专利名称：多波长发光二极体构造及其制程的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光二极体的发光效率与光色表现技术，旨在提供一种可产生高发光效率与准确光泽的多波长发光二极体构造以及制程。
背景技术：
如图1所示，为一种习用多波长发光二极管的基本构造示意图，此多波长发光二极管是利用固晶胶40将发光芯片10定置在一呈碗杯状的载体20当中，并且利用金线30构成发光芯片10与电极端21的连结，以及利用具有荧光粉的荧光胶50将发光芯片10包覆，以在发光芯片10通电作用下，令发光芯片的光源激发荧光胶50的荧光粉，藉以形成预期的光色。
图1所示的多波长发光二极管一般是使用蓝色芯片激发混合在荧光胶50当中的黄色荧光粉51，而产生看似白光的「拟白光」，但由于类似的多波长发光二极管仅透过单一颜色的荧光粉作为被发光芯片激发的互补光，导致所构成的「拟白光」色泽不佳及黄晕现象；以致于，业界亦开发出如图2所示在荧光胶当中混合有两种荧光粉的多波长发光二极管结构，这类的多波长发光二极管一般是使用蓝色芯片激发混合在荧光胶50当中的红色荧光粉52以及绿色荧光粉53，以利用产生红、绿双色与发光芯片10的蓝色光结合，而达成三原色混光效果产生较高演色性的接近白光的光色；然而，这类的多波长发光二极管因为不同荧光粉的份量、比例不易控制，而无法有效掌控成品的品质，再加上不同荧光粉是在相同的部位同时被发光芯片的光源激发，而会产生干扰现象，亦即波长较短的荧光粉能量会部分激发波长较长的荧光粉所吸收消耗，而且无法预估其消耗比率，以致于产生无法预期色偏，同样无法准确呈现预期的光色，并且由于短波长荧光粉于被发光芯片激发后而放射出波长稍长的光波，该稍长波长光除了参与混光以产生白光外，会再激发发射波长更长的荧光粉，降低发光效率，因此产生较低发光亮度的情况。
发明内容
有鉴于此，本发明「多波长发光二极管构造及其制程」，即分别在相对应于发光芯片的底层以及外围以上的部位覆设有至少一种具既定波长的荧光材，在发光芯片通电作用下，分别激发其底层及外围以上部位的荧光材而形成较高发光效率及预期的出色光。
由于，此出色光是由发光芯片分别激发其底层部位的荧光材以及外围以上部位的荧光材所构成，因此不会发生相互干扰的现象，不但可获致色泽准确的出色光，而且不同部位的荧光材份量、比例较容易控制，将有利于掌控多波长发光二极管的品质，以及大幅提升其产能。
图1为习用多波长发光二极管的结构示意图；图2为另一种习用多波长发光二极管的结构示意图；图3为本发明第一实施例的多波长发光二极管结构示意图；图4为本发明第二实施例的多波长发光二极管结构示意图；图5为本发明第三实施例的多波长发光二极管结构示意图。
图号说明10发光芯片20载体21电极端30金线40固晶胶50荧光胶51黄色荧光粉52红色荧光粉
53绿色荧光粉61第一种荧光材62第二种荧光材63第三种荧光材具体实施方式
为能使贵审查员清楚本发明的组成，以及实施方式，兹配合图式说明如下本发明「多波长发光二极管构造及其制程」，其整体多波长发光二极管的基本结构组成如图3所示，同样是利用固晶胶40将发光芯片10定置在一载体20当中，并且利用金线30构成发光芯片10与电极端21的连结，以及利用具有荧光材的荧光胶50将发光芯片10包覆，以在发光芯片10通电作用下，令发光芯片的光源激发荧光胶50的荧光材，藉以形成预期的光色。
其中，整体多波长发光二极管是分别在相对应于发光芯片的底层部位以及外围以上的部位覆设有至少一种具既定波长的荧光材，在发光芯片通电作用下，分别激发其底层及外围以上部位的荧光材而形成预期的出色光；因此不会发生相互干扰的现象，不但可获致较高发光效率与色泽准确的出色光，而且不同部位的荧光材份量、比例较容易控制，将有利于掌控多波长发光二极管的品质，以及大幅提升其产能。
本发明的多波长发光二极管于实施时，是可以制做成为如图3至图5的结构型态首先，如图3所示，是在发光芯片10的底层部位(图式中的固晶胶40部位)覆设相对波长较长的第一种荧光材61，以及在发光芯片10外围以上的部位(图式中的荧光胶50部位)覆设有相对波长较短的第二种荧光材62；于实施时，发光芯片10是可以为蓝色芯片，发光芯片10的底层部位是覆设红光荧光材，发光芯片外围以上的部位则是覆设绿色荧光材，藉以构成产生白光的发光二极管；而且，本实施例当中的多波长发光二极管制程是依序包括有将相对波长较长的第一种荧光材与胶体混合成为固晶胶，并将此荧光胶覆设在发光芯片的载体中；将发光芯片固定在上述固晶胶中，并将固晶胶烤合；利用金线构成发光芯片与电极端的搭接；将相对波长较短的第二种荧光材与胶体混合成为荧光胶，并将此荧光胶灌注在发光芯片外围以上的部位；以及，最后将荧光胶烤合等步骤。
如图4所示，本发明多波长发光二极管的另一个实施例是在发光芯片10的底层部位(图式中的固晶胶40部位)覆设相对波长较长的第一种荧光材61，以及在发光芯片外围以上的部位(图式中的荧光胶50部位)覆设有相对波长较短的第二、第三种荧光材62、63，其中，第三种荧光材63的波长是介于第一、第二种荧光材61、62之间；于实施时，发光芯片10为蓝色芯片，发光芯片10的底层部位是覆设红光荧光材，发光芯片外围以上的部位是覆设绿色荧光材以及黄色荧光材，藉以构成产生白光的发光二极管；至于，本实施例当中的多波长发光二极管制程是依序包括有将相对波长较长的第一种荧光材与胶体混合成为固晶胶，并将此荧光胶覆设在发光芯片的载体中；将发光芯片固定在上述固晶胶中，并将固晶胶烤合；利用金线构成发光芯片与电极端的搭接；将相对波长较短的第二、第三种荧光材与胶体混合成为荧光胶，并将此荧光胶灌注在发光芯片外围以上的部位；以及最后将荧光胶烤合等步骤。
本发明多波长发光二极管的又一个实施例如图5所示，是在发光芯片10的底层部位(图式中的固晶胶40部位)覆设相对波长较长的第一、第二种荧光材61、62，以及在发光芯片10外围以上的部位(图式中的荧光胶50部位)覆设有相对波长较短的第三种荧光材63，其中，第二种荧光材62的波长是介于第一、第三种荧光材61、63之间；于实施时，发光芯片为蓝色芯片，发光芯片的底层部位是覆设红光荧光材以及黄光荧光材，发光芯片外围以上的部位是覆设绿色荧光材，藉以构成产生白光的发光二极管；原则上，本实施例当中的多波长发光二极管制程是依序包括有将相对波长较长的第一种荧光材以及第二种荧光材分别与胶体混合，并且分别制成胶饼；将第一种荧光材以及第二种荧光材所制成的胶饼放置在发光芯片的载体中，再放上发光芯片，并且加以烤合固定；利用金线构成发光芯片与电极端的搭接；将相对波长较短的第三种荧光材与胶体混合成为荧光胶，并将此荧光胶灌注在发光芯片外围以上的部位；以及最后将荧光胶烤合等步骤。
当然，亦可以在将相对波长较长的第一种荧光材以及第二种荧光材分别与胶体混合，并且分别制成胶饼之后，将第一种荧光材以及第二种荧光材所制成的胶饼与芯片烤合固定成为半成品；再依序将上述半成品放置在发光芯片的载体中并且加以烤合固定；利用金线构成发光芯片与电极端的搭接；将相对波长较短的第三种荧光材与胶体混合成为荧光胶，并将此荧光胶灌注在发光芯片外围以上的部位；以及，最后将荧光胶烤合，即完成多波长发光二极管的制程。
如上所述，本发明提供一较佳可行的多波长发光二极管构造及其制程，于是，依法提呈发明专利的申请；然而，以上的实施说明及图式所示，是本实用新型较佳实施例之一，并非以此局限本实用新型，是以，举凡与本实用新型的构造、装置、特征等近似、雷同，均应属本实用新型的创作目的及申请专利范围之内。
权利要求
1.一种多波长发光二极体构造，其特征在于在发光芯片的底层部位覆设相对波长较长的第一种荧光材，以及在发光芯片外围以上的部位覆设有相对波长较短的第二种荧光材。
2.如权利要求1所述的多波长发光二极体构造，其中，该发光芯片为蓝色芯片，该发光芯片的底层部位是覆设红光荧光材，该发光芯片外围以上的部位是覆设绿色荧光材。
3.一种多波长发光二极体的制程，其特征在于包括有下列步骤a.将相对波长较长的第一种荧光材与胶体混合成为固晶胶，并将此荧光胶覆设在发光芯片的载体中；b.将发光芯片固定在上述固晶胶中，并将固晶胶烤合；c.进行发光芯片与电极端的搭接；d.将相对波长较短的第二种荧光材与胶体混合成为荧光胶，并将此荧光胶灌注在发光芯片外围以上的部位；e.最后将荧光胶烤合即完成多波长发光二极管的制程。
4.一种多波长发光二极体构造，其中，在发光芯片的底层部位覆设相对波长较长的第一种荧光材，以及在发光芯片外围以上的部位覆设有相对波长较短的第二、第三种荧光材。
5.如权利要求4所述的多波长发光二极体构造，其中，该第三种荧光材的波长是介于第一、第二种荧光材之间。
6.如权利要求4所述的多波长发光二极体构造，其中，该发光芯片为蓝色芯片，该发光芯片的底层部位是覆设红光荧光材，该发光芯片外围以上的部位是覆设绿色荧光材以及黄色荧光材。
7.一种多波长发光二极体的制程，其特征在于包括有下列步骤a.将相对波长较长的第一种荧光材与胶体混合成为固晶胶，并将此荧光胶覆设在发光芯片的载体中；b.将发光芯片固定在上述固晶胶中，并将固晶胶烤合；c.进行发光芯片与电极端的搭接；d.将相对波长较短的第二、第三种荧光材与胶体混合成为荧光胶，并将此荧光胶灌注在发光芯片外围以上的部位；e.最后将荧光胶烤合即完成多波长发光二极管的制程。
8.一种多波长发光二极体构造，其特征在于在发光芯片的底层部位覆设相对波长较长的第一、第二种荧光材，以及在发光芯片外围以上的部位覆设有相对波长较短的第三种荧光材。
9.如权利要求8所述的多波长发光二极体构造，其中，该第二种荧光材的波长是介于第一、第三种荧光材之间。
10.如权利要求8所述的多波长发光二极体构造，其中，该发光芯片为蓝色芯片，该发光芯片的底层部位是覆设红光荧光材以及黄光荧光材，该发光芯片外围以上的部位是覆设绿色荧光材。
11.一种多波长发光二极体的制程，其特征在于包括有下列步骤a.将相对波长较长的第一种荧光材以及第二种荧光材分别与胶体混合，并且分别制成胶饼；b.将第一种荧光材以及第二种荧光材所制成的胶饼放置在发光芯片的载体中，再放上发光芯片，并且加以烤合固定；c.进行发光芯片与电极端的搭接；d.将相对波长较短的第三种荧光材与胶体混合成为荧光胶，并将此荧光胶灌注在发光芯片外围以上的部位；e.最后将荧光胶烤合即完成多波长发光二极管的制程。
12.一种多波长发光二极体的制程，其特征在于包括有下列步骤a.将相对波长较长的第一种荧光材以及第二种荧光材分别与胶体混合，并且分别制成胶饼；b.将第一种荧光材以及第二种荧光材所制成的胶饼与芯片烤合固定成为半成品；c.将上述半成品放置在发光芯片的载体中并且加以烤合固定；d.进行发光芯片与电极端的搭接；e.将相对波长较短的第三种荧光材与胶体混合成为荧光胶，并将此荧光胶灌注在发光芯片外围以上的部位；f.最后将荧光胶烤合即完成多波长发光二极管的制程。
13.如权利要求3或7或11或12所述的多波长发光二极体的制程，其中，是利用金线构成发光芯片与电极端的搭接。
全文摘要
本发明分别在相对应于发光芯片的底层以及外围以上的部位覆设有至少一种具既定波长的荧光材，在发光芯片通电作用下，分别激发其底层及外围以上部位的荧光材而形成较高发光效率及预期的出色光，由于此出色光是由发光芯片分别激发其底层部位的荧光材以及外围以上部位的荧光材所构成，因此不会发生相互干扰的现象，不但可获致较高发光效率及色泽准确的出色光，而且不同部位的荧光材份量、比例较容易控制，将有利于掌控多波长发光二极管的品质，以及大幅提升其产能。
文档编号H01L33/00GK1838437SQ20051005679
公开日2006年9月27日 申请日期2005年3月25日 优先权日2005年3月25日
发明者李明顺, 何昌纬 申请人:李洲科技股份有限公司