具有改进调谐范围的铁电变容管的制作方法

专利名称：具有改进调谐范围的铁电变容管的制作方法
技术领域：
本发明涉及铁电变容管、包括铁电变容管的电子元件、以及用 于制造铁电变容管的方法。
背景技术：
变容管是可调的介电电容器。在将直流(DC)电压施加在变容 管的电极上时，变容管呈现出电容变化。
具有铁电介电材料或者顺电介电材料的可调MIM电容器呈现出 较高的相对介电常数^以及相对介电常数s,对DC电压较强的依赖 性。可调性T可被定义为相对介电常数^的分数变化
g"o)-gr(r)
其中V表示施加在电容器的两个电极之间的电压。
US 2006/0118843 Al描述了一种用于铁电变容管的较薄的介电 薄膜。为了降低单晶MgO衬底之间的晶格失配，先外延生长顺电种子 层，然后在顺电种子层上外延生长铁电BaxSivJi03 (BST)薄膜。顺 电种子层降低了衬底和铁电BST薄膜之间的晶格常数中的差异，从而 降低了 BST薄膜内的应变和机械应力。这样，可以实现接近于BST 单晶的BST薄膜介电特性，这种介电特性的特征在于相对介电常数的 较高调谐率以及较少的介电损失。种子层被描述成其厚度为几个 0. lnm至几个10nm。 BST层的厚度被描述成介于O.lpm至liim之间。
US 2006/0118843 Al的介电薄膜结构的一个缺点在于，为了实 现介电常数的较高调谐率以及较低的介电损失(也就是较好的频率特 性)，需要特定的层序列。这就限制了铁电变容管设计中的灵活性
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种铁电变容管，其包括导电 的第一电极和第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的介电叠 层。在本发明的铁电变容管中，介电叠层包括串联连接的至少三个介 电层的交替层序列。
介电叠层的至少两个非单晶第一介电层由具有第一介电常数的 第一介电材料制成。介电叠层的至少一个非单晶第二介电层布置在分 别的两个第一介电层之间，并且所述第二介电层由具有第二介电常数 的第二介电材料制成，并且第一介电常数不等于第二介电常数。
假设将第一介电材料和第二介电材料之一布置在两个测试电极 之间，那么当在两个测试电极之间施加交流电压时，第一介电材料和 第二介电材料之一比第一介电材料和第二介电材料中的另一个呈现 出更弱的介电材料极化的铁电滞后。这与各种材料本身有关，即，例 如可以在仅仅包含一种材料作为测试电极之间的介电层的假设测试 电容器中观察到这种现象。注意，这指的是假设的电容器结构。这种 假设的测试电容器与本发明的铁电变容管的不同点例如在于，其仅仅 包括一个介电材料层。通常利用作为所施加的交流电压(单位为v) 的函数的极化强度(单位为C/m2)曲线图来表示铁电滞后。"更强"
或"更弱"的滞后指的是矫顽场的值以及剩余极化的值。剩余极化及 矫顽场越高，滞后越强。
并且，在本发明第一方面的铁电变容管中，适当地选择介电叠 层的各个第一介电层和第二介电层在垂直于它们各自的层平面的方 向上的延伸长度，使得具有较弱铁电滞后的介电材料占介电叠层的总
体积的百分比大于20%。 一个层在垂直于层平面的方向上的延伸长度 也称为该层的厚度。层平面是在层的横向方向上延伸的一个假想平 面，即在制造时垂直于该层的主生长方向的假想平面。当在衬底上进 行生长时，层平面平行于生长该层之前的衬底表面。在此，为了这个 定义，衬底表面被假设为完全平坦的。
在本发明的铁电变容管中，在第一电极和第二电极之间施加有 交流电压的情况下，介电叠层整体具有降低的或者完全抑制的极化的 铁电滞后，这是相比较于仅由呈现较强铁电滞后的同体积的介电材料制成的介电层而言的。这就实现了相对于单介电层结构而言的较高的
相对介电常数及较高的调谐范围。
虽然非单晶介电材料在介电叠层的第一电极和第二电极中的使
用会降低可调性，但是本发明的铁电变容管通过使第一介电层和第二
介电层具有不同介电常数值来补偿了这一不期望的影响。使一种材料
的介电常数适当地高于另一种材料的介电常数能够补偿可调性的损失。
另一方面，两种介电材料之一 (通常是具有较高介电常数的材 料)在交流电压下呈现出更强的介电材料极化的铁电滞后。然而，在 本发明的铁电变容管中，通过包含具有更弱的铁电滞后的另一介电材 料来补偿了该不利特性(该不利特性在现有器件结构中会产生介电损 失)。通过提供具有较弱铁电滞后的材料(该材料占介电叠层的体积
百分比大于20%并且在典型实施例中小于95%)，铁电滞后的补偿足
够强到降低或者完全避免由于铁电滞后而产生的介电损失。介电损失 是由于所施加的交流电场与介电材料发生反应而造成的该场的能量 的部分转换。其最终会产生暴露于该交流电场的介电材料的温度的升 高。这一温度升高可造成对电容器的破坏，并且需要适当的冷却，而 这是昂贵的。
非单晶介电层不要求特定的用于在层中提供晶格常数序列以实
现外延生长的应变工程。因此，相比于US 2006/0118843 Al的结构， 本发明第一方面的铁电变容管在层序列的顺序方面具有较为宽松的 要求。这在介电叠层的层结构的设计中提供了更大的自由度。
此外，本发明的铁电变容管的介电叠层的非单晶介电层实现了 较高相对介电常数以及较大调谐范围，并且在优选实施例中，实现了 诸如非晶或多晶氧化物层(例如Si上的Ti02、 Si02)之类的非单晶 表面上的、或者诸如Pt或Au或者Pt和Au叠层之类的多晶金属电极 上的高击穿电场。如上所解释的那样，该自由度可用于补偿由于第一 介电层和第二介电层的非单晶结构而造成的可能的缺点。
相反，US 2006/0118843 Al的指教限制了衬底的选择。例如， 即使具有种子层，Si上的BST外延生长也非常困难甚至不可能，这是因为与BST相比(其在钙钛矿晶格中的晶体的晶格常数为3.90A 至3.99A，具体为多少取决于组成)，金刚石晶格中的Si晶体具有 大得多的晶格常数5.34A。并且，在氧化物种子层和BST层的沉积过 程中，Si单晶衬底上形成非晶Si02的几率非常大。这也会阻止外延 层的生长。相反，本发明的铁电变容管适合于与Si衬底一起使用， 并且可被集成在集成电路的高度发展的工艺技术中。
并且，非单晶介电层的使用通常不要求相同材料(尤其是所关 注的诸如BST或PLZT之类的介电材料)的单晶层所要求的那么高的 制造温度。在与标准的基于硅的器件工艺技术相兼容的工艺条件下， 可以制造介电叠层。如将在下文详细描述的那样，铁电变容管的优选 实施例由此具有硅衬底。因此，本发明使得将调谐性能高、损耗低、 滞后小以及击穿强度高的铁电变容管集成在普及的基于硅的器件工 艺技术中变得可能。可以制成具有极好高频特性的电子元件，而无需 许多复杂的工艺，从而降低了这些器件的成本。
根据 Yan 等人所发表的 "Ferroelectric properties of (Ba0.5Sr0.5) Ti03/Pb (Zr0.52Ti0.48) 03/ (Ba0.5Sr0.5) Ti03 thin films with platinum electrodes", Applied Physics Letters, Volume 82， Number 24， Pages 4325 - 4327， 16 June 2003，已知了一种非易失性铁电随 机存取存储器(NVFRAM)，其旨在利用PZT铁电层和Pt电极来在实现 达到较低的铁电存储器单元的疲劳的同时保持较高的极化。据披露， 基于PZT和Pt电极的铁电存储器单元表现出由于累积在Pt界面的氧 空穴进入铁电畴而造成的疲劳。为了抑制氧空穴在Pt电极处的累积并 因此降低疲劳，Yan等人提出了一种叠层，其中在600nm厚的PZT和 Pt顶部电极及底部电极之间，布置了 7. 5-30rnn厚的BST薄膜作为用于 氧空穴的吸收层。BST层随机定位。PZT层生长成111织构。Yan等人 披露出，BST层的体积百分比应该尽可能地小，以便实现铁电PZT存储 器单元的高剩余极化。于是，具有较弱铁电滞后的介电材料BST占 Yan等人所提出来的存储器单元的介电叠层的体积百分比小于10%。
Yan等人的这种器件结构不适合于高频应用，而高频应用形成了 可调电容器的一个应用领域。实际上，Yan的NVFRAM结构被设计成具有相反的目的，其特征在于适于存储器应用而不是高频应用。
在下文中，将描述本发明第一方面的铁电变容管的优选实施例。
除非特别的指出，否则实施例是可以彼此结合的。本发明的铁电变容
管在此也被称为变容管、可调电容器或电容器。
在一个实施例中，与第一介电材料相比，当将第二介电材料布置
在两个电极之间时，其在施加在电极之间的交流电压下呈现出较弱的
介电材料极化的铁电滞后。也就是说，第一介电材料具有更强的铁电滞后。
在另一实施例中， 一种介电材料(优选地为第一介电材料)的 介电强度高于第二介电材料的介电强度。材料的介电强度与破坏材料 的电绝缘特性所需要的电场强度(击穿场强)有关，即在该电场强度 下出现介电击穿。介电强度是材料的一种特性，其与器件的特定几何 结构无关。但是，注意，介电层的实际击穿场强取决于诸如层中所存 在的缺陷之类的特定参数、以及取决于层的几何结构。因此，优选地， 第一介电层的击穿场强高于第二介电层的击穿场强。击穿场强也縮写 为击穿场。
除了大调谐范围以外，本实施例还能实现高达1.9MV/cm的非常 高的击穿场。这使得变容管能在比已知纯粹的基于BST的可调电容器 (其通常显示出仅仅0. 6MV/cm至lMV/cm的击穿场)高的场中工作。
在该实施例中，具有第一介电材料和第二介电材料的介电叠层 能够实现相对介电常数高、调谐范围大、滞后少以及击穿场高的可调 电容器。任何已知单介电层结构都无法实现这些优点的组合。
可将不同的材料组成用于第一介电材料和第二介电材料。在一 个实施例中，第一介电材料是PbZrJih03 (PZT)，其中0<x<l， 或者特别地是掺杂了 La的PZT (LPZT)，并且第二介电材料是 Bai-xSrxTi03 (BST)，其中0<x<l。作为第一介电材料的PZT使得 能够利用已知材料和已知方法来产生高质量的可调电容器。尤其是在 一个实施例中(其中衬底是由Si制成的)，本实施例的PZT-BST材 料组合提供了具有低介电损失、高击穿场的良好的可调协性能，并且 可以以较低成本及可靠技术来进行制造。注意，Si以外的其它衬底也可以实现后面的那些优点。
在替换实施例中，利用这样的介电叠层实现了非常高的相对介 电常数以及因此实现了大调谐范围，在这种介电叠层中第一介电材料
^Pb(Mg0.33Nb0.67) 03)卜x-( PbTi03) x (PMN-PT)，其中0〈x〈1，其中 可以但不必须包括La掺杂，并且第二介电材料是BanSr/Ti03，其中 0<x<l。该实施例的特殊特征在于，可以实现宽的调谐范围和电容 的温度系数。PMN-PT膜中的PbTi03含量以及BST薄膜中的锶含量可 适应于特定应用，以便实现期望的调谐范围和温度系数。
在另一替换实施例中，第一介电材料是PZT的固溶体，该固溶 体含有例如Ca的稀土碱性离子，并且第二介电材料是BST。该实施 例改进了可调电容器的温度稳定性。
在形成了前面提到的材料组合的另一替换物的实施例中，第一 介电材料是PZT，并且第二介电材料是MgO或Zr02或Ti02。在此，非 铁电材料被用于第二介电材料。铁电薄膜与非铁电薄膜的组合提供了 降低电容器损耗以及改进温度稳定性的可能。
通过利用施主(例如La或Nb)或者受主(例如Mn或Fe)或者 它们的组合来对第一介电材料和/或第二介电材料进行掺杂，可降低 电容器的漏电流。
如前所述，优选实施例将铁电变容管布置在硅衬底(也可以是 例如绝缘体上硅(SOI)衬底中的硅衬底层)的顶部上。虽然平板变 容管本身的功能不受衬底的导电性的影响，但是为了获得良好的互连 和平板变容管性能，期望使用高阻甚至绝缘的衬底。因此，Si衬底 层或完全的Si衬底优选是高阻的，甚至是绝缘的。相比较于已知的 标准集成电路中的半导体变容管，本实施例的铁电变容管实现了微波
频率范围内的高性能以及小尺寸的优点。因此，本实施例的变容管具 有利用集成在晶片上的铁电变容管来替代专用的分立高性能半导体 器件的潜在用途。本发明第一方面的铁电变容管的特定结构允许加工 温度处于50(TC至80(TC温度范围内，这与半导体工艺兼容。但是， 应该记住的是，也可以在诸如具有或者不具有平坦化层的氧化铝、 sapphire、 MgO、玻璃之类的其它衬底中加工铁电变容管。为了进一步降低介电叠层的铁电滞后，在一个实施例中适当地 分别选择介电叠层的第一介电层和第二介电层的厚度，从而使得具有 较弱铁电滞后的介电材料占介电叠层的总体积的百分比大于30%，并
且在另一实施例中，该百分比大于40%。不同实施例中的上限为70%、 80%、 90%和95%。
根据特定工艺条件，非单晶的第一介电材料和第二介电材料可 具有多晶结构、柱状织构多晶结构、柱状织构多晶和多晶非织构的混 合结构、或者非晶结构。利用这些结构特性，可以实现特别低的滞后。
应该注意，还可以呈现柱状微结构的准外延结构也被理解为非 单晶结构的一种实施例。准外延结构以其中第一介电材料和第二介电 材料在彼此的顶部上外延生长的柱状晶粒为特征。其还以其中一部分 晶粒在衬底上外延生长而其他部分柱状晶粒斜靠在衬底上的柱状晶 粒为特征。
在一个实施例中，在变容管的工艺次序中首先被制造出来的第 一介电层具有柱状织构多晶结构。在一些实施例中，其还具有取向的 晶体结构，例如(111)取向或(001)取向的结构。第二介电层(优
选地为具有较弱铁电滞后的层)优选地在柱状第一介电层的顶部上外 延生长。也就是说，其具有生长在其上的第一介电层的柱状织构多晶 结构。随后沉积的介电叠层的介电层优选地也在各自的前一层上外延 生长。这样，介电叠层的柱形在介电叠层的三个或更多的介电层上延 伸。
特定示例的介电叠层具有在彼此顶部上生长的第一介电材料和 第二介电材料的交替序列。该叠层的第一介电材料为掺杂了 La的 PbZrJihO"它是柱状生长的(即具有柱状织构多晶结构)，并且第 二介电材料是BahSrJi03，其中0<乂<1，其在各个第一介电材料层 的顶部上外延生长。除了柱状区域之外，这种叠层还可以包括不显示 柱状的小区域，这些小区域是外延生长的小多晶区域。
电极材料存在多种选择。总的指导原则是，电极应该是具有高 导电性能的导电膜，以便保持较少的欧姆损失。具体地说，适合的电 极材料为Pt、或者Pt和Au的叠层。其它示例为Ti/Pt、 Ti/Au、或者诸如Ti/Pt/Au/Pt之类的金属电极的组合、以及诸如A1、 TiW/Al、 Cu、 Ir、 Ir/Ir02之类的其他金属。
Pt电极尤其适合于与由PZT或PLZT制成的相邻的第一介电层相 结合。不同的PLZT层可被布置在与Pt电极相邻的各个相邻结构中。 这可能是PbTi03以及PZT或PLZT的组合，其作为第一介电层在该电 极的顶部上生长。这样的电极-第一介电层的组合支持了可调电容器 的较低的漏电流密度以及较高的击穿场。
在另一实施例中，在衬底和第一电极之间布置了阻挡层或阻挡 层叠层。适当的阻挡层材料的示例为Si02、Ti02、Zr02、Al203或LaA103。
在一些实施例中，介电叠层在从第一电极到第二电极的方向上 的延伸长度介于100nm到lpm之间。优选地，第一介电层和第二介 电层从第一电极到第二电极的方向上的各自延伸长度介于10nm到 100nm之间，需要记住的是权利要求1针对具有较弱铁电滞后的材料 占介电叠层的总体积的体积百分比所提供的设计规贝U 。
介电叠层中的材料相同的两个层(即第一介电层或第二介电层) 的厚度在某些实施例中是不同的。该"厚度分级"的优点是可以更好 地扩散来自底部电极处的粘结层的Ti原子。这种介电叠层的一个示 意性示例为50nm的PLZT、 30nm的BST、 20nm的PLZT、 30nm的BST、 以及50讓的PLZT的层序列。层厚度的其它组合也是可行的。
在另外的优选实施例中，顶部电极被作为铁电电容器的上的第 二电极来提供。适合的顶部电极的金属为TiW/Al、 TiW(N)/Al，其中 对于所有情况，都采用了纯Al或者掺杂了例如Si或Cu的Al。诸如 Ti/Au、 Pt或诸如Pt/Au或其它金属之类的电极的叠层的其他电极可 被沉积为薄膜。金属应该具有高导电性。
本发明的铁电变容管可以是平板电容器的形式，或者在可选实 施例中为共面电容器的形式。
对于平板电容器，前面提到的Si衬底的替换物为诸如玻璃、 A1203、 AL03陶瓷、具有平坦化层的AL03陶瓷、以及单晶Al203的衬 底材料，但是也可以采用诸如Cu箔之类的其它衬底或其它单晶衬底 (例如MgO、 Zr02)。平板电容器类型的变容管实施例具有公共的第一电极以及分开 的第二电极，从而形成了经由公共的第一电极而彼此连接的两个电容 器。
平板电容器类型的另一实施例的第二电极同时形成了一个导电 互连层。该实施例中省略了单独的第二电极的材料层。
对于共面电容器，直接在诸如高阻Si衬底之类的绝缘衬底的顶 部上或者沉积在衬底上的阻挡层上加工介电叠层。在一些实施例中， 介电叠层的进一步工艺处理与制造平板电容器所使用的工艺处理相 同。并且在这种情况下，可以使用前述可选衬底材料。
具体地说，在一些实施例中，在衬底和介电叠层之间提供了阻 挡层。阻挡层可以是单层形式或者是阻挡层叠层的形式。适当的阻挡
层材料例如为Si02、 MgO、 Ti02、 Zr02、 A1203、 LaA103、或者这些材料 的组合。
前述实施例显示本发明的铁电变容管实现了介电层中的高相对 介电常数、高击穿电压、低压下的大调谐范围以及低介电损失。
根据本发明的第二方面，提供了一种电子元件，其包括本发明 第一方面的铁电变容管或者本发明第一方面的某个实施例的铁电变 容管。其具有本发明第一方面的铁电变容管的优点。
本发明第二方面的电子元件尤其可以具有一种包含根据本发明 第一方面的铁电变容管的集成电路的形式。本实施例的性能优于已知 的采用半导体变容管的集成电路器件的性能。在不增加工艺成本的情 况下，其实现了特别好的高频操作。
根据本发明的第三方面，提供了一种制造铁电变容管的方法， 该铁电变容管具有位于第一电极和第二电极之间的介电叠层。所述方 法包括制造介电叠层的步骤，该介电叠层包括在从第一电极到第二电 极的方向上的串联连接的至少三个介电层的交替层序列。在本发明的 方法中，其中制造介电叠层包括如下步骤
-利用具有第一介电常数的非单晶第一介电材料来制造介电叠
层的至少两个第一介电层，
-利用具有第二介电常数的非单晶第二介电材料在分别的两个第一介电层之间制造介电叠层的至少一个第二介电层，并且第一介电 常数不等于第二介电常数。
将第一介电材料和第二介电材料之一制造成当将其布置在两 个测试电极之间时，如果在两个测试电极之间施加交流电压，则第一 介电材料和第二介电材料之一比处于相同情况下的第一介电材料和 第二介电材料中的另一个呈现出更弱的介电材料极化的铁电滞后。制 造具有一定厚度的介电叠层的各个第一介电层和第二介电层，从而使 得具有较弱铁电滞后的介电材料占介电叠层的总体积的百分比大于
20%。
本发明第三方面的方法具有本发明第一方面的铁电变容管的优点。
在优选实施例中，在Si衬底层的顶部上制造介电叠层。第一介 电材料是PbZrJi,-力3，其中0<x<l，其中掺杂或者没有掺杂La。 第二介电材料是Bai-xSrJi03，其中0<乂<1。在该实施例中，制造介 电叠层的步骤包括利用与现有Si工艺技术相兼容的工艺温度，在 具有阻挡层和电极的Si衬底的顶部上沉积介电叠层。
从属权利要求和下文对附图的描述中定义了其它实施例。


现在将参考附图来更详细地描述本发明的多个实施例，附图中 图l示出了平板电容器类型的多层铁电变容管的示意性截面图，
图2示出了共面电容器(coplanar-capacitor)类型的铁电变
容管的示意性截面图，以及
图3示出了相对介电常数与施加在平板电容器的电极之间的电
压的关系，其中平板电容器包含250nm的PLZT/BST/PLZT介电叠层。 图4示出了铁电变容管的第三实施例的示意性截面图。 图5示出了图4的实施例的第一变型的示意性截面图。 图6示出了图4的实施例的第二变型的示意性截面图。 图7示出了图4的实施例的第三变型的示意性截面图。 图8示出了图4的实施例的第四变型的示意性截面图。图9示出了图4的实施例的第五变型的示意性截面图。
图io示出了铁电变容管的第四实施例的示意性截面图。
图11示出了铁电变容管的第五实施例的示意性截面图。 图12示出了图11的实施例的变型的示意性截面图。
图13示出了铁电变容管的另一实施例的示意性截面图，其中图
示了介电叠层的柱状织构晶体结构。
具体实施例方式
图l示出了平板电容器类型的多层铁电变容管的示意性截面图。
铁电变容管100包括高阻Si衬底102，其上具有由Si02层104. 1 和Ti02阻挡层104.2形成的阻挡层结构104。第一电极106由具有 Ti层106. 1和Pt层106. 2的Ti/Pt电极形成。Ti/Pt电极不仅具有 较高的电导率而且具有对Si02的较好的粘附性。可选的电极材料为 Pt、 Ti/Au、 Ti/Pt/Au/Pt、 Pt/Au/Pt、 Ir或者Ir02、或者Pt和IR 或Pt和Ir02的组合、或者具有较高电导率的另外的金属或者金属组 合。这样，可以实现电容器在较高工作频率下的较少损耗。
注意，阻挡层104的使用并不是强制的。在另一实施例中，第 一电极106直接沉积在诸如蓝宝石(sapphire)之类的绝缘衬底上。 并且，可选的阻挡层材料可以采用例如MgO、 Zr02、 A1203、 LaA103、 或者这些材料与前面提到的氧化物的组合。
介电叠层108被布置在第一电极106和第二电极110之间。介 电叠层108在从第一电极到第二电极的方向上包括掺杂了 La的 PbZrJi,-x03 (0<x<l)(在此也简称为PLZT)和BST的交替层序列。 对于掺杂了 La的PbZrxTih03，x在某些实施例中的范围为(Xx〈0. 7， 并且对于BaxSivxTi03， x在某些实施例中的范围为0. 3<x《l. 0。
层序列以PLZT层108. 1开始，接着就是BST层108. 2。该序列 重复m次(m>0)，直到到达顶层108. n。这就意味着，介电叠层108 包括至少三个介电层108. 1至108. 3。它可能还包括5个介电层、7 个介电层、9个介电层等等。对于本实施例，假设介电叠层108的总 厚度约为270nm。在其它实施例中，厚度可能小于270nm或者大于270nm。各个PLZT和BST层的厚度约为15-20nm。在其它实施例中， 能应用大于20nm的厚度，这取决于介电叠层108的总厚度。
介电叠层108的PLZT和BST层是非单晶体。特定晶体结构取决 于沉积技术、工艺参数以及下面的第一电极106和衬底102，并且可 能是多晶的、柱状织构多晶的、准外延的、或者非晶的。但是，非晶 结构并非优选的。在本实施例中，通过旋涂(spin-on)技术及其后 的退火来制造各个介电层。分别针对每一步骤来进行退火，以避免混 合。退火温度介于50(TC至80(TC的范围。
在介电叠层108中，PLZT层形成了前面的描述和权利要求中的 "第一介电层"。BST层形成了前面的描述和权利要求中的"第二介 电层"。相比较于PLZT而言，BST在交流电压下呈现出其较弱的极 化铁电滞后。介电叠层的这种滞后现象是很奇怪的。即使包含有PLZT (其通常具有很强的铁电滞后)，也观察不到PLZT的特征性的铁电 滞后现象。材料组合PLZT/BST的选择还具有在复合材料中提供PLZT 层和BST层之间的良好粘合的优点。层与层之间的界面是密集并紧致 的。这就避免了后续工艺阶段期间发生层剥离的问题。
根据介电叠层108中PLZT/BST层对的重复次数，BST层占到了 介电叠层的总体积的20%至大于40% (但是少于95%)之间。大于40% 的值的示例为270nm的总厚度、各层的厚度为15nm-20nm。但是， 应该注意的是，总厚度和各层的厚度在不同实施例中可能不同。PLZT 层和BST层各自的厚度无需相等。并且，两个相同的层可被堆叠在彼 此顶部以增大一个类型的层的体积分数。
在一个实施例中，顶部电极IIO是由Pt制成的。可选的材料为 TiW/Al、 TiW(N)/Al，对于所有情况，都采用了纯Al或者掺杂了例如 Si或Cu的Al。并且可以沉积诸如Ti/Al、 Pt之类的其它电极或者诸 如Pt/Au或其它金属之类的电极叠层。同样，顶层电极的高电导率有 利于在较高工作频率下保持较低的电容器损耗。
应该注意的是，PLZT层108. 1和108.n分别紧邻至底部电极106 和顶部电极110的这一布置已经被证明使得电容器具有尤其低的漏 电流。并且，PLZT层108. 1还作为用于随后的BST层108. 2的结晶化的种子层。这易于降低加工温度，并且支持了介电层的颗粒尺寸的 增大。
图1所示的器件结构具有极好的电学特性。给定介电叠层108 的厚度为270nm并且各个层的厚度为15nm至20nm，那么相对介电常 数经测量大约为480，并且电容密度为15. 2nF/mm2。 100kHz的工作频 率f自及大约O. 05V的V。s。下的介电损失为0. 7%。只有在达到约lMV/cm 的电场强度时，电容器才会击穿。5V下的可调性为1.3:1, IOV下的 可调性为2:1。
因此，图1的铁电变容管提供了适合于并入公知的硅加工技术 中的结构。与已知的电容器结构相比而言，降低了制造介电叠层108 时的加工温度。但是，图1的铁电变容管避免了其它结构在采用较低 加工温度时可能观察到的缺点，例如较低的相对介电常数。这样，相 对于现有技术的具有诸如BST之类的单晶介电层的MIM结构(采用高 达90(TC的温度在诸如sapphire (A1203)之类的衬底上制造的)，铁 电变容管可以保持较高的调谐范围。
图2示出了共面电容器类型的铁电变容管的示意性截面图。
铁电变容管200与图1的铁电变容管100相似，不同点在于其 使用了单个电极层210，该电极层210按照希望的共面电容器设计而 被制成图案以形成第一电极210. 1和第二电极210. 2。可以根据特定 应用的具体要求来选择特定的电极图案。例如，可以选择电极210. 1 和电极210.2的交叉指形布置。顶部电极可由Pt、 TiW/Al、或 TiW(N)/Al制成，对于所有情况，都采用了纯Al或者惨杂了例如Si 或Cu的Al。并且可以采用诸如Ti/Al之类的其它电极或者诸如Pt/Au 之类的电极叠层。
下面的介电叠层208与图1的介电叠层相似，其由交替的 PLZT/BST/…/PLZT层序列组成。底部PLZT层208. 1直接沉积在阻挡 层结构204上，该阻挡层结构204与图1的阻挡层结构104相同。
图3示出了相对介电常数与施加在平板电容器的电极之间的电 压的关系，其中平板电容器包含250mn的PLZT/BST/PLZT介电叠层。 该图表是依据这样的铁电变容管获得的，该铁电变容管具有270nm厚的介电叠层，该介电叠层包括通过Si02/Ti02阻挡而与高阻Si层分
离开的Ti/Pt电极上的交替的PLZT/BST/…/PLZT层序列。介电叠层 的各个层在700-760。C的温度下退火1-5分钟。在具有0.05V的交流 分量、1000kHz的交变频率、以及图3的图表横坐标所表示的直流分 量的电压下执行测量。从在不同DC电压V。c下测量到的介电常数可以 清楚的看到，相对介电常数^从OV处的值460变化成5V (对应于 20V/^im的电场)处的370，并且进一步降低至10V (对应于40V m 的电场)处的250。观察到的可调性为5V (20V/|im)处的1.2:1以及 10V (40V/^im)处的约1.8:1。作为比较，BST层在40V/pm的DC电 场下产生了仅仅1.3:1的可调性。
图4示出了铁电变容管400的第三实施例的示意性截面图。 铁电变容管400具有衬底402。适合衬底402的衬底材料的示例 为Si、 MgO、 sa卯hire或玻璃。在衬底402的顶部上沉积了阻挡层 404。适合的阻挡层材料的示例为Si02、 Si02+Ti02、 Si02+Zr02、 Si02+Al302。可利用标准薄膜工艺(例如溅射或蒸发)来沉积阻挡层 404。但是也可以采用任何其它合适的技术。在阻挡层404的顶部沉 积底部电极406。适合的底部电极材料的示例为Pt、Ti/Pt、Pt/Au/Pt、 Ti/Pt/Au/Pt、或其它导电电极材料。
阻挡层404是可选的。在其它实施例中，底部电极直接沉积在 衬底402上。
在底部电极顶部上沉积了可调介电层408。可调介电层408的细 致结构未在该示意图中示出。可调介电层408由介电叠层组成，该介 电叠层包括串联连接的至少三个介电层的交替层序列。例如， PLZT/BST/…/PLZT层序列就是合适的。可通过反应离子刻蚀(RIE) 或湿法刻蚀来形成介电叠层的横向延伸和形状图案。
第二电极或顶部电极410被布置在介电叠层408的顶部。顶部 电极的适合材料为Pt、 Pt/Au、 Pt/Au/Pt、或TiW/Al。利用诸如湿法 或干法刻蚀技术之类的标准光刻工艺来形成顶部电极410的横向延 伸和形状图案。
注意，对于本实施例，在沉积顶部电极410之后执行图案形成序列。因此，在图案形成期间，首先，形成顶部电极410图案。随后，
形成介电叠层408图案。之后，形成底部电极406图案。诸如反应离 子刻蚀之类的标准刻蚀工艺是用于底部电极的适合的图案形成技术。
在上一段中所描述的铁电变容管400的叠层顶部，沉积封装层 412。封装层可包括SiN或Si。2、 Ti02+SiN、 Si02+SiN、 Al302+SiN、 PZT+SiN、或者PLZT+SiN，其中"+ "表示"+"号两边的材料均存在 于封装层中。可通过诸如化学汽相沉积(CVD)、溅射或溶胶-凝胶沉 积之类的标准技术来沉积封装层412。通过湿法刻蚀或者干法刻蚀或 者这两种技术的组合来在沉积了封装层412之后形成图案，从而提供 用于分别与底部电极406和顶部电极410接触的开口 414和416。
在封装层412的顶部和接触开口 414及416的内部，沉积了高 导电性互连层418。适合的互连层材料的示例为TiW/Al、TiW(N)/Al、 TiN/Al、 Ti/Au、 TiW(N)/Au、 TiN/Au、 NiCr/Au、 Ti/Ag、 TiN/Au、或 Ti/Cu。也可以使用其它高导电性电极材料。例如，可以通过溅射或 者蒸发来沉积该互连层。随后通过湿法刻蚀或者干法刻蚀来形成互连 层418图案。
在一个实施例中，填充有互连层材料418的接触开口 414在顶 部电极接触开口 416的三个横向侧上延伸，例如成为一个U形。这样， 能使底部电极的串联电阻减到最小。
在互连层418的顶部上沉积了覆盖层420。适合的覆盖层材料 为诸如SiN或Si02之类的无机材料、有机材料、或者有机材料和 无机材料的组合。可通过传统的湿法刻蚀或干法刻蚀来形成覆盖层 420图案，从而提供接触开口 422和424。可通过引线键合或者倒装
片安装来实施接触(未示出)。
图5示出了形成了图4的实施例的第一变型的铁电变容管500 的示意性截面图。
图5的铁电变容管500在许多结构单元上与图4的铁电变容管 400相类似。以下的描述将侧重于重要的结构差异。铁电变容管400 和铁电变容管500的相应结构单元所标有的参考标号的不同之处仅 仅在于第一个数字。例如，图4的铁电变容管的封装层412在图5中标为参考标号512，表示对应于图5的铁电变容管的封装层。
铁电变容管500的介电叠层508不仅在底部电极506上延伸， 而且在阻挡层504上延伸。这就造成了这样的事实，即，首先利用标 准光刻工艺技术来形成底部电极图案。然后，在整个底部电极上沉积 铁电叠层。这可以改进底部电极的粘结度，并且防止在按照图4给出 的流程在铁电层刻蚀期间底部电极的层剥离。在一个实施例中，铁电 变容管500的工艺包括沉积了底部电极506之后直接形成底部电极 506图案。这允许在阻挡层504和底部电极506两者的顶部上随后沉 积可调介电叠层。此后，沉积顶部电极510，并且利用标准的图案形 成技术来形成顶部电极510图案。在形成顶部电极510图案之后，通 过湿法刻蚀技术或者干法刻蚀技术来横向地形成介电叠层508图案， 从而在介电叠层508中实现接触开口 526。在同一步骤中，去除随后 将要在其上例如利用高导电性的互连层518制造传输线或者线圈的 晶片区域中的介电叠层材料。
后续工艺包括封装层512的沉积和图案形成以及其它工艺步骤， 它们对应于在图4的实施例的上下文中所描述的那些步骤。
图6示出了形成了铁电变容管400的第二变型的铁电变容管600 的示意性截面图。同样，后面的描述将侧重于结构差异。同样，铁电 变容管400和铁电变容管600的相应结构单元所标有的参考标号的不 同之处仅仅在于第一个数字。例如，图4的铁电变容管的封装层412 在图6的铁电变容管中标为参考标号612。
图6的铁电变容管600包含两个单独的电容器。这是通过形成 顶部电极层图案以形成两个分开的电极610. 1和610.2来实现的，这 两个分开的电极通过封装层612而彼此电绝缘。两个电容器从而通过 公共底部电极606而串联连接。变容管经由第一顶部电极610. 1和第 二顶部电极610. 2与外部器件连接。
图7示出了形成了图4的实施例的第三变型的铁电变容管700 的示意性截面图。同样，后面的描述将侧重于结构差异。同样，铁电 变容管400和铁电变容管700的相应结构元件所标有的参考标号的不 同之处仅仅在于第一个数字。图7的铁电变容管700包含两个单独的电容器，这是通过形成 顶部电极层图案以形成两个分开的电极710. 1和710.2来实现的。电 极710. 1和710. 2通过封装层712而彼此电绝缘。两个电容器因此通 过公共底部电极706而串联连接。经由第一顶部电极710. 1和第二顶 部电极710. 2建立铁电变容管700与外部器件的接触。因此，该变型 形成了图5和图6的特征的组合。
图8示出了形成了图4的实施例的第四变型的铁电变容管800 的示意性截面图。同样，后面的描述将侧重于铁电变容管400和铁电 变容管800的结构差异。同样，铁电变容管400和铁电变容管800 的相应结构元件所标有的参考标号的不同之处仅仅在于第一个数字。
图8的铁电变容管800与前面的实施例的不同点在于，互连层 818同时还作为电容器的顶部电极。本实施例中没有使用单独的顶部 电极，这是相比较于图4的铁电变容管400中的顶部电极410而言的。
图9示出了形成了图4的实施例的第五变型的铁电变容管900 的示意性截面图。同样，后面的描述将侧重于这两个铁电变容管的结 构差异。同样，铁电变容管400和铁电变容管900的相应结构元件所 标有的参考标号的不同之处仅仅在于第一个数字。
铁电变容管900结合了图5的铁电变容管500的特定特征以及 图8的铁电变容管800的特定特征。因此，其介电叠层908不仅在底 部电极906上延伸，而且在阻挡层904上延伸。在图9的铁电变容管 900中，互连层918同时作为电容器的顶部电极。
图10示出了形成了第四示意性实施例的铁电变容管1000的示 意性截面图。
铁电变容管1000具有衬底1002。适合于本实施例的衬底材料对 应于对图4的铁电变容管400的描述中所提到的那些材料。
在衬底1002顶部上沉积阻挡层1004。对于适合的阻挡层材料， 同样可以参考对图4的铁电变容管400的描述中所提到的对阻挡层 404的描述。
在阻挡层1004的顶部上，或者在替换实施例中直接在衬底1002 的顶部上沉积底部电极1006。在上述图4的描述中描述了适合的底部电极材料。
沉积了底部电极1006之后，通过标准光刻技术以及通过干法刻
蚀技术来形成底部电极1006图案。注意，该处理产生了倾斜的侧向 边缘1028。在图10中，包含电容器电极的有源区用椭圆1032来表 示。
在按照这种方式形成图案的衬底的顶部上沉积可调介电叠层 1008。已经在本发明的其它地方描述了适合的介电叠层的示例。随后 通过湿法刻蚀或者干法刻蚀来形成介电叠层1008图案。此处，作为 先前实施例的替换设计，刻蚀掉将在随后的工艺步骤之后形成导线或 者线圈的区域中的介电叠层1008。从而，在介电叠层1008中例如形 成了开口 1030。介电叠层1008的有源介电层部分的横向延伸长度介 于2|mi到30pm之间。
在铁电变容管1000的处理期间，高导电性的金属层1028形式 的顶部电极被沉积在介电叠层1008上及其开口 1030中。通过标准光 刻技术以及通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺来形成该顶部电极图 案。已经在对图4的铁电变容管400的高导电性层418的描述中提到 了适合的顶部电极材料。
随后，沉积覆盖层1020并且形成覆盖层1020图案，以便提供 用于接触的开口 1022和开口 1024。
图11示出了形成了第五示意性实施例的铁电变容管1100的示 意性截面图。铁电变容管1100具有衬底1102。适合于本实施例的衬 底材料对应于对图4的铁电变容管400的描述中所提到的那些材料。
在衬底1102顶部上沉积阻挡层1104。对于适合的阻挡层材料， 同样可以参考对图4的铁电变容管400的描述中所提到的对阻挡层 404的描述。
在阻挡层1104的顶部上，或者在替换实施例中直接在衬底1102 的顶部上沉积可调介电叠层1108。已经在本发明的其它地方描述了 适合的介电叠层的示例。随后通过通过湿法或干法刻蚀技术来形成介 电叠层1108图案。刻蚀掉将在随后的工艺步骤之后形成导线或者线 圈的区域中的介电叠层1108。从而，在介电叠层1108中例如形成开在介电叠层1108的顶部上沉积了电极层1140。电极层1140由 高导电性金属制成，例如厚Pt或Pt/Au、 Pt/Au/Pt、 TiW/Al、 TiW(N)/Al、 TiN/Al、 Ti/Au、 TiW (N) /Au、 TiN/Au、 NiCr/Au、 Ti/Ag、 TiN/Au、或Ti/Cu、或任何其它高导电性金属。随后通过标准光刻技 术和湿法或干法刻蚀工艺来形成电极层1140图案，以便得到第一电 极1140. 1和第二电极1140. 2。
此后，沉积覆盖层1120。对图4的铁电变容管400的覆盖层420 的描述中提到了适合的覆盖层材料。随后通过传统的湿法或干法刻蚀 技术来形成覆盖层图案，以便提供接触开口 1122和1124，用于借助 引线键合或倒装片安装来实施接触。
图12示出了形成了图11的实施例的变型的铁电变容管1200的 示意性截面图。
在本变型中，铁电变容管1200在介电叠层1208的两侧具有另 外的导电性能差的电极层1250和1252。下侧电极层1250布置在层 1204和介电叠层1208之间，或者如果省略了可选的阻挡层1204，那 么下侧电极层1250也可以位于衬底1202和介电叠层1208之间。上 侧电极层1252布置在介电叠层1208和顶部电极层1240之间。电极 层1250和1252例如可以由Ru02、 SrRu03、 SrCrO、 SiCrN、或导电的 ZnO或诸如半导电的BaTi03、 SrTi03之类的复合导电层、或者任何其 它导电的或半导电的金属氧化物或金属氮化物或其它导电性能差的 层制成。
在该共面电容器设计的工作期间，导电性能较差的电极层1250 和1252与DC电源连接以便进行调谐。高导电性的第一电极1240. 1 和第二电极1240. 2分别连接至RF信号。本实施例实现了具有宽调谐 范围和低失真的可调电容器。
图13示出了铁电变容管1300的示意性截面图。铁电变容管1300 具有Si衬底1302、底部电极1304、介电叠层1308和顶部电极1310。 图13用于图示说明介电叠层1308的柱状织构晶体结构，该示范性示 例中的介电叠层1308包含9个介电层的交替序列，前面已经描述了介电层的材料选择。柱形结构由柱形1308.5至1308.7之间的边缘 1308. 1至1308.4表示。在柱形中，第一介电层和第二介电层在彼此 的顶部上外延生长。例如，该结构可在暗场透射电子显微镜(TEM) 图像中变得可见，其中明亮区域示出了处于适当衍射情况下的柱形， 而黑暗区域示出了未处于衍射情况的柱形。为了更清晰地表示图像， 在此没有示出在该图像中所观察到的黑暗区域和明亮区域之间的对 比度。此外，可以利用髙角环行暗场模式下的扫描透射电子显微镜 (STEM-HAADF)使叠层在截面图中变得可见。
柱形的截面大概具有形块(shape block)，这些形块具有垂直 穿过从底部电极到顶部电极的可调叠层的近似直线。横向相邻的柱形 具有较长长度和较短长度的交替布置。也就是说，柱形沿着附图所示 的电极横向方向以交替的顺序布置，从而在柱形中未观察到间隙。柱 形的水平方向长度为100-300nra。在叠层中，还存在一些看不见柱形 生长的较小圆形区域。
已经在附图和前述说明中详细描述了本发明，但是这些说明和 描述应该被认为是说明性的或者示意性的，而不是限制性的；本发明 并不限于所公开的实施例。
通过学习附图、公开内容和权利要求，本领域的技术人员在实 践所要求保护的发明时可以理解和实施对本发明的变型。
权利要求中，词语"包括"并不排除其它元件或步骤的存在， 并且不定冠词"一个"或"一种"并不排除多个的存在。事实仅仅在 于，在互不相同的从属权利要求中所陈述的特定措施并不表示这些措 施的结合不能用来提供优势。
权利要求中的任何标号都不应当被理解为限制本发明的保护范围。
权利要求
1.一种铁电变容管(100)，其包括导电的第一电极(106)和第二电极(110)以及位于第一电极(106)和第二电极(110)之间的介电叠层(108)，其中介电叠层(108)包括具有串联连接的至少三个介电层的交替层序列(108.1至108.n)，介电叠层(108)的至少两个非单晶第一介电层(108.1，108.n)由具有第一介电常数的第一介电材料制成，介电叠层(108)的至少一个非单晶第二介电层(108.2)布置在两个第一介电层之间，并且所述第二介电层由具有第二介电常数的第二介电材料制成，并且第一介电常数不等于第二介电常数，当把第一介电材料和第二介电材料之一布置在两个测试电极之间时，如果在两个测试电极之间施加交流电压，则第一介电材料和第二介电材料之一比处于相同情况下的第一介电材料和第二介电材料中的另一个呈现出更弱的介电材料极化的铁电滞后，并且其中介电叠层(108)的第一介电层(108.1，108.n)和第二介电层(108.2)在垂直于它们各自的层平面的方向上的各自延伸长度被适当地选择，使得具有较弱铁电滞后的介电材料占介电叠层(108)的总体积的百分比大于20％。
2. 如权利要求l所述的铁电变容管，其中第一介电材料的介电 强度高于第二介电材料的介电强度。
3. 如权利要求1所述的铁电变容管，其中第一介电材料是 PbZrJih03或者掺杂La的PbZrJi,—x03，其中0<x<l，并且第二介 电材料是Bai-xSrxTi03，其中(Xx〈1。
4. 如权利要求l所述的铁电变容管，其中第一介电材料是掺杂 La或者没有掺杂La的(Pb (Mg。.33Nb。 67) 03)卜x-( PbTi03) x，其中0<x<1，并且第二介电材料是Bai-xSrJi03，其中(Xx〈1。
5. 如权利要求l所述的铁电变容管，其中第一介电材料是含有 稀土碱性离子的PbZrJih03的固溶体或者含有稀土碱性离子的掺杂 La的PbZrJi卜x03的固溶体，并且第二介电材料是Bai_xSrxTi03，其中 0<x<l。
6. 如权利要求1所述的铁电变容管，其中第一介电材料是 PbZrxTih03或者掺杂La的PbZrVTi卜x03，其中(Xx〈1，并且第二介 电材料是MgO或ZrOs或Ti02。
7. 如权利要求l所述的铁电变容管，其中第一介电材料和第二 介电材料还包含La、 Nb、 Mn或Fe掺杂物。
8. 如权利要求l所述的铁电变容管，其被布置在高阻或绝缘Si 衬底层(102)的顶部。
9. 如权利要求1所述的铁电变容管，其中介电叠层(108)的 第一介电层(108.1， 108.n)和第二介电层(108.2)的各自厚度被 适当地选择，使得具有较弱铁电滞后的介电材料占介电叠层的总体积 的百分比大于20%。
10. 如权利要求1所述的铁电变容管(1300)，其中第一介电 材料和第二介电材料(1308. 5， 1308.6， 1308. 7)具有柱状织构多晶 结构。
11. 如权利要求l所述的铁电变容管，其中第一电极(106)和 /或第二电极(110)由Pt、 Ti/Pt、 Ti02/Pt、 Ti/Au、或Au制成，或 者由Pt和Au的叠层、或者Ti/Pt和Au的叠层制成。
12. 如权利要求1所述的铁电变容管(400)，其中在衬底层(402) 和第一电极(406)之间布置了阻挡层(404)或者阻挡层叠层。
13. 如权利要求1所述的铁电变容管，其中介电叠层(108)在 从第一电极(106)到第二电极(110)的方向上的延伸长度介于100 纳米到1微米之间。
14. 如权利要求1所述的铁电变容管，其中第一介电层(108. 1， 108. n)和第二介电层(108. 2)在从第一电极(106)到第二电极(110) 的方向上的各自延伸长度介于1纳米到100纳米之间。
15. 如权利要求1所述的铁电变容管，其形式为平板电容器 (100， 400)。
16. 如权利要求1所述的铁电变容管，其形式为共面电容器 (100， 1200)。
17. —种电子元件，其包括如权利要求1所述的铁电变容管 (100)。
18. —种制造铁电变容管(100)的方法，该铁电变容管具有位 于第一电极(106)和第二电极(110)之间的介电叠层(108)，所 述方法包括如下步骤制造介电叠层(108)，该介电叠层(108)包括在从第一电极 到第二电极的方向上具有串联连接的至少三个介电层的交替层序列； 其中制造介电叠层包括如下步骤利用具有第一介电常数的第一介电材料来制造介电叠层的至少 两个非单晶第一介电层(108.1， 108. n)，利用具有第二介电常数的第二介电材料在两个第一介电层 (108.1， 108.n)之间制造介电叠层的至少一个非单晶第二介电层(108.2)，并且第一介电常数不等于第二介电常数，其中，将第一介电材料和第二介电材料之一制造成当将其布 置在两个测试电极之间时，如果在两个测试电极之间施加交流电压， 则第一介电材料和第二介电材料之一比处于相同情况下的第一介电 材料和第二介电材料中的另一个呈现出更强的介电材料极化的铁电滞后，以及制造具有一定厚度的介电叠层的各个第一介电层(108.1， 108. n)和第二介电层(108.2)，使得具有较弱铁电滞后的介电材料 占介电叠层(108)的总体积的百分比大于20%。
19.如权利要求18所述的方法，其包括在Si衬底层(402)的 顶部上制造介电叠层(408)的步骤，其中第一介电材料是掺杂或者 没有掺杂La的PbZrJihOs,其中0<x<l，并且第二介电材料是 Bai-xSrxTi03，其中0<x<l;并且其中制造介电叠层(408)包括 在50(TC至80(TC温度范围内，在具有阻挡层(404)或阻挡层叠层， 以及具有电极或不具有电极的Si衬底层(402)的顶部上沉积介电叠 层。
全文摘要
本发明涉及一种铁电变容管(400)，其包括电极(406，410)之间的介电叠层(408)。介电叠层包括具有至少三个介电层的交替层序列。介电叠层的至少两个非单晶第一介电层由具有第一介电常数的第一介电材料制成，介电叠层的至少一个非单晶第二介电层由具有第二介电常数的第二介电材料制成，并且第一介电常数不等于第二介电常数。第一介电材料和第二介电材料之一呈现出较弱的铁电滞后。具有较弱的铁电滞后的介电材料占介电叠层的总体积的百分比大于20％。本发明的铁电变容管实现了介电叠层中的高相对介电常数、高击穿电压、低压下的大调谐范围、以及小介电损失。
文档编号H01G7/06GK101529539SQ200780039652
公开日2009年9月9日 申请日期2007年10月19日 优先权日2006年10月25日
发明者克劳斯·雷曼, 威廉默斯·C·科尔, 达尼埃尔·贝朗, 马雷克·克莱, 鲁迪格·毛佐克 申请人:Nxp股份有限公司