专利名称：键合垫及其制造方法以及键合方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及键合垫的结构及其制造方法以及采用该键 合垫的键合方法。
背景技术：
集成电路芯片封装工艺中，一个重要的工艺步骤是将芯片上的键合垫与导线架上 的内引脚进行电连接，继而将集成电路内的电信号传输到外部。该工艺步骤在本领域中称 作打线封装(Wire Bonding)。打线封装的具体步骤一般是当导线架从弹匣内传送至定位器后，应用电子影像处 理技术来确定芯片上各个接点以及每一接点所对应的内引脚上的接点的位置，然后进入焊 线步骤。焊线时，以芯片上的接点为第一焊点，导线架的内接脚上的接点为第二焊点。首 先使用焊接设备将引线的一端烧结成小球。而后将小球压焊在第一焊点上，此称为第一焊 (first bond)。接着依照设计好的路径拉拽引线，将引线的另一端压焊在第二焊点上，此称 为第二焊(second bond)。然后拉断第二焊点与焊接设备间的引线，从而完成一条引线的焊 线动作。由于产品后续应用的需要，要求将上述键合垫在芯片上重新排布，才能实现后续的 打线封装。关于打线封装技术，可以在美国专利第6，987，057号内找到更多相关内容。引线材料的选择主要是考虑电性能和机械性能，即需要考量材料的电导率和延展 性。因为延展性好的金属材料才能被抽成直径Imil (Imil等于25.4 μ m)的引线。符合电 导率和延展性条件的金属材料有Au和Al。而本领域也一般采用这两种金属材料来制造引 线。由于Au的电导率和延展性都优于Al，因此，用Au做引线可以获得更好的封装性能。引线材料选定之后，还需要对应选择键合垫的材料。如果用Au做引线，则键合垫 的材料也采用Au可以获得最好的效果。但是Au的价格昂贵，用Au来制造键合垫势必会提 高封装成本。而其他金属，例如Cu，又与Au之间的焊接不稳定，容易造成引线脱落。因此， 业界一般使用Al来制造键合垫，以达到与Au引线良好键合的目的。而制造键合垫时，其下有一层用聚酰亚胺或苯并环丁烯或聚亚苯基苯并二噁唑等 材料制造的钝化层。由这些材料所制造的钝化层比较柔软，而Al制造的键合垫也比较柔 软，因此在进行打线封装的第一焊时，焊接设备会将键合垫压变形，从而造成打线封装失效 或打线封装质量下降。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是如何获得硬度较高的键合垫，用以提高键合质量。为解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供半导体芯片的键合垫，包括半导体 衬底上的钝化层和垫金属层，所述垫金属层与钝化层之间还有支撑金属层。可选地，所述垫金属层与所述支撑金属层之间还设有扩散阻挡层。可选地，所述扩散阻挡层的材料选自Ti、Ti合金、Cr、Cr合金、W或W合金。可选地，所述支撑金属层具有重排布线路的图形。
可选地，所述垫金属层的材料选自Al。可选地，所述支撑金属层的材料选自Cu。可选地，所述钝化层的材料选自聚酰亚胺或苯并环丁烯或聚亚苯基苯并二噁唑。根据本发明的另一个方面，提供半导体芯片的键合垫的制造方法，包括步骤提供 半导体衬底，所述半导体衬底上具有钝化层；在钝化层上形成支撑金属层；在支撑金属层 上形成垫金属层。可选地，所述垫金属层直接形成在支撑金属层上。可选地，所述在支撑金属层上形成垫金属层的步骤具体为在支撑金属层上形成 扩散阻挡层，然后在扩散阻挡层上形成垫金属层。可选地，所述扩散阻挡层的材料选自Ti、Ti合金、Cr、Cr合金、W或W合金。可选地，还包括步骤图形化所述支撑金属层，在支撑金属层上形成重排布线路图 形。可选地，所述垫金属层的材料为Al。可选地，所述支撑金属层的材料为Cu。可选地，所述钝化层的材料为聚酰亚胺或苯并环丁烯或聚亚苯基苯并二噁唑。根据本发明的又一个方面，提供前述半导体芯片的键合垫的键合方法，包括步骤 提供半导体衬底，所述半导体衬底上设有钝化层和垫金属层，所述垫金属层与钝化层之间 还有支撑金属层；将引线的一端烧结成小球；将所述小球压焊在垫金属层上；依照预定路 径拉拽引线；将引线的另一端压焊在第二焊点，即外围电路连接点上。与现有技术相比，本发明由于在钝化层和垫金属层之间引入了支撑金属层，从而 克服了现有技术中键合垫比较柔软所造成的打线封装失效或打线封装质量下降的问题。也 避免将垫金属层的材质更换为昂贵的金属所带来的成本增加的问题。
图1为本发明一个实施例键合垫的结构示意图；图2为本发明一个实施例键合垫的制造方法流程图；图3为本发明另一个实施例键合垫的制造方法流程图；图4为本发明一个实施例键合方法流程图；图5为根据图4所示方法进行键合后的整体结构的扫描电镜图；图6为进行BST测试后的键合垫的扫描电镜图；图7为进行WPT测试后的键合垫的扫描电镜图。
具体实施例方式本发明的发明人发现，要想提高键合垫的硬度，防止焊接设备在键合时将键合垫 压变形，需要额外增加一层硬度较高的支撑金属层来提高整个键合垫的硬度。因此，如图1所示，本发明提供一种新的半导体芯片的键合垫100，包括半导体衬 底101上的钝化层102和钝化层102之上的垫金属层103。另外，键合垫100还包括设置在 垫金属层103与钝化层102之间的支撑金属层104。其中，垫金属层103是用于直接与引线110键合的，在本发明的一个实施例中，引线110的材质采用Au，相应的，垫金属层103的材质可以采用与Au键合较好且成本较低的 Al。本领域技术人员了解，与Au相配合的金属有多种，这里选用的Al只是一个从成本和键 合效果进行考虑的优选的实施例。钝化层102的作用是为半导体衬底101表面提供保护，包括防化学腐蚀保护和防 物理应力保护等等。在本发明的一个实施例中，钝化层102的材料为聚酰亚胺或苯并环丁 烯或聚亚苯基苯并二噁唑等材质较软的聚合物。正是由于钝化层102的材质较软，导致了 其上的垫金属层103得不到有效的支撑，从而导致在进行打线封装的第一焊时，焊接设备 会将键合垫100压变形，进而造成打线封装失效或打线封装质量下降。因而，发明人想到在钝化层102和垫金属层103之间引入一层可以提供物理支撑 的支撑金属层104。支撑金属层104的材质选择需要考虑的条件主要有两个，其一是电导率 要高，其二是硬度要较大，至少要大于钝化层102的硬度。考虑上述条件，本发明优选采用 Cu来形成支撑金属层104。然而，本领域技术人员也可以根据实际情况选用其他金属。由于在钝化层102和垫金属层103之间引入了支撑金属层104，从而克服了现有技 术中键合垫100比较柔软所造成的打线封装失效或打线封装质量下降的问题。也避免将垫 金属层103的材质更换为昂贵的金属所带来的成本增加的问题。在本发明的一个实施例中，支撑金属层104同时也用做重排布线，因而支撑金属 层104具有重排布线路的图形。另外，发明人还发现，垫金属层103如果与支撑金属层104直接接触，会导致垫金 属层103与支撑金属层104相互扩散，从而形成金属间化合物和/或孔洞，导致出现金属间 化合物和/或孔洞部位的电阻和脆性增加，严重影响制成品的可靠性。因此，发明人想到在 垫金属层103与支撑金属层104之间加入一层扩散阻挡层105。扩散阻挡层105的材质选 择，主要考虑因素在于扩散阻挡层105与支撑金属层104和垫金属层103之间的互相扩散 系数必须较低。因此，本发明优选采用Ti或Ti合金、Cr或Cr合金、W或W合金中的一种。由于在扩散阻挡层105的存在，垫金属层103与支撑金属层104不再直接接触，因 而也不会形成相互扩散，从而解决了垫金属层103与支撑金属层104相互扩散所带来的问 题。根据本发明的另一个方面，还提供半导体芯片的键合垫的制造方法的一个实施 例，如图2所示，包括步骤S201，提供半导体衬底101，所述半导体衬底101上具有钝化层102 ；S202，在钝化层102上形成支撑金属层104 ；S203，在支撑金属层104上直接形成垫金属层103。具体来说，先是执行步骤S201，提供半导体衬底101。半导体衬底101上具有钝化 层102。钝化层102 —般是在半导体衬底101的制造过程中所形成的。由于其存在对半导 体衬底101进行化学和物理保护的作用，因此钝化层102在后续过程中是不会被去除的。钝 化层102的材料一般为聚酰亚胺或苯并环丁烯或聚亚苯基苯并二噁唑等材质较软的聚合 物。正是由于钝化层102的材质较软，导致了其上的垫金属层103得不到有效的支撑，从而 导致在进行打线封装的第一焊时，焊接设备会将键合垫100压变形，进而造成打线封装失 效或打线封装质量下降。然后执行步骤S202，在钝化层102上形成支撑金属层104。如前所述，支撑金属层104的材质选择需要考虑的条件主要是电导率要高，其二是硬度要较大，至少要大于钝化层 102的硬度。考虑上述条件，本发明优选采用Cu来形成支撑金属层104。当选用Cu来形成 支撑金属层104时，可以采用电镀的方法。这里，电镀Cu的具体工艺参数已为本领域技术 人员所熟知，在此不再赘述。再执行步骤S203，在支撑金属层104上直接形成垫金属层103。如前所述，由于垫 金属层103是用于直接与引线110键合的。并且本领域中，引线110的材质采用一般采用 Au,相应的，垫金属层103的材质可以采用与Au的键合较好且成本较低Al。然而，本领域技 术人员了解，与Au相配合的金属有多种，这里选用的Al只是一个从成本和键合效果进行考 虑的优选的实施例。用Al形成垫金属层103的具体方法也可以采用物理气相沉积的方法， 其具体工艺参数已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。另外，本发明还提供半导体芯片的键合垫的制造方法的另一个实施例，如图3所 示，包括步骤S301，提供半导体衬底101，所述半导体衬底上具有钝化层102 ；S302，在钝化层102上形成支撑金属层104 ；S303，在支撑金属层104上形成扩散阻挡层105 ；S304，在扩散阻挡层105上形成垫金属层103。具体来说，先是执行步骤S301，提供半导体衬底101。半导体衬底101上具有钝化 层102。钝化层102 —般是在半导体衬底101的制造过程中所形成的。由于其存在对半导 体衬底101进行化学和物理保护的作用，因此钝化层102在后续过程中是不会被去除的。钝 化层102的材料一般为聚酰亚胺或苯并环丁烯或聚亚苯基苯并二噁唑等材质较软的聚合 物。正是由于钝化层102的材质较软，导致了其上的垫金属层103得不到有效的支撑，从而 导致在进行打线封装的第一焊时，焊接设备会将键合垫100压变形，进而造成打线封装失 效或打线封装质量下降。然后执行步骤S302，在钝化层102上形成支撑金属层104。如前所述，支撑金属层 104的材质选择需要考虑的条件主要是电导率要高，其二是硬度要较大，至少要大于钝化层 102的硬度。考虑上述条件，本发明优选采用Cu来形成支撑金属层104。当选用Cu来形成 支撑金属层104时，可以采用电镀的方法。这里，电镀Cu的具体工艺参数已为本领域技术 人员所熟知，在此不再赘述。接着执行步骤S303，在支撑金属层104上形成扩散阻挡层105。由于扩散阻挡层 105的存在，垫金属层103与支撑金属层104不再直接接触，因而也不会形成相互扩散，从而 解决了垫金属层103与支撑金属层104相互扩散所带来的问题。扩散阻挡层105优选采用 Ti或Ti合金、Cr或Cr合金、W或W合金中的一种。形成扩散阻挡层105的方法具体可以 是物理气象沉积，其具体工艺步骤在此不再赘述。再执行步骤S403，扩散阻挡层105上直接形成垫金属层103。如前所述，由于垫金 属层103是用于直接与引线110键合的。并且本领域中，引线110的材质采用一般采用Au， 相应的，垫金属层103的材质可以采用与Au的键合较好且成本较低Al。然而，本领域技术 人员了解，与Au相配合的金属有多种，这里选用的Al只是一个从成本和键合效果进行考虑 的优选的实施例。用Al形成垫金属层103的具体方法也可以采用物理气相沉积的方法，其 具体工艺参数已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
在上述两个键合垫制造方法的实施例中，还可以增加图形化支撑金属层104，在支 撑金属层104上形成重排布线路图形的步骤。执行该步骤后，可以将支撑金属层104同时 用做打线封装中所用到的重排布线。根据本发明的又一个方面，提供一种采用前述键合垫100的键合方法，如图4所 示，包括步骤S401，提供半导体衬底101，所述半导体衬底上设有钝化层102和垫金属层103，所 述垫金属层103与钝化层102之间还有支撑金属层104 ；S402，将引线110的一端烧结成小球111 ；S403，将所述小球111压焊在垫金属层103上；S404,依照预定路径拉拽引线110 ；S405，将引线110的另一端压焊在第二焊点上。根据上述步骤将引线110键合在键合垫100上之后，其结构如图5所示。后续还 需要进行两种标准测试。其一是按照EIA/JESD22-B116标准进行球推力测试(Ball Shear Test, BST)；其二是按照相应的标准进行线拉力测试(WirePull Test，WPT)。BST的测试结果如表1所示，其中Min代表测得的最小值，Max代表测得的最大值， Mean代表测得的中值，Std Dev代表测试的标准差(StandDeviation)，cpk代表过程能力指 數(Process Capability Index)。 表 1经过BST测试后的键合结构如图6所示。从图上可以看出，键合垫100上仍然有 小球111的残留，说明小球111与键合垫100的键合抗切向力的能力非常好。而WPT的测试结果如表2所示。 表2经过BST测试后的键合结构如图7所示。从图上可以看出，经过BST测试，小球 111与键合垫100之间的键合仍然未被破坏，说明小球111与键合垫100的键合抗拉能力也
非常好。本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定权利要求，任何本领域 技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的 保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
半导体芯片的键合垫，包括半导体衬底上的钝化层和垫金属层，其特征在于所述垫金属层与钝化层之间还设有支撑金属层。
2.如权利要求1所述的半导体芯片的键合垫，其特征在于 金属层之间还设有扩散阻挡层。
3.如权利要求2所述的半导体芯片的键合垫，其特征在于 自Ti、Ti合金、Cr、Cr合金、W或W合金。
4.如权利要求1所述的半导体芯片的键合垫，其特征在于 布线路的图形。
5.如权利要求1所述的半导体芯片的键合垫，其特征在于Al。
6.如权利要求1所述的半导体芯片的键合垫，其特征在于 自Cu。
7.如权利要求1所述的半导体芯片的键合垫，其特征在于 酰亚胺或苯并环丁烯或聚亚苯基苯并二噁唑。
8.半导体芯片的键合垫的制造方法，其特征在于，包括步骤提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有钝化层；在钝化层上形成支撑金属层；在支撑金属层上形成垫金属层。
9.如权利要求8所述的半导体芯片的键合垫的制造方法，其特征在于所述垫金属层 直接形成在支撑金属层上。
10.如权利要求8所述的半导体芯片的键合垫的制造方法，其特征在于，所述在支撑金 属层上形成垫金属层的步骤具体为在支撑金属层上形成扩散阻挡层，然后在扩散阻挡层 上形成垫金属层。
11.如权利要求10所述的半导体芯片的键合垫的制造方法，其特征在于所述扩散阻 挡层的材料选自Ti、Ti合金、Cr、Cr合金、W或W合金。
12.如权利要求8所述的半导体芯片的键合垫的制造方法，其特征在于，还包括步骤 图形化所述支撑金属层，在支撑金属层上形成重排布线路图形。
13.如权利要求8至12中任一项所述的半导体芯片的键合垫的制造方法，其特征在于 所述垫金属层的材料为Al。
14.如权利要求8至12中任一项所述的半导体芯片的键合垫的制造方法，其特征在于 所述支撑金属层的材料为Cu。
15.如权利要求8至12中任一项所述的半导体芯片的键合垫的制造方法，其特征在于 所述钝化层的材料为聚酰亚胺或苯并环丁烯或聚亚苯基苯并二噁唑。
16.键合方法，其特征在于，包括步骤提供半导体衬底，所述半导体衬底上设有权利要求1至7中任一项所述的半导体芯片 的键合垫；将引线的一端烧结成小球；将所述小球压焊在垫金属层上；依照预定路径拉拽引线； 所述垫金属层与所述支撑 所述扩散阻挡层的材料选 所述支撑金属层具有重排 所述垫金属层的材料选自 所述支撑金属层的材料选 所述钝化层的材料选自聚将引线的另一端压焊在外围电路连接点上。
全文摘要
本发明涉及键合垫及其制造方法以及键合方法。其中，键合垫包括半导体衬底上的钝化层和垫金属层，所述垫金属层与钝化层之间还有支撑金属层。另外，支撑金属层同时也用于重排布线，而垫金属层与支撑金属层之间还有一层扩散阻挡层。与现有技术相比，本发明由于在钝化层和垫金属层之间引入了支撑金属层，从而克服了现有技术中键合垫中的钝化层比较柔软所造成的打线封装失效或打线封装质量下降的问题。也避免将垫金属层的材质更换为昂贵的金属所带来的成本增加的问题。
文档编号H01L21/60GK101908517SQ20091005264
公开日2010年12月8日 申请日期2009年6月5日 优先权日2009年6月5日
发明者吴明峰, 梅娜, 江卢山, 章国伟 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;矽成积体电路股份有限公司