专利名称：回收芯片的清洗方法
技术领域：
本发明是有关于一种回收芯片的方法，且特别是有关于一种对使用过的芯片作回收，以用于常压化学气相沉积(atmospheric pressurechemical vapor deposition，APCVD)机台反应器作为预防保养的测试之用的方法。
集成电路在我们的日常生活中，几乎可说已达无所不在的地步。集成电路的制作流程相当复杂，基本上，约需经过数百个不同的步骤，耗时约一、二个月的时间才得以完成。其所涉及的技术涵盖近代科学的重要发明，且其自动化程度也是目前产业中最彻底的一种。由此看来，集成电路工业为一种需要资金相当庞大的产业。因此，如何减少半导体厂运转的花费、增加效益为业者所致力达到的目标。
半导体组件，例如金氧半晶体管，是由层数不等且材质厚度均不同的薄膜所组成，而这些薄膜覆盖在芯片上的技术，典型的利用化学气相沉积工艺来形成。
通常，化学气相沉积机台(chemical vapor deposition，CVD)均需定期作预防保养(prevention maintenance，PM)，而每一次的预防保养期间，为了确保CVD机台合乎标准，便会进行一测试的工作。
然而，公知均使用全新的芯片(new-bare Si)，或表面研磨过的芯片(reclaim wafer)，作为预防保养的测试芯片，其耗资甚大，尤其以常压化学气相沉积(atmospheric pressure CVD，APCVD)机台，其预防保养测试时所耗用的全新芯片、或表面有研磨过的芯片的数量，比其它的CVD机台使用的数量庞大许多。以一般半导体厂APCVD机台预防保养后测试反应器粒子(particle)的芯片数量，一个月约为350片，若全部使用全新芯片，花费约为五十万；若使用表面有研磨过的芯片，其花费约为二十一万，且花费随着产量的提升而增加，如此，耗资甚巨，使得半导体厂的成本花费无法降低。
因此，本发明的目的之一就是在提供一种回收芯片的方法，可降低用于常压化学气相沉积机台反应器的预防保养测试所需的全新芯片的外购数量，节省成本花费。
本发明的另一目的就是在提供一种回收芯片的方法，利用本发明的芯片回收方法，对回收芯片加以处理后，作为常压化学气相沉积机台反应器有预防保养的测试芯片，如此可降低花费，增加效益。
本发明的又一目的是在提供一种回收芯片的清洗方法，对回收的芯片进行清洗步骤，可再利用芯片，如此可节省成本花费，增加效益。
根据本发明的上述目的，提出一种回收芯片的方法，适用于常压化学气相沉积机台预防保养的测试回收芯片，此测试回收芯片上具有氧化物层，将测试回收芯片先浸泡于酸洗槽中，以去除回收芯片上的氧化物，续浸于水洗槽中，去除前一步骤所残留的酸及其它粒子。然后再浸于溢流槽中，清洗干净。接着，再进行粒子测试步骤，以确保经清洗步骤后芯片的品质与回收率。本发明借助酸洗槽控制蚀刻工艺以去除氧化物薄层，使表面粗糙度与外购的已研磨过的芯片相似，再利用V形水洗槽对表面粒子进行清洗，造成更好的回收芯片，以作为常压化学气相沉积机台预防保养后测试反应器粒子芯片之用。
此外，本发明亦提出一种已清洗过的芯片，此芯片可作为常压化学气相沉积机台反应器预防保养的测试芯片，其芯片的清洗步骤包括将使用过的回收芯片依序浸泡于酸洗槽、水洗槽、及溢流槽中。
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下
图1为依照本发明一较佳实施例的一种回收芯片的方法的方块流程图；以及图2为依照本发明一较佳实施例的控片回收清洗步骤的方块流程图。
图1绘示依照本发明一较佳实施例的一种回收芯片的方法的方块流程图。
请参照图1，首先，回收使用过的芯片，这些回收芯片例如是已经经APCVD反应器测试使用过的芯片，或其它的回收芯片。接着，进行步骤S100，监视(monitor)这些回收芯片，以利后续进行粒子的测试。
接着，进行步骤S102，对回收的芯片加以分类。其例如包括将表面未研磨过的芯片分类出来。本发明系使用表面未研磨过的回收芯片来进行后续步骤。
之后，进行步骤S104，对这些回收芯片作一控片回收清洗步骤，此控片回收清洗步骤例如是在一控片清洗机台(dummy wet station，DWS)上进行，此清洗步骤包括将回收芯片先浸泡于一酸洗槽中，去除回收芯片上的氧化物，且调整其表面粗糙度。接着，将回收芯片浸泡于一V型PDR(parallel down rinse)水洗槽，去除前一步骤所残留的酸及其它粒子。之后，再将回收芯片浸泡于一溢流槽中，清洗干净。其中酸洗槽例如使用氢氟酸来进行清洗。
图2简单绘示此控片回收清洗步骤的方块流程图。以经过APCVD机台反应器预防保养的测试回收芯片为例，此测试回收芯片上例如已沉积一层厚度约3000-4000埃的硼磷硅玻璃(BPSG)，首先于步骤S200中，将测试回收芯片浸泡于酸洗槽中，去除芯片表面的BPSG氧化物层，其浸泡时间约为15秒；接着，进行步骤S202，将芯片浸泡在水洗槽中，其浸泡的时间约为10分钟；之后，进行步骤S204，将芯片浸泡在溢流槽中，其浸泡的时间约为5分钟。
其中浸泡于各个清洗槽的时间设定是根据其回收芯片上的氧化物层来决定。其设定方法例如将芯片清洗后，使用原子力显微镜(atomic force microscopy，AFM)，观察芯片表面的粗糙度，不断地重复试验，以得到上述较佳的工艺条件。
然后，进行步骤S106，进行一粒子测试步骤，检查清洗过芯片上的粒子是否少于一标准值。以8时的回收芯片为例，此特定值约为50颗(指大于0.2μm的粒子)。
若已清洗过的芯片上的粒子数目没有少于50颗，则进行步骤S108，作第二次的回收。若少于50颗，则合乎标准，可再利用以作为APCVD机台反应器的预防保养的测试芯片，见步骤S110。此粒子测试步骤可确保经清洗过后芯片的品质及回收率。
进行步骤S112，回收经APCVD机台预防保养测试完后的芯片。
接着，于步骤S114中，检查测试完后的芯片，其测试次数是否多于5次，若少于5次，则进行步骤S116，继续作APCVD机台反应器预防保养的测试之用。若测试次数超过5次，则于步骤S118中，将这些芯片利用在工艺要求较不严谨的物理气相沉积(physical vapordeposition，PVD)工艺。
本发明的回收芯片的方法，系对使用过的芯片作一回收清洗的步骤，借助酸洗槽控制蚀刻程序以去除其上的氧化物薄层，使表面粗糙度与外购的已研磨过的芯片相似，再利用V形水洗槽对表面粒子进行清洗，造成更好的回收芯片，清洗过后的芯片可取代全新芯片或表面研磨过的芯片，来作为常压化学气相沉积机台预防保养后测试反应器粒子芯片之用。以一般半导体厂APCVD机台预防保养后测试反应器粒子的芯片数量，一个月约为350片，若使用回收清洗过的芯片，花费仅约五千元。其生产效益若以每月一万片的产量计算，预估可比使用全新芯片或表面研磨过的芯片，可减少七成以上的花费，由此看来，本发明能确实地节省制造成本，增加效益。
综上所述，本发明具有下列优点(1)利用本发明的回收芯片的清洗方法，对回收的芯片进行一清洗回收步骤，可再利用芯片，节省全新芯片的外购量，降低成本花费。
(2)本发明提出一种APCVD机台反应器的预防保养测试用的芯片的回收方法，可降低成本花费，增加效益。
虽然本发明已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种改进或变型，因此本发明的保护范围当以权利要求书为准。
权利要求
1.一种回收芯片的方法，适用于一常压化学气相沉积机台预防保养的一测试回收芯片，该测试回收芯片上包括一氧化物层，其特征在于该方法包括将该测试回收芯片浸泡于一酸洗槽；将该测试回收芯片浸泡于一水洗槽；将该测试回收芯片浸泡于一溢流槽；以及进行粒子测试步骤。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中该酸洗槽系使用氢氟酸。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中该氧化物层包括厚度约3000-4000埃的硼磷硅玻璃(BPSG)。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于其中该测试回收芯片浸泡于该酸洗槽的时间约为15秒，浸泡于该水洗槽的时间约为10分，浸泡于该溢流槽的时间约为5分。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中该测试回收芯片为表面未经研磨的芯片。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中该粒子测试步骤用以检查在该控片清洗步骤后，该芯片上的粒子是否少于一标准值；若低于该标准值，则可再利用。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于其中该测试回收芯片为8时芯片时，该标准值为50颗(指大于0.2μm的粒子)。
8.一种已清洗过的芯片，该芯片先经过一控片清洗步骤的处理，该芯片系作为一常压化学气相沉积机台反应器预防保养的一测试芯片，其特征在于其中该控片清洗步骤包括提供一回收芯片，该回收芯片上包括一氧化物层，将该回收芯片浸泡于一酸洗槽，将该回收芯片浸泡于一水洗槽，及将该回收芯片浸泡于一溢流槽。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于其中该酸洗槽系使用氢氟酸。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于其中该氧化物层包括厚度约3000-4000埃的硼磷硅玻璃(BPSG)。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于其中该回收芯片浸泡于该酸洗槽的时间约为15秒，浸泡于该水洗槽的时间约为10分，浸泡于该溢流槽的时间约为5分。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于其中该回收芯片为表面未经研磨的芯片。
13.一种回收芯片的清洗方法，提供一包括一氧化物层的回收芯片，其特征在于该清洗方法包括将该回收芯片浸泡于一酸洗槽；将该回收芯片浸泡于一水洗槽；以及将该回收芯片浸泡于一溢流槽。
14.如权利要求13所述的清洗方法，其特征在于其中该氧化物层包括厚度约3000-4000埃的硼磷硅玻璃(BPSG)。
15.如权利要求14所述的清洗方法，其特征在于其中该回收芯片浸泡于该酸洗槽的时间约为15秒，浸泡于该水洗槽的时间约为10分，浸泡于该溢流槽的时间约为5分。
16.如权利要求13所述的清洗方法，其特征在于其中该回收芯片为表面未经研磨的芯片。
17.如权利要求13所述的清洗方法，其特征在于其中该酸洗槽系使用氢氟酸。
全文摘要
一种回收芯片的清洗方法,借助本发明的回收芯片的方法,对使用过的回收芯片作一控片清洗的步骤,依序将回收芯片浸泡于一酸洗槽、一水洗槽、及一溢流槽中。而清洗过后的芯片可取代全新芯片或表面研磨过的芯片,来作为APCVD机台反应器预防保养的测试反应器杂质的芯片,如此,可节省成本花费,增加效益。
文档编号H01L21/302GK1378235SQ0110953
公开日2002年11月6日 申请日期2001年3月30日 优先权日2001年3月30日
发明者李景伦 申请人:华邦电子股份有限公司