窄带波导耦合器负载结构的制作方法

文档序号:7240245阅读:314来源:国知局
专利名称:窄带波导耦合器负载结构的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种波导耦合器负载结构。
技术背景对于一般的耦合器负载,大都利用吸收负载来吸收掉隔离端剩余 能量,吸收负载如图1阴影部分所示,体积大,而且吸收效果差,仍 然有多余的能量不能完全吸收,对隔离指标产生影响,不能满足实际 需要。 发明内容本实用新型的目的是克服现有技术的缺点,提供一种窄带波导耦 合器负载结构,在同样电性能的情况下成本低,体积小。本实用新型的技术方案是 一种窄带波导耦合器负载结构,包括 波导转同轴装置和50欧姆电阻,其中50欧姆电阻一端与连接器中心插针连接,另外一端与连接器法兰盘连接。本实用新型以一般的普通波导转同轴装置与50欧姆电阻配合, 替代一般波导耦合器隔离端常用的吸收负载,通过实际测试,在低成 本,体积小的情况下得到了良好电性能测试结果。

图1是一般耦合器隔离端口负载常用结构示意图。 图2是本实用新型隔离端口负载结构示意图。 图3是50欧姆电阻连接关系示意图。图4是本实用新型一个实施例的波导转同轴装置结构示意图。
具体实施方式
如图2和图3所示,本实用新型的波导转同轴装置包括法兰盘1 , 插针2,插针3,连接器6以及底下匹配的台阶4, 50欧姆电阻7的 焊接如图3所示,将电阻7—端与连接器6中心插针焊接,另外一端 与连接器法兰盘1焊接。本实用新型对7G频率段的一种窄带耦合器进行了实验,指标如下频率7.1-8.5GHz 耦合6dB 方向性25dB制作方法, 一般通过单独仿真,建立一个波导转同轴装置模型, 使端口回波损耗小于25DB即可,然后通过和耦合器模型进行整体仿 真,调试波导转同轴装置的内部SMA连接器6的插针长度和位置, 使得达到电性能要求。本实施例中的连接器需要和厂家特殊定做,其 连接器制作图如图4所示,包括法兰盘1、穿过波导壁的介质5、插 针2、插针3、底下匹配的台阶4。在本实施例中,利用HFSS仿真, 得到了插针距离波导短路面的位置为7.4mm,插针2的长度Hl为 3mm,直径为连接器内导体直径1.3mm,插针3的长度H2为2.5mm, 直径为4.2mm;底下匹配的台阶4长度为14.8mm,宽3mm,高3mm。 通过加工测试,在该频率段内测试回波损耗大于25DB。通过仿真与实际测试,仿真耦合为5.9dB+/-0.2dB,实际测试为6.2dB+/-0.15dB,方向性仿真为〉26dB,实际测试为〉25.6dB,实测结果与仿真理论值接近,证明了此方法可行。然后又对15G频率段的 一种窄带耦合器进行了仿真与测试,证明了此装置可以用在微波整个 频带内。
权利要求1、一种窄带波导耦合器负载结构,包括波导转同轴装置和50欧姆电阻(7),其中50欧姆电阻(7)一端与连接器(6)中心插针连接,另外一端与连接器法兰盘(1)连接。
专利摘要本实用新型提供一种窄带波导耦合器负载结构,包括波导转同轴装置和50欧姆电阻以其中50欧姆电阻一端与连接器中心插针连接,另外一端与连接器法兰盘连接。本实用新型用一般的普通波导转同轴装置与50欧姆电阻配合,替代一般波导耦合器隔离端常用的吸收负载,通过实际测试,在低成本,体积小的情况下得到了良好电性能测试结果。
文档编号H01P5/08GK201084810SQ20072003267
公开日2008年7月9日 申请日期2007年9月7日 优先权日2007年9月7日
发明者卓群飞 申请人:西安达威通信设备有限公司
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