专利名称：半导体器件制备中源漏注入的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件制备中的源漏注入的方法。
背景技术：
在现有的半导体器件的制备工艺中，通常需要四个光刻层来完成N 型源漏区、N型轻掺杂漏区、P型源漏区和P型轻掺杂漏区这四个区域的 离子注入，故光刻成本比较高。而在用多晶硅制作多晶硅侧墙，用来作浅 掺杂区的阻挡层时，多晶硅侧墙的制作工艺难度较大，且多晶刻蚀成本高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种半导体器件制备中源漏注入的 方法，其能减少在源漏注入过程中的光刻掩膜版数量，有效减低器件制备 成本。
为解决上述技术问题，本发明的半导体器件制备中源漏注入的方法， 先在衬底上定义出N区和P区，形成隔离氧化区和多晶硅栅之后，其特征在
于，包括如下步骤
(1) 在所述衬底表面淀积氮化硅阻挡层；
(2) 淀积氧化硅至覆盖多晶硅栅形成的台阶，后刻蚀所述氧化硅形成 所述氧化硅侧墙；
(3) 用光刻胶和N区光刻掩膜版光刻曝出所述N区，后进行N源漏重掺 杂离子注入；(4) 去除N区的氧化硅侧墙，后进行N源漏轻掺杂注入；
(5) 去除步骤(3)所述的光刻胶；
(6) 用光刻胶和P区光刻掩膜版光刻曝出所述P区，后进行P源漏重掺 杂离子注入；
(7) 去除P区的氧化硅侧墙，后进行P源漏轻掺杂注入；
(8) 去除步骤(6)所述的光刻胶。 本发明的方法也可以先用P区光刻掩膜版光刻曝出P区，进行P源漏
重掺杂和轻掺杂离子注入，后用N区光刻掩膜版光刻曝出N区，进行N
源漏重掺杂和轻掺杂离子注入。
本发明的半导体器件制备中源漏注入的方法，用氧化硅作为多晶硅栅
的侧墙，避免了原有技术中用多晶硅作侧墙工艺中刻蚀难度较大的问题。
最重要的是，采用本发明的方法进行源漏注入，只需用两块光刻掩膜板，
而常用的工艺中需要用到四块光刻掩膜板，因光刻掩膜版的制造成本在半 导体器件制备中占有很大的比重且制作要求很精密，故本发明的方法能极
大的降低半导体器件制备的成本。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明 图l是本发明的方法流程图2是本发明的实施例形成多晶硅栅后的截面结构图； 图3是本发明的实施例淀积氮化硅后的截面结构图； 图4是本发明的实施例淀积氧化硅后的截面结构图； 图5是本发明的实施例形成氧化硅侧墙后的截面结构图；图6是本发明的实施例N区光刻和N源漏重掺杂注入的截面示意图7是本发明的实施例去除步骤(4)中氧化硅侧墙后的截面结构图; 图8是本发明的实施例N源漏轻掺杂注入的截面示意图； 图9是本发明的步骤(5)去除光刻胶后的截面结构图； 图10是本发明的实施例P区光刻和P源漏重掺杂注入的截面示意图； 图ll是本发明一去除步骤(7)中的氧化硅侧墙后的截面结构图； 图12是本发明一实施例P源漏轻掺杂注入的截面示意图13是本发明一实施例步骤(8)去除光刻胶后的截面示意图。
具体实施例方式
本发明的方法中，衬底可为目前本行业内通用的半导体硅片，先在衬
底上定义出N区和P区，形成隔离氧化区和多晶硅栅(见图2)之后，通
过八大步骤完成，图1是本发明的方法的一个实施流程图
(1) 首先在N区和P区的衬底表面淀积氮化硅(见图3)，用作阻 挡层。这一层氮化硅的厚度约为80 200埃，优选为100埃；
(2) 后在整个衬底上淀积氧化硅，该氧化硅可为低压化学气相沉积 工艺制备的，所淀积的氧化硅应覆盖整个多晶硅栅所形成的台阶(见图 4)，而后用各向同性的刻蚀工艺(如湿法刻蚀工艺)刻蚀氧化硅，形成
氧化硅侧墙(见图5)，用以保护轻掺杂离子注入区域；
(3) 涂光刻胶，并用N区光刻掩膜版光刻，曝出N区，后进行N源 漏重掺杂离子注入(见图6)，形成N+源漏区(即源区和漏区)(见图7)， 注入工艺中的离子种类和剂量与通常应用的相同；
(4) 将N区中由氧化硅形成的氧化硅侧墙去除，可用湿法腐蚀工艺，后进行N源漏轻掺杂离子注入，形成N轻掺杂区(见图8)，该离子注入 的种类和剂量与现有工艺相同；
(5) 去除步骤(3)中光刻后的光刻胶(见图9)，成该去除工艺与 现有技术相同，至此N区的源漏重掺杂离子注入和轻掺杂离子注入已经 兀；
(6) 涂光刻胶，并用P区光刻掩膜版光刻曝出P区，后进行P源漏重掺 杂离子注入(见图IO)，形成P+源漏区(即源区和漏区)(见图ll)，离 子注入工艺中的离子种类和剂量与通常应用的相同；
(7) 去除P区中由氧化硅形成的氧化硅侧墙，后进行P源漏轻掺杂注入， 在多晶硅栅两侧形成P轻掺杂区域(见图12),离子注入工艺中的离子种类 和剂量与通常应用的相同；
(8) 去除步骤(6)中光刻后剩下的光刻胶(见图13)，完成整个 源漏注入工艺流程。
本发明的方法还可以先对P区进行离子注入，后进行N区离子注入， 只需将上述步骤转换一下顺序即可。采用本发明的方法进行半导体器件制 备中的源漏注入工艺，只需用两块光刻掩膜板，而常用的工艺中需要用到 四块光刻掩膜板，光刻掩膜版的制造成本在半导体器件制备中占有很大的 比重且制作要求很精密，故本发明的方法能极大的降低半导体器件制备的 成本。
权利要求
1、一种半导体器件制备中源漏注入的方法，先在衬底上定义出N区和P区，形成隔离氧化区和多晶硅栅之后，其特征在于，包括如下步骤(1)在所述衬底表面淀积氮化硅；(2)淀积氧化硅至覆盖多晶硅栅形成的台阶，后刻蚀所述氧化硅形成所述氧化硅侧墙；(3)用光刻胶和N区光刻掩膜版光刻曝出所述N区，后进行N源漏重掺杂离子注入；(4)去除N区的氧化硅侧墙，后进行N源漏轻掺杂注入；(5)去除步骤(3)中光刻后剩下的光刻胶；(6)用光刻胶和P区光刻掩膜版光刻曝出所述P区，后进行P源漏重掺杂离子注入；(7)去除P区的氧化硅侧墙，后进行P源漏轻掺杂注入；(8)去除步骤(6)中光刻后剩下的光刻胶。
2、 按照权利要求l所述的半导体器件制备中源漏注入的方法，其特征 在于所述步骤(1)中氮化硅的厚度为80 200埃。
3、 按照权利要求1或2所述的半导体器件制备中源漏注入的方法，其特 征在于所述步骤(2)中氧化硅的淀积工艺为化学气相沉积工艺，所述氮 化硅的刻蚀工艺为各向同性刻蚀。
4、 按照权利要求1或2所述的半导体器件制备中源漏注入的方法，其特 征在于所述步骤(4)中N区的氧化硅侧墙和步骤(7)中P区的氧化硅侧 墙的去除工艺为湿法去除工艺。
5、 按照权利要求3所述的半导体器件制备中源漏注入的方法，其特征 在于所述步骤(4)中N区的氧化硅侧墙和步骤(7)中P区的氧化硅侧墙 的去除工艺为湿法去除工艺。
6、 按照权利要求3所述的半导体器件制备中源漏注入的方法，其特征 在于所述步骤(4)中N区的氧化硅侧墙和步骤(7)中P区的氧化硅侧墙 的去除工艺为湿法去除工艺。
7、 一种半导体器件制备中源漏注入的方法，先在衬底上定义出N区和P 区，形成隔离氧化区和多晶硅栅之后，其特征在于，包括如下步骤(1) 在所述衬底表面淀积氮化硅阻挡层；(2) 淀积氧化硅至覆盖多晶硅栅形成的台阶，后刻蚀所述氧化硅形成 所述氧化硅侧墙；(3) 用光刻胶和P区光刻掩膜版光刻曝出所述P区，后进行P源漏重掺 杂离子注入；(4) 去除P区的氧化硅侧墙，后进行P源漏轻掺杂注入；(5) 去除步骤(3)所述的光刻胶；(6) 用光刻胶和N区光刻掩膜版光刻曝出所述N区，后进行N源漏重掺 杂离子注入；(7) 去除N区的氧化硅侧墙，后进行N源漏轻掺杂注入；(8) 去除步骤(6)所述的光刻胶。
8、 按照权利要求7所述的半导体器件制备中源漏注入的方法，其特征 在于所述步骤(1)中氮化硅的厚度为80 200埃。
9、 按照权利要求7或8所述的半导体器件制备中源漏注入的方法，其特征在于所述步骤(2)中氧化硅的淀积工艺为化学气相沉积工艺，所述氮 化硅的刻蚀工艺为各向同性刻蚀。
10、按照权利要求1或2所述的半导体器件制备中源漏注入的方法，其特征在于所述步骤(4)中P区的氧化硅侧墙和步骤(7)中N区的氧化硅侧墙的去除工艺为湿法去除工艺。
全文摘要
本发明公开了一种用于半导体器件制备中源漏注入的方法，其包括如下步骤淀积氮化硅；淀积氧化硅，后刻蚀氧化硅形成氧化硅侧墙；用N区光刻掩膜版光刻曝出N区，后进行N源漏重掺杂离子注入；去除N区的氧化硅侧墙，后进行N源漏轻掺杂注入；去除光刻胶；用P区光刻掩膜版光刻曝出P区，后进行P源漏重掺杂离子注入；去除P区的氧化硅侧墙，后进行P源漏轻掺杂注入；去除光刻胶完成源漏注入工艺。本发明的方法仅用两块光刻掩膜板完成源漏离子注入，比现有技术降低了制备成本，其可广泛用于半导体器件制备中。
文档编号H01L21/266GK101431056SQ20071009420
公开日2009年5月13日 申请日期2007年11月7日 优先权日2007年11月7日
发明者曾金川 申请人:上海华虹Nec电子有限公司