专利名称：无水迹基片清洗干燥装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种无水迹基片清洗干燥装置，具体地说，涉及在对用于生
产半导体晶片的圆形硅基片，用于生产计算机磁记录存储器(HDD)介质的玻璃、 陶瓷和铝质圆形基片，用于生产光学记录存储器光盘(CD)、数字通用光盘(DVD) 塑料圆形基片，用于生产光学器件的玻璃圆形基片的抛光、清洗装置中，无水 迹清洗干燥基片的装置。
背景技术：
圆形硅基片，玻璃、陶瓷、塑料和铝质圆形基片广泛应用于半导体、计算机、 信息工业、及民用产品中。在基片的生产过程中，必需对基片反复进行碾磨、 化学机械抛光(CMP， Chemical mechanical polishing),通过使用去离子水(DIW) 或化学品的湿法清洗工艺，去除残留在表面的化学物质、小颗粒和其它杂质， 降低基片的表面粗糙度，提高基片的表面光洁性，从而提高产品的成品率。
在现有的基片抛光、清洗装置中，基片由基片传递组件和基片升降组件垂直 放置于基片清洗容器中，清洗液体供给组件提供基片清洗容器清洗液体，对基 片清洗容器中的基片进行清洗。在完成基片清洗步骤后，基片由基片传递组件 和基片升降组件传送至基片干燥容器，对基片进行干燥步骤。
现有的一种基片清洗干燥装置，其基片干燥容器安装在基片清洗容器上方， 组合成一整体的基片清洗干燥装置。在基片从基片清洗容器提升出来时，基片 干燥容器供给经加热的氮气对基片进行干燥。由于基片放置在基片支撑架上， 位于基片与基片支撑架接触处的清洁液体无法在基片提升时排出，在干燥过程时接触处的清洁液体在基片表面上形成水迹。现有的另一种基片清洗干燥装置， 其基片气体干燥室安装在基片清洗容器上方，在基片传递组件传送基片时打开 与关闭。在基片从基片清洗容器提升出来时，基片气体干燥室供给室温的异丙
醇(IPA)气体，对基片进行干燥。在干燥过程中，基片放置在基片支撑架上， 位于基片与基片支撑架接触处的清洁液体无法在基片提升时排出，在基片表面 上形成水迹。由于干燥过程在室温下进行，基片的相对湿度也无法满足工艺要 求。因而降低了设备的清洗干燥效果，从而影响了设备的生产效率和基片的成 品率。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种无水迹基片清洗干燥装置， 用于在基片的抛光、清洗装置中，对基片进行无水迹清洗干燥。用于本实用新 型的基片可以是圆形硅基片，磁记录介质基片，以及具有相似形状结构的其他 圆形盘状基片。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是
一种无水迹基片清洗干燥装置，其特征是其包括基片清洗容器，用于清洗 基片；基片气体干燥室，用于基片从基片清洗容器中提升时供给室温干燥气体； 基片干燥容器，用于供给高温干燥气体对基片进行高温气体干燥；以及基片传 递组件，用于将基片从基片清洗容器传送至基片干燥容器；其中，基片气体干 燥室布置在基片清洗容器的上方，基片清洗容器与基片干燥容器并行排列，基 片传递组件布置在基片清洗容器与基片干燥容器的一侧。
本实用新型无水迹基片清洗干燥装置采用在基片清洗容器中室温干燥气 体干燥和在基片干燥容器中高温干燥气体干燥的二步干燥法。在完成基片清洗容器的室温干燥气体的干燥后，基片传递组件将基片从基片清洗容器的基片支 撑架上取出，由于室温干燥气体干燥后基片表面上的水迹未干，在重力的作用 下，水迹沿基片边缘流向基片底部(六点钟处)。基片传递组件将基片传送至基 片干燥容器，在其基片支撑架的底部支撑块上部形成刀尖状，当基片放入基片 支撑架时，底部支撑块上部的刀尖状与基片底部的水迹接触，水迹沿刀尖面流 下，因而减小或消除了基片底部的水迹。同时由于基片干燥容器采用高温干燥 气体的干燥，基片干燥后，基片的相对湿度能满足工艺的要求。
前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中基片从基片清洗容器中缓慢提升至 基片气体干燥室。
前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中用于基片气体干燥室的室温干燥气体
是室温异丙醇(IPA)气体。
前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中用于基片干燥容器的高温干燥气体是 高温干燥清洁空气(CAD)或氮气(N2)。
前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中用于基片干燥容器的基片支撑架的底 部支撑块上部成刀尖状。
前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中基片传递组件的基片取放组件布置在 基片上方，打开和关闭基片取放组件从基片支撑架上取放基片。
本实用新型的有益效果是，采用在基片清洗容器中室温干燥气体干燥和在 基片干燥容器中高温干燥气体干燥的二步干燥法，基片的相对湿度满足工艺要 求；在基片传递组件传送基片过程中，利用基片干燥容器的基片支撑架的底部 支撑块上部的刀尖状，有效地减小或消除了基片底部的水迹；从而提高了设备 的生产效率和基片的成品率。以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的立体结构示意图。
图2是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的正面构造示意图。 图3是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的基片传递组件立体结构 示意图。
图4是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的基片水迹流向示意图。 图5是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的基片干燥容器的基片及
基片支撑架立体结构示意图。
图6是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的基片干燥容器的基片及
基片支撑架正面构造示意图。
具体实施方式
本实用新型无水迹基片清洗干燥装置，用于在基片的抛光、清洗装置中， 对基片进行无水迹清洗干燥。其中所涉及的基片，包括用于生产半导体晶片的 圆形硅基片，用于生产计算机磁记录存储器介质的玻璃、陶瓷和铝质圆形基片， 用于生产光学记录存储器光盘、数字通用光盘的塑料圆形基片，及用于生产光学 器件的玻璃圆形基片。为方便说明，在下面实施例中所提及的"基片"是表示 上述各种基片，用101表示。
图1是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的立体结构示意图。在 图l所示实施例中，无水迹基片清洗干燥装置由基片清洗容器103，基片气体干 燥室105，基片干燥容器104及基片传递组件115安装在装置支撑架102构成。 基片清洗容器103与基片干燥容器104并行布置在装置支撑架102上。基片气体干燥室105布置在基片清洗容器的103上方，在基片传递组件115传送基片 101时打开与关闭。在基片干燥容器104上安装一干燥容器盖106，在基片传递 组件115传送基片101进出基片干燥容器104时打开与关闭。基片传递组件115 布置在基片清洗容器与基片干燥容器的一侧，由传动组件107驱动。
图2是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的正面构造示意图。如 图2所示，其清洗干燥过程是-
基片气体干燥室105沿方向131打开，基片101与基片清洗容器103的基 片支撑架由基片传递组件115和基片升降组件垂直放置于基片清洗容器103中， 而后基片气体干燥室105关闭，基片101在基片清洗容器103进行清洗。在完 成清洗过程后，基片101与基片支撑架由基片升降组件(图中未示出)从基片 清洗容器103沿方向133提升出清洗液体，同时，基片气体干燥室105中的干 燥气体供给组件108供给室温干燥气体，在基片101达到基片气体干燥室105 后停留一些时间，完成基片101进行室温干燥气体干燥。
在完成清洗和室温干燥气体干燥后，基片气体干燥室105沿方向131打开， 基片101与基片支撑架由基片升降组件提升至基片传递组件115。基片传递组件 115从基片支撑架上取出基片101,沿方向130将基片101送至基片干燥容器104 上方。干燥容器盖106沿方向132打开，再由基片升降组件(图中未示出)将 基片101放置在基片气体干燥室105的基片支撑架上。而后基片101与基片支 撑架由基片升降组件传送至基片干燥容器104中，干燥容器盖106关闭。基片 干燥容器104的干燥气体供给组件109供给高温干燥气体，对基片101进行高 温干燥气体干燥。基片101的高温干燥能满足工艺对基片101的相对湿度要求。
在完成高温干燥气体干燥后，干燥容器盖106沿方向132打开，基片升降 组件将基片101与基片支撑架沿方向134从基片干燥容器104中传送至基片传递组件115，再由基片传递组件115将基片101从基片支撑架上取出传送出清洗 干燥装置，完成基片101的清洗干燥过程。
在本实用新型无水迹基片清洗干燥装置的实施例中，基片IOI由基片升降 组件从基片清洗容器103中缓慢提升至基片气体干燥室105;基片气体干燥室 105中的干燥气体供给组件108供给的室温干燥气体是室温异丙醇(IPA)气体； 基片干燥容器104的干燥气体供给组件109供给高温干燥气体是高温干燥清洁. 空气(CAD)或氮气(N2)。
图3是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的基片传递组件立体结构 示意图。如图3所示，基片传递组件115由基片取放组件118、 119，支撑轴116、 117，及驱动组件120构成。驱动组件120驱动支撑轴116、 117沿方向135转 动，基片取放组件118、 119安装在支撑轴116、 117上。在取放基片101时， 驱动组件120驱动支撑轴116、 117转动，打开基片取放组件118、 119，基片升 降组件提升基片101片与基片支撑架至基片取放组件118、 119。而后驱动组件 120驱动支撑轴116、 117转动，关闭基片取放组件118、 119，基片升降组件与 基片支撑架下降，将基片101从基片支撑架取出。将基片101放入基片支撑架 的过程相似。
基片传递组件115布置在基片清洗容器103与基片干燥容器104的一侧， 由传动组件107驱动，完成将基片101从在基片清洗容器103传送至基片干燥 容器104，而后传递出清洗干燥装置的过程。
图4是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的基片水迹流向示意图。 由于基片101放置在基片支撑架上，在基片清洗容器103中完成清洗干燥后， 由于清洗液体的表面张力，基片101表面上的水迹125、 126存在于基片101与 基片支撑架接触处，如图4所示。本实用新型无水迹基片清洗干燥装置采用在基片清洗容器103中室温干燥气体干燥和在基片干燥容器104中高温干燥气体 干燥二步干燥法，在基片传递组件115将基片101从基片清洗容器103的基片 支撑架上取出，由于室温干燥气体干燥后基片101表面上的水迹125、 126未干， 在重力的作用下，水迹126依方向136、 137沿基片101边缘流向基片IOI底部 (六点钟处)，与水迹125结合。
图5是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的基片干燥容器的基片及 基片支撑架立体结构示意图。如图5所示，基片支撑架由二个外支撑块127、 一 个底部支撑块128及二个侧支撑块129构成，底部支撑块128上部成刀尖状。 基片101由外支撑块128上的切槽与底部支撑块128定位和支撑在基片支撑架 上。
图6是本实用新型无水迹基片清洗干燥装置实施例的基片干燥容器的基片 及基片支持架正面构造示意图。如图6所示，在基片传递组件115将基片101 传递至基片干燥容器104处，基片101表面上的水迹集中在基片101的底部(六 点钟处)，基片干燥容器104的基片升降组件提升基片支撑架至基片101处，当 基片101放入基片支撑架时，底部支撑块128上部的刀尖状与基片101底部的 水迹接触，水迹沿刀尖面流下，因而减小或消除了基片101底部的水迹。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并未对本实用新型做任何形式上的 限制。凡是依据本实用新型的技术方案对上述实施例所作的任何简单修改、变 异及修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围。
权利要求1.一种无水迹基片清洗干燥装置，其特征是，其包括基片清洗容器，用于清洗基片；基片气体干燥室，用于基片从基片清洗容器中提升时供给室温干燥气体；基片干燥容器，用于供给高温干燥气体对基片进行高温气体干燥；以及基片传递组件，用于将基片从基片清洗容器传送至基片干燥容器；其中，基片气体干燥室布置在基片清洗容器的上方，基片清洗容器与基片干燥容器并行排列，基片传递组件布置在基片清洗容器与基片干燥容器的一侧。
2. 如权利要求1所述的无水迹基片清洗干燥装置，其特征是基片从所述的基片清洗容器中缓慢提升至所述的基片气体干燥室。
3. 如权利要求1所述的无水迹基片清洗干燥装置，其特征是用于所述的基片气体干燥室的室温干燥气体是室温异丙醇(IPA)气体。
4. 如权利要求1所述的无水迹基片清洗干燥装置，其特征是用于所述的基片干燥容器的高温干燥气体是高温干燥清洁空气(CAD)或氮气(N2)。
5. 如权利要求1所述的无水迹基片清洗干燥装置，其特征是用于所述的基片干燥容器的基片支撑架的底部支撑块上部成刀尖状。
6.如权利要求l所述的无水迹基片清洗干燥装置，其特征是所述的基片传递组件的基片取放组件布置在基片上方，打开和关闭基片取放组件从基片支撑架上取放基片。
专利摘要一种无水迹基片清洗干燥装置，基片清洗容器和基片气体干燥室用于清洗基片和对基片进行室温干燥气体干燥，基片干燥容器用于对基片进行高温干燥气体干燥，基片传递组件用于将基片从基片清洗容器传送至基片干燥容器。采用室温干燥气体和高温干燥气体的二步干燥法，能够满足工艺对基片相对湿度的要求；利用基片支撑架的底部支撑块上部的刀尖状，有效地减小或消除了基片底部的水迹；从而提高设备的生产效率和基片的成品率。
文档编号H01L21/683GK201387879SQ200920126840
公开日2010年1月20日 申请日期2009年3月30日 优先权日2009年3月30日
发明者谢鲜武 申请人:谢鲜武