一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤，包括裸纤、涂覆层和外包层；其中，涂覆层涂覆在裸纤上，外包层包裹在涂覆层上；外包层裸露3～3.5mm的涂覆层；通过裸露长度为3～3.5mm的涂覆层，避免了外包层与毛细管直接黏接，进而避免了在烘烤工艺中由于外包层的收缩造成的耦合效率下降及失效。
【专利说明】
一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤
技术领域
[0001]本实用新型涉及光纤通讯技术领域，主要涉及一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤。
【背景技术】
[0002]波导式发射器芯片为单通道波导芯片，其耦合采用的光纤包括直径为900μπι的外包层，而此外包层在经过高温烘烤之后，会有不同程度的收缩。这种收缩对光纤毛细管产生的拉力会对与波导式发射芯片的耦合效率产生很大的影响，甚至直接导致耦合失效。
【发明内容】
[0003]为了避免光纤外包层收缩造成耦合不良，本实用新型提供一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤。
[0004]本实用新型提供一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤，包括裸纤、涂覆层和外包层;其中，涂覆层涂覆在裸纤上，外包层包裹在涂覆层上;外包层裸露3?3.5mm的涂覆层。
[0005]其中，优选实施方式为:裸纤直径为125μπι，涂覆层直径为250μπι，外包层直径为900
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[0006]与现有技术相比，本实用新型的一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤的优点和积极效果是:通过裸露长度为3?3.5mm的涂覆层，避免了外包层与毛细管直接黏接，进而避免了在烘烤工艺中由于外包层的收缩造成的耦合效率下降及失效。
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤的结构示意图。
[0008]图2为本实用新型的光纤与波导式发射器芯片耦合的示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型做更进一步详细说明。
[0010]图1为本实用新型的一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤结构的示意图。本实用新型的用于波导式发射器芯片耦合的光纤包括裸纤10、涂覆层20和外包层30。其中涂覆层20涂覆在裸纤10上，其中裸纤10的直径为125μπι，涂覆层的直径为250μπι。外包层30包裹在涂覆层20上，其直径为900μπι。
[0011]其中，外包层30裸露3?3.5mm的涂覆层20。请同时参照图2，图2为本实用新型的光纤与波导式发射器芯片耦合的示意图。光纤的裸露的涂覆层20穿过毛细管50与波导式发射器芯片60进行耦合。
[0012]与现有技术相比，本实用新型的一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤的优点和积极效果是:通过裸露长度为3?3.5mm的涂覆层20，避免了外包层30与毛细管50直接黏接，进而避免了在烘烤工艺中由于外包层30的收缩造成的耦合效率下降及失效。
[0013]以上所述，仅为本实用新型最佳实施例而已，并非用于限制本实用新型的范围，凡依本实用新型申请专利范围所作的等效变化或修饰，皆为本实用新型所涵盖。
【主权项】
1.一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤，包括裸纤、涂覆层和外包层;其中，涂覆层涂覆在裸纤上，外包层包裹在涂覆层上;其特征在于:外包层裸露3?3.5mm的涂覆层。2.如权利要求1所述的一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤，其特征在于:裸纤直径为125μπι，涂覆层直径为250μπι，外包层直径为900μπι。
【文档编号】G02B6/42GK205484897SQ201521130667
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2015年12月30日
【发明人】梁雪峰, 雷奖清
【申请人】昂纳信息技术（深圳）有限公司