专利名称：带通滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及带通滤波器，尤其涉及用于通信设备的带通滤波器。
背景技术：
带通滤波器是避免信号干扰和有效使用频率所必需的一种部件。在通信领域，滤波器的性能尤为重要，因为它决定了作为重要资源的频率的有效使用。换言之，关于天线所发射/接收的电磁波，带外信号被接收滤波器或发射滤波器所截除，从而大大减小了相邻信号的干扰。为了最有效地截除带外信号，希望使用一种能明确分离每个信号的滤波器。然而，尤其在高频段，希望使用超锐截除滤波器(super sharpcut filter)，以便以非常窄带(very narrow band)来截除相邻信号，但这种非常窄带的超锐截除滤波器的实现是十分困难的。
通常，RF级的带通滤波器是利用许多谐振器构成的。在由许多谐振器所构成的带通滤波器中，所要实现的滤波器特性的类型是由分配给谐振器之间的每一耦合的值所确定的。此外，谐振器相互之间是否正确耦合决定了能否实现所设计的特性。尤其在谐振器之间的耦合很弱的窄带滤波器中，谐振器之间的耦合很重要。
按常规，已知道采用平面结构电路(典型的有微带线、带状线等)的滤波器。例如，“IEEE Microwave Theory and TechniquesSymposium Digest(1998)，P.374”公开了一种使谐振器耦合的通路数被确定为1的切比雪夫滤波器。在这种滤波器中，通过在空间上增大谐振器之间的距离来实现窄带。此外，“IEEE Transactions on MicrowaveTheory and Techniques，vol.44(1996)，P.2099”公开了一种能抑制插入损耗并构成锐截除滤波器的伪椭圆函数型。可以通过在具有一条信号通路且引进了捷径通路的滤波器(比如切比雪夫滤波器)中引入非相邻耦合来实现这种类型的滤波器。此外，已开发了这样一种滤波器，它不仅采取简单的空间耦合作为谐振器之间的强非相邻耦合，而且利用短长度段通过与谐振器耦合的传输线通路来进行耦合，诸如“IEEEMicrowave Theory and Techniques Symposium Digest(2000)，P.661”中所述，从而实现相对宽带的锐截取型的高质量滤波器。然而，实现既非常窄带又超锐截取是困难的。
如上所述，利用常规滤波器来实现非常窄带的超锐截取滤波器是很困难的。作为现有技术中的问题，其原因如下所述。
在实现超锐截取滤波器时存在两个问题。例如，在采取使用基于间隙的谐振器之间的耦合并且耦合的通路数为1的结构的切比雪夫滤波器等中，诸如“IEEE Microwave Theory and Techniques SymposiumDigest(1998)，P.379”中所述，当谐振器之间的各自距离增大时，所有这些耦合都将变弱，但除相邻谐振器之外的谐振器的耦合却没有变得足够弱。因此，当利用谐振器之间的距离来调整耦合以获得非常窄带宽滤波器时，特性受到了不利的破坏。另外，由于谐振器之间的距离必须大大增加，滤波器本身尺寸也将变大，因此，衬底等的尺寸限制的问题使设计受到了限制。此外，由于无法保证足够多个谐振器，因此无法实现锐截取。
在构成低插入损耗的非常窄带的锐截取滤波器时，显然会出现另一个重要问题。在常规的切比雪夫型滤波器中，要增加谐振器个数以实现锐截取，但这在窄带情况下在损耗方面是很不利的，并且插入损耗大大提高。
为了减小插入损耗，必须构成这样一种能抑制插入损耗并构成锐截除滤波器的伪椭圆函数型，如“IEEE Transactions on MicrowaveTheory and Techniques，vol.44(1996)，P.2099”中所述。可以通过在具有一条信号通路且引进了捷径通路的滤波器(比如切比雪夫滤波器)中引入非相邻耦合来实现这种类型的滤波器。因此，当试图要实现窄带滤波器时，由于在原来通过弱耦合连接的谐振器中引入了弱非相邻耦合，因此，还产生了与除了那些应当被耦合的谐振器之外的谐振器的寄生耦合。这大大破坏了特性，并且会出现在窄带情况下无法顺利实现锐截除伪椭圆函数型滤波器的问题。
另一方面，还开发了这样一种滤波器，它不仅实现空间耦合作为谐振器之间的强非相邻耦合，而且利用短长度段通过与谐振器连接的传输线通路来进行耦合，如“IEEE Microwave Theory and TechniquesSymposium Digest(2000)，P.661”中所述。利用这种滤波器，可以实现相对宽带的锐截取的高质量滤波器。然而，在这种滤波器中，也利用谐振器之间的空间耦合作为相邻谐振器之间的耦合，但难以取得所有所设计的弱耦合，从而使得难以顺利实现非常窄带滤波器。另外，关于基于这种传输线通路的非相邻耦合，也存在严重的问题。其问题在于，通过加入用于耦合的传输线通路，谐振器的原谐振频率会有所偏离。在非常窄带滤波器中，由于频带原来很窄，滤波器对材料参数的空间分布等很敏感，因此，在这种性能中加进谐振频率的这种偏差将带来严重的问题。例如，在使谐振器耦合的情况下，当每个谐振器的中心频率在这一被认为是非常窄的频带范围之外时，带通滤波器的实现会很困难。
如上所述，只基于现有技术，难以实现这种使用平面结构电路的非常窄带的锐截取带通滤波器。
发明内容
本发明的目的在于，通过稳定谐振器之间的弱耦合提供一种窄带的锐截取滤波器。
根据本发明的一个方面，提供了一种带通滤波器，用于通过具有与中心频率相应的中心波长的频带，该带通滤波器包括衬底；衬底上所形成的输入/输出部分；
在输入/输出部分之间所提供的多个谐振器；和各传输线通路，每个均在其两端都具有耦合部分，该耦合部分以一个间隙面对谐振器之一，每一传输线通路的长度均为中心波长的(1+2m)/4倍(m为自然数)，而每一耦合部分的长度均为中心波长的1/4。
这里，在本说明书中，确定波长是指利用电介质衬底(dielectricsubstrate)所构成的传输线中的波长，而中心波长是指与中心频率相应的波长。
图1是示意说明根据本发明的一种实施方式的带通滤波器的结构的截面图；图2是表示用于说明根据本发明的实施方式的带通滤波器的基本结构的第一谐振器模式的平面图；图3是说明具有图2所示的谐振器模式的滤波器的谐振特性的曲线图；图4示出了在具有图2所示的谐振器模式的滤波器中耦合部分的长度与频偏之间的关系；图5是表示用于说明根据本发明的另一种实施方式的带通滤波器的基本结构的第二谐振器模式的平面图；图6是说明具有图5所示的谐振器模式的滤波器的谐振特性的曲线图；图7示出了在具有图5所示的谐振器模式的滤波器中耦合部分的长度与频偏之间的关系；图8是表示用于说明根据本发明的另一种实施方式的带通滤波器的基本结构的第三谐振器模式的平面图；图9是表示用于说明根据本发明的又一种实施方式的带通滤波器的基本结构的第四谐振器模式的平面图；图10是表示根据本发明的一种实施方式的切比雪夫型带通滤波器的平面图；图11是说明具有图10所示的切比雪夫型滤波器的滤波器特性的曲线图；图12是表示根据本发明的又一种实施方式的切比雪夫型带通滤波器的平面图；图13是说明具有图12所示的切比雪夫型滤波器的滤波器特性的曲线图；图14是表示根据本发明的又一种实施方式的伪椭圆函数型带通滤波器的平面图；图15是说明具有图14所示的伪椭圆函数型滤波器的滤波器特性的曲线图；图16是表示根据本发明的又一种实施方式的伪椭圆函数型带通滤波器的平面图；和图17是说明具有图16所示的伪椭圆函数型滤波器的滤波器特性的曲线图。
具体实施例方式
下面，将参照附图描述根据本发明的实施方式的带通滤波器。
在下列实施方式中，所作的描述将基于具有以窄带或非常窄带通过信号的功能的带通滤波器。这里，窄带和非常窄带可以用特定带Δ/f0来表示，该特定带是所要通过的信号的中心频率f0相对于与所要通过的信号的波长相应的带宽Δ的比，在本说明书中，确定窄带在特定带中不大于2％而非常窄带在特定带中不大于0.5％。
图1是示意说明根据本发明的一种实施方式的超导滤波器的基本结构的截面图。
图1所示的分布恒定电路型谐振器是超导微带线通路谐振器，并且通过在衬底2的上表面提供该谐振器金属层的模式4并在该模式4的两边提供激励线8-1和8-2来构成平面结构电路，而在该衬底2的下表面形成一层薄膜例如一层Y基(Y-based)的氧化铜超导薄膜6。这一衬底2例如直径约为50mm而厚度为0.43mm，并且它由相对介电常数例如为10的MgO构成。此外，作为这一微带线的超导薄膜6，可以采用例如厚度约为500nm的Y基的氧化铜高温超导薄膜，而带状导体的线宽度(line width)约为0.4mm。这一超导薄膜6可以通过激光沉积法、溅射法、同时沉积法等形成。谐振器的模式4被安排在激励线8-1与8-2之间的区域中。谐振器的模式4、激励线8-1和8-2等同样也是由薄膜例如Y基的氧化铜超导薄膜的YBCO薄膜所构成的。衬底的下表面薄膜6接地。
这里，尽管以微带线构成预定形状的谐振器为例进行了描述，然而，显然，同样可以其中应用带状线构成预定形状的谐振器。再者，尽管知道例如这样的带状线，其使得可以在一对衬底之间形成谐振器的模式4，然而，也可以如下所述，针对这种带状线采取谐振器的模式结构。
图2是表示用于说明根据本发明的一种实施方式的滤波器的基本结构的第一谐振器模式的平面图。图1所示的构成第一谐振器模式4的谐振器21和22是半波长谐振器，并且其谐振频率被确定为5GHz。也就是说，如果谐振器21或22单独存在，那么，当信号频率逐渐从0Hz提高到5GHz时，谐振器21或22首先退出以在5GHz的谐振频率处产生谐振。与这一谐振频率相应的波长是谐振器长度的两倍。此外，谐振器21和22通过长度为3/4波长的传输线通路23被耦合。谐振器21和22通过间隙24和25与衬底2上所形成的传输线通路23相对了各自的预定长度x，并且沿衬底2上的传输23以相同方向伸延。因此，传输线通路23与谐振器21或传输线通路23与谐振器22各自通过间隙24或25被耦合。结果，谐振器21和22通过间隙24和25以及传输线通路23被耦合。
在这种谐振器模式中，谐振器21和22与通过间隙24和25耦合的耦合传输线通路23之间的耦合部分的每一预定长度x很重要，并且这一预定长度x基本上被设置为1/4波长。图3示出了具有图2所示的由谐振器21和22以及传输线通路23所构成的谐振器模式4的滤波器的谐振特性。在图3所示的滤波器的谐振特性中，在中心频率附近有两个谐振点，其频率的平均值为5GHz，它相应于谐振器单独使用时的谐振频率。可以理解，每个谐振器的谐振频率不会因这种耦合而有所偏离。作为谐振器的耦合的值，可以达到10-4或更小的值。因此，在具有图2所示的谐振器模式的滤波器中，可以获得窄带的频率特性。
图4示出了谐振器21和22的耦合部分的预定长度x与频偏之间的关系。如图4所示，显然可以理解，当基本上相应于1/4波长的耦合部分的预定长度x在0.22至0.28波长的范围内，更严格地说在0.24至0.27波长的范围内时，谐振频率的偏差在该范围内变为最小。这是因为，在1/4波长情况下，谐振器部分从开路状态变成短路状态或从短路状态变成开路状态，并且即使耦合线通路被耦合，节点和反节点的位置也基本上与谐振器单独使用时的情况相同，因为通过间隙24和25的耦合弱。此外，当耦合部分的预定长度x基本上被设置为1/4波长时，可以抑制频率偏差的产生。
图5是表示用于说明根据本发明的另一种实施方式的滤波器的基本结构的第二谐振器模式的平面图。
在图1所示的滤波器结构中，在厚度约为0.43mm而相对介电常数约为10的MgO衬底上形成超导微带线通路。这里，用厚度约为500nm的Y基的氧化铜高温超导薄膜作为该微带线的超导体，而带状导体的线宽度约为0.4mm。这一超导薄膜可以通过激光沉积法、溅射法、同时沉积法等形成。
如图5所示，构成第二谐振器模式4的谐振器27和28是一个波长的谐振器，并且其谐振频率被确定为5GHz。每个谐振器27和28通过每个间隙26和30与衬底2上所形成的传输线通路29相对了预定长度x，并且沿衬底2上的传输29以相同方向伸延。因此，传输线通路29与谐振器27或传输线通路29与谐振器28各自通过间隙26或30被耦合。结果，谐振器27和28通过长度为5/4波长的传输线通路29被耦合。
在这种谐振器模式中，谐振器27和28与通过间隙26和30耦合的耦合传输线通路29之间的每个耦合部分26和30的预定长度x被设置为1/4波长。图6示出了具有图5所示的由谐振器27和28以及传输线通路29所构成的谐振器模式4的滤波器的谐振特性。在图5所示的滤波器的谐振特性中，在中心频率附近有两个谐振点，其频率的平均值为5GHz，它相应于谐振器单独使用时的谐振频率。可以理解，每个谐振器的谐振频率不会因这种耦合而有所偏离。因此，在具有图5所示的谐振器模式的滤波器中，可以获得窄带的频率特性。
图7示出了谐振器的耦合部分的长度x与频偏之间的关系。如图7所示，显然可以理解，当基本上相应于1/4波长的耦合部分的预定长度x在0.22至0.28波长的范围内，更严格地说在0.24至0.27波长的范围内时，频偏在该范围内变为最小。这是因为，在1/4波长情况下，谐振器部分从开路状态变成短路状态或从短路状态变成开路状态，并且节点和反节点的位置也基本上与谐振器单独使用时的情况相同。
另外，关于这种耦合位置，如图8所示，可以在通过基本上以如图5所示例子那样的1/4波长为单位分割谐振器27和28所得到的位置上进行耦合。也就是说，除耦合部分29a和29b之外的传输线通路29的部分被弯曲成U形以便远离谐振器27和28，从而形成其形状为耦合部分被加到U形部分的传输线通路29c。每个耦合部分29a和29b都有基本上为1/4波长的预定长度x，而每个谐振器27和28的段都按基本上为1/4波长的预定长度x来分割。分割段中具有预定长度x的每个耦合部分29a和29b与最接近的相应谐振器相对。在这种情况下，耦合部分29a或29b可以与谐振器27或28的任何位置相对。当传输线通路29按这种方式被弯曲时，与传输线通路29为直线形状的情况相比，可以减小耦合的偏差。
此外，如图9所示，可以在谐振器的对面一侧进行耦合。也就是说，一个谐振器27可以被安排在传输线通路29所隔开的区域的一侧，而另一个谐振器28可以被安排在对面一侧。
另外，谐振器27和28并不局限于一个波长的谐振器。即使采用大于一个波长的(n+2)/2(n为自然数)波长的谐振器，利用传输线29同样可以建立谐振器27和28的耦合。
再者，在根据本发明的该实施方式的滤波器中，还可以采用大于半波长的谐振器和大于半波长的耦合传输线通路。在具有这种结构的滤波器中，这些部件理论上在比通带低的频率范围内谐振，并且截止特性在某些情况下会恶化。然而，在前级和后级通过设置宽带的带通滤波器、低通滤波器、宽带通滤波器等，可以避免这种特性恶化。
下面将参照图10-17描述根据本发明的滤波器的各种实施方式。
(实施方式1)图10是用于说明根据本发明的第一实施方式的滤波器的一种模式的平面图。
与基于图1的描述相同，在厚度约为0.43mm而相对介电常数约为10的MgO衬底2上形成超导微带线。这里，利用厚度约为500nm的Y基的氧化铜高温超导薄膜作为微带线的超导体，而带状导体的线宽度约为0.4mm。这一超导薄膜可以通过激光沉积法、溅射法、同时沉积法等形成。
图10所示的滤波器是切比雪夫型滤波器，它在激励线所形成的输入/输出线通路31与43之间包括有6个谐振器32、34、36、38、40和42。这6个其开口一侧朝着同一方向的半波长发卡型谐振器32、34、36、38、40和42排成一行，并且基本上为U形的耦合线通路33、35、37、39和41(每个都是3/4波长以便使相互相邻的谐振器耦合)分别被安排在相应的发卡型谐振器32、34、36、38、40和42之间。从图10所示的配置可以看到，这种滤波器构成为不有意采用非相邻耦合的切比雪夫型，并且通过利用相互相邻的半波长谐振器之间的所有耦合传输线实现弱耦合。这里，每个谐振器的谐振频率被设定为滤波器的中心频率5GHz，而带宽被设定为10MHz。此外，与这一谐振频率相应的波长是各谐振器长度的两倍。此外，所有耦合线通路和所有谐振器中的每一个的耦合部分的长度x被选定为波长的0.23倍(基本上为1/4波长)。
图11示出了具有图10所示的配置的滤波器所得到的特性。从图11中可以看到，与为0.2％的很小特定带无关，由于可以稳定地得到小耦合，显示带内破坏很小并且可以得到良好特性。因此，根据具有图10所示的这种结构的滤波器，可以实现非常窄带滤波器。
(实施方式2)图12是用于说明根据本发明的另一种实施方式的滤波器的一种模式的平面图。图12所示的滤波器是切比雪夫型滤波器，它在激励线所形成的输入/输出线通路50与58之间包括有4个谐振器51、53、55和57。作为谐振器，使用了一个波长的直线型谐振器51、53、55和57。因此，与谐振频率相应的波长等于每个谐振器的长度。此外，相互相邻的谐振器51、53、55和57分别通过弯曲成如图8所示的这种形状的线路通路52、54和56被耦合。每一传输线通路52、54和56的长度均为7/4波长，每一耦合部分的长度x基本上被确定为1/4波长，并且这一耦合部分被安排最接近于相应的谐振器。如上所述，由于每一谐振器的长度都被确定为一个波长，因此，与谐振器耦合的两条耦合线通路的边缘可以相互隔离足够远，并且显示即使使用直线谐振器也能得到良好的窄带特性，如图13所示。
在根据图10和12所示的实施方式的滤波器中，尽管采用直线型或发卡型谐振器作为谐振器32、34、36、38、40、42、51、53、55和57，然而，本发明并不局限于此，而可以采用各种形状(比如开环型)的谐振器。
应当注意，虽然在图12所示的实施方式中用微带线来构成该电路，但还可以用带状线来构成该电路。此外，在实现更窄带滤波器时，可以在耦合线通路之间、在谐振器之间或者在谐振器与耦合线通路之间提供金属分割部分。
(实施方式3)图14是用于说明根据本发明的又一种实施方式的滤波器的一种模式的平面图。
在图14所示的滤波器中，在厚度约为0.43mm而相对介电常数为10的MgO衬底(未示出)上形成超导微带线通路。这里，用厚度约为500nm的Y基的氧化铜高温超导薄膜作为该微带线的超导体，而带状导体的线宽度约为0.4mm。这一超导薄膜可以通过激光沉积法、溅射法、同时沉积法等形成。
图14所示的滤波器是一个四级滤波器，它由在激励线所形成的输入/输出线通路60与68之间所提供的4个直线谐振器61、63、65和67构成。在图14所示的滤波器中，一个波长的谐振器被用作每一谐振器，而相邻谐振器61、63、65和67利用长度均为7/4波长的传输线62、64和66通过长度x基本上均为1/4波长的耦合部分被耦合。此外，谐振器61与67通过传输线通路69被非相邻耦合。这里，以谐振器61和67作为参考，耦合传输线62和66被安排在一个区域中，而长度为17/4波长的传输线通路69被安排在对面所提供的另一区域中。在该另一区域中，传输线通路69的基本上均为1/4波长的耦合部分与谐振器61和67相对。在设计这种滤波器时，采用将传递函数的零点设置为±1.5j的归一化(normalization)低通滤波器。这里，j是虚数单位。
图15示出了通过测量在具有图14所示的配置的滤波器中得到的中心频率附近的特性。从图14中可以看到，根据具有图14所示的结构的滤波器，显示可以获得陷波锐截除窄带的频率特性。
在图14所示的滤波器中，尽管每一谐振器是直线型的，然而还可以采用各种类型(比如开环型)的谐振器。
应当注意，虽然在图14所示的滤波器中用微带线来构成该电路，但还可以用带状线来构成该电路。
(实施方式4)图16是用于说明根据本发明的又一种实施方式的滤波器的一种模式的平面图。在图16所示的滤波器中，在厚度约为0.43mm而相对介电常数约为10的MgO衬底2上形成超导微带线通路。这里，用厚度约为500nm的Y基的氧化铜高温超导薄膜作为该微带线的超导体，而带状导体的线宽度约为0.4mm。这一超导薄膜可以通过激光沉积法、溅射法、同时沉积法等形成。
在图16所示的滤波器中，安排了一个六级滤波器，它由在激励线所形成的输入/输出线通路70与84之间的6个直线谐振器71、73、75、79、81和83构成。这里，一个波长的谐振器被用作谐振器71、73、75、79、81和83，并利用长度均为7/4波长的传输线通路72、74、76、80和82通过长度x基本上均为1/4波长的耦合部分来耦合相邻谐振器。此外，对于非相邻耦合，使用了传输线通路77和78，它们均被安排在用于耦合相邻谐振器71、73、75、79、81和83的线路通路72、74、80和82的对面一侧，都拉出长度基本上均为1/4波长的耦合部分，并且均为7/4波长。在设计时，采用将传递函数的零点设置为±1.25j和±2j的归一化低通滤波器。这里，j是虚数单位。
图17示出了由具有图16所示的配置的滤波器得到的特性。从图17中可以看到，根据具有图16所示的结构的滤波器，显示可以获得带有四个陷波的锐截除窄带的特性。
在图16所示的滤波器中，尽管每一谐振器是直线型的，然而同样还可以采用各种类型(比如开环型)的谐振器。
应当注意，虽然在这一实施方式中用微带线来构成该电路，但还可以用带状线来构成该电路。此外，虽然在这一实施方式中使用了MgO衬底，但还可以采用蓝宝石衬底。
熟练技术人员将容易想到其他优点和修改。因此，概括地说本发明并不局限于这里所示和所述的具体细节和典型实施方式。因此，在不背离附属权利要求及其等效权利要求所规定的总发明思想的精神或范围的前提下，可以作出各种修改。
权利要求
1.一种带通滤波器，用于通过具有与中心频率相应的中心波长的频带，该带通滤波器包括衬底；衬底上所形成的输入/输出部分；在输入/输出部分之间所提供的多个谐振器；和各传输线通路，每个均在其两端都具有耦合部分，该耦合部分以一个间隙面对谐振器之一，每一传输线通路的长度均为中心波长的(1+2m)/4倍(m为自然数)，而每一耦合部分的长度均为中心波长的1/4。
2.如权利要求1所述的带通滤波器，其中谐振器的长度为中心波长的n/2倍(n为自然数)。
3.如权利要求1所述的带通滤波器，其中至少一个谐振器由超导体构成。
4.如权利要求1所述的带通滤波器，其中谐振器包括连续连接的直线部分，每一直线部分均以中心波长的1/4为单位，而安排在谐振器两端的直线部分相应于耦合部分。
5.如权利要求1所述的带通滤波器，其中传输线通路包括连续连接的直线部分。
6.如权利要求1所述的带通滤波器，其中谐振器之一与三条传输线通路耦合。
7.如权利要求1所述的带通滤波器，其中衬底包括MgO。
8.如权利要求1所述的带通滤波器，其中谐振器是直线型的。
9.如权利要求1所述的带通滤波器，其中传输线通路是直线型的。
10.如权利要求1所述的带通滤波器，其中谐振器和传输线通路是被交替安排的。
11.如权利要求3所述的带通滤波器，其中超导体是Y基的氧化铜高温超导薄膜。
12.如权利要求3所述的带通滤波器，其中谐振器包括微带线通路。
13.如权利要求3所述的带通滤波器，其中传输线通路包括微带线。
14.如权利要求4所述的带通滤波器，其中两个相邻直线部分成直角。
15.如权利要求5所述的带通滤波器，其中两个相邻直线部分成直角。
16.如权利要求1所述的带通滤波器，其中谐振器和传输线通路包括直线型和弯曲型。
17.如权利要求1所述的带通滤波器，其中包括不同长度的传输线通路。
全文摘要
平面结构电路构成的带通滤波器包括分布恒定电路型谐振器、使谐振器耦合的传输线通路和安排在输入/输出端的激励线。传输线通路具有使谐振器耦合或使谐振器与激励线耦合的线路通路部分。这种线路通路部分的长度为与频带的中心频率相应的波长的(1+2m)/4倍(m为自然数)，而谐振器与线路部分之间的每一耦合部分具有基本上被确定为1/4波长的长度。
文档编号H01P1/203GK1551497SQ20041004533
公开日2004年12月1日 申请日期2004年5月20日 优先权日2003年5月20日
发明者桥本龙典, 相贺史彦, 福家浩之, 寺岛喜昭, 山崎六月, 加屋野博幸, 之, 博幸, 彦, 昭, 月 申请人:株式会社东芝