成角的波导的制作方法
【专利摘要】本申请公开了一种成角的波导。一种装置具有被配置成接收以第一模式从能量源发射的能量的输入表面。模阶转换器被配置成将所述能量从第一模式转换到第二模式。该装置的波导具有接近输入表面设置并被配置成接收处于所述第一模式的能量的输入端。该波导具有接近介质面向表面设置并被配置成递送处于所述第二模式的能量的输出端。该输出端与所述介质面向表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成偏斜角。
【专利说明】成角的波导
[0001] 相关专利文献
[0002] 本申请要求2014年12月9日提交的临时专利申请S/N. 62/089,546的权益，依据 3抓.S.C.§119(e)要求对其的优先权，并且该申请通过引用整体结合于此。
【发明内容】
[0003] -种装置，包括:输入区域，该输入区域包括输入表面，该输入表面被配置成接收 W第一模式从能量源发射的能量;模阶(mode order)转换器，该模阶转换器被配置成将能 量从第一模式转换到第二模式；W及波导。该波导包括顶包层和底包层W及设置在它们之 间的衬底平行平面上的忍、接近(proximate)输入表面设置并被配置成接收处于第一模式 的能量的输入端、W及接近介质面向表面设置并被配置成递送处于第二模式的能量的输出 端。该输出端与介质面向表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成第一偏斜(oblique) 角。该装置进一步包括接近忍且接近介质面向表面定位的近场换能器。
[0004] 根据另一实施例的装置包括:输入区域，该输入区域包括输入表面，该输入表面被 配置成接收W第一模式从能量源发射的能量;输出表面，该输出表面被配置成向记录介质 递送能量；W及模阶转换器，该模阶转换器被设置在输入表面和输出表面之间并被配置成 将能量从第一模式转换到第二模式。该装置包括波导，该波导包括顶包层和底包层W及设 置在它们之间的衬底平行平面上的忍、接近输入表面设置并被配置成接收处于第一模式的 能量的输入端、W及接近输出表面设置并被配置成递送处于第二模式的能量的输出端。输 出端在输出表面与模式转换器之间与输出表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成偏 斜角。该装置进一步包括接近忍且接近输出表面的近场换能器，该近场换能器包括扩展部 分(expanded podion)和粧(peg)。该近场换能器被配置成从输出端接收处于第二模式的 能量，并且该扩展部分W与输出表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成偏斜角设置。
[0005] 进一步实施例针对一种方法，该方法包括:将第一模式的光从激光器发射到记录 头的输入区域的输入表面;利用波导的第一部分接收处于该第一模式的光；W及将该波导 内的光从第一模式转换到第二模式。处于第二模式的光经由处于除了垂直之外的角度下的 波导的第二部分被引导到记录头的输出表面，该波导的第二部分在输出表面和模式转换器 之间W与输出表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成偏斜角设置。该方法进一步包括 经由输出表面递送能量W加热记录介质的一部分。
[0006] 根据W下详细讨论和附图，将理解各个实施例的运些和其他特征。
【附图说明】
[0007] 在下面示图中，相同的附图标记可被用来标识多个图形中相似的/相同的/类似的 部件。
[000引图1是根据示例实施例的滑动件(slider)组件的透视图；
[0009]图2是根据示例实施例的滑动件组件的介质面向表面的框图；
[0010]图3是示出了根据示例实施例的波导的截面图；
[0011] 图4是示出了根据示例实施例的具有近场换能器的成角的波导的截面图；
[0012] 图5是示出了根据示例实施例的具有近场换能器的成角的扩展部分的成角的波导 的截面图；
[0013] 图6是示出了根据示例实施例的具有近场换能器的成角的扩展部分和粧的成角的 波导的截面图；
[0014] 图7A-B是根据示例实施例的与波导忍的中屯、线偏移的近场换能器的截面图；
[0015] 图8A-D是示出了变化的角度下的图5的波导布置的反射功率的场分布的图；
[0016] 图9A-B是示出了基于近场换能器的粧部分的定位的成角的波导的禪合效率的图； W及
[0017] 图10是示出了根据示例实施例的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0018] 本公开一般设及成角的(angled)波导（例如，通道波导）的使用，该成角的波导从 能量源(例如，激光二极管)接收能量(例如，光)并W除了垂直于记录头的输出表面之外的 角度向记录介质（例如，热辅助磁记录介质)递送能量。该波导整体地形成在记录头内，并且 还可W角度形成附加的记录头特征（例如，近场换能器）。激光二极管可被附连至记录头的 外表面并W近似垂直于记录头的输出表面的角度将其输出引导至波导。选择波导的角度W 减少从记录介质和/或近场换能器反射回到激光二极管的激光器输出。运种反射的减少帮 助降低激光器不稳定问题。
[0019] 热辅助磁记录化AMR)数据存储介质具有能够克服超顺磁效应(例如，磁取向的热 诱导的、随机的改变)的高磁矫顽力，所述超顺磁效应当前限制传统的硬盘驱动介质的面数 据密度。在HAMR设备中，磁介质的小部分或"热点"被局部加热到其居里溫度，藉此允许在该 热点处改变介质的磁取向同时通过换能器(例如，磁写极(write pole))向其写入。在移除 热量之后，该区域将维持其磁状态，藉此可靠地存储数据W用于后期检索。
[0020] HAMR读/写元件（有时被称为滑动件或读/写头)包括与当前硬盘驱动器上的那些 磁读和写换能器类似的磁读和写换能器。例如，可通过检测移动介质的磁涨落的磁阻传感 器来读取数据。可通过磁禪合至写极的写线圈来向磁介质写入数据。HAMR滑动件通常还将 包括诸如激光二极管之类的能量源和穿过滑动件向介质的表面递送能量的光学递送路径。
[0021] HAMR滑动件的光学递送路径可包括接近介质面向表面(例如，空气轴承表面、接触 表面)的近场换能器(NFT) dNFT使能量成形(shape)并将能量传输至介质上的小区域。NFT有 时被称为光学天线、表面等离子体谐振器等。用于HAMR设备的NFT是非常小的（例如，.U到2 入的量级，A指示用于激励的光波长）（包括粧和扩展部分），并且通过电磁相互作用在介质中 产生高功率密度的局部区域。运导致介质上的小区域的高溫度上升，其中超过居里溫度的 区域具有小于IOOnm的尺寸。
[0022] 激光器(或其它能量源)可与HAMR滑动件分离或被附连至HAMR滑动件。其中激光器 (例如，边缘发射的或表面发射的)被附连至HAMR滑动件的配置允许大量激光器一次到滑动 件主体的晶片(wafer)的平行附连(parallel attachment)，藉此降低制造成本。取决于激 光器的取向，激光器的光输出可平行于晶片的平面W按近似垂直于或正交于介质面向表面 的角度引导输出能量。
[0023] 诸如边缘发射激光二极管之类的光源通常具有像横向电场基模，TEoo-样的输出 光束轮廓。然而，期望相移较高阶模式(例如，TEio)用于与等离子体换能器的一些配置禪合。 可通过比较模式转换之前和之后的相应的TEoo和TEio模式分布的场强度图来理解此期望。 基模TEoo提供场强度图上的单个高强度区域，而较高阶模（例如，TEio)产生可比较 (comparable)面积的双区域，但是强度稍低。处于较高阶模的光被引导到等离子体换能器， 该等离子体换能器作为响应生成表面等离子体。较高阶模下的光强度双区域提供等离子体 换能器(例如，肥T)的更均匀的覆盖。引导所得的表面等离子体W加热记录介质。利用沿着 波导设置的模式转换器在滑动件中生成此较高阶模式。记录介质也将光反射回到滑动件主 体，从而激发波导内的TEoo和TEio模式。当此反射的TEio光传播通过模阶转换器，从而转换回 到TEoo模式并返回到激光二极管光源时，其可导致激光器不稳定。然而，所反射的TEoo模式 丢失并且将不返回回到光源。
[0024] 在下述实施例中，波导被用来将能量从激光二极管引导并指向到记录介质。参考 图1，透视图示出了根据示例实施例的HAMR滑动件组件100。滑动件组件100包括位于滑动件 主体101的输入表面103上的能量源102(例如，激光二极管）。能量源102将光递送到接近 HAMR读/写头106的区域，该HAMR读/写头106位于滑动件主体101的介质面向表面108附近。 介质面向表面108在设备操作期间面向移动的介质表面并被保持成接近于该移动的介质表 面。介质面向表面108可被配置为经由空气薄层维持与介质表面的分离的空气轴承表面 (ABS)。
[00巧]滑动件组件100在图1的X-轴（也被称为跨磁道（cross-track)方向）上横跨磁记录 介质跟踪（track)。相对于滑动件，磁记录介质在正交的Z-轴方向（被称为下磁道（down- track) 方向） 上旋转。在下磁道方向上首先经过旋转的记录介质的任何位置的滑动件的边 缘被称为前缘，并且最后经过记录介质的位置的滑动件的边缘被称为后缘，该后缘由平面 104指定。当磁记录介质相对于滑动件旋转时，具有滑动件组件100的磁记录头布置向旋转 的磁记录介质读和/或写位元。
[0026] 能量源102提供用于在记录介质经过读/写头106时加热记录介质的电磁能量。光 禪合部件(诸如波导110)整体地形成在滑动件组件100内，并形成经由近场换能器(NFTH12 将来自能量源102的能量递送至记录介质的光路。可利用诸如锥形的光波导或抛物面反射 镜之类的多种光学元件将激光聚焦在NFT 112上。近场换能器112在读/写头106附近并且在 记录操作期间引起对介质的加热。
[0027] 在该示例中，能量源是边缘发射激光器，该边缘发射激光器从具有位于激光器的 角边(corner edge)的输出的细长通道发射光。边缘发射激光器被表面安装在输入表面103 上并且正交(或近似正交)于输入表面1〇3(例如，沿着y-方向）发射光。运里描述的波导110 及其变形也可用于其它类型的激光二极管，诸如，垂直腔面发射激光器（VCS化）。通常， VCS化在垂直于激光器主体的表面的方向上发射光。能量源102可被安装在滑动件主体101 的表面上(或者在袋或腔内）。在运些示例的任一个中的表面发射激光器或边缘发射激光器 可被禪合到滑动件主体101，或者经由诸如子底座(SiibmountK未示出)之类的禪合部件。
[0028] 能量源102可被安装在磁记录头布置的外部或内部。虽然图1中的示例示出能量源 102被直接安装到滑动件组件100,但本文中所讨论的波导110可适用于任意类型的光递送 配置。例如，在自由空间光递送配置中，激光器可被安装到滑动件的外部，并通过光纤和/或 波导禪合到滑动件。运种布置中的滑动件可包括输入表面103上的禪合特征，光禪合到该禪 合特征中并被递送至波导110,该波导110在一方向上传播光W激励近场换能器112。如本文 中下面将更详细地描述的，波导110促进W除了垂直于介质面向表面108的跨磁道(X-轴)方 向之外的角度将光引导到介质面向表面108。
[0029] 现在参考图2,示出了滑动件组件的介质面向表面的框图。介质面向表面208的所 示部分包括接近NFT 212的写极214和波导210。波导210包括由一个或多个包层216、220包 围的忍层218。忍层218和包层216、220可由介电材料制成，选择运些介电材料使得忍层218 的折射率高于包层216、220的折射率。用于波导忍218的具有高折射率的示例介电材料包括 化2〇5(氧化粗）、Ti化(氧化铁）、抓2〇5(氧化妮）、SiNx(氮化娃，包括Si3N4)、SiC(碳化娃）、Y2化 (氧化锭）、Hf 2〇3 (氧化给）、ZnSe (砸化锋）、aiS (硫化锋）、ZnTe (蹄化锋）、Ba4Ti3〇i2 (铁酸领）、 GaP(憐化嫁）、Cu化(氧化铜）和Si (娃）。包层216、220的每一个由具有比忍的折射率低的折 射率的介电材料形成；运样的材料可包括Al2〇3(氧化侣）、SiO(氧化娃）、Si化（二氧化娃）、 SiOxNy(氮氧化娃)和A1N(氮化侣）。波导忍的较高折射率促进能量(例如，光)通过波导210的 有效传播。例如，忍层218可包括化2〇5，而包层216可包括Al2〇3，并且包层220可包括Si化。
[0030] 图2的隐线(虚线）说明至少波导210的忍层218和包层216W偏斜角度被设置在介 质面向表面208处。虽然波导210相对于介质面向表面是倾斜的，但波导210的端部与介质面 向表面齐平，如由矩形截面所示的。
[0031] 在介质面向表面208处所示的其它特征包括写极214和NFT 212。为了附图简洁，示 出写极214而没有单独地示出散热器(例如，Cr散热器）。在介质面向表面208处所示的NFT 212的部分是NFT 212的粧的截面。然而，NFT 212的粧还可任选地W偏斜角度被设置在介质 面向表面208处，如利用隐线(虚线)所示的。虽然NFT 212的尺寸可变化，但对于所示的粧的 截面的示例尺寸是60nmX 25nm。
[0032] 由于可通过沉积多个层来制造滑动件组件的特征，因而忍层218被设置在平行于 沉积衬底的平面中。虽然忍可在相对于介质面向表面208的任何方向中成角度，但运里忍 218被示为在跨磁道方向中成角度，使得通过掩模和沉积步骤的组合来创建该忍。因此，如 所示，忍218、波导210和NFT 212可在平行于彼此W及平行于诸如写极214之类的其它滑动 件组件特征的平面中相对于介质面向表面208成角度。
[0033] 在图3中，截面图示出了根据示例实施例的用于边缘发射激光器302的波导310(不 一定按比例）。通常，激光器302在输入表面306处和/或附近与波导310对准使得波导310被 配置成接收从激光器302发射的光（箭头316)。衬底314(或填充区域)接近如上所讨论的包 括高折射率材料的波导310。该衬底314(或填充区域)可包括低折射率材料。波导310朝向介 质面向表面308用通道引导(channel)来自激光器302的光304。模阶转换器322在光304到达 介质面向表面之前将光304从第一模式转换成第二模式。可在介质面向（输出）表面308附近 包括近场换能器312。
[0034] 波导310在跨磁道(X-轴)方向中成角度。波导可从输入表面306向介质面向表面 308倾斜（角度在所示的截面中不可见），或者波导的只一部分可W是倾斜的（例如，模阶转 换器322和介质面向表面308之间的部分）。波导310的平面近似平行于后缘318。介质面向表 面308处的角度可W是相对于介质面向表面308且除了垂直于或平行于介质面向表面308的 任何偏斜角度。例如，该角度可W是距介质面向表面308的法线的5度到15度之间。为了便于 从激光器302与输入波导禪合器(未示出）的禪合，在输入表面306处的波导310几乎垂直于 输入表面306。波导310在输入波导禪合器/模阶转换器之后稍微弯曲W形成距介质面向表 面308的法线的小角度。在输入波导禪合器/模阶转换器322之后向介质面向表面308弯曲的 度数是小的使得用于近场换能器激励的第一较高阶波导模式(TEio模式)不转换回到波导的 基模TEoo。为了避免显著地减少近场换能器效率，距介质面向表面的法线的倾斜角通常小于 15度。在运些倾斜角处，当与没有倾斜的配置相比较时，在从介质反射后的TEio模式的量大 大减少。从介质反射的光包括TEio模式和TEoo模式。然而，只有TEio模式将最终返回到光源 中，导致激光器不稳定。
[0035] 为了附图清楚的目的，激光器302被示为安装至输入表面306,但激光器302在实践 中可被直接或间接地安装至输入表面306。在其它实施例中，波导310W及周围的特征（例 如，近场换能器312)可被包括作为突出在滑动件主体的顶表面之上(over)的附连至滑动件 主体的一部分，藉此促进与激光器302的输出的光禪合。此实施例可任选地包括接近波导 310的低折射率材料的附加层、波导310上的光栅W及锥体(例如，在介质面向表面308处)的 任意组合。
[0036] 图4-6示出了各种记录头特征及其组合的角度化(angling) W使光在记录介质上 的入射成角度并藉此减少激光反射回到光源。图4示出了其中波导410相对于介质面向表面 408W偏斜角420倾斜。为了比较，没有倾斜或W垂直于介质面向表面408的角度定位的波导 利用虚线406被示为叠加在波导410上。波导410倾斜的部分可位于介质面向表面408和模阶 转换器422之间。在模阶转换器422之前的波导410a的部分(在光源和模阶转换器422之间） 可W近似垂直于介质面向表面408和光输入表面(未示出）的角度定位。波导包括包层418并 接近具有粧412和扩展部分414的NFT定位。NFT部分412、414两者都被维持在近似垂直于介 质面向表面408的角度处。
[0037] 图5示出了替代实施例，其中波导510和NFT的扩展部分514两者都相对于介质面向 表面508 W偏斜角倾斜。波导510和扩展部分514可相对于介质面向表面508 W相同或不同的 偏斜角倾斜。波导包括包层518并接近NFT定位。NFT同样包括粧512，该粧512不是倾斜的-被 维持在近似垂直于介质面向表面508的角度下。应当注意的是，NFT在所述实施例的每一个 中可采用多种形状。例如，虽然扩展部分被示为细长的盘，但扩展部分可被成形为圆盘、漏 斗、方形板或任何其它合适形状。
[0038] 图6示出了另一个替代实施例，其中波导610、NFT的扩展部分614和粧612中的每一 个相对于介质面向表面608 W偏斜角倾斜。波导610、扩展部分614和粧612中的每一个可相 对于介质面向表面608W相同或不同的角度倾斜。波导包括包层618并接近NFT定位。对于图 4-6的实施例中的每一个，NFT粧相对于NFT扩展部分的位置(在跨磁道方向上)被重新配置 W提高或维持禪合效率。
[0039] 虽然图4-6示出NFT近似居中在波导忍附近，但NFT还可被定位成在跨磁道方向上 与波导忍的中屯、偏移。图7A-B示出了NFT相对于波导忍710的跨磁道偏移。NFT包括扩展部分 714和粧712。在图7A中，扩展部分714和粧712两者都在跨磁道方向上远离中屯、线(利用虚线 716所示的）朝向波导忍侧壁718移位(shift)。然而，NFT可在任一跨磁道方向上移位。因此， 图7B示出了扩展部分714和粧712两者都在相反的跨磁道方向上（与图7A相比较)远离中屯、 线716朝向波导忍侧壁720移位。虽然波导忍710和扩展部分714被示为成角的且粧712不是 成角的，但偏移定位可被应用于W上讨论的实施例（例如，图4-6的那些实施例）中的任一 个。
[0040] 图8A-D示出了对于波导和NFT的扩展部分的各种倾斜角（例如，图5中所示的几何 结构）的反射光的X和Z方向中的场分布。图8A示出了0的倾斜角(不倾斜，或者处于垂直于介 质面向表面的角度）下的反射光；图8B示出了5度的角度下的反射光；图8C示出了 10度的角 度下的反射光;并且图8D示出了 15度的角度下的反射光。对于运些分布中的每一个，波导和 NFT的扩展部分W相同的角度成角度（例如，图8B中的5度）。在下面的表1中概括了TEoo和 TEio模式中的反射光。
[0041] 表 1 「mw
LUU40」 卯尸/r不，TCi豕大tfj巧歧'忙'十守1I1U'罔卯，奴守形胶丄^ 1郁刀' ;赃有1哄冰叶巧tfj吗：/1'丄腎加 而降低总的反射。使波导和扩展NFT部分成角度可将反射回到光源的TEiO模式光从7.4%降 低到0.8% (例如，通过在跨磁道方向中W距介质面向表面的法线15度使特征成角度）。因 此，使记录头的运些特征倾斜可显著地降低TEio模式功率(例如，10度的角度化导致原始反 射功率的~1/7)。使用小度数的倾斜(例如，距垂直15度或更小）极大地减少了反射回的光 中的TEio模式，虽然总的反射(TEoo模式加 TEio模式)仅被适量地减少。在光路配置包括模阶 转换器的实施例中，仅TEio模式将反射回到光源，藉此引起激光器不稳定。然而，在介质面向 表面处使波导倾斜也降低了近场换能器效率。例如，在10度的倾斜角下，近场换能器效率被 降低了25%。因此，倾斜角被保持较小，例如，《10度。
[0044] 可通过相对于成角的特征在跨磁道方向中重新定位NFT粧位置来将禪合效率损失 管理在10% W内。运在图9A-9B中可见，图9A-9B示出了从衬底平行平面(巧平面)观察的相 应的成角的NFT和非成角的(non-ang 1 ed) NFT的场分布。如图9B中所见，对于波导和NFT的扩 展部分的10度角度化，通过移动NFT的粧20nm，禪合效率可上升到1.1 %。虽然在该实施例中 重新定位粧，但该粧不是倾斜的。扩展部分的形状和激光器模式之间的进一步匹配可提高 禪合效率。
[0045] 现在参考图10,流程图示出了根据示例实施例的方法。该方法包括:从激光器向记 录头的输入区域的输入表面发射1002光。输入表面基本上平行于介质面向表面，并且可垂 直于输入表面发射光(虽然不需要运样）。响应于发射1002光，利用波导接收1004光。波导W 除了垂直之外的角度将光引导至输出表面1006,因为波导W除了垂直于输出表面之外的角 度被设置在输出表面处。波导还可W除了垂直于输入表面之外的角度被设置在输入表面 处。随后经由输出表面递送能量W加热记录介质的一部分1008。可选地，在记录介质的该部 分正被加热时，可将磁场施加至记录介质的该部分1010。W此方式，磁场将数据记录至记录 介质。
[0046] W上方法可进一步包括经由波导将光引导至接近输出表面的近场换能器。该近场 换能器生成递送至记录介质的能量的至少一部分。该近场换能器包括扩展部分和粧。可利 用相对于输出表面W偏斜角设置近场换能器的扩展部分和/或粧来实现该方法。扩展部分 和/或粧与波导的角度可W是基本上相同的。例如，可W距垂直于输出表面的位置5度、10度 或15度的角度设置成角的部件中的每一个。可选择波导的角度W便减少从记录介质和接近 输出表面的其它部件反射回到激光器的光。
[0047] 通过术语"约"，在说明书和权利要求中使用的表示部件大小、量W及物理性质的 所有数字应被理解为在任何情况下被修改，除非另外指明。因此，除非相反地指明，否则在 上述说明书和所附权利要求中阐述的数值参数是近似值，运些近似值可根据利用本文中公 开的示教的本领域技术人员所寻求的期望性质而变化。通过端点对数值范围的使用包括该 范围内的所有数值(例如巧化包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4^及5)^及该范围内的任何范 围。
[0048] 示例实施例的上述描述已被呈现用于说明和描述的目的。运不旨在排他性或将发 明构思限制于所公开的精确形式。根据上面的教导，很多修改和变型是可能的。所公开的实 施例的任何或所有特征可单独或W任何组合应用，不旨在限制，而仅是说明性的。范围不旨 在受详细描述限制，而是由所附权利要求书确定。
【主权项】
1. 一种装置，包括： 输入区域，所述输入区域包括输入表面，所述输入表面配置成接收以第一模式从能量 源发射的能量； 模阶转换器，所述模阶转换器被配置成将所述能量从所述第一模式转换到第二模式； 波导，所述波导包括顶包层和底包层以及设置在它们之间的衬底平行平面上的芯、接 近所述输入表面设置并被配置成接收处于所述第一模式的能量的输入端、以及接近介质面 向表面设置并被配置成递送处于所述第二模式的能量的输出端，所述输出端与所述介质面 向表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成第一偏斜角；以及 接近所述芯且接近所述介质面向表面定位的近场换能器。2. 根据权利要求1所述的装置，其中所述近场换能器包括扩展部分和粧，并且所述扩展 部分以与所述介质面向表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成第二偏斜角设置。3. 根据权利要求2所述的装置，其中所述第一偏斜角和第二偏斜角基本上相同。4. 根据权利要求2所述的装置，其中所述粧以与所述介质面向表面和衬底平行平面的 交叉处的跨磁道线成第三偏斜角设置。5. 根据权利要求4所述的装置，其中所述第一、第二和第三偏斜角基本上相同。6. 根据权利要求1所述的装置，其中所述第一偏斜角处于距垂直于所述介质面向表面 的位置大约5度到大约15度的范围内。7. 根据权利要求2所述的装置，其中所述第二偏斜角处于距垂直于所述介质面向表面 的位置大约5度到大约15度的范围内。8. 根据权利要求5所述的装置，其中所述第一、第二和第三偏斜角处于距垂直于所述介 质面向表面的位置大约5度到大约15度的范围内。9. 根据权利要求2所述的装置，其中所述粧基于所述输出端的偏斜角接近所述扩展部 分进行定位。10. 根据权利要求1所述的装置，其中所述近场换能器被设置成在跨磁道方向上与波导 芯的中心线偏移。11. 一种装置，包括： 输入区域，所述输入区域包括输入表面，所述输入表面配置成接收以第一模式从能量 源发射的能量； 输出表面，所述输出表面配置成向记录介质递送能量； 模阶转换器，所述模阶转换器被设置在所述输入表面和输出表面之间并被配置成将所 述能量从所述第一模式转换至第二模式； 波导，所述波导包括顶包层和底包层以及设置在它们之间的衬底平行平面上的芯、接 近所述输入表面设置并被配置成接收处于所述第一模式的能量的输入端、以及接近所述输 出表面设置并被配置成递送处于所述第二模式的能量的输出端，所述输出端在所述输出表 面与模式转换器之间与所述输出表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成偏斜角；以及 接近所述芯且接近所述输出表面的近场换能器，所述近场换能器包括扩展部分和粧， 所述近场换能器被配置成从所述输出端接收处于所述第二模式的能量，其中所述扩展部分 以与所述输出表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成偏斜角设置。12. 根据权利要求11所述的装置，其中输出端角与扩展部分角基本上相同。13. 根据权利要求11所述的装置，其中输出端角处于距垂直于所述输出表面的位置大 约5度到大约15度的范围内。14. 根据权利要求11所述的装置，其中所述近场换能器被设置成在跨磁道方向上与波 导芯的中心线偏移。15. 根据权利要求12所述的装置，其中所述粧以与所述输出表面和衬底平行平面的交 叉处的跨磁道线成偏斜角设置。16. 根据权利要求11所述的装置，其中所述粧基于输出端角接近所述扩展部分进行定 位。17. -种方法，包括： 将第一模式的光从激光器发射到记录头的输入区域的输入表面； 利用波导的第一部分接收处于所述第一模式的光； 将所述波导内的光从所述第一模式转换至第二模式； 经由处于除了垂直之外的角度下的所述波导的第二部分将处于所述第二模式的光引 导到所述记录头的输出表面，所述波导的第二部分在所述输出表面和模式转换器之间以与 所述输出表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成偏斜角设置;以及 经由所述输出表面递送能量以加热记录介质的一部分。18. 根据权利要求17所述的方法，还包括经由所述第二部分将所述光引导至接近所述 输出表面并被配置成生成所述能量的近场换能器，所述近场换能器包括扩展部分和粧，所 述扩展部分以与所述输出表面和衬底平行平面的交叉处的跨磁道线成偏斜角设置。19. 根据权利要求18所述的方法，其中所述粧以与所述输出表面和衬底平行平面的交 叉处的跨磁道线成偏斜角设置。20. 根据权利要求18所述的方法，其中所述粧基于所述波导的偏斜角接近所述扩展部 分进行定位。
【文档编号】G11B5/60GK105957539SQ201511036219
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2015年12月7日
【发明人】L·曹, 彭初兵, W·舒勒茨
【申请人】希捷科技有限公司