专利名称：用于超导储能的低温电流调节器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于超导储能的低温电流调节器。
背景技术：
超导具有的零电阻以及强磁场下载流能力大的特性，使超导磁体得到了广泛的应用，特别是在高能物理实验中用于产生强磁场的大型磁体。超导磁体几乎取代了所有体积大、耗电多的常规磁体；同时，随着超导电力技术的发展，特别是微型超导贮能在国外已经商品化，广泛用于改善电能质量、提高电力系统稳定性等，这些都使得超导磁体得到了前所未有的应用。
超导磁体一般运行电流都在kA级，且为一大电感，这对用于超导储能的电流调节器提出了新的要求。充放电电流大，电压低，充放电电压稳定且电压的变化范围大，同时需要开关频率高、功率密度大以及控制性能好，这些都是用于超导储能电流调节器的基本要求，特别在商用的微型超导贮能上要求更为迫切。
目前常用的超导储能电流调节器，都是采用充放电设备各一套的方案。例如美国专利Pub.No.US2002/0030952“超导磁体放电方法及装置”，美国专利5,181,170“超导磁体及其供电装置”。上述现有技术中充电可完成两个功能稳态时给超导磁体充电并维持磁体电流恒定；放电设备即斩波器完成快速放电功能。存在的问题是充放电不仅需要两套设备，而且充电设备如果既要保持磁体电流恒定又要完成快速充电功能则容量非常大，如美国专利6,157,094“超导磁体及其供电装置”；放电设备，图1示的US2002/0030952“超导磁体放电方法及装置”，具体结构图中10、11为磁体部分，19为磁体充电电源，其它部分为放电部分，也即斩波器，它将超导磁体的电流直接变换成电压。它由开关22和23直接对磁体电流进行斩切，这使得开关损耗非常大，并且直流电压25部分需要的电容器容量非常大，从而磁体的励磁电压大，这不仅不利于磁体的稳定，而且使得磁体交流损耗增大，提高了磁体的运行费用。
发明内容
为克服现有技术的缺点，本发明提出一种用于超导储能的电流调节器，它由电压单元、变压器单元与电流单元三部分组成。电压单元为一直流侧为电容器的电压源换流器，电流单元为一直流侧接超导磁体的电流源换流器。电压源换流器和电流源换流器均可采用全桥或全波的形式。若采用全桥的形式，它由两个桥臂并联而成。每个桥臂由两个开关管串联而成。桥臂的两端为换流器的直流输出端，两个桥臂的中点为换流器的交流输出端。若采用全波的形式，则由两个开关管组成。两个开关管的两端串联，构成其一个直流输出端，另外两端构成其交流输出端，分别连接到变压器的两端，变压器采用带中间抽头的变压器，变压器的中间抽头构成其中另外一个直流输出端。电压源换流器的交流输出端与变压器原边相连，直流输出端与电容器相连；电流源换流器的交流输出端与变压器副边相连，直流输出端与超导磁体相连。其中变压器单元可以是普通变压器，也可以是一侧或者两侧皆为带抽头的变压器。若采用全波的形式，则该侧变压器必须带中间抽头。
按照在低温部分所包括的范围的差异，本发明电流调节器可分为两种形式1、电流引线式整个电流调节器和超导磁体都置于低温环境下，只留出电流引线作为与常温器件的接口；2、无引线式电流调节器的电流单元与超导磁体置于低温环境下，通过变压器与电压单元实现电气联系。
本发明电流调节器采用辅助电势移相充放电控制方式，使桥上下臂的脉冲相位互补，而桥对角线臂的脉冲时序不同相，通过调节桥对角线臂脉冲的超前或滞后时间，来改变逆变器输出电压的脉宽；电流单元通过电压单元提供的辅助电势，在电流源换流器的两支路的开关管在换相的时刻，先给要开通支路的开关管触发信号，然后控制电压源换流器的开关管，使之在变压器的原边上产生换相电压，折合到副边后，由于与流过要关断的开关管的电流方向相反，从而使流过该支路电流减少；由于与流过要开通的开关管的电流方向相同，从而使流过该支路电流增加，待到流过要关断的开关管的电流减少到零后，再关断该开关管。
本发明不仅可以给磁体充电，还可以将磁体中贮存的电能释放出去，并且充放电电压灵活可调。本发明电流单元电流大但电压低，而电压单元电流和电压对于开关容量来说都不大，这不仅降低了开关损耗，还可以提高开关频率，从而大大减小了电压单元中的电容器的容量，缩小了变压器单元中变压器的体积，从而提高了功率密度和系统性能。
作为一种低温电流调节器，本发明还有如下两个优点1、将构成低温部分的功率场效应晶体管(Power MOSFET)，特别是其高压器件，应用于液氮温区(77K)，其通态电阻可以降到室温下的1/10～1/30，而且频率也可以大大提高。从而大大降低了这种电流调节器的通态损耗和开关损耗。
2、由于超导体的无阻特性使超导磁体的电流一般非常大，所以连接磁体和换流器的引线非常大，这样带来的漏热还有焦耳热降低了系统效率。本发明提供的低温电流调节器除了使得系统的体积减小、效率提高外，最主要的优势是它变磁体的大电流、小电压输出为低温电流调节器的小电流、大电压输出，这样电流引线的设计难度大大减小，它的损耗大大减小。如果采用的高频变压器的两个绕组分别处于低温和室温下，也即是一种混和温度的高频变压器，如图1中虚框内所示，这样低温电流调节器的引线便可彻底去掉，实现无引线系统，从而彻底取消了引线带来的负面影响。
图1为现有技术美国专利US2002/0030952的原理图。
图2为本发明的电流引线式的主线路图。UI为电流单元，UT变压器单元，UV电压单元，S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7与S8为开关，DC为直流电源，LOAD为负载，C电容器，T副边带中间抽头的变压器，*表示变压器同名端，L为超导磁体，I为磁体电流。
图3为本发明的无引线形式的主线路图。UI为电流单元，UT变压器单元，UV电压单元，S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7与S8为开关管，DC为直流电源，LOAD为负载，C电容器，T副边带中间抽头的变压器，*表示变压器同名端，L为超导磁体，I磁体电流。
图4是本发明电流引线式电流调节器的具体实施例的线路图。UI为电流单元，UT变压器单元，UV电压单元，T11、T12、T21、T22、T3、T4、T5、T6为功率场效应晶体管(Power MOSFET)。S1与S2为开关，DC为直流电源，LOAD为负载，C电容器，T为副边带中间抽头的变压器，*表示变压器同名端，L为超导磁体。其中电流单元、变压器单元和除了电容器外的电压单元在低温容器内。
图5是本发明无引线式电流调节器的具体实施例的线路图。UI为电流单元，UT变压器单元，UV电压单元，T11、T12、T21、T22、T3、T4、T5、T6为功率场效应晶体管(Power MOSFET)。S1与S2为开关，DC为直流电源，LOAD为负载，C电容器，T副边带中间抽头的变压器，*表示变压器同名端，L为超导磁体。其中电流单元和变压器的电流侧在低温容器内。
图6为本发明电流引线式实施例之辅助电势移相充电控制方式的原理图。
图7为本发明无引线式实施例之辅助电势移相放电控制方式的原理图。
具体实施例方式
以下结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步说明。
图2为本发明的具有电流引线式的主线路图。如图2所示，本发明由电压单元UV、变压器单元UT与电流单元UI三部分组成，电压单元UV为一直流侧接电容器C的电压源换流器，电流单元UI为一直流侧接超导磁体的电流源换流器。电压源换流器由两个桥臂并联而成，开关管S3、S5串联，组成其中一个桥臂；S4、S6串联组成其中另外一个桥臂。桥臂的两端构成电压源换流器的直流输出端，两个桥臂的中点构成其交流输出端。电流源换流器由两个开关管构成，由两个开关管S1、S2组成。两个开关管的两端串联，构成其一个直流输出端，另外两端构成其交流输出端，分别连接到变压器T的两端，变压器T采用带中间抽头的变压器，变压器T的中间抽头构成其中另外一个直流输出端。电压源换流器的交流输出端与变压器T原边相连，直流输出端与电容器C相连；电流源换流器的交流输出端与变压器T副边相连，直流输出端与超导磁体L相连。其中电流单元UI、变压器单元UT和除了电容器C外的电压单元UV在低温容器内。
图3为本发明的无引线形式的主线路图。如图3所示，本发明的电流单元UI和变压器T的电流侧在低温容器内。
本发明两种形式的低温电流调节器的控制方式完全相同。下面以图2所示的电流引线式为例，对其辅助电势移相控制方式作说明。
开关S7闭合，开关S8打开时，即电流调节器与直流电源DC相连，对磁体L进行充电。具体如下电流调节器的电压单元UV的直流端电容器C与直流电源DC相连，由直流电源DC提供电压或者能量。当分别将组成电压换流器的开关S3与S6、S4与S5交替开断时，电压换流器的交流输出侧，即变压器T的原边LP为交流方波，变压器T的副边，即副边绕组L1、L2的两端输出为交流方波，此时电流换流器的开关管S1、S2工作于整流状态，给磁体L充电。磁体L两端充电电压的大小可由调节电压换流器的开关S3与S6、S4与S5的占空比来调节。逻辑关系如下开关管S3与S6闭合，S4与S5打开，变压器T的原边LP输出为电容器C的电压，为正电压，此时闭合开关S1，L1的两端输出为变压器变压后的正值电压，电压方向由同名端决定，大小为电容器C的电压/变压器变比，给磁体L充电。若打开S3，闭合S4，则变压器T原边电流通过S4、S6续流，变压器T的原边LP输出电压为零，L2两端的电压也因此变为零，从而使磁体L两端电压为零，磁体L的电流I保持不变，以上为开关S3与S6、S4与S5的动作的上半周；接上半周，闭合S5，打开S6，变压器T的原边LP输出为电容器C的反向电压，为负电压，此时闭合开关S2，L2的两端输出为变压器变压后的负值电压，电压方向由同名端决定，大小为电容器C的电压/变压器变比，磁体L两端电压与L2的两端方向相反，大小相等，其值依然为正。变压器变压后的电容器C的电压与变压器变比的商，与开关S3与S6、S4与S5的动作的上半周相同，给磁体L充电；若打开S4，闭合S3，则变压器T原边电流通过S3、S5续流，变压器T的原边LP输出电压为零，L2两端的电压也因此变为零，从而使磁体L两端电压为零，磁体L的电流I保持不变，这与S3与S6、S4与S5的动作的上半周相似，为开关S3与S6、S4与S5的动作的下半周。通过调节开关S3与S4和S5与S6的相对相移，可调节磁体L两端的平均电压，即灵活调节磁体L的充电电压。
开关管S8闭合，开关管S7打开时，即电流调节器与负载LOAD相连，对磁体L进行放电。具体如下电流调节器的电压单元UV的直流端电容器C的初始值可由直流电源DC给定。当分别将组成电压换流器的开关S3与S6、S4与S5开断时，电压换流器的交流输出侧，即变压器T的原边LP为交流方波，变压器的副边，即副边绕组L1、L2的两端输出为交流方波，此时电流换流器的开关S1、S2工作于逆变状态，给磁体L放电。设磁体L的电流I方向如图2所示。开关逻辑关系如下S1、S2闭合，超导磁体L电流通过S1、S2续流，既不充电，也不放电。开关S3和S6闭合，S4和S5打开，变压器T的原边LP输出为电容器C的正向电压，为正电压，L1、L2的两端输出为变压器变压后的正值电压，L2的电压方向与流过它的电流方向相反，从而使流过S2的电流减少；L1的电压与流过它的电流相同，从而使流过它的电流增加。当流经S2的电流降为零，打开S2，从而实现了零电流关断，然后再使开关S3打开，S4闭合，则变压器T原边电流通过S4、S6续流，变压器T的原边LP输出电压为零，L2两端的电压也因此变为零，从而使磁体L两端电压为零，磁体L的电流I保持不变。然后再使S5闭合，S6打开，变压器T的原边LP输出为电容器C的反向电压，为负电压，L1的两端输出为变压器变压后的负值电压(电压方向由同名端决定，大小为电容器C的电压/变压器变比)，也即是磁体L两端电压，它与磁体L的电流I方向相反，磁体L放电。以上为开关S1与S2、S3与S6、S4与S5的动作的上半周；接上半周，闭合开关S2，变压器T的原边LP输出为电容器C的反向电压，为负电压，L1、L2的两端输出为变压器变压后的负值电压，L2的电压方向与流过它的电流方向相同，从而使流过S2的电流增加；L1的电压与流过它的电流相反，从而使流过S1的电流减少。当流经S1的电流降为零，打开S1，从而实现了零电流关断。然后闭合S3，打开S4，则变压器T原边电流通过S3、S5续流，变压器T的原边LP输出电压为零，L2两端的电压也因此变为零，从而使磁体L两端电压为零，磁体L的电流I保持不变。然后再使S5打开，S6闭合，变压器T的原边LP输出为电容器C的正向电压，为正电压，L2的两端输出为变压器变压后的正值电压，电压方向与同名端决定的方向相同，大小为电容器C的电压/变压器变比，也即是磁体L两端电压，它与磁体L的电流I方向相反，磁体L放电。以上为开关S1与S2、S3与S6、S4与S5的动作的下半周。通过调节开关S1与S2，S3与S6和S4与S5的在半周内的占空比，可调节磁体L两端的平均电压，即灵活调节磁体L的放电电压。
图4为本发明电流引线式实施例的线路图。本发明由电流单元UI、变压器单元UT，与电压单元UV三部分组成。变压器单元UT为与电流单元相连的副边带抽头的变压器T。电压单元UV由电容器C与电压源换流器构成。电压源换流器由两个桥臂并联而成。功率场效应晶体管(Power MOSFET)T5和T7串联构成其中一个桥臂、T6和T8串联构成其中另外一个桥臂。两个桥臂的两端构成其直流输出端，两个桥臂的中点构成其交流输出端。电压源换流器的交流输出端与变压器T原边相连，电压源换流器的直流输出端与电容器C并联；电流单元UI为一电流源换流器，它的直流侧一端连接于变压器T的中间抽头，另一端由一侧分别与变压器T的上下两个端子连接的功率场效应晶体管(Power MOSFET)T11和T12、T21和T22两两串联组成的支路的另一侧共同连接而成；电流源换流器的直流侧与超导磁体L连接，而与电压源换流器的直流侧并联的电容器C与分别由开关S1和直流电源DC、开关S2与负载LOAD相串联组成的支路并联连接。其中直流侧DC为可控整流桥，变压器T可为常规变压器或者超导变压器，开关S1、S2可以是固态开关或者电气开关。其中电流单元UI、变压器单元UT和除了电容器C外的电压单元UV在低温容器内。
图5为本发明无引线式实施例的线路图。本发明由电流单元UI、变压器单元UT，与电压单元UV三部分组成。变压器单元UT为与电流单元相连的副边带抽头的变压器T。电压单元UV由电容器C与电压源换流器构成。电压源换流器由两个桥臂并联而成。功率场效应晶体管(Power MOSFET)T5和T7串联构成其中一个桥臂、T6和T8串联构成其中另外一个桥臂。两个桥臂的两端构成其直流输出端，两个桥臂的中点构成其交流输出端。电压源换流器的交流输出端与变压器T原边相连，电压源换流器的直流输出端与电容器C并联；电流单元UI为一电流源换流器，它的直流侧一端连接于变压器T的中间抽头，另一端由一侧分别与变压器T的上下两个端子连接的功率场效应晶体管(Power MOSFET)T11和T12、T21和T22两两串联组成的支路的另一侧共同连接而成；电流源换流器的直流侧与超导磁体L连接，而与电压源换流器的直流侧并联的电容器C与分别由开关S1和直流电源DC、开关S2与负载LOAD相串联组成的支路并联连接。其中直流侧DC为可控整流桥，功率场效应晶体管(Power MOSFET)T11、T12、T21、T22、T5、T6、T7和T8亦可以是门极可关断晶闸管GTO、绝缘门极双极型晶体管IGBT、其它有源电力电子器件或者超导开关，变压器T可为常规变压器或者超导变压器，开关S1、S2可以是固态开关或者电气开关。其中电流单元和变压器的电流侧在低温容器内。
图6是本发明电流引线式实例充电控制方式原理图，下面以此为例说明开关器件的动作逻辑关系开关S1闭合，开关S2打开时，对磁体L进行充电。MOSFET T12、T22、在充电时恒闭合，通过T11、T21进行同步整流。MOSFET T5和T7导通角相差180°，中间相隔一小段死区。MOSFET T8和T6也相差180°，中间相隔一小段死区。T5和T7为超前桥臂，T8和T6为滞后桥臂。若MOSFET T5与T8闭合，T6与T7打开，变压器T的原边绕组输出为电容器C1的电压，为正电压，变压器T副边的两端输出为变压器变压后的正值电压，电压方向由同名端决定，大小为电容器C1的电压/变压器变比，给磁体L充电。充电一段时间后，若T5打开，T7闭合，T6，T8的状态不变，则变压器T原边电流通过T8与T7的反并联二极管续流，变压器T的原边绕组的输出电压为零，副边绕组的电压也变为零，超导磁体L既不充电也不放电。续流一段时间后，触发T21，然后打开T8，变压器T原边电流通过T6与T7的反并联二极管续流，变压器T副边的两端输出为变压器变压后的负值电压，电压方向由同名端决定，大小为电容器C1的电压/变压器变比，T21、T22承受正向电压开通，并且电流逐渐增加；T11、T12承受反向电压，电流逐渐减少。当原边电流减少到零时，两条直流流过的电流大小相同。此时闭合T6，T6实现了零电流开通，这时变压器T原边的电流通过T6、T7逐渐增加，变压器T副边两端输出的电压依然是负值电压，流过T21、T22的电流继续增加，T11、T12的电流继续减少，当T11、T12流过的电流减少到零时，撤除T11的触发信号，T11实现了零电流关断。以上为MOSFET T5、T6、T7、T8的动作上半周；接上半周的时序，当T11关断后，由于变压器T副边的两端输出电电压方向不变，流过T21、T22的电流继续增加，给磁体L充电。充电一段时间后，若T7打开，T5闭合，T6，T8的状态不变，则变压器T原边电流通过T6与T5的反并联二极管续流，变压器T的原边绕组的输出电压为零，副边绕组的电压也变为零，超导磁体L既不充电也不放电。续流一段时间后，触发T11，然后打开T6，变压器T原边电流通过T5与T8的反并联二极管续流，变压器T副边的两端输出为变压器变压后的正值电压，电压方向由同名端决定，大小为电容器C1的电压/变压器变比，T11、T12承受正向电压开通，并且电流逐渐增加；T21、T22承受反向电压，电流逐渐减少。当原边电流减少到零时，两条直流流过的电流大小相同。此时闭合T8，T8实现了零电流开通，这时变压器原边的电流通过T5、T8逐渐增加，变压器T副边两端输出的电压依然是正值电压，流过T11、T12的电流继续增加，T21、T22的电流继续减少，当T21、T22流过的电流减少到零时，撤除T21的触发信号，T21实现了零电流关断。以上为MOSFET T5、T6、T7、T8的动作下半周。
图7是本发明电流引线式实施例放电控制方式原理图，下面以此为例说明开关器件的动作逻辑关系开关S2闭合，开关S1打开时，对磁体L进行放电。设磁体L的电流I方向如图1所示，若MOSFET T5与T8闭合，T6与T7打开，变压器T的原边输出为电容器C的电压，为正电压，此时T21、T22闭合，T11、T12打开，T副边输出为变压器变压后的正值电压(电压方向由同名端决定，大小为电容器C的电压/变压器变比)，也即是磁体L两端电压，它与磁体L的电流I方向相反，磁体L放电。放电一段时间后，触发T11、T12，由于变压器副边输出为正电压，此电压使流过T12、T12的电流增加，T21、T22的电流减少，当T21、T22的电流减少到零后，打开T21、T22从而实现了零电流关断，关断后打开T5，闭合T7，变压器T原边电流通过T8和T7的反并联二极管续流，变压器T的原边绕组的输出电压为零，副边绕组的电压也变为零，超导磁体L既不充电也不放电。以上为MOSFET T5、T6、T7、T8的动作的上半周；接上半周的时序，续流一段时间后，闭合T6，打开T8，变压器T的原边输出为电容器C的反向电压，为负电压，变压器T副边的电压方向由同名端决定，大小为电容器C的电压/变压器变比，电压方向与同名端决定的方向相反，也与磁体L的电流I方向相反，磁体L放电。此后，触发T21、T22，变压器T副边的两端输出的负值电压使流过T21、T22的电流增加，T11、T12的电流减少，当T11、T12的电流完全减少到零时，关断T11、T12，从而实现了零电流的关断，关断后打开T7，闭合T5，变压器T原边电流通过T6和T5的反并联二极管续流，变压器T的原边绕组的输出电压为零，副边绕组的电压也变为零，超导磁体L既不充电也不放电。以上为MOSFET T5、T6、T7、T8的动作的下半周。
本发明无引线式实施例的控制方式与电流引线式实施例完全相同。
权利要求
1.一种用于超导储能的低温电流调节器，其特征在于它由电压单元[UV]、变压器单元[UT]与电流单元[UI]三部分组成，电压单元[UV]为一直流侧为电容器[C]的电压源换流器，电流单元[UI]为一直流侧接超导磁体[L]的电流源换流器；电压源换流器的交流输出侧与变压器[T]原边相连，电流源换流器的交流输出侧与变压器[T]副边相连；电压源换流器和电流源换流器均可采用全桥或全波的形式若采用全桥的形式，换流器由两个桥臂并联而成，每个桥臂由两个开关管串联而成，桥臂的两端为换流器的直流输出端，两个桥臂的中点为换流器的交流输出端；若采用全波的形式，则由两个开关管组成，两个开关管的两端串联，构成换流器的一个直流输出端，另外两端构成其交流输出端，分别连接到变压器[T]的两端；变压器[T]采用带中间抽头的变压器，其中间抽头构成其中另外一个直流输出端；电压源换流器的交流输出端与变压器原边相连，直流输出端与电容器[C]相连；电流源换流器的交流输出端与变压器[T]副边相连，直流输出端与超导磁体[L]相连；其中变压器单元[UV]可以是普通变压器，也可以是一侧或者两侧皆为带抽头的变压器；若采用全波的形式，则该侧变压器带中间抽头。
2.按照权利要求1所述的用于超导储能的低温电流调节器，其特征在于变压器单元[UT]为与电流单元相连的副边带抽头的变压器；电压单元[UV]为一直流侧为电容器[C]与分别由功率场效应晶体管(Power MOSFET)[T5]和[T7]、[T6]和[T8]两两串联组成的电压源换流器的两个桥臂并联组成，两个桥臂的中点，即电压源换流器的交流输出与变压器[T]原边相连；电流单元[UI]为一电流源换流器，它的直流侧一端连接于变压器[T]的中间抽头，另一端由一侧分别与变压器[T]的上下两个端子连接的功率场效应晶体管(Power MOSFET)[T11]和二极管[T12]、[T21]和[T22]两两串联组成的支路的另一侧共同连接而成；电流源换流器的直流侧与超导磁体[L]连接，而电压源换流器的直流侧电容器[C]与分别由开关[S1]和直流电源[DC]、开关[S2]与负载[LOAD]相串联组成的支路并联连接。
3.按照权利要求1或2所述的用于超导储能的电流调节器，其特征在于其电压源变换器的直流侧[DC]为可控整流桥，变压器[T]可为常规变压器或者超导变压器，开关管[S1]、[S2]可以是固态开关或者电气开关；功率场效应晶体管(Power MOSFET)[T11]、[T12]、[T21]、[T22]、[T5]、[T6]、[T7]与[T8]亦可以是门极可关断晶闸管GTO、绝缘门极双极型晶体管IGBT、其它有源电力电子器件或者超导开关。
4.按照权利要求1或2所述的用于超导储能的低温电流调节器，其特征在于整个电流调节器和超导磁体[L]都可置于低温环境下，只留出电压引线作为与常温器件的接口的电流引线式，或电流调节器[UI]的电流单元与超导磁体[L]置于低温下，通过变压器与电压单元实现电气联系的无引线式。
5.按照权利要求1或2所述的用于超导储能的低温电流调节器，其特征在于所述的电压单元[UV]采用移相控制电流调节其的充放电控制方式，使桥上下臂的脉冲相位互补，而桥对角线臂的脉冲时序不同相，通过调节桥对角线臂脉冲的超前或滞后时间，来改变逆变器输出电压的脉宽；电流单元[UI]通过电压单元[UV]提供的辅助电势，在电流源换流器的两支路的开关管在换相的时刻，先给要开通支路的开关管触发信号，然后控制电压源换流器的开关管，使之在变压器[T]的原边上产生换相电压，折合到副边后，由于与流过要关断的开关管的电流方向相反，从而使流过该支路电流减少；由于与流过要开通的开关管的电流方向相同，从而使流过该支路电流增加，待到流过要关断的开关管的电流减少到零后，再关断该开关管。
全文摘要
一种用于超导磁体充放电的电流调节器，包括电压单元[U
文档编号H01F6/00GK1874131SQ20051001183
公开日2006年12月6日 申请日期2005年6月1日 优先权日2005年6月1日
发明者赵彩宏, 郭文勇, 肖立业, 林良真, 余运佳 申请人:中国科学院电工研究所