不是完全垂直而是倾斜。
虽然，在上述第一实施例中，形成在后缘磁极48上的凹槽部分50的深度设定为1.0μm，但如果后缘磁极48的端部由前缘磁极46(面向介质的表面)的端面的高度凹下的量值大于在前缘磁极46和后缘磁极48之间的气隙长度相对应的一个长度，也可以实现本发明的效果。
在下文中，参照图11和12介绍后缘磁极凹槽深度与垂直磁场分布的相关关系。图12中的曲线给出了凹槽部分50的深度D由其中后缘磁极48不具有凹槽部分(深度＝0)的情况变化到0.5、1.0到2.0μm时，如图11中所示的这样一种记录磁头模型的记录用磁场垂直分量的分布。图12表示了一种测量实例，其中后缘磁极48的沿磁道方向的凹槽部分50的长度为3.5μm；沿横越磁道方向的宽度是10μm；前沿磁极46的宽度是3μm；在前缘磁极46和后缘磁极48之间的气隙长度为0.5μm。
如果沿垂直方向的记录介质的矫顽力假设为Hc＝2000奥斯特，其中的后缘磁极48不具有凹槽部分50，负的峰值超过矫顽力Hc，因而，相对于负的峰值按照在后缘侧(图12中左侧)磁场变化梯度部分形成磁化强变变化。另一方面，如果后缘磁极48的端部凹入0.5μm或更多，则负的峰值不再超过介质矫顽力Hc。因而，由于按照在正峰值和负峰值之间的陡磁场变化梯度部分确定磁化强度变化，该磁头可用作一用于单层薄膜式垂直磁化介质的优异的记录磁头。
图13是表示沿磁道方向的长度和横越磁道的宽度与后缘磁极52的凹槽区(凹槽部分)53的相关关系的示意图。箭头标志P代表沿磁道的方向，另一箭头Q代表横越磁道的方向。图14给出了当凹槽部分53的沿磁道方向长度L由其中后缘磁极52不具有凹槽部分53(L＝0)的情况变化到0.5、1.0、2.0到3.5μm时，如图13所示的记录磁头的垂直记录用磁场分布曲线。由图14可以看出，在凹槽部分53的长度L为2.0μm或更高时，负垂直磁场峰值不再超过介质矫顽力Hc。
图14的曲线图表示在后缘磁极52的凹部分53深度为0.5μm；横越磁道方向的宽度为10μm；前缘磁极46的宽度为3μm；以及前缘磁极46和后缘磁极52之间的气隙长度为0.5μm时的测量实例。在后缘磁极52的深度L和宽度W设定为与在图14所示要求相类似的固定数值的情况下表明所需凹槽部分53的长度L为2.0μm或其以上，由于由磁头产生的磁场的范围十分明显地取决于气隙长度，如果气隙长度降低到上述数值的二分之一即0.25μm，如果凹槽部分53的长度L接近1.0μm就足够了。因而，为了实现本发明的效果，需要使后缘磁极52沿磁道方向的凹槽53的长度L四倍于气隙长度或更高。
虽然，在图14中所示的测量实例中，后缘磁极52的沿横越磁道方向的凹槽区53的宽度W设定为固定的数值10.0μm，但当从后缘磁极46的端部观看时，沿横越磁道方向和沿磁道方向，如果后缘磁极52都凹入相等的长度就足够了。因此，为了实现本发明的效果，沿横越磁道方向的后缘磁极52的凹槽区53的宽度W需要大于前缘磁极46的宽度与8倍气隙长度的和。
图15表示本发明的第二实施例的磁头的端部部分的透视图。本实施例表示的情况为其中的前缘磁极54的沿横越磁道方向的宽度大于后缘磁极58的宽度。在本实施例中，对前缘磁极54的端部54a进行加工，使得在前缘磁极54的端部部分处形成凸出部分56，它使有效的磁极宽度W1变得等于或小于后缘磁极宽度。
在图15所示的实施例中，后缘磁极58的端部58a由前缘磁极54的端部54a凹入工D＝0.75μm，后缘磁极58的端部58a的沿横越磁道方向的宽度为4μm。此外，前缘磁极54的沿横越磁道方向的凸出部分56的宽度为3μm，在前缘磁极54和后缘磁极58之间的气隙长度为0.5μm。
图16表示在对前缘磁极54的端部加工之前和之后的磁头磁场分布之间的差别。由图16可以明显看出，由实线曲线表示的在对前缘磁极54的端部加工之后的磁头磁场分布呈现负的垂直磁场的峰值不再超过介质的矫顽力Hc，因而，可以实现本发明的效果。此外，通过使用一种薄膜环形磁头、铁氧体磁头或MIG磁头，其中前缘磁极宽度和后缘磁极宽度彼此相等，作为基本磁头以及通过对磁极端部适当加工，也可以实现本发明的效果。
如上所述，根据本发明，可以得到记录用磁场的十分陡峭的垂直方向磁场分量分布。因此，可以形成用于不具有软磁基本层的单层薄膜式垂直磁化介质的优异的记录磁头。此外，由于对利用常规的薄膜环形磁头或类似磁头作为基础仅简单地对环形磁极的端部局部加工就可以将本发明投入实用，是十分便利的，此外，在生产方面是有益的和有助于改进垂直磁记录装置的性能。
权利要求
1.一种记录磁头，用于具有单层磁性薄膜的磁性介质，其易磁化轴线沿与磁性介质的平面内方向相倾斜的方向，所述记录头包含前缘磁极，形成在沿介质运动方向的上游侧并具有面向介质的端部；后缘磁极，形成在沿介质运动方向的下游侧，且具有的面向介质的端部与所述前缘磁极的所述端部相互配合在其间形成一小的气隙，并且其后端部分以与所述前缘磁极相接触的方式固定；以及一个线圈，围绕所述前缘磁极和所述后缘磁极的接触部分绕制；其中所述后缘磁极的所述端部由所述前缘磁极的所述端部退回预定的长度。
2.根据权利要求1所述的记录磁头，其中的预定长度大于该小的气隙。
3.根据权利要求1所述的记录磁头，其中所述的单层磁性薄膜是一种垂直磁化薄膜，它的易于磁化的轴线沿与该薄膜表面垂直的方向。
4.根据权利要求1所述的记录磁头，其中所述的前缘磁极沿与介质运动的方向相垂直的方向的宽度大于所述后缘磁极的对应宽度，并且具有一局部加工形成的凸出部分，使得前缘磁极的端部等于或小于所述后缘磁极的宽度。
5.一种记录磁头，用于具有单层磁性薄膜的磁化介质，该薄膜的易于磁化的轴线沿与磁性介质的平面内方向相倾斜的方向，所述记录磁头包含前缘磁极，形成在沿介质运动方向的上游侧，且具有面向介质的端部；后缘磁极，形成在沿介质运动方向的下游侧，具有的面向介质的端部与所述前缘磁极的所述端部相互配合在其间形成一小的气隙，且具有后端部以与所述前缘磁极相接触的方式固定；以及一个线圈，围绕所述前缘磁极和所述后缘磁极的接触部分绕制；其中所述前缘磁极的所述端部与所述后缘磁极的所述端部相齐平，以及所述后缘磁极具有在其面向所述气隙的所述端部处形成预定深度的凹槽部分。
6.根据权利要求5所述的记录磁头，其中的该预定深度大于所述小的气隙的长度。
7.根据权利要求5所述的记录磁头，其中所述凹槽部分沿介质运动的方向的长度大于所述小的气隙长度的4倍。
8.根据权利要求5所述的记录磁头，其中所述的后缘磁极沿与介质运动方向垂直的方向上的宽度大于所述前缘磁极的对应宽度，以及所述凹槽部分沿与介质运动方向垂直的方向上的宽度大于所述前缘磁极的所述端部的宽度与8倍所述小的气隙长度的长度之和。
9.根据权利要求5所述的记录磁头，其中所述的单层磁性薄膜是一种垂直磁性薄膜，它的易于磁化的轴线沿与薄膜表面垂直的方向。
全文摘要
一种记录磁头,用于一种具有单层磁性薄膜的磁性介质,该薄膜的易于磁化的轴线处于与磁性介质的平面内方向相倾斜的方向,该磁头包含:前缘磁极,形成在沿介质运动方向的上游侧;后缘磁极,具有的一端部与前缘磁极的该端部相互配合在其间形成小的气隙,且具有的后端部以与前缘磁极接触方式固定。记录磁头还包含围绕前缘磁极和后缘磁极的接触部分绕制的绕圈。后缘磁极的端部和介质之间的距离比前缘磁极的端部和介质之间的距离大－预定的长度。
文档编号G11B5/00GK1192021SQ9711763
公开日1998年9月2日 申请日期1997年8月13日 优先权日1997年2月24日
发明者田河育也 申请人:富士通株式会社