专利名称：以轨迹模型实现晶片允收测试先进工艺控制的系统与方法
技术领域：
本发明涉及半导体制作的先进工艺控制(Advanced Process Control，APC)；特别 涉及使用轨迹模型(routing model)实现晶片允收测试(Wafer Acceptance Test，WAT)APC 的系统与方法。
背景技术：
先进工艺控制(APC)已成为半导体工艺设备(fabrication facilities, "fabs") 的一项基本技术，以低成本持续改善工艺的良率(yield)与可靠度(reliability)。APC 技术主要包括整合式量测(integrated metrology)、侦错(fault detection)与分类 (classification)、以及批次控制(run-to-run control)。APC有助于避免工艺变异以及 降低生产成本。有效的APC技术立基于量测工具(metrology tools)的效率；量测工具必 须在有限时间内量测到关键参数。此外，本技术领域尚需要提供方法对量测到的数据进行 分析与判读。事实上，因为工艺受限于多种因素所产生的扰动与漂移，APC技术需要足够的 线上量测(in-line measurement)。由于后制程序的成本日益增加，晶片级测试(wafer-level testing)在芯片制作 上扮演重要的角色。有缺陷的晶片将在进入后制程序前被辨识出并且淘汰。晶片允收测试 (WAT)包括多种测试项目，且为芯片制作中不可或缺的步骤。传统晶片厂通常以预先设定好 的WAT模型执行WAT。该WAT模型乃针对特定晶片尺寸设计，包括指定晶片上数个测试区 域。随着芯片制作的技术发展，本技术领域需要更多特定测试技术以判断产品品质。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明揭示实现晶片允收测试(WAT)先进 工艺控制(APC)的系统与方法。在一实施方式中，本发明所揭示的方法包括在处理中的多 个晶片批次上执行一金属层间(IM)WAT ；使用一批次取样程序自所述多个晶片批次中选出 一晶片批次子集合；通过该晶片批次子集合选出一组取样晶片。该组取样晶片经IM WAT后 将提供IM WAT数据。上述方法还包括根据该组取样晶片的IM WAT数据，估算处理中所有 晶片批次的所有晶片的末端IM WAT数据，将之提供给一 WAT APC程序以控制一微调程序。本发明能够以轨迹模型实现晶片允收测试先进工艺的控制。
图1图解传统技术下多个晶片的制作过程；图2图解本发明技术的一种实施方式，其中揭示一种制作多片晶片的程序；图3详解图2的多片晶片的程序；图4A-图4C图解图3工艺的一批次取样程序；图5A-图5C图解图3工艺的一晶片取样程序；以及图6A-图6B图解图3工艺的一晶片允收测试估算程序。CN 101847569 A说明书2/7 页上述附图中的附图标记说明如下100 晶片制作起始；102 关键工艺；104 关键线上量测；106 先进工艺控制程序；110 前端处理；112 后端处理；114 金属层间晶片允收测试；116 末端晶片允收测试；118 送出晶片； 120 晶片允收测试先进工艺控制；122 微调程序；200 晶片制作起始；202 关键工艺；204 关键线上量测；206 先进工艺控制程序；210 前端处理；212 后端处理；214 金属层间晶片允收测试；216 末端晶片允收测试；218 送出晶片；220 晶片允收测试先进工艺控制；222 微调程序；300 批次取样；302 晶片取样；304 晶片允收测试估算；400 第一表格；402 第二表格；404 一组 A 栏；406A.406B 该组A栏其下两小组；408 B 栏；410 C 栏；411 D栏；412 第一轮分数；414 第二轮分数；500 25片晶片的末端晶片允收测试数据；502(1)-502 (N) 晶片群组(l)-(N)的相关数据；504(1)-504(N) 晶片群组(l)-(N)的批次平均误差；506(1)-506 (N) 晶片群组(l)-(N)的标准误差值；508(1)-508 (N) 晶片群组(l)-(N)的索引；510 稳健取样群组选择；550 用以计算504(1)-504 (N)的方程式；552 用以计算506⑴-506 (N)的方程式；554 用以计算508⑴-508 (N)的方程式；560 统计表格；600(1)-600 (N) 对应N个晶片工艺阶段的图面；602 (a) 晶片a于所有图面600⑴-600 (N)上的a点所组成的轨迹；602 (b) 晶片b于所有图面600⑴-600 (N)上的a点所组成的轨迹；620 一方程式，用以估算每阶段下，点x与点a、b、或c的距离总合z ；622 一方程式，为每一晶片定义一权重wx，i ；624 一方程式，用以估算晶片x的WAT数据；
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626 将一偏移量施于估算出的WAT数据上；a 晶片a于各图面600 (1)-600 (N)上的对应点；b 晶片b于各图面600(1)-600 (N)上的对应点；c 晶片c于各图面600(1)-600 (N)上的对应点；以及x 未知晶片x于各图面600(1)-600 (N)上的对应点。
具体实施例方式本发明涉及半导体制作的先进工艺控制(Advanced Process Control，APC)；特别 涉及采用排程模型(routing model)实现晶片允收测试(Wafer Acceptance Test,WAT)APC 的系统与方法。以下列举数个实施方式，用以叙述本发明的概念。本领域普通技术人员可能应用 本说明书所教导的内容将本发明技术衍生应用于其他系统或方法中。本说明书所提及的系 统与方法，有一部分为传统技术已揭示的结构与/或步骤。由于这些传统技术为本领域普 通技术人员所熟知，以下说明书内容将不对这些传统技术作过冗长的描述。此外，为了阅读 方便，不同附图的类似功能区块可能有相同附图标记，但并不限定所有附图重复编号部分 的特征与技术必须全部整合在一起。图1图解传统技术下多个晶片的制作过程。如图所示，步骤100开始制作程序。 步骤102执行一关键工艺(key process)，其中内容可包括光刻(photolithography process)、烛刻(etching process)、沉禾只(deposition process)、化学机械石if磨(chemical mechanical processing process, CMP process)、覆膜(coating process)、显影 (developing process)、热处理(thermal treatment process)、或其他工艺技术。上述关 键工艺可通过适当的工艺工具、和/或计算机装置(可具有运算、控制、存储、显示、和/或 输入/输出功能)、以及必要且合适执行上述功能的其他设备实现在晶片上。步骤104包 括线上量测这些晶片之中的样板(如其中一或两块晶片)，以取得关键线上量测数据(key in-line measurements)。步骤104所量测的数据源自于步骤102所执行的关键工艺。例 如，当步骤102所执行的关键工艺为蚀刻，则步骤104所收集的关键量测数据可包括浅沟 道深度量测(trench depth measurement)。步骤104的关键线上量测将用来微调APC程 序106。APC程序106包括控制步骤102的关键工艺。由于调整APC的方法、以及使用APC 控制相关程序的技术已为本技术领域人员所熟知，故此处不再赘述其内容。必须特别提及 的是，一旦使用上述关键工艺步骤102、关键线上量测步骤104以及APC程序106，相关工艺 步骤、相关量测、与APC程序应当在晶片的前端(front end)处理110中实行。后端(back end)处理112包括步骤114-金属层间(inter-metal，IM)WAT。接着，通常需要数星期，后 端处理112进入步骤116执行末端(final)WAT。通过末端WAT 116的晶片将完成剩余的后 端处理、并且经步骤118完成其制作程序。末端WAT步骤116所得到的结果将被送回WAT APC 120。WAT APC 120将据以提供控制信号至步骤122的微调程序、和/或提供APC程序 106相关装置电子特性的控制器参数。步骤122所示的微调程序负责微调后续晶片的电子 特性；例如，通过适当的注入程序校正晶片的电子特性。图2图解本发明技术的一种实施方式，其中揭示一种制作多片晶片的程序。图2所 示的技术始于步骤200。步骤202包括一关键工艺，其中可包括如光刻、蚀刻、沉积、化学机
6械研磨、覆膜、显影、热处理、或其他工艺技术。步骤204对这些晶片的样本实行关键线上量 测，用以量测步骤202的关键工艺的效果。举例说明之，若步骤202所执行的关键工艺为蚀 刻，则步骤204所执行的关键线上量测可包括浅沟道深度量测。步骤204的关键线上量测结 果将用来微调APC程序206，借以调整步骤202所执行的关键工艺。由于微调APC程序、及 使用APC控制相关关键工艺的技术已为本领域普通技术人员所熟知，此处将不再赘述。需 要提及的是，一旦使用上述关键工艺步骤202、关键线上量测步骤204以及APC程序206，相 关工艺步骤、相关量测、与APC程序应当在晶片的前端(front end)处理210中实行。后端处理212包括步骤214-金属层间(IM)WAT。接着，通常在数周后，晶片将被 执行末端(final)WAT。通过末端WAT的晶片将继续剩余的后端处理，并由步骤218完成其 制作程序。与图1所示的程序相较，图2所示的实施方式并不限定以末端WAT 216结果供 WAT APC 220改善微调程序222和/或APC程序206。如图2所示，其中改采用IM WAT (步 骤214)的结果供WAT APC 220改善微调程序222和/或APC程序206。与末端WAT 216相 较，IM WAT(步骤214)的结果可更迅速得到。图3将详细介绍上述反馈技术的详细实施方 式。参阅图3，IM WAT (步骤214)的结果将经由一批次取样程序300、一晶片取样程序 302以及一 WAT估算程序304反馈至WAT APC 220。以下分别以图4A-图4C、图5A-图5C、 以及图6A-图6B揭示程序302、304与306的实施方式。图4A以流程解图3批次取样程序300的一种实施方式，其中执行单一批次取 样、或多批次取样。参阅图4B-图4C，程序300采用一第一表格400以及一第二表格402。 第一表格400包括一反应室-批次(chamber-lot)矩阵，用以排序多个批次以求此技术可 全面考虑到所有关键工艺反应室的状况(最佳化一反应室覆盖率chamber coverage) 0第 二表格402包括另一反应室-批次矩阵，用以排序这些批次以平衡取样率(sampling rate balance) 0在第一表格400中，批次排序乃根据最具代表阶段或工艺步骤的各反应室使用 量的加总。每一阶段可能由多种工艺工具的其中一种实现。在第二表格402中，这些批次 将被排序以平衡反应室取样率。参阅图4A，步骤420收集每周移动的批次中已通过触版显影(contact—photo)但 尚未经过M2化学机械性研磨(M2_CMP)工艺的批次。步骤422产生图4B所示的表格400， 其中将第一组的栏(A，其中包括多栏)标号为404，其中各栏各代表一移动中批次，分别标 号为L1-L15。第一组的栏(A，标号404)还划分成两个小组，分别标号为406A与406B;其 他实施方式还可将第一组的栏(A，标号404)划分成其他数量的小组。表格400每一列对 应一工具，这些工具组成N个阶段。以图4B所示的表格400为例，三个工具T00-l、T00-2、 Tool-2组成阶段1，五个工具Too-4至Tool-8组成阶段2，…等。B栏标号为408，显示各工具的每周批次计数总合。每周批次计数总合为第一组的 栏(A，标号404)中经一特定工具处理的批次总合。例如，第一组的栏(A，标号404)显示 批次LI、L5、L9、L14经过工具Tool-1处理，因此，工具Tool-1的相关栏位B (标号408)为 4。栏位C标号为410，记载内容与前一周相关，为未考虑到的工具的批次计数总合。如表格 400栏位C的工具Tool-1的栏位所示，前一周中，工具Tool-1尚未被考虑到但有处理3个 批次。栏位D标示为411，标示相关工具是否被考虑(覆盖)；’ 0’代表对应的工具尚未被 考虑到，而’ 1’表示对应的工具已被考虑。表格400的最后一列412显示每一批次的一第一轮分数(cycle-1 score) 0首先以下列方程式计算一批次的多个工具分数Tool ScoreN = A N*(B N+C N)*(1_D N)接着，将该批次的所有工具分数加总起来即为该批次的第一轮分数。以批次L1为 例关于工具Tool-1的工具分数为1* (4+3)* (1-0)，即7 ；关于工具Tool-4的工具分数为 1* (2+1) * (1-0)，即3 ；关于工具Tool-N的工具分数为1* (6+4) * (1-0)，即10 ；且其余的工具 分数皆为0(因为相关A为0)。上述工具分数加总后结果为7+3+10 (即20)即批次L1的第 一轮分数。一旦所有批次的第一轮分数皆计算完毕，图4A的流程即进入步骤424，具有最 大第一轮分数的批次被选出。若同时有多个批次具有最大的第一轮分数，则以较早处理的 批次为主。以图4B图表格400为例，选中的为批次L4。接着，步骤426将判断100%工具 覆盖率(100% tool coverage)是否已达成。若尚未达成，则进入步骤428判断是否达到 一过度取样量。若尚未到达该过度取样量，则控制流程回到步骤422更新第一表格，其中， 批次L4被移除且标号411的栏位D也被更新。栏位D的更新包括将批次L4所使用过的 工具Tool-2、Tool-5以及Tool-N的栏位D全面更新为，1’，以标示这些工具为”已考虑”。 此外，每执行步骤422时，下一小组的栏的其中一批次应当被选取，以平衡所有群组的取样 率。上述循环将反复执行至步骤426判断100%工具覆盖率已达成、或步骤428判断已达过 度取样量。一旦步骤428判断已达过度取样量，则进入步骤430 未考虑到的工具于该周的 批次计数总合被用来建立下一周的第一表格。若步骤426判断100%工具覆盖率已达成-即标号411的栏位D全数为’ 1’_则进 入步骤432，建立第二表格402。第二表格402与最后一版的第一表格400大致相同，其中 (1)标号411的栏位D全数为，1’ ；且(2)以414列所示的第二轮分数CyCle-2SCOre取代 第一表格栏位412所示的第一轮分数。针对一批次，第二轮分数的计算包括以下步骤。首 先，以下列方程式对各工具进行评比，以取得多个工具分数Tool ScoreN = AN*DN/(BN+CN)接着，将所有工具分数加总起来即是该批次的第二轮分数。例如，关于批次L1 关 于工具Tool-1的工具分数为1*1/(4+3)，即0. 143 ；关于工具Tool-4的工具分数为1*1/ (2+1)，即0. 333 ；关于工具Tool-N的工具分数为1*1/ (6+4)，即0. 1 ；且其余工具的工具分 数为0 (因为相关A为0)。因此，批次L1的第二轮分数为0. 143+0. 333+0. 1 = 0. 576。待 步骤432计算出所有批次的第二轮分数且形成第二表格402后，流程图将进入步骤434-选 取具有最低第二轮分数的批次。若有多个批次同为最低第二轮分数，则选择较早执行的该 批次。步骤436判断过度取样量是否已满足。若尚未该过度取样量，则重新执行步骤432 更新第二表格，其中选取的批次将自第二表格中移除。上述循环将反复执行，直至步骤436 判断过度取样量已被满足。此外，每执行步骤432时，应当还选取下一小组中的一批次，以 平衡所有群组的取样率。步骤430或436结束后，流程进入步骤438-将步骤424与434 所选择的批次用于之后的晶片取样以及WAT估算。此外，图4A的流程图还可包括一步骤 440 (非限定)，以提供图形化使用者界面GUI供使用者设定批次的小组分类与取样率(包 括过度取样量)，供步骤422、432产生或更新表格400、402。图5A-图5C图解图3所示晶片取样程序302的一种实施方式。此程序适用于 图4A-图4C所选取的批次参照图5A，方块500累积一上述选取批次的末端WAT数据，并
8将之以三片晶片为单位划分成多个群组，标号为502 (1) -502 (N)。接着，采用图5B所示方 程式550，针对每一群组502(1)-502 (N)计算一批次平均误差(lot mean error)，标号为 504 (1)-504 (N)。此外，采用图5B所示的方程式552，针对每一群组502(1)-502 (N)计算一 标准误差值(STD_Error)，标号为506(1)-506 (N)。此外，采用图5B所示的方程式554，针 对每一群组502(1)-502 (N)计算一索引(indexx)，标号为508(1)-508(N)，用以分等这些群 组。方程式554内的参数解读如下wl-w4为权重值，可根据过往经验设定；Ax为该群组的 P型金属氧化物半导体晶体管平均误差(PMOSmean error)，Aa为批次平均误差，As为标准 误差；Bx为该群组的PM0S标准误差，Ba为批次平均误差，且Bs为标准误差；Cx为该群组的 N型金属氧化物半导体晶体管平均误差(NMOS mean error)，Ca为批次平均误差，且Cs为 标准误差；Dx为该群组的NM0S标准误差，Da为批次平均误差，且Ds为标准误差。图5C揭示一统计表格560，其中包括五月、六月以及七月内，各晶片群组(每三个 晶片一组，包括[6] [13] [18], [6] [11] [22]以及[6] [7] [23]三组)的平均误差、标准误差、 以及索引数据。图5A所示的步骤510执行一稳健取样群组选择(robust sampling slot selection)。通常，此步骤负责选择具有最高索引值的晶片群组供后续WAT估算使用。尽 管每月都会根据前一个月的数据产生新的群组，可预期的是，只要一群组的索引值维持在 高点，该群组将持续为取样晶片群组。图6A-图6B图解WAT估算程序304。仅管末端WAT须操作在一批次的所有晶 片上，但其中仅一取样数量的晶片会实行IM WAT。因此，通过取样晶片的轨迹，WAT预测 程序304根据取样晶片的IM WAT数据模拟该批次所有晶片的末端WAT。参阅图6A，图面 600(1)-600 (N)对应N个晶片工艺阶段。以图面600(N)为例，a点显示阶段N时取样晶片 a的取样IM WAT数据，且点b与c各自为阶段N下取样晶片b与c的取样IM WAT数据。 以此类推，图面600(1)-600 (N)各自具有一点a，显示不同阶段时晶片a的取样IMWAT数 据。同样地，晶片b与c的取样IM WAT数据也同样显示在图面600(1)-600 (N)上。以晶片 a为例，所有图面600(1)-600 (N)上的a点组成的轨迹602(a)为晶片a的工具轨迹(tool trajectory)。同样地，所有图面600 (1) -600 (N)上的b、c点所分别组成的轨迹，如602 (b)， 为晶片b、c的工具轨迹。具有相同工具轨迹的两片晶片应当具有相同的特性/IM WAT数 据。图面600(N)上的点x为一未知值，必须由晶片a、b与c所提供的数据预测。图6B揭示图6A所示的数据所需进行的数个运算。方程式620估算每阶段下，点 x与点a、b、或c的距离总合z。参阅方程式620，以晶片a的数据为例，在各阶段中，若点a 与x的轨迹交错，则①值为真(true)，若无交错则①为非真(false)。zx，a显示x与a点 轨迹的交错阶段总数。方程式622为每一晶片定义一权重wx，i。例如，zx，a除以阶段总 数N(正规化)后得wx，a。方程式624将估算出晶片x的WAT数据。最后，步骤626将一 偏移量施于估算出的WAT数据上，以更贴近晶片的实际末端WAT数据。校正后得WAT数据 可供图2、图3的WAT APC 220使用，作用可如同图1所示传统技术中，WAT APC 120对末端 WAT数据的应用。尽管本说明书仅提及有限实施方式，但本领域普通技术人员可很容易地根据本说 明书衍伸出许多变形技术。这些变形应当皆涉及本说明书所欲保护的范围。上述实施方式与步骤可以其他方式组合成多种变形，其中并不特别偏重某一步骤 或技术。此外，图示所提及的程序各可由多个硬件装置实现，例如多个计算机装置；所提及的多个模组可被结合以单一装置实现，如以单一计算机装置实现。此外，不同实施方式所揭 示的技术也可彼此结合。这些变形应当皆涉及本说明书所欲保护的范围。
权利要求
一种实行晶片允收测试先进工艺控制的方法，包括在处理中的多个晶片批次上实行一金属层间晶片允收测试；使用一批次取样程序自所述多个晶片批次中选取一晶片批次子集合；通过该晶片批次子集合选取一组取样晶片，该组取样晶片在实行所述金属层间晶片允收测试后提供金属层间晶片允收测试数据；根据该组取样晶片提供的所述金属层间晶片允收测试数据，估算处理中的所述多个晶片批次的所有晶片的末端晶片允收测试数据；以及提供所述估算得到的所述末端晶片允收测试数据供一晶片允收测试先进工艺控制程序控制一微调程序或一先进工艺控制程序。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述晶片批次子集合的选取步骤包括选取所述晶 片批次以提供最高工具覆盖率。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述晶片批次子集合的选取步骤包括根据多个关 键工艺的反应室计数的总合排序所述多个晶片批次。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述晶片批次子集合的选取步骤包括排序所述多 个晶片批次以平衡反应室取样率。
5.如权利要求1所述的方法，其中该组取样晶片的选取步骤包括选取所属晶片批次 中最具代表性的三片晶片。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述末端晶片允收测试数据的估算步骤包括根据 多个工艺阶段下该组取样晶片中各晶片的轨迹的共性点，估算一未知晶片于所述多个工艺 阶段的轨迹。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述末端晶片允收测试数据的估算步骤包括叠加 一偏移量至该未知晶片被估算出的金属层间晶片允收测试数据，以求得所述末端晶片允收 测试数据。
8.一种系统，用以实行晶片允收测试先进工艺控制，该系统包括 在处理中的多个晶片批次上实行一金属层间晶片允收测试的装置；实行一批次取样程序的装置，用以自所述多个晶片批次中选取出一晶片批次子集合； 通过该晶片批次子集合选取出一组取样晶片的装置，该组取样晶片在实行所述金属层 间晶片允收测试后提供金属层间晶片允收测试数据；根据该组取样晶片的所述金属层间允收测试数据估算处理中的所述多个晶片批次内 所有晶片的末端晶片允收测试数据的装置；以及将所述末端晶片允收测试数据提供给一晶片允收测试先进工艺控制程序的装置，用以 控制一微调程序。
9.如权利要求8所述的系统，其中选取所述晶片批次子集合的所述装置包括选取所 述晶片批次以提供最高工具覆盖率的装置。
10.如权利要求8所述的系统，其中选取所述晶片批次子集合的所述装置包括根据多 个关键工艺的反应室计数的总合排序所述多个晶片批次的装置。
11.如权利要求8所述的系统，其中选取所述晶片批次子集合的所述装置包括排序所 述多个晶片批次以平衡反应室取样率的装置。
12.如权利要求8所述的系统，其中选取该组取样晶片的所述装置包括选取所属晶片批次中最具代表性的三片晶片的装置。
13.如权利要求8所述的系统，其中估算所述末端晶片允收测试数据的所述装置所执 行的程序包括根据多个工艺阶段下该组取样晶片中各晶片的轨迹的共性点，估算一未知 晶片于所述多个工艺阶段的轨迹。
14.如权利要求13所述的系统，其中估算所述末端晶片允收测试数据的所述装置所执 行的程序还包括叠加一偏移量至该未知晶片被估算出的金属层间晶片允收测试数据，以 求得所述末端晶片允收测试数据。
15.一种系统，用以实行晶片允收测试先进工艺控制，该系统包括一金属层间晶片允收测试模组，用以在处理中的多个晶片批次上实行一金属层间晶片 允收测试；一批次取样模组，使用一批次取样程序自所述多个晶片批次中选取出一晶片批次子集合；一晶片取样模组，在该晶片批次子集合上实行一晶片取样程序以选出一组取样晶片， 该组取样晶片在实行所述金属层间晶片允收测试后提供金属层间晶片允收测试数据；一晶片允收测试估算模组，根据该组取样晶片的所述金属层间允收测试数据估算处理 中的所述多个晶片批次内所有晶片的末端晶片允收测试数据；以及一晶片允收测试先进工艺控制模组，接收所述末端晶片允收测试数据以借以控制一微 调程序或一先进工艺加工程序。
16.如权利要求15所述的系统，其中所述批次取样程序包括选取所述晶片批次以提 供最高工具覆盖率。
17.如权利要求15所述的系统，其中所述批次取样程序包括根据多个关键工艺的反 应室计数的总合排序所述多个晶片批次。
18.如权利要求15所述的系统，其中所述批次取样程序包括排序所述多个晶片批次 以平衡反应室取样率。
19.如申请专利范围第15项所述的系统，其中所述晶片取样程序包括选取所属晶片 批次中最具代表性的三片晶片。
20.如权利要求15所述的系统，其中所述末端晶片允收测试数据的估算包括叠加一 偏移量至一未知晶片被估算出的金属层间晶片允收测试数据，以求得所述末端晶片允收测 试数据。
全文摘要
本发明揭示实现晶片允收测试(WAT)先进工艺控制(APC)的系统与方法。在一实施方式中，本发明所揭示的方法包括在处理中的多个晶片批次上执行一金属层间(IM)WAT；使用一批次取样程序自所述多个晶片批次中选出一晶片批次子集合；通过该晶片批次子集合选出一组取样晶片。该组取样晶片经IM WAT后将提供IM WAT数据。上述方法还包括根据该组取样晶片的IMWAT数据，估算处理中所有晶片批次的所有晶片的末端IM WAT数据，将之提供给一WAT APC程序以控制其中工艺。本发明能够以轨迹模型实现晶片允收测试先进工艺的控制。
文档编号H01L21/00GK101847569SQ20091015180
公开日2010年9月29日 申请日期2009年6月29日 优先权日2009年3月26日
发明者巫尚霖, 曾衍迪, 牟忠一, 王若飞 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司