专利名称：超大功率高真空陶瓷管壳的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电力半导体器件用陶瓷管壳，尤其是涉及一种超大功率高真空陶瓷管壳。属电力半导体器件技术领域。
二、技术背景管壳是半导体器件的一个重要组成部分，它不仅保护着半导体的芯片免受外部有害环境的污染，而且对器件的电、热性能和可靠性均起到了极为重要的作用。特别是航空、航天、军事工程、大型电子系统用的半导体器件，其管壳的性能和质量直接影响着半导体器件的性能和可靠性，直接关系到产品的成品率和制造成本。现行的电力半导体器件用管壳主要由陶瓷环、上法兰圈、下法兰圈、上压块、下压块、门极引线管和密封圈组成，其上法兰圈的与上压块封接，下法兰圈的和陶瓷环封接，密封圈的两端分别与下压块和陶瓷环封接，门极引线管与陶瓷坏的引线孔相封接；上法兰圈与上压块、密封圈与下压块的封接结构采用单一的端封结构，其存在的不足为管壳在高温焊接时易产生漏气、且不易控制内高的工艺尺寸。
三、技术背景为克服上述缺点本实用新型的目的在于提供一种密封性能可靠的超大功率高真空陶瓷管壳。
本实用新型的技术内容是一种超大功率高真空陶瓷管壳，包括陶瓷环、上法兰圈、下法兰圈、上压块、下压块、门极引线管和密封圈，上法兰圈的一端与上压块封接，下法兰圈的一端与陶瓷环封接，密封圈的两端分别与下压块和陶瓷环封接，门极引线管与陶瓷环的引线孔相封接；其特征为上压块与上法兰圈、下压块与密封圈采用的是端封与平封相结合的封接结构，即上法兰圈一端的竖壁面与上壁面分别封接于上压块的竖壁面与下壁面，密封圈与下压块封接一端的竖壁面与上壁面分别封接于下压块的竖壁面与下壁面。
在现有电力半导体器件用管壳的上压块采用烧结式封装技术，在上压块的内表面有一铣槽，该铣槽为半槽或通槽；在上压块的内表面上铣槽易造成上压块在高温焊接时因金加工而产生内应力，导致上压块内表面平面度差，影响半导体器件的电、热性能。
为提高上压块表面的平面度和平行度，上压块采用全压接式封装技术，在上压块的内表面无铣槽。
本实用新型与现有陶瓷管壳相比，具有如下的优点1、上压块与上法兰圈、下压块与密封圈采用端封与平封相结合的封接结构，提高了管壳的气密性。
2、在上压块的内表面无铣槽，提高了上压块表面的平行度和平面度。
四
图1为本实用新型的结构示意图。
五具体实施方式
如图1一种超大功率高真空陶瓷管壳，主要由陶瓷环6、上法兰圈3、下法兰圈4、上压块1、下压块2、门极引线管7和密封圈5组成，下法兰圈4的一端封接于陶瓷环6的上端面，上法兰圈一端的竖壁面与上壁面分别封接于上压块1的竖壁面与下壁面；密封圈5的一端封接于陶瓷环6的下端面，另一端与下压块2封接，该端的竖壁面与上壁面分别封接于下压块2的竖壁面与下壁面；门极引线管7与陶瓷环6的引线孔相封接，上压块1的内表面设有控制孔8。
权利要求1.一种超大功率高真空陶瓷管壳，包括陶瓷环(6)、上法兰圈(3)、下法兰圈(4)、上压块(1)、下压块(2)、门极引线管(7)和密封圈(5)，上法兰圈(3)的一端与上压块(1)封接，下法兰圈(4)的一端与陶瓷环(6)封接，密封圈(5)的两端分别与下压块(2)和陶瓷环(6)封接，门极引线管(7)与陶瓷环(6)的引线孔相封接；其特征为上压块(1)与上法兰圈(3)、下压块(2)与密封圈(5)采用的是端封与平封相结合的封接结构，即上法兰圈(3)一端的竖壁面与上壁面分别封接于上压块(1)的竖壁面与下壁面，密封圈(5)与下压块(2)封接一端的竖壁面与上壁面分别封接于下压块(2)的竖壁面与下壁面。
2.根据权利要求1所述的超大功率高真空陶瓷管壳，其特征为在上压块(1)的内表面无铣槽。
专利摘要本实用新型涉及一种超大功率高真空陶瓷管壳，包括陶瓷环、上法兰圈、下法兰圈、上压块、下压块、门极引线管和密封圈，上法兰圈的一端与上压块封接，下法兰圈的一端与陶瓷环封接，密封圈的两端分别与下压块和陶瓷环封接，门极引线管与陶瓷环的引线孔相封接；其特征为上压块与上法兰圈、下压块与密封圈采用的是端封与平封相结合的封接结构，即上法兰圈一端的竖壁面与上壁面分别封接于上压块的竖壁面与下壁面，密封圈与下压块封接一端的竖壁面与上壁面分别封接于下压块的竖壁面与下壁面。本实用新型具有密封性能可靠和上、下压块表面平面度及平行度高的优点；能有效提高半导体器件的电、热性能。
文档编号H01L23/02GK2708499SQ20042002771
公开日2005年7月6日 申请日期2004年6月8日 优先权日2004年6月8日
发明者陆建民, 徐国民, 沈桂才 申请人:江阴九华集团有限公司