专利名称：一种真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的连接构造。
背景技术：
现有的真空灭弧室中，金属屏蔽筒是套在瓷壳中，并与瓷壳通过钎焊固定的。随着真空灭弧室朝着小型化方向的发展，金属屏蔽筒可能采用高膨胀系数的金属材料制作。但当金属屏蔽筒采用高膨胀系数的金属材料制作时，采用现有的钎焊材料对屏蔽筒和瓷壳进行直接，则可能会因瓷壳的应力不匹配，造成瓷壳炸裂。使得产品质量非常不稳定。
发明内容
本实用新型的目的在于，提供一种真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造。该构造可以解决高膨胀系数的金属屏蔽筒与瓷壳的钎焊固定问题，防止因屏蔽筒脱落或固定不牢靠、瓷壳炸裂产生的故障。
本实用新型的技术方案。一种真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造，构成包括屏蔽筒1和瓷壳2；其特征在于瓷壳2的内侧设有环型凸台3，在屏蔽筒1的外侧对应于环型凸台3上、下方位置分别设有金属环5和金属环4，或仅在屏蔽筒1的外侧对应于环型凸台3下方位置设有金属环4。
上述的真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造，金属环4、金属环5采用与瓷壳2的膨胀系数非常接近的金属材料或用质软，延展性好的金属材料制成。
上述的真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造，所述的金属材料是无氧铜、铁镍钴瓷封合金、银铜合金或镍铜合金。
与现有技术比较，本实用新型采用了一种新的连接构造，解决了高膨胀系数的金属屏蔽筒与瓷壳的钎焊固定问题。防止了因屏蔽筒的膨胀造成瓷壳的破裂，以及使屏蔽筒脱落或固定不牢靠产生故障。提高了产品的可靠性，拓宽了屏蔽筒使用材料的选择，更有利于真空灭弧室朝着小型化的方向发展。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是本实用新型采用只有一端用金属环时的结构示意图；图3是本实用新型凸台为锥面时的结构示意图；图中标记为，1-屏蔽筒，2-瓷壳，3-环型凸台，4-金属环，5-金属环，6-金属丝料，7-环型斜面，。
具体实施方式
实施例1。真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造，如图1、2所示，构成包括屏蔽筒1和瓷壳2，瓷壳2的内侧设有环型凸台3，在屏蔽筒1的外侧对应于环型凸台3上、下方位置分别设有金属环5和金属环4或仅在下方位置设有金属环4。金属环4和金属环5用质软，延展性好的金属或用与瓷壳2的膨胀系数非常接近的金属材料制成，这些金属材料可以是无氧铜、铁镍钴瓷封合金、银铜合金或镍铜合金。如图3所示，环型凸台3的上部也可制作成环型斜面7，如果这样，金属环5也可用金属丝料6代替。
本实用新型中，金属环的高度和几何形状根据设计需要可以有所变动，瓷壳内的环型凸台也可以沿轴向移动。屏蔽筒可以使用两节分体式的，也可以使用一体化的。
权利要求1.一种真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造，构成包括屏蔽筒(1)和瓷壳(2)；其特征在于瓷壳(2)的内侧设有环型凸台(3)，在屏蔽筒(1)的外侧对应于环型凸台(3)上、下方位置分别设有金属环(5)和金属环(4)，或仅在屏蔽筒(1)的外侧对应于环型凸台(3)下方位置设有金属环(4)。
2.根据权利要求1所述的真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造，其特征在于金属环(4)、金属环(5)用与瓷壳(2)的膨胀系数非常接近的金属材料或用质软，延展性好的金属材料制成。
3.根据权利要求2所述的真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造，其特征在于所述的金属材料是无氧铜、铁镍钴瓷封合金、银铜合金或镍铜合金。
专利摘要本实用新型公开了一种真空灭弧室中屏蔽筒与瓷壳的新型连接构造。它包括屏蔽筒(1)和瓷壳(2)；特点是瓷壳(2)的内侧设有环型凸台(3)，在屏蔽筒(1)的外侧对应于环型凸台(3)上、下方位置分别设有金属环(5)和金属环(4)，或仅在屏蔽筒(1)的外侧对应于环型凸台(3)下方位置设有金属环(4)。本实用新型解决了高膨胀系数的金属屏蔽筒与瓷壳的钎焊固定问题。防止了因屏蔽筒的膨胀造成瓷壳的破裂，以及使屏蔽筒脱落或固定不牢靠产生故障。提高了产品的可靠性，拓宽了屏蔽筒使用材料的选择，更有利于真空灭弧室朝着小型化的方向发展。
文档编号H01H33/664GK2829059SQ200520006379
公开日2006年10月18日 申请日期2005年10月25日 优先权日2005年10月25日
发明者王德志 申请人:中国振华(集团)科技股份有限公司宇光分公司