专利名称：单相智能复合开关的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种执行开关，特别是涉及一种用于低压配电网上的智能复合开关。
背景技术：
由于0.4KV低压配电网无功补偿设备投资少、节能效果显著、市场需求量大、涉及面 广，所以该领域的无功补偿技术和设备的推广和应用，历来倍受各级政府、电力管理部门、 广大电力用户、设备制造厂家的高度重视和关注。此设备中特别关键的单元为投切开关， 过去人们用的产品投切响应速度慢，易产生投切震荡，投切过程中产生过电压、大涌流， 触点打火烧结，致使开关和电容器的使用寿命比较短，近几年市场出现一种较先进的投切 开关它由熔断器、交流接触器、热继电器和双向晶闸管组成，可以实现过零无触点投切， 投切过程无过电压、涌流小甚至无涌流，延长了电容器和开关的使用寿命，也能满足易燃 易爆等特殊场合的使用要求(如煤矿、加油站等场合不允许开关器件有火花产生)。但是 价格昂贵，电路复杂，接线不便， 一般用户难以接受。 发明内容
本实用新型是针对现用的投切开关投切响应速度慢，不可以频繁操作，投切过程中产 生过电压、大涌流，触点打火烧结，致使开关和电容器的使用寿命比较短，而好的投切开 关又价格昂贵、使用不便的现状而提供一种高性价比、使用方便的单相智能复合开关，它 具功能先进、接线简单、配置灵活、节约成本、可配套选择使用的优势。
本实用新型的技术方案为 一种单相智能复合开关，其特点是此复合开关由时序控 制单元、快速可控硅、大功率二极管、大功率磁保护继电器、过零测控过压保护模块五个 单元组成，快速可控硅，大功率二极管，大功率磁保护继电器，和过零测控过压保护模块 四个单元并联连接，其中快速可控硅和大功率二极管为反并联，快速可控硅、大功率磁保 持继电器和过零测控过压保护模块的控制动作信号来自于控制单元，控制单元信号来自外 部控制器。
本实用新型由于采用了电力电子、继电器复合使用技术，不但开关性能、可靠性大 大提高，体积大大减小，而且开关的制造成本大为降低，使得该模块容易满足一般消费者 的需求，降低了客户使用门槛，还可以方便地和其它厂家的电容器配套使用，具有功能先 进、接线简单、配置灵活、节约成本的优点，是传统无功补偿回路中部分功能器件组合的理想换代产品。 .
图1是本实用新型单相智能复合开关原理图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一歩阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本 实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容 之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申 请所附权利要求书所限定的范围。
如图1所示一种单相智能复合开关，输入为I，输出0，智能复合开关由控制单元1 快速可控硅2、大功率二极管3、大功率磁保护继电器4、过零测控过压保护模块5五个单 元组成，快速可控硅2、大功率二极管3、大功率磁保护继电器4、过零测控过压保护模块 5四个单元并联连接，其中快速可控硅2和大功率二极管3为反并联，快速可控硅2、大 功率磁保持继电器4和过零测控过压保护模块5的控制端接控制单元，i叩ut信号来自外 接的控制器。
单相智能复合开关采用国内先进的快速可控硅、大功率二极管、大功率磁保持继电器 复合使用技术，既充分利用了可控硅快速导通和关断并且能够耐受大电流和大电压沖击的 特性，实现等电压或零电压投入，电流过零切除的功能，又利用磁保持继电器工作状态下 无功耗的优点。避免了可控硅作为纯粹开关长时间通电、内部结温升高可能损坏的发生。 大量实践证明国产晶闸管芯片KP50系列作为投切单台20Kvar/450V以下，额定电流25. 7A 以下电容器的开关使用，其具备投切时间短(几百微秒级)，耐压1500V以上、耐电流冲 击940A的技术参数，完全能够满足要求而且绰绰有余了。所以此类开关在制造技术上是 完全可行的、使用功能是完全可以满足的。智能复合开关除了具备同类产品过零触发电路 外，还增加了过零测控过压保护模块可控硅导通检测电路和可控硅过电压、击穿保护电 路，保证过零触发可控硅并且完全导通的前提下，再吸合磁保持继电器，防止可控硅触 发未导通情况下吸合磁保持继电器，烧粘触点造成电容器切不下来的严重后果。保护技术 的采用大大提高了智能复合开关使用的可靠性和安全性，这是其它同类产品所不具备的功 能。另外智能复合开关采用可控硅管和二极管反并联组成的主电路(同类产品为双晶闸管 反并联)使得电容两端的电压能动地跟踪电网的最高电压变化而变化，有效防止双晶闸管 反并联造成的电容充电电压下降，减少晶闸管误导通投入电容时所产生的冲击电流，保护 了电容器和开关，延长了设备的使用寿。
权利要求1、一种单相智能复合开关，其特征在于，此复合开关由时序控制单元(1)、快速可控硅(2)、大功率二极管(3)、大功率磁保护继电器(4)、过零测控过压保护模块(5)五个单元组成；快速可控硅(2)，大功率二极管(3)，大功率磁保护继电器(4)，和过零测控过压保护模块(5)四个单元并联连接，其中快速可控硅(2)和大功率二极管(3)为反并联；快速可控硅(2)，大功率磁保持继电器(4)，过零测控过压保护模块(5)的控制动作信号来自于时序控制单元(1)，控制单元(1)信号来自于外部控制器。
专利摘要本实用新型涉及一种单相智能复合开关，其特点是此复合开关由时序控制单元、快速可控硅、大功率二极管、大功率磁保护继电器、过零测控过压保护模块五个单元组成。本实用新型采用了电力电子、继电器复合使用技术，不但开关性能、可靠性大大提高，体积大大减小，而且开关的制造成本大为降低，使得该模块容易满足一般消费者的需求，还可以方便地和其它厂家的电容器配套使用。
文档编号H01H9/54GK201191573SQ200820058149
公开日2009年2月4日 申请日期2008年5月7日 优先权日2008年5月7日
发明者劲 张, 澎 张 申请人:南通富士特电力自动化有限公司