专利名称：微型显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种微型显示器(micro-display)的制作方法，且特别是涉及可以避 免镜面层(mirror layer)受到损害以及避免周边电路(periphery circuit)氧化的一种 微型显示器的制作方法。
背景技术：
近年来的液晶像素结构已经渐渐的广泛应用于日常生活上，如液晶电视、手提电 脑或桌上型电脑的液晶荧幕以及液晶投影机等。微型显示器可以应用于各类型显示器，如 液晶显示器或是有机发光二极管显示器。 —般来说，在微型显示器产品中，通常会利用铝(Al)来作为镜面层的材料，以确
保镜面层具有优选的反射率。在微型显示器的制作方法中，为了将镜面层上的介电层移
除以暴露出镜面层，传统的技术是利用全面性蚀刻(blanket etch)或化学机械抛光法
(chemical mechanical polish, CMP)来移除镜面层上的介电层。然而，在以全面性蚀刻
或化学机械抛光法移除镜面层上的介电层时，不可避免地会将周边电路上的介电层同时移
除，使得周边电路暴露出来，因而造成周边电路氧化等问题，并严重影响元件效能。 为了避免全面性蚀刻或化学机械抛光法造成周边电路暴露而氧化的问题，通常会
利用光刻工艺与蚀刻工艺来移除镜面层上的介电层。然而，在移除镜面层上的介电层之后，
镜面层会在后续去除光致抗蚀剂的过程中被去除光致抗蚀剂所使用的溶液侵蚀，造成镜面
层的表面不平整，因而导致镜面层的反射效果降低，并影响元件的可靠度。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种微型显示器的制作方法，其可以避免镜 面层受到损害以及避免周边电路氧化。 本发明提出一种微型显示器的制作方法，其是先提供具有像素区(pixelregion) 与周边电路区(periphery region)的基底，其中像素区已形成有金属反射层，且周边电路 区已形成有周边电路。然后，在基底上形成介电层，以覆盖像素区与周边电路区。接着，在 介电层上形成图案化掩模层，此图案化掩模层暴露出位于金属反射层上方的介电层。而后， 以图案化掩模层为掩模，移除暴露出的介电层的一部分。继之，移除图案化掩模层。之后， 移除部分介电层，以暴露出金属反射层。 依照本发明实施例所述的微型显示器的制作方法，上述的金属反射层的材料例如 为铝、金或银。 依照本发明实施例所述的微型显示器的制作方法，上述的移除暴露出的介电层的 一部分的方法例如为干式蚀刻法。 依照本发明实施例所述的微型显示器的制作方法，上述的移除部分介电层以暴露 出金属反射层的方法例如为进行全面性蚀刻，直到暴露出金属反射层。 依照本发明实施例所述的微型显示器的制作方法，上述的图案化掩模层的材料例如为光致抗蚀剂。 本发明先利用光刻工艺与蚀刻工艺移除金属反射层上的一部分介电层，并保留一 部分的介电层在金属反射层上，因此可以使金属反射层在移除光致抗蚀剂的过程中避免与 移除光致抗蚀剂所使用的溶液接触而受到损害，以及可以避免周边电路在全面性蚀刻的过 程中被暴露出来而导致氧化的问题。 为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配 合所附图，作详细说明如下。
图1A至图1D为依照本发明实施例所绘示的微型显示器的制作方法的剖面示意 附图标记说明 100 102 104 108
金属反射层 周边电路 图案化掩模层
101 :像素区 103 :周边电路区 106 :介电层 110、112 :开口
具体实施例方式
图1A至图1D为依照本发明实施例所绘示的微型显示器的制作方法的剖面示意 图。首先，请参照图1A，提供具有像素区101与周边电路区103的基底100，其中像素区101 已形成有金属反射层102，且周边电路区103已形成有周边电路104。基底IOO例如为硅基 底。金属反射层102的材料例如为铝、金、银或其他合适的金属反射材料。金属反射层102 是用来作为微型显示器中的镜面层。因此，当光线入射至微型显示器中时，金属反射层102 可将光线反射回去。此外，在本实施例中，周边电路区103例如是位于像素区101的一侧。 在另一实施例中，周边电路区103例如是围绕像素区101，亦即周边电路104围绕金属反射 层102。 然后，请继续参照图1A，在基底100上形成介电层106，以覆盖像素区101与周边 电路区103。介电层106的材料例如为氧化物。介电层106的形成方法例如为化学气相沉 积法。 接着，请参照图1B，在介电层106上形成图案化掩模层108。图案化掩模层108暴 露出位于金属反射层102上方的介电层106，亦即后续欲暴露出金属反射层102的区域。图 案化掩模层108的材料例如为光致抗蚀剂。而后，以图案化掩模层108为掩模，移除暴露出 的介电层106的一部分，以于介电层106中形成开口 110。移除暴露出的介电层106的一 部分的方法例如为干式蚀刻法。特别一提的是，可通过控制蚀刻介电层106的时间来控制 所形成的开口 110的深度，而开口 110的深度则可视实际需求而调整。重要的是，在此步骤 中，在移除部分介电层106而形成开口 110之后，金属反射层102上仍必须要保留有介电层 106。 继之，请参照图1C，移除图案化掩模层108。由于金属反射层102上仍保留有介电 层106，因此在移除图案化掩模层108的过程中，可以避免用来移除图案化掩模层108所使用的溶液侵蚀金属反射层102而造成损害，以保持金属反射层102的表面平整性。
之后，请参照图1D，移除部分介电层106而形成开口 112，以暴露出金属反射层102。移除部分介电层106的方法例如为进行全面性蚀刻，直到暴露出金属反射层102。在此步骤中，由于开口 110中的介电层106的厚度小于其他位置的介电层106的厚度，因此在进行全面性蚀刻而将开口 110中的介电层106移除之后，周边电路104上方的介电层106并不会被整个移除而使得周边电路104暴露出来。此外，由于介电层106仍覆盖于周边电路104上，因此可以避免周边电路104氧化的问题。 综上所述，本发明利用光刻工艺与蚀刻工艺先移除金属反射层上的一部分介电层，然后再利用全面性蚀刻移除金属反射层上剩余的介电层，因此可以避免在全面性蚀刻的过程中将周边电路暴露出来，解决了周边电路氧化的问题。 此外，由于光刻工艺与蚀刻工艺仅先移除了金属反射层上的一部分介电层，使得金属反射层上仍保留有一部分的介电层，因此在移除光致抗蚀剂的过程中金属反射层并不会与移除光致抗蚀剂所使用的溶液接触，避免了金属反射层被溶液侵蚀的问题，并保持了金属反射层的表面平整性。 虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域一般技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定的为准。
权利要求
一种微型显示器的制作方法，包括提供基底，该基底具有像素区与周边电路区，其中该像素区已形成有金属反射层，且该周边电路区已形成有周边电路；于该基底上形成介电层，以覆盖该像素区与该周边电路区；于该介电层上形成图案化掩模层，该图案化掩模层暴露出位于该金属反射层上方的该介电层；以该图案化掩模层为掩模，移除暴露出的该介电层的一部分；移除该图案化掩模层；以及移除部分该介电层，以暴露出该金属反射层。
2. 如权利要求1所述的微型显示器的制作方法，其中该金属反射层的材料包括铝、金 或银。
3. 如权利要求1所述的微型显示器的制作方法，其中移除暴露出的该介电层的一部分 的方法包括干式蚀刻法。
4. 如权利要求1所述的微型显示器的制作方法，其中移除部分该介电层以暴露出该金 属反射层的方法包括进行全面性蚀刻，直到暴露出该金属反射层。
5. 如权利要求1所述的微型显示器的制作方法，其中该图案化掩模层的材料为光致抗 蚀剂。
全文摘要
一种微型显示器的制作方法，其是先提供具有像素区与周边电路区的基底，其中像素区已形成有金属反射层，且周边电路区已形成有周边电路。然后，在基底上形成介电层，以覆盖像素区与周边电路区。接着，在介电层上形成图案化掩模层，此图案化掩模层暴露出位于金属反射层上方的介电层。而后，以图案化掩模层为掩模，移除暴露出的介电层的一部分。继之，移除图案化掩模层。之后，移除部分介电层，以暴露出金属反射层。
文档编号H01L21/311GK101740497SQ20081017346
公开日2010年6月16日 申请日期2008年11月14日 优先权日2008年11月14日
发明者吴沂庭, 姜元升, 孙伟宸, 李政勋 申请人:联华电子股份有限公司