一种藕心型聚四氟乙烯绝缘低衰减半柔射频电缆的制作方法

专利名称:一种藕心型聚四氟乙烯绝缘低衰减半柔射频电缆的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种藕心型聚四氟乙烯绝缘低衰减半柔射频电缆，广泛使用在移动通信、微波测量、航天航空、导航等系统。包括镀银铜线内导线、藕心型聚四氟乙烯绝缘层、编织镀锡铜线并整体浸锡的屏蔽层，在镀银铜线内导线外依次设有一层藕心型聚四氟乙烯绝缘层、编织镀锡铜线并整体浸锡的屏蔽层；藕心型聚四氟乙烯绝缘层的结构为，在一圈聚四氟乙烯绝缘层中间隔等距设有数个通孔。特点是：该电缆绝缘层使用的是藕心型，即在一圈聚四氟乙烯绝缘层中间隔等距设有数个通孔，数个通孔中都是空气，大大降低了整个绝缘层的介电常数，使电缆的衰减降低了至少20%。
【专利说明】一种藕心型聚四氟乙烯绝缘低衰减半柔射频电缆

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种藕心型聚四氟乙烯绝缘低衰减半柔射频电缆，广泛使用在移动通信、微波测量、航天航空、导航等系统。

【背景技术】
[0002]目前我国在移动通讯、微波测量等系统中所用的半柔电缆，绝缘层均为实芯聚四氟乙烯，介电系数较大，在传输信号的时候，衰减大。


【发明内容】

[0003]鉴于现有技术存在的不足，本实用新型提供了一种藕心型聚四氟乙烯绝缘低衰减半柔射频电缆。
[0004]本实用新型为实现上述目的。所采取的技术方案是:一种藕心型聚四氟乙烯绝缘低衰减半柔射频电缆，其特征在于:包括镀银铜线内导线、藕心型聚四氟乙烯绝缘层、编织镀锡铜线并整体浸锡的屏蔽层，在所述镀银铜线内导线外依次设有一层藕心型聚四氟乙烯绝缘层、编织镀锡铜线并整体浸锡的屏蔽层；所述藕心型聚四氟乙烯绝缘层的结构为，在一圈聚四氟乙烯绝缘层中间隔等距设有数个通孔。
[0005]本实用新型的特点是:该电缆绝缘层使用的是藕心型，即在一圈聚四氟乙烯绝缘层中间隔等距设有数个通孔，数个通孔中都是空气，大大降低了整个绝缘层的介电常数，使电缆的衰减降低了至少20%。

【附图说明】

[0006]图1是本实用新型的结构示意图。

【具体实施方式】
[0007]如图1所示，一种藕心型聚四氟乙烯绝缘低衰减半柔射频电缆，包括镀银铜线内导线1、藕心型聚四氟乙烯绝缘层2、编织镀锡铜线并整体浸锡的屏蔽层3。
[0008]在镀银铜线内导线I外依次设有一层藕心型聚四氟乙烯绝缘层2、编织镀锡铜线并整体浸锡的屏蔽层3。
[0009]藕心型聚四氟乙烯绝缘层2的结构为，在一圈聚四氟乙烯绝缘层中间隔等距设有数个通孔2-1。
【权利要求】
1.一种藕心型聚四氟乙烯绝缘低衰减半柔射频电缆，其特征在于:包括镀银铜线内导线(I)、藕心型聚四氟乙烯绝缘层(2)、编织镀锡铜线并整体浸锡的屏蔽层(3)，在所述镀银铜线内导线(I)外依次设有一层藕心型聚四氟乙烯绝缘层(2)、编织镀锡铜线并整体浸锡的屏蔽层(3);所述藕心型聚四氟乙烯绝缘层(2)的结构为，在一圈聚四氟乙烯绝缘层中间隔等距设有数个通孔(2-1)。
【文档编号】H01P3-06GK204271228SQ201420767889
【发明者】史卫箭, 刘德友, 张凤玉, 孙贵铮, 徐晓川, 朱亚庚, 徐晓茹, 刘正建, 刘彪 [申请人]天津米克威科技有限公司