进行实际流量检验的方法

专利名称：：进行实际流量检验的方法进4亍实际流量检验的方法
背景技术：
：等离子处理的发展促进了半导体工业的成长。等离子处理期间，半导体制造商会采用某种制法以在基片上蚀刻和/或沉积材料。该制法可包括多个计量，例如，包括RF功率等级、气体、温度、压力、气体流率等。该制法的每个计量共同运转以产生优良的装置(例如，MEM等)。因此，不精确的计量会产生不够标准的装置和/或有缺陷的装置。为了使不准确度最小，必须监测和/或检验提供计量的各个不同部件。气体流率就是这样的必须检验的计量。在基片处理期间，供给该反应室的工艺气体量通常要仔细地控制。指示气体流率(即，工艺气体流率)一般由质量流量控制器(MFC)控制。考虑这种情况，其中，例如关键工艺步骤需要40标准立方厘米(sccm)的流率。工艺工程师会/人用户界面将该流率输入该工艺制法并将该制法应用到该等离子工具。在l叙入该制法流率中，该工艺工^f呈师有Ii殳该质量流量控制器(MFC)将以所需速率4吏气体流进该反应室。然而，实际的气体流率会不同于该MFC的指示流率。如这里所讨论的，指示流率指的是显示在该等离子工具的用户界面上的示为MFC流率的那个流率。该指示流率的精确度取决于该MFC的精确度。在MFC的制造过程中，在MFC上冲丸行一个或多个才企-验以确^人MFC^是供的该气体流率控制在所建立的MFC设计规范公差内。MFC检验通常在受控实验室环境中使用惰性气体进行，如N2气体。为了将这个4企-验结果转5化为用于其他气体(可以是在实际生产环境中采用的)对应结果，可以应用变换因子。然而，所转化的对应结果会有误差，因为变化因子本身就有一定程度的不确定性。随着时间流逝，MFC性能会衰退，产生流率不准确度。也就是说，MFC的指示流率会由于校准漂移、零点漂移或气体-校准漂移而超出该MFC的设计规范公差，而MFC必须重新才交准或更换。需要一种流量检验方法来确定MFC流率的误差百分数，从而可进行流量修正以修正该气体输送系统中的不准确度。一种已经用来确iLMFC的指示流率的方法是上升率(ROR)流禾呈。利用ROR流程，充满反应室容积并且测量该气体的压力上升率。利用ROR方法，可确定该气体的实际:流率。ROR流程是很长的过程，会用去十个小时或更多。这么长的时间是由于反应室容积大造成的，例如，高达60升。别的因素包括-等离子工具中有许多气体管线和许多气体箱，以及某些反应室较高的运4亍S显度。除了ROR流程是很长的过程之夕卜，ROR流程在室与室之间匹配过程结果时也会遇到不准确度的问题。在一个示例中，由于室部件的制造公差而导致同样尺寸的室之间容积会有变化。在一个示例中，室中的大温差会导致容积的变化。因此，ROR流程是一种很麻烦的方法，它会由于较高的反应室运行温度而导致更长的持续时间。并且，ROR流程要求在4丸4亍该ROR流程之前冷却等离子工具。该冷却时间大约是两个小时或更多，这〗戈表该反应室不能处理晶片的额外时间。结果，ROR流程会增加经营成本而没有实际才是供真正的确i人MFC指示流率的方法。[9]另一种可用来检验MFC的指示流率的方法包括利用小的外部ROR室或流量测量标准(例如，Molbloc)来^^,实际的反应室。利用外部流量测量装置方法，该外部装置可用作测试装置，其可以直才妻连4妻到该MFC以测试气体流率。因此，该外部装置可用作流量检验装置。通过利用该外部装置，需要多个压力传感压强计以#"确测量涵盖从1sccm到10,OOOsccm的半导体制造设备流率的压力测量值。为了使每个压力测量的持续时间最小，多个室容积必须设计成较小的室ROR装置。另夕卜，通过采用4交小的室ROR装置，减少充满该室的时间并且将对该室的温度影响降至最低。然而，仅惰性气体可以在该纟交小的室中测试。因此，不能测试在蚀刻中实际采用的气体(例如蚀刻剂气体)。结果，该外部流量测试装置方法由于气体的压缩性对流率的影响而无法进行测试。另夕卜，该较小的室ROR装置通常需要使用单独的专用计算机系统，由此不能提供与该等离子处理系统集成的解决方案。
发明内容在一个实施例中，本发明涉及确定等离子处理系统的反应室中实际气体流率的方法。该方法包括在质量流量控制器(MFC)的控制下由气流输送系统将气体输送至小孔，其设在该反应室的上;袢。该方法还包4舌只于该气体力卩压以在该小孑L内建立才厄^^犬态。该方法进一步包括用一组压力传感器测量该气体的一组上游压力值。该方法还又包4舌应用一组才交准因子的一个才交准因子来确定该实际流率。该校准因子是这组上游压力值的平均值与一组极佳上游压力值的平均值的比，其与MFC的指示流率相关，这个指示流率是由该MFC标示的流率。上面的概要仅涉及这里公开的本发明许多实施例之一并且不是为了限制本发明的范围，其范围在权利要求书中阐述。下面将在本发明详细描述中结合附图更详细地描述本发明的这些和其他特征。在附图中，本发明作为示例而不是作为限制来i兑明，其中类似的参考标号指出相似的元件，其中图1示出，在本发明的一个实施例中，确定该误差百分数的精确小孑L方法。图2示出，在本发明的一个实施例中，确定该误差百分数的才吏准小^L方法。图3示出，在一个实施例中，说明根据基于实验的方法生成一組准确气体表的步骤的简化流程图。图4示出，在一个实施例中，说明根据基于计算模型生成一组准确气体表的步骤的简化流程图。具体实施例方式现在将4艮据其如在附图中i兌明的几个实施方式来具体描述本发明。在下面的描述中，阐述许多具体细节以提供对本发明的彻底理解。然而，对于本领域:技术人员，显然，本发明可不利用这些具体细节的一些或者全部而实施。在有的情况下，7>知的工艺步骤」和/或结构没有说明，以避免不必要的混淆本发明。下面描述了各种实施例，包4舌方法和冲支术。应当记住，本发明还覆盖包括计算才几可读介质的制造品，在该介质上存4诸有用于8实施该创新性二技术的实施例的计算才几可读指令。该计算才几可读介质可包括，例如，半导体、光磁、光学或其他形式的用于存储计算机可读代码的计算机可读介质。进而，本发明还覆盖净丸行本发明的设备或系统。这种设备包括专用和/或可编程电路以执行与本发明实施例有关的操作。这种设备的示例包括适当编程的通用目的计算机和/或专用计算装置，并且包括计算机/计算装置和适于与本发明实施例有关的各种操作的专用/可编程电^各的组合。按照本发明一个方面，在这里，发明人实现了当该小孔处于扼流状态时，这种状态下离开小孔的气体以音速流动，该气体的实际流率可由上游压力(即，该在小孔输入通道的压力)确定。因此，发明人认识到可通过确定实际流率实现更准确并且耗时更少的工艺，其转而使得能够在小孔中计算误差百分数，而不是在工艺室(例如，ROR流程)和/或流量测量标准(例如，Molbloc)中测量流率。按照本发明的实施例，提供精确小孔方法用以确认具有质量流量控制器的气体输送系统输入进反应室的实际气体流率。在一个实施例中，该精确小孔方法包括测量处于扼流状态下的小孔的上游压力并且计算该指示流率和该预测流率之间的"i吴差。在一个实施例中，上游压力和流率之间存在线性关系或直线杀牛率。该预测流率(即，实际流率)可基于这样的假设而使用数学方法计算，即流率等于该上游压力乘以该直线斜率，再加上一个常凄t。在另一个实施例中，与该测4寻流率有关的予贞测流率可乂人准确气体表取出。如这里所讨论的，准确气体表指的是基于实际气体属性和准确MFC(准确、稳定和可重复的MFC)和精确小孔(假设直径已知并且没有瑕疯的小孔)的压力对流率的表。见，用以讨论如4可建立准确气体表的气体表部分。[23]在一个实施例中，误差百分ft可通过如下方式计算，首先找出该预测和指示流率之间的差。4妾着，用这两个流率之间的差除以该MFC的指示流率。利用误差百分H该工艺工程师现在能够调节该指示流率以》f正该i吴差。按照本发明的实施例，提供校准的小孔方法以得出校准因子，其可用作对测;彈上游压力的l奮正并产生预测流率。与该;睛确小孔方法不同，该校准小孔方法说明每个小孔中存在的直径和几何上的差别。在一个实施例中，对给定的指示流率，该4交准因子可通过在纟会定的小孔内测量一组上游压力值来计算，该小孔处于4厄流状态。这组测得上游压力值可以累加并平均以确定对于该给定小孔的平均压力。为了计算该才交准因子，该给定小孔的平均压力值可除以来自与指示流率有关的准确气体表的一组压力值。利用该才交准因子，^f'f正测;彈上游压力,人而可/人该气体表获得预测流率。在一个实施例中，对于每个小孔，该校准因子可在该小孔安装在该反应室中之前预先确定。在一个实施例中，利用该校准因子，可根据上述精确小孔方法计算误差百分数。参照下面的附图和讨论可更好地理解本发明的特征和优点。图1示出，在本发明的一个实施例中，确定该误差百分数的精确小孔方法。该精确小孔方法假设所有的小孔具有相同的几何形状。在第一步102,通过压力传感器(例如，压力计)测量该上游压力。[30]考虑这种情况，其中例如，气体以40sccm的指示流率从MFC流进小孔。该气体可在才厄流状态下流经并离开该小孔。在该才厄流状态，所获得的气体速度是音速。在扼流状态中，该流率与通过该小3L的下游压力无关而耳又决于上游压力(在该小孔的l俞入端)。因此，小孔的llr入端的流率与该上游压力相关。在一个示例中，如果上游压力高，那么流率高。如果上游压力低，那么流率低。在一个实施例中，在上游压力和流率之间存在线性关系。当该小孔处于扼流状态时，通过在该小孔上游设置压力传感器，可测量气体压力。在下一步104,可乂人该上游压力确定该予贞测流率。在一个实施例中，对于给定的小孔尺寸，对于每种气体，该压力对流率是具有一定杀牛角的线性关系。该预测流率可基于这才羊的，b殳以凄t学方法计算，即流率等于测得上游压力乘以斜率，再加上一个常凌t。在另一实施例中，与该测得上游压力有关的预测流率可从具有《合定小孔尺寸每种气体的压力值和对应流率的准确气体表取得。在一个示例中，该MFC设定值，或指示流率是39sccm和该测得上游压力是151torr。然而，根据该准确气体表，151torr的压力与40预测流率相关耳关d见用以讨"i仑如何建立该准确气体表的气体表部分。在下一步106,可计算该预测流率和该MFC的指示流率之间的差。在一个示例中，该予贞测流率是40sccm和该MFC的指示流率^39sccm。因J;匕，差Alsccm。在最后一步108，计算误差百分lt。该误差百分lt可通过将该预测流率和该MFC的指示流率之间的差(其是lsccm，例如)除以该MFC的指示流率而算纟寻。在一个示例中，该预测和指示流率之间的差是lsccm。因此，该误差百分凄丈是1/40，即0.025。利用该误差百分lt,可据此调节该MFC的指示流率，由此在工艺制法中输出更准确的Wu率。11[34]该4青确小孔方法是一种简单、快速并且岁文费比高的方法，其不像现有技术的ROR流程那样需要该反应室停机很长时间。例如，(1)对于精确小孔方法所需的计算该误差百分数的气体体积与较大的反应室(其可高达60升)相比是微不足道的和(2)该精确小孔方法也不需要冷却该反应室的时间，因为该测量在该小孑L中执^亍而非i亥反应室。如图1中提到的，该精确小孔方法假设给定尺寸的小孔的直径和几何结构对各个小孔是相同的。然而，现实中，由于制造/>差、形状和边^彖质量而导致小孔直径和几^f可结构上不同。例如，一些小孔可能具有平滑的边缘，而其他小孔具有较锋利的边缘。在另一示例中，一些小孔具有稍小的圓角，或者比精确小孔稍小或稍大。因此，在该等离子工具中采用的小孔在不同工具之间会不同。为了说明该小孔直径和几何上的差异，该校准因子必须从每个小孔得出。图2示出，在本发明的一个实施例中，确定指示流率和该预测流率之间误差百分数的校准小孔方法。该校准小孔方法包括确定才交准因子、应用该;f交准因子以找出》f正的预测流率、然后计算该指示流率和该预测流率之间校准百分数或误差的过程。在第一步202,在给定的MFC流率，对每个小孔测量一组上游压力值。在一个实施例中，当该小孔处于4厄流状态时，可采集这组测纟寻的上游压力^IL下面的表1示出，在一个示例中，某个指示流率(即，40sccm)的多个压力值。如可见的，该指示流率是采集测得上游压力值的流率。该极佳压力值表示基于该准确气体表与该指示流率相关的压力值。表1_对于给定小孔压力对流率的示例指示流率(sccm)才及^f圭压力(torr)测得上游压力(torr)40151.0151.240151.0153.040151.0152,0在下一步204，该组测得上游压力值可以累加并且求平均。一旦对于给定的指示流率采集完该组测得上游压力值，就可以计算平均值。基于上面表l的值，这组上游压力的平均值是152.1torr。并且，基于表l,这组极佳压力值的平均值是150torr。在下一步206，可计算才交准因子。该4交准因子通过确定这组通常，该校准因子是大约百分之l(有时稍高或稍低)。在这个示例中，该校准因子是0.99。(见下面的才交准因子部分)。对于给定小孔的每个气体流率，可计算校准因子。注意在计算该校准因子时，可以采用的气体可以是任何气体。一个理由是该才交准因子是小孔几何结构的因子而非该气体的因子。然而，通过采用惰性气体(例如，N2)而不是反应性或腐蚀性气体(例如，CH4)可消除由气体带来的可能的污染。在一个实施例中，对于每个小孔，该才交准因子可在该小孔安装进该反应室之前预先确定。在下一步208,可将在给定指示流率的给定小孔的校准因子应用于测得上游压力以计算々务正压力。考虑这种情况，其中，例如，才丸行MFOf企-验以确定该MFC的准确度。采集在指示流率(例如，40sccm)测;彈的上游压力，并乘以才交准因子(例如，0.99)以确定该13修正压力。在一个示例中，151.2torr的测得上游压力乘以0.99的才交准因子以获得149.7torr的^f奮正压力值。在下一步210,4吏用准确气体表确定该预测流率。在一个示例中，在该准确气体表上，149.7的^f'f正流率与39sccm的流率相关。因此，该预测流率应当是39sccm而不是40sccm的指示流率。在最后一步212，可计算该i吴差百分H利用该预测流率和该MFC的指示流率，可计算这两个流率之间的差。该i吴差百分凄丈可通过卩寻该MFC的指示流率和该予贞测:流率之间的差除以该MFC的指示流率来计算。类似于该精确小孔方法，该校准小孔方法也是简单、快速、不昂贵的方法，其不像现有技术ROR流程那样需要该等离子工具停工很长时间。另外，该才交准小孔方法考虑到该小孔的形状，因此^是供更现实的误差百分数，用以确定该MFC的指示流率的精确度。进而，该校准小孔方法可进一步简化，因为不必在每次检验来自该MFC的流率时重新计算该7艮准因子。在一个实施例中，该4交准因子可以预先计算并且在将等离子工具运给客户之前集成在该等离子工具中。如从本发明的实施例中认识到的，确认由具有MFC的气体專#送系统llr入进处理室的气体的实际流率的方法可通过测量处于4厄流状态的小孔内的上游压力来进行。该^青确d、孔方法和该4交准'J、孔方法两者者卩是4交快的确i人气体实际流率的方法，因为两种方法者(5是集中于测量该小孔处的压力而不是测量较大的处理室内的压力。并且，因为4壬一种小孔方法都不需要在实iE见该4壬一方法之前冷却该等离子工具，所以实施任一种小孔方法所需的时间长度进一步缩短。进而，该小孔方法4是供更准确的误差百分lt,具有更少的未知因素。另夕卜，在该小孔方法中采用制法中所需要的实际气体(例如，惰性气体、反应性气体等)而不是将该误差百分数仅基于惰性气体。此外，该小孔方法可集成进该等离子工具，因此提供集成度更高的解决方案。结果，该小孔方法4是供更有效和更高效的方法，用以确i人实际流率，而不显著增加生产成本。校准因子如前面所提到的，该校准因子是通过计算该组测得上游压力值的平均值与该组极佳压力值平均值的比来确定，见方程l。在一个实施例中，在给定的流率，为每个小孔计算该校准因子。也就是说，设在该小孔上游的压力传感器在该气体流过该小孔时可采集多个上游压力测量^f直。在一个实施例中，可在该小孑L处于纟厄流状态时进行该测量。在一个示例中，气体的流量i殳在40sccm的指示流率。当该小孔处于才厄流状态时，采集三个上游测量^直(例如，151.8torr,152.5torr,和153torr)。对这组测4f上游测量4直求平均以产生平均上游测量4直，152.43torr。为了确定该校准因子，用该平均上游压力152.43torr除以该极佳上游压力。如前所述的，该极佳上游压力使用精确小孔(具有已知直径并且没有J艮-匕)计算。在这个示例中，在40sccm指示流率的小孔的极佳上游压力是150torr。通过采用152.43的平均上游压力和才及佳上游压力的比，可计算4交准因子。在这个示例中，该冲交准因子是0.984。利用4交准因子，可如方程2所示的才艮据4交准因子调节该上游压力以确定小孔的才交准预测流率。'J、孑L(气体)=附尸气体(1±#)_义方禾呈2在一个实施例中，气体(Pg)的上游压力测量值可是单个凄史据点或者可以是一组数据点的平均。由于上游压力和流率之间存在线性关系或直线杀牛率，该预测流率(即，实际流率)可基于这才羊的假设以数学方法计算，即流率等于该上游压力乘以该直线斜率，加上常数(人)。算得预测流率-MFC流量MFC流量—旦确定校准预测流率，该预测流率和该实际流率的误差百分数，如上面方程3所示。如前面提到的，该误差百分数可通过^!夸该预测流率和该MFC的指示流率之间的差除以该MFC的指示流率来计算。也就是"i兌，一旦确定4交准f页测流率，该4交准预测流率可除以该指示流率(即，MFC流量)。然后，该i吴差百分lt可通过采用该比减l的绝对值计算。如前面^是到的，利用该误差百分凄t,该MFC的指示流率可据此调节，由此能够将更准确的流率豸俞入工艺制法。气体表在一个实施例中，该准确气体表的数据可通过基于实验的方法计算。图3示出，在一个实施例中，说明根据基于实验的方法生成一组准确气体表的步骤的简化流程图。附尸气体(l7-)一A方程3[56]在第一步302，通过将MFC调至指示流率将气体释放进测试环境，如AFV(绝对流量检验)模块。在一个示例中，从MFC流进具体尺寸d、孔的气体可以1sccm的速率流动。在下一步304,利用压力传感器采集上游压力值，如压力计。在一个示例中，1sccm的才旨示;^L率上〉游压力是6.63torr。在下一步306,将该指示流率和该上游压力^直^己录在表中。在下一步308,通过改变该指示流率而生成指示流率只于一纟且上游压力^直的凝j且。在一个示例中，改变该MFC以允i午流率为2sccm。通过在不同的指示流率测量该上游压力，利用对应的压力增加生成准确气体表。下表2是0.007英寸小孔的02气体的准确气体表示例。表2:0.007''小孑匕的02(气体)的准确气体表示例<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>[60]在下一步310,对于不同气体类型重复步艰《302-308,由此为不同气体类型创建准确气体表。在一个示例中，可为惰性气体、腐蚀性气体等创建准确气体表。在下一步312,对不同的小孔尺寸重复步骤302-310。例如，该小孔尺寸可在0.007英寸至大约0.05英寸的范围内。因此，该小孔的尺寸会根据工具要求改变。如从前述可以认识到的，这组准确气体表可扩展为在工具要求改变时包括额外小孔尺寸。[62]这个基于实验的方法允许为每个气体类型和每个小孔尺寸生成压力/流率的阵列组成的准确气体表。利用这组准确气体表，当未知数量的气体流过小孔时，可计算其流率。在一个示例中，可通过将测得的02流经0.007英寸小孔的116.58torr上游压力值与准确气体表比寿交来确定该流率。在这个示例中，该流率是30sccm。在一个实施例中，可在两个最4妾近的流率之间采用线性插<直法推顶'J该流率。在一个示例中，如果该上游压力值是50.35torr,那么确定该流率更4妄近10sccm而不是15sccm。如从前述可以:〖人识到的，该基于实-验的方法作支i殳一个4及佳测试环境。然而，产生这组准确气体表的测试环境并不始终是极好的，因为该测试环境的部件会稍偏离该极佳状态。在一个示例中，MFC的指示流率i殳为lsccm。然而，该MFC可以稍孩i偏差，该指示流率可实际上为1.005sccm。在另一示例中，，支i殳该小孔尺寸为0.007英寸；然而，该小3L的尺寸实际可以是0.0075英寸。在一个实施例中，4是供基于计算才莫型的方法用以在才及佳测试环境中生成一组准确气体表。通过采用计算流体力学(CFD)才莫型，利用所建立的边界条件创建极佳测试环境。该CFD模型是计算机模拟的模型，其通过为每个部件定义值创建极佳测试环境。在一个示例中，该指示流率可定义为lsccm。在另一示例中，该小^L尺寸可定义为0.007英寸。因为该CFD才莫型是才莫拟环境，所以该测试环境是不会出现由于部件的不精密而导致的误差。图4示出，在一个实施例中，基于计算才莫型方法生成一组准确气体表的步骤的简化流程图。在第一步402，在CFD模型中定义指示流率。在一个示例中，该指示流率可设为lsccm。19[67]在下一步404，计算压力值。在一个实施例中，指示流率的压力值可通过应用数学方程计算，如Navier-Stokes方程。Navier-Stokes方程是本领域^^知的方程，并且通常应用于描述气体和液体的牛顿第二运动定;f聿。在下一步406，将该指示流率和该算^寻压力^直i己录在表中。在下一步408,通过改变指示流率来生成该指示流率对一组算得压力值的数组。在一个示例中，该CFD冲莫型的指示流率改变为2sccm。在下一步410,对不同的气体类型重复步-骤402-408，由此为不同的气体类型创建准确气体表。在一个示例中，对02、N2、He2等创建准确气体表。在下一步412，为不同的小3L尺寸重复步艰《302-310。该基于计算模型的方法允许为每个气体类型和每个小孔尺寸生成由压力/流率的阵列组成的准确气体表。利用该基于计算模型的方法，这组准确气体表冲是供一组可靠的值，其可用于在该精确小孔方法确定预测流率和该4交准'J、孔方法中确定该才交准因子。如从前述可以认识到的，利用一组准确气体表，可在能够比较预测流率和MFC的指示流率的生产环境中确定预测流率。利用从该预测和指示流率之间的比较算得的误差百分数，可精细调节该MFC,由此去掉由于气体流率导致的制法处理误差。尽管本发明根据多个优选实施例描述，但是在本发明的范围内还存在改变、置换和等同方式。尽管这里4是供了多个不同示例，[75]并且，这里为了方便而提供的标题和概要不应当用来解释这里的权利要求的范围。进而，摘要是以高度简化的形式书写的，并且为了方便而^是供在这里，因此不应当用来解释或限制总的发明，该发明在权利要求中表述。如果这里使用了术语"组"，那么这样的术语具有通常所理解的数学含义，即涵盖零个、一个或更多个要素。还应当注意有许多实现本发明方法和设备的可选方式。所以，意图是接下来所附的权利要求解释为包含落入本发明主旨和范围内的所有这样的改变、置换和等同方式。权利要求1.一种确定等离子处理系统的反应室中实际气体流率的方法，包括在质量流量控制器(MFC)的控制下由气流输送系统将气体输送至小孔，所述小孔位于所述反应室的上游；对所述气体加压以在所述小孔内创建扼流状态；通过一组压力传感器测量所述气体的一组上游压力值；和应用一组校准因子的一个校准因子以确定所述实际流率，所述校准因子是该组上游压力值的平均值与一组极佳上游压力值的平均值的比，所述极佳压力值表示与指示流率相关联的压力值，所述指示流率是所述MFC标示的流率。2.根据权利要求1所述的方法，其中该组校准因子的每个校准因子与一组小孔各个具体的'J、孔相关，所述每个校准因子依赖于所述各个具体小3L的直径和几4可形状的至少一个。3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述校准因子应用于该组上游压力值以确定{务正压力^直。4.根据权利要求3所述的方法，其中通过将所述修正压力值与准确气体表对比来确定所述实际流率，所述准确气体表表示基于实际气体属性和准确MFC和精确小孔的多个压力值和流率值组成的表。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述压力值组成的表是所述才及佳压力〗直组成的表。6.根据权利要求4所述的方法，进一步包括通过用所述实际流率和所述指示流率之间的差除以所述指示流率为所述MFC计算误差百分凌丈。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述误差百分数被用以调节所述MFC。8.4艮据;f又利要求1所述的方法，其中该组压力传感器是一组压力计。9.4艮据—又利要求7所述的方法，其中该组压力传感器i殳在所述小孑L上游。10.—种确i人等离子处理系统的反应室中实际气^^流率的方法，包括在质量流量控制器(MFC)的控制下由气流输送系统将气体输送至小孔，所述小孔位于所述反应室的上游；对所述气体加压以在所述小孔内创建扼流状态；通过一组压力传感器测量所述气体的上游压力以采集一组上游压力值；才艮据所述小孔的该组上游压力值计算所述实际流率；和将所述实际流率与指示流率对比，所述指示流率是所述MFC才示示的;危率。11.才艮据权利要求IO所述的方法，其中所述小孔是精确小孔。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述小孔面积大小小于所述反应室。13.根据权利要求10所述的方法，其中该组压力传感器设在所述小孔上游。14.4艮据斥又利要求13所述的方法，其中该组压力传感器是一组压力计。15.根据权利要求10所述的方法，其中该组上游压力值与所述实际流率具有线性关系。16.根据权利要求10所述的方法，其中所述实际流率通过将该组上游压力值应用于准确气体表而得出，所述准确气体表表示基于实际气体属性和准确MFC和精确小孔的多个压力值和多个流率值组成的表。17.才艮据斥又利要求16所述的方法，进一步包括通过用所述实际流率和所述指示流率之间的差除以指示流率为所述MFC计算误差百分凄t。18.才艮据^又利要求17所述的方法，其中所述误差百分数,皮用以调节所述MFC。19.才艮据权利要求10所述的方法，进一步包括应用一组4交准因子的一个校准因子以确定所述实际流率，所述才交准因子是该组上游压力值的平均值与一组才及佳上游压力值的平均值的比，所述极佳压力值表示与指示流率相关的压力值，所述指示流率是所述MFC标示的流率。20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括通过将所述实际流率和所述指示流率之间的差除以所述指示流率为所述MFC计算误差百分数。全文摘要提供一种确定等离子处理系统的反应室中实际气体流率的方法。该方法包括在质量流量控制器(MFC)的控制下由气流输送系统将气体输送至小孔，其设在该反应室的上游。该方法还包括对该气体加压以在该小孔内建立扼流状态。该方法进一步包括用一组压力传感器测量该气体的一组上游压力值。该方法还又包括应用一组校准因子的一个校准因子来确定该实际流率。该校准因子是这组上游压力值的平均值与一组极佳上游压力值的平均值的比，其与MFC的指示流率相关。文档编号H01L21/3065GK101536159SQ200780042782公开日2009年9月16日申请日期2007年11月14日优先权日2006年11月17日发明者伊克巴尔·A·谢里夫,吉姆·蒂茨,里奇·迈内克,韦尔农·翁申请人:朗姆研究公司