专利名称：电通路连接和关联的接触部件以及它们的制造方法
技术领域：
本发明涉及有机电子电路中，具体地说是存储电路中的电通路连接和关联的接触部件，其中一层活性有机介电材料包含氟原子，并由单分子、齐聚物、同聚物、共聚物、或它们的混合物或化合物组成，其中通路连接提供在延伸过介电层的通路开口中并与分别提供在介电层两侧上的第一和第二电接触部件连接，其中第一接触部件提供在该层的底部表面，且第二接触部件提供在该层的相对表面或顶部表面。
本发明还涉及制造这种电通路连接和关联的接触部件的方法。
本发明特别要解决在有机电子电路中包含氟原子的有机活性介电材料与形成电流路径通路和电极金属的导电材料的对接问题。在本发明中使用的活性有机介电材料或层的概念是指在有机电子电路中执行活性功能的有机介电材料。这些材料的实例包括可在暴露于电场、电压或电流时进行相变，或可在这些影响下被设置为特定的物理或电状态的有机介电材料，例如，如果是有机铁电材料，它们可被设置为两种极化状态中的任一种并可在这二者之间转换。因此，活性有机介电材料在重要的方面不同于无源有机介电质，后者通常仅被认为是绝缘体，且在受到电场、电流或电压的影响时不会改变它们的状态或相位。这些材料，具体地说是最佳的绝缘体，当然具有低的电容率，但活性有机介电材料可具有实际上更高的介电常数，并且在许多应用中，活性有机介电材料是所谓的高ε材料被认为是有利的。然而，它们构成了阻抗，并因此被发现可作为RC或RCL网络的有源元件。作为本发明主题的一种特定应用当然是使用以铁电体或永电体有机材料形式的活性有机介电材料，例如含氟聚合物和共聚物。但已发现，当这些材料与导体例如电极金属有欧姆接触，并受到动态电刺激时，它们的功能特性会永久受损。它们功能性能力的退化会随时间和所加刺激的次数而加剧，特别当活性有机化合物包含高反应元素例如氟的原子时。
通路，或更恰当地说是通路连接，按惯例用来连接在层状结构相对表面上的元件和器件。通路连接最常用于电连接层状活性介电结构两侧上的接触部件，且通常期望通路连接应具有最小的特性尺寸，但同时又要求其提供所需的高质量电连接。
在基于无机材料的集成电路技术中，通路连接通常由具有高耐蚀性并与集成电路所使用的其他无机导电和介电材料具有高兼容性的高导电通路金属形成。
功能良好的通路连接在VLSI电路中极为重要，在这些电路中成千上万甚至数百万的连接要在拓扑上极为复杂的超小型结构中形成。在活性介电层两侧上提供的接触部件对通路连接要求有通路开口或通孔通过该层，并具有在亚微米范围内的尺寸。使用微光刻形成图案以及随后的蚀刻，即可制作这些通孔。用这种方式，也可形成具有不同截面几何形状的通路。
美国专利No.6,127,070(Yang等人)公开了一种用于形成纵横比大于4∶1的矩形通路的方法。这种通路的横向尺寸由于受到可适用的设计规则的限制在0.2μm左右，暗示矩形通路具有的长度约为1μm。不同的导电材料已被建议并用于填充通孔。典型的是使用钨作为通路材料，于是通路被称为钨塞。但实际上，通路塞可以用能以足够的流速沉积来填充通孔的任何适当的导电材料形成。
美国专利No.5,322,816(Pinter)公开了一种用于在厚度大约为1μm的半导体层中制作通孔的方法，且其中通孔的横向侧边在垂直方向可以形成有斜度或锥度。当通路金属被毡毯式沉积，例如沉积成溅射薄膜时，这可确保通孔的高质量填充，以基本上覆盖通路的倾斜侧边和底部金属触点。
用于形成金属通路的上述现有技术的方法受许多缺点的阻碍，具体地说是相对于具有活性有机材料层例如聚合物层的薄膜器件。这些层可能非常薄，例如低至数十纳米，而且当用于通路塞的金属被沉积时，很难调谐工艺参数，具体地说是在热规范内。工艺步骤的数量也必然带来增加的生产成本。
已发现在包含一种或多种活性有机介电材料的有机电子电路中通路连接和它们关联的接触部件。这些材料对通路连接会有不利影响，当通路连接实际上形成为通路金属与这种有机材料相接触时，这一点就特别至关重要。这种通路连接一般提供在矩阵可寻址铁电体或永电体存储器中，其中一层例如铁电体或永电体聚合物或共聚物用作存储材料，其两侧被平行的条状电极组所包围，以使各组的电极定向为基本上相互正交。有机例如铁电体或永电体材料被夹在电极组之间，并形成整体层，而存储单元被定义在交叉电极之间的存储材料中。铁电体或永电体存储单元因而可被认为是铁电体或永电体电容器，且其间夹有有机存储材料的交叉电极当然就等效于一个电容器结构。这种器件需要大量的通路连接，通常都提供在器件的边缘，上述多组电极以高密度配置在这里终止，电极节距在亚微米范围之内。这就意味着，实现通路连接是一件棘手的事。通常，通路将一组电极连接到接触部件，并且提供在通孔中，延伸过存储材料，存储材料当然是具有铁电体或永电体特性的介电质，以使其在电容器状结构的交叉电极之间所加的电场中可被极化。此外，已发现，甚至通路的形成过程，即通孔的形成图案和蚀刻以及通路金属的沉积，不仅对存储材料而且对接触电极都会有不利影响，而处于工艺条件下的存储材料能够与电极和通路金属起化学反应，导致它们的电气特性变差。
因此本发明的一个目的是，提供有机电子电路中的具有改进质量的通路连接和关联的接触部件，其中在任何情况下通路连接和接触部件都被提供为与至少包含氟原子的活性有机介电材料有对接关系。
本发明还有一个目的是，提供在化学、电气和机械上都与接触部件兼容的通路连接，或提供电极金属以在这种电路中进行接触。
上述目的以及其他特性和优点可用按照本发明的电通路连接和关联的接触部件来实现，其特征在于第二接触部件包含直接沉积在活性有机介电层上的第一层化学惰性和不反应导电材料，以及整体提供在第一层上和向下至第一接触部件的通路开口中的第二层导电材料，由此在所述第一和第二接触部件之间的通路连接延伸过活性有机介电层，并与所述第二接触部件的第二层成为整体。
同样，上述目的以及其他特性和优点可用按照本发明用于制造电通路连接和关联的接触部件的方法来实现，其特征在于直接在活性有机介电层上沉积一层化学惰性导电材料作为所述第二接触部件的第一层；在所述第一层中形成通路开口，并通过活性有机介电层向下至第一接触部件；以及在第一层上沉积一层导电材料作为第二接触部件的第二层，并通过通路开口向下至第一接触部件，由此在所述第一和第二接触部件之间的通路连接即建立起来，通过活性有机介电层并与所述第二接触部件的所述第二层成为整体。
其他特性和优点从所附从属权利要求中将显而易见。
从结合附图所作的对优选实施例的以下讨论中就可更好地理解本发明，附图包括
图1示出按照本发明的具有两层的接触部件截面；图2是按照本发明的通路连接，它例如可用于具有一层活性有机介电材料的矩阵可寻址器件中；图3是按照本发明的通路连接和关联的接触部件的另一实施例；图4a是在本发明实施例中所用的通路开口的透视图；图4b是按照本发明的通路连接实施例的截面图，具有图4a中所示的通路开口；图4c是图4a中实施例的平面图；图5a是在本发明另一实施例中所用的通路开口的透视图；图5b是按照本发明的另一优选实施例的截面图，具有图5a中所示的通路开口；图5c是图5a中实施例的平面图；以及图6是按照本发明通路连接和关联接触部件的制造过程流程图。
本发明的一般背景在某种程度上基于申请人自己对适用于制造具有含氟原子活性有机材料的电子电路的电极材料和沉积方法的调查研究。具体地说，这些调查研究一直专注于在矩阵可寻址铁电体或永电体存储器中用于寻址电极和接触部件的材料，其中有机存储材料是夹在寻址电极之间基于偏二氟乙烯的聚合物和/或共聚物。由于电极金属和例如氟化铁电聚合物之间的交互作用，在此电压施加到电极上且在其间的存储材料中创建了电场，对于电极材料的选择以及它们的沉积方法必须给予特殊的考虑，以免对系统电极金属/存储材料有负面影响，具体地说是在工作条件下。作为调查研究的结果，在同时待审的专利申请中已建议至少底部电极或具有有机铁电体或永电体存储材料的铁电体或永电体存储电路，其中氟化聚合物位于寻址电极之间，应包含至少一层金，面向存储材料。在此情况下优选的存储材料是P(VDF-TrFE)型共聚物，即聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物。
相对存储材料中含有的反应组分而言底部电极应基本上是化学惰性的，但在电极之上沉积例如铁电聚合物仍然会导致某些不利的表面反应。然而，通过先化学处理暴露的电极表面然后再在其上沉积存储材料，这些不利的影响就可有利地减轻。但是，在存储材料层相对表面上的顶部电极可由任何适合的电极金属制成，例如钛，尽管已经对在存储材料上沉积电极材料给予了某种考虑，特别是由于在沉积过程中不兼容的热或化学规范。但是，假定用金的底部电极获得了有利的操作结果，如在申请人的同时待审的挪威专利申请No.20043163中所公开的，曾试图也使用金的顶部电极，结果确实很适用。现在也已众所周知，在如上所述的有机存储材料中形成图案和蚀刻通孔会对聚合物材料有不利影响，特别是在蚀刻阶段，因为这些通孔在任何情况下都是使用微光刻和例如离子反应蚀刻而制成的。令人惊奇的是，结果在形成图案和蚀刻通孔之前沉积一层化学惰性和不反应导电材料或多或少消除了用以前在这种有机介电材料中形成通路连接的方法所遇到的所有问题。特别发现很重要的优点是，在沉积了可被认为是电极或接触部件中第一层的那层后，随后的通路金属沉积可以和电极或接触部件中第二层导电材料的沉积同时进行，且优选的是，使该导电材料和通路金属是一种且同一种，并在一个且同一工艺步骤中沉积，形成与电极或接触部件成一整体的通路连接，并同时确保对底部电极的无缺陷接触。
现对一些优选实施例作说明和讨论，以便清楚地概述和强调本发明的优点。该讨论将集中在使用金作为第二接触部件第一层的特别有利的材料。但一般来说，任何化学惰性和不反应材料都可用于这第一层，并且它们可包括任何其他类似的贵金属，即具有比银更低的氧化电位的金属。因此，所有铂金属，包括铂本身或钯，都可被认为是适合的候选金属。
图1示出包含两层2a、2b的接触部件或电极部件，以截面示出。层2a是金层，提供在邻近活性有机介电材料处，而层2b提供在第一层2a之上，且如前所述，它不必是金，但这可以是个优点。
图2示出按照本发明具有通路连接和关联的接触部件的有机电子电路的截面图。其中底部电极或接触部件1a、1b提供在未示出的衬底上。接触部件1a、1b可有利地用金制成，且沉积后的暴露表面可以作化学处理，以避免不希望有的表面反应并确保良好地附着到活性有机介电材料上，例如铁电体或永电体存储材料，该存储材料可包含氟原子，且它被沉积以覆盖底部接触部件1a、1b。现提供顶部电极接触部件2，使其包含具有所需特性的第一层2a，例如用金制成，邻近有机材料3。将通路开口5蚀刻到层2a，并向下通过活性有机材料3至底部接触部件1a，然后在一个且同一工艺步骤中沉积接触部件2的第二层2b和通路连接2c，即通路金属，使第二层2b和通路连接2c在同一材料中制成，并提供为电路的整体元件。
如果图2所示电路是存储电路或矩阵可寻址阵列中这种电路的一部分，此处活性有机存储材料3提供在整体层中，并夹在电极1和2之间，则存储单元4被定义在交叉的底部电极1b和顶部电极2之间的存储材料3中，如图所示。电极1a则可以是用于它们之间的通路连接2c之上的电极2的输入或输出线。
图3示出稍有不同的电路布置，对于实用目的来说，它可以被认为是例如矩阵可寻址铁电存储器的截面图，其中第一或底部电极1b和顶部电极2均提供为条状电极，分别在各电极组中互相垂直定向。矩阵可寻址阵列的存储器区6是其中铁电存储材料3起活性材料作用的区域，并包含电容器状结构的铁电存储单元4，具有电极1a、2作为各个单元4的寻址电极。当然，接触部件1a和电极1b可优选由金制成，但特别在此情况下，第二电极或接触部件2的第一层2a是由金制成，并沉积在有机存储材料3之上，如图所示。在底部电极层中提供的接触部件1a的区域中，蚀刻通路开口5，穿过金层2a和有机材料3，然后将接触部件2的第二层2a沉积在第一层，优选为金层2a之上，并填充通路开口5，以形成通路连接2c，通过存储材料3并向下至接触部件1a。同样，层2b和通路连接2c可由与层2a相同的材料制成，例如金，但这并不是严格必需的。
在许多矩阵可寻址器件中，不论它们是存储器、显示器或发光阵列，寻址电极，即例如在活性材料整体层两侧上的顶部和底部电极，可以被视为延伸在阵列上接触活性材料的条状电极。每个电极组由平行条状电极形成。电极的宽度尺寸将取决于可适用的设计规则，但当然始终限于用微光刻方法形成图案时所能作到的最小特性尺寸。为了获得所需的通路连接并确保良好的电接触，如果能以某种方法将通路开口的几何形状定制为与通路连接相关联的接触部件的几何形状，则很显然是有利的。当通路连接被提供在有机介电层上面的条状电极和下面相对表面上的另一条状电极之间，或关联的接触部件无论如何被延长，具有可适用设计规则所给出的宽度尺寸，且通常在亚微米范围之内，通路开口就可设计成具有如本申请人提交的挪威专利申请No.20025772中所公开的它们的几何形状。该出版物公开的通孔被蚀刻成具有延长和矩形的形式，在其上沉积的电极金属化覆盖区之内。
图4a示出按照上述专利申请的通孔，特别是具有其上提供有条状电极2a的活性有机介电层的一部分，它在当前情况下对应于第一层2a或第二接触部件2a。延长的即矩形通孔5被蚀刻到条状电极2a和下面的介电有机层3，以使通孔5以几何形式或矩形棱柱出现。现有技术的这种通孔也可有利地使用在本发明中，这在以下将作详细说明。接触部件是类似于矩阵可寻址阵列中条状电极的延长结构的优选实施例示于图4b的截面图中。一层化学惰性和不反应导电材料，例如以及优选为金，形成电极或接触部件2的第一层2a，其被沉积并形成图案，以使条状电极和其中含有的延长通孔5一起形成在层1a中，通孔5延伸过活性有机介电层3至底部电极1，底部电极1在此情况下优选也由金制成。现将第二层2b沉积在第一金层2a之上，并同时填充通路开口5，如图4a所示，形成通路连接2c并确保在接触部件2和3之间的充分接触。图4c以平面图示出通路连接上的覆盖区，并且现通路开口作为电极或接触部件2的第二层2b中的矩形开口出现，但当然一直向下延伸至底部电极1。
在图5b中示出图4b实施例变体的截面图，与其不同之处是使用如图5a所示的通孔几何形状。在第一层2a和活性有机介电层3中蚀刻和形成图案的通孔5现在形成为具有向垂直于第二层2a纵向的侧边的倾斜或锥形表面6。当电极或接触部件2的第二层2b以及通路连接2c的通路金属被沉积时，具有锥形端面的延长通路开口确保了不受阻碍的金属流动和通孔5的填充，以确保在接触部件1和2之间的最佳电接触。该变体实施例的覆盖区示于图5c，锥形表面6如图所示。优选的是，具有这种几何形状的通路开口形成为具有以下比例即它们的纵向尺寸超过横向尺寸的至少2.5倍。由于通路开口5优选是和在层2a中形成的条状电极一起形成图案，它原则上可与在层2a中形成的电极完全共形，但优选的是，它们应包含在该层的覆盖区内，以避免在加工过程中与下面的活性有机介电材料有任何不利的交互作用。因此也很明显，当在可适用的设计规则中采用常规微光刻时，在第二接触部件2的第一层2a中形成的电极应比通路开口2c稍宽一些，以确保充分的保护。这暗指，如果通孔2a的宽度受到可适用设计规则的限制，那么当然在电极层2a中形成的条状电极就应稍宽一些，但就不动产来说，由此的成本在任何情况下都可认为是可忽略不计的。
也很显然，对于第二层2b的金属化可以被整体提供，并被蚀刻和形成图案，以形成与层2a中的电极以及当然还有通路连接2c共形的条状电极。
现结合图6所示的流程图，简要讨论制造使用两层顶部接触部件的通路连接和关联的接触部件的工艺步骤。在步骤601，例如通过物理气相沉积PVD将接触部件2的第一层2a沉积到例如30到90nm的厚度。这第一层2a的化学惰性和不反应导电材料优选为金，构成顶部接触部件2的下部或界面部分，并在以下的通路开口过程602期间，起到电极和对下面的活性有机介电材料3的保护层的双重作用。活性有机介电材料3，在此情况下可认为是铁电聚合物，在通路加工期间也受该第一层2a例如金层的保护。这之所以如此可能是由于第一层材料应是化学惰性的事实，正如金实质上就是化学惰性的。在现有技术中已知有时提供夹层以保护存储材料层，由此通路加工就不成问题了。但若接触部件直接接触活性有机介电材料，通路加工可能是个问题，特别是如果本发明是在例如具有诸如P(VDF-TrFE)等存储材料的无源矩阵可寻址铁电体或永电体存储器上实现的话。因此，图6所示的过程将特别适用于实现高性能存储电路的预期目的。
在步骤602，使用常规的微光刻接着用湿蚀刻或干蚀刻来对通路开口形成图案。然后用常规的湿蚀刻方法除去光刻胶。决定步骤603现提供了在两个单独的选项之间作选择的可能性。第一个选项在步骤604a中实现，其中将接触部件的第二层2b沉积在第一层2a的顶上。于是第一和第二层一起构成顶部电极2b。当然应理解，这个第二层2b也可用和第一层2a相同的材料例如金制成。第二层2b的最小厚度还取决于第一层2a的厚度并取决于沉积技术，而且例如在物理气相沉积的情况下，它还取决于步骤覆盖的程度。顶部接触部件2的这个第二层2b现在还形成了通过通路开口5的通路连接2c，因此将第二接触部件2与在例如未示出的具有通路2c的衬底电路中的驱动电子器件连接起来，该通路2c延伸过在步骤602中蚀刻的通路开口5。在步骤606，使用常规的微光刻接着用湿蚀刻，可使顶部接触部件最终形成图案。然后用湿或干去除方法将光刻胶去除。应指出，如果是干去除，未受到顶部接触部件保护的部分有机存储材料也会被去除，因此按照本发明的方法降低了在聚合物层(例如)和绝缘衬底之间分层的风险。最后步骤606的一个备选方案是，可沉积一薄层钛，用作在顶部接触部件蚀刻过程中的硬掩模。用常规微光刻接着用湿或干蚀刻使钛层形成图案。然后用湿或干去除方法将光刻胶去除。
在通路连接2c中使用的通路金属不必和第二接触部件2的第二层2b的金属相同。如果在步骤603作了如此决定，则在沉积第二层2b之前，在步骤604b可将单独的通路金属沉积在通路开口5中。单独通路塞的使用在业界已知，而且为了改进传导性，它们可用例如钨制成，这在业界是通用的，并通过化学气相或物理气相沉积(CVD或PVD)进行沉积。在沉积通路金属之后，在步骤605沉积接触部件2的第二层2b，并建立所需的触点。顶部电极的形成图案和蚀刻在步骤610中进行，和在第一选项中一样。
如本文以上所述，最好优选整个第二接触部件用同一种化学惰性和不反应材料制成，例如金或另一种贵金属，不管第一接触部件是否也用类似材料制成。金在底部电极中的优点已由申请人在上述挪威申请No.20043163中公开，该申请对在具有基于有机氟化聚合物或共聚物的存储材料的例如铁电体或永电体存储器中至少用于底部电极的适合电极材料的恼人问题，提出了一个解决方案。这意味着，当两个接触部件都由同一材料制成，优选用金时，这也是一种值得考虑的简化和优点。通路连接也用和接触部件一样的材料并在同一工艺步骤中制成，与第二接触部件2形成一整体。
但本发明核心的实质和改进在于，第二接触部件的第一层应始终是化学惰性和不反应材料，而且通常它的采用不需作任何特别的化学处理或定制即可得到期望结果，而例如由金制成的第一接触部件，在其上沉积活性有机介电层即存储材料之前，必须经受某种化学预处理。这是由于在沉积有机介电层之前第一接触部件1的表面被暴露的事实。于是会发生表面反应或结构改变，并损害接触层和其上提供的存储材料的功能性。如果是第二接触部件的第一层2a，这类问题不会出现，且除了其接触功能之外，第一层的主要任务是在形成通路连接时提供对活性有机介电材料的期望保护。但可以设想，活性有机介电层3的表面可以进行预处理以改进随后沉积其上的层2a的附着。
权利要求
1.一种在有机电子电路中，具体地说是存储电路中的电通路连接和关联的接触部件，其中活性有机介电材料层包含单分子、齐聚物、同聚物、共聚物、或它们的混合物或化合物，其中所述通路连接提供在延伸过所述活性介电层的通路开口中，并与分别提供在所述活性介电层两侧上的第一和第二电接触部件连接，并且其中第一接触部件提供在所述层的底部表面，且第二接触部件提供在所述层的相对或顶部表面，其特征在于第二接触部件包含第一层化学惰性和不反应导电材料，直接沉积在所述活性有机介电层上；以及第二层导电材料，整体提供在第一层上和向下至第一接触部件的所述通路开口中，由此在所述第一和第二接触部件之间的所述通路连接延伸过所述活性有机介电层，并与所述第二接触部件的第二层成为整体。
2.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述关联的接触部件的第一层由具有比银更低的氧化电位的贵金属组成。
3.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述贵金属是金或铂金属，包括铂或钯，但不限于此。
4.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述通路连接以及所述关联的接触部件的第二层由化学惰性和不反应导电材料组成。
5.如权利要求4所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述通路连接和所述关联的接触部件的第二层由具有比银更低的氧化电位的贵金属组成。
6.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述贵金属是金或铂金属，包括铂或钯。
7.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述通路连接和所述第二层由具有比银更高的氧化电位的非贵金属组成。
8.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述通路连接和所述第二层由相同的导电材料组成。
9.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述通路连接和所述第二层由不同的导电材料组成。
10.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述通路连接被提供为第二接触部件的第二层的突出部分，并延伸过所述通路开口以接触第一接触部件。
11.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述通路连接被提供为第二接触部件的第二层的一部分，并沉积在所述通路开口的一个或多个侧边的至少一部分上，并在其底部上延伸以接触第一接触部件。
12.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于至少一个所述接触部件是与所述有机介电层对接的电极。
13.如权利要求12所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述至少一个电极是条状电极。
14.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于至少一个所述接触部件是接触垫。
15.如权利要求1所述的通路连接和接触部件，其特征在于所述第一接触部件由金组成。
16.一种用于制造在有机电子电路中，具体地说是存储电路中的电通路连接和关联的接触部件的方法，其中活性有机介电材料层包含单分子、齐聚物、同聚物、共聚物、或它们的混合物或化合物，其中所述通路连接提供在延伸过所述活性介电层的通路开口中，并与分别提供在所述活性介电层两侧的第一和第二电接触部件连接，并且其中第一接触部件提供在所述层的底部表面，且第二接触部件提供在所述层的相对或顶部表面，其特征在于直接在所述活性有机介电层上沉积一层化学惰性导电材料作为所述第二接触部件的第一层；在所述第一层中形成通路开口，并穿过所述活性有机介电层向下至第一接触部件；以及在所述第一层上沉积一层导电材料作为第二接触部件的第二层，并穿过所述通路开口向下至第一接触部件，由此在所述第一和第二接触部件之间的所述通路连接就建立起来，穿过所述活性有机介电层并与所述第二接触部件的所述第二层成为整体。
17.如权利要求16所述的用于制造电通路连接和关联的接触部件的方法，其特征在于选择具有比银更低的氧化电位的贵金属作为所述第一层的导电材料。
18.如权利要求17所述的用于制造电通路连接和关联的接触部件的方法，其特征在于选择的所述贵金属为金或铂金属，包括铂或钯，但不限于此。
19.如权利要求16所述的用于制造电通路连接和关联的接触部件的方法，其特征在于选择具有比银更低的氧化电位的贵金属作为所述通路连接和所述第二接触部件的第二层的材料。
20.如权利要求19所述的用于制造电通路连接和关联的接触部件的方法，其特征在于所述贵金属是金或铂金属，例如铂或钯，但不限于此。
21.如权利要求10所述的用于制造电通路连接和关联的接触部件的方法，其特征在于选择具有比银更高的氧化电位的非贵金属作为所述通路连接和所述第二接触部件的第二层的材料。
全文摘要
在有机电子电路，具体地说是存储电路中，提供一种电通路连接和关联的接触部件，与包含各种有机化合物的活性有机介电材料层对接。通路连接是提供在延伸过活性介电材料的通路开口中，并与其两侧的第一和第二电接触部件连接。第二接触部件包含直接沉积在活性介电层上的第一层化学惰性和不反应导电材料、以及作为第一层之上的第二层并在向下至第一接触部件的通路开口中提供的导电材料，创建穿过活性介电层的通路连接并连接第一和第二接触部件。在制造这种电通路连接和此类关联的接触部件的方法中，将第二接触部件中的第一层沉积在活性介电层上。第一层由化学惰性和不反应导电材料组成。通路开口形成为穿过第二接触部件的活性介电层，第二接触部件由沉积在第一层之上和通路开口中的导电材料组成，以建立通过它们的期望通路连接。
文档编号H01L51/05GK101023526SQ200580031326
公开日2007年8月22日 申请日期2005年7月18日 优先权日2004年7月22日
发明者R·利尔杰达尔, G·古斯塔夫森 申请人:薄膜电子有限公司