等离子体室中的可调式接地平面的制作方法

专利名称：等离子体室中的可调式接地平面的制作方法
技术领域：
本发明的实施例大体上涉及用于沉积或移除基板上的材料的设备及方法。更具体 地，本发明的实施例涉及在等离子体腔室中用于控制等离子体放电的强度及/或分布的设 备及方法。
背景技术：
等离子体增强工艺，例如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、高密度等离 子体化学气相沉积(HDPCVD)工艺、等离子体浸没离子注入工艺及等离子体蚀刻工艺，已成 为用于在基板上沉积材料及/或从基板上移除材料以形成结构的常见工艺。在制造半导体装置上，等离子体提供许多优点。举例来说，由于能降低处理温度、 增强对高深宽比间隙的间隙填充以及较高的沉积速度，使得等离子体能用于广域的应用。在现有的等离子体处理系统中所存在的挑战在于控制等离子体以达到均勻的蚀 刻及沉积。蚀刻速度及沉积均勻性的其中一个关键因素为处理期间的等离子体的空间分布 情形。举例来说，在典型为平行板反应器的现有PECVD腔室中，影响等离子体空间分布的传 统因素为腔室压力、电极间的距离及化学性质等等。虽然在PECVD腔室中现有等离子体分 布控制产生令人满意的结果，但工艺可更加改善。在等离子体处理中存在的一个挑战是在 基板上形成薄膜时大量材料(例如，导电材料、介电材料或半导电材料)的不均勻性或不均 勻沉积。图IA(现有技术)为基板1的横剖面图，其说明在现有等离子体腔室中至少一部 分是由不均勻性所导致的问题。基板1包含多个结构5，结构5可以是形成在基板中的沟 槽、通孔及类似结构。以现有等离子体工艺在基板上形成导电、介电或半导电材料层10以 基本覆盖基板1并填充结构5。基板1具有尺寸D1，若为矩形基板，尺寸Dl可为长度或宽 度，若为圆形基板，尺寸Dl可为外径。在此范例中，基板1为圆形基板，且尺寸Dl为外径， 其可等于约300mm或200mm。如上文所述，层10基本覆盖基板1，但实际上仅达到尺寸D2，使得基板1的周边 部分上具有少量材料或没有材料。在一范例中，如果尺寸Dl为300mm，则尺寸D2可为约 298mm，而在围绕基板1的周边处产生约Imm且上方具有少量材料或没有材料的部分，且由 于基板1的周边实际上无法使用因而降低基板1上的装置产量。这类缺陷有时候称为边缘 效应或等离子体边缘效应。图IB(现有技术)为图IA的基板1的放大剖面图，显示基板1周边上的表面区域 20以说明在现有等离子体腔室中至少一部分是由不均勻性所导致的另一项问题。由于上述 的装置产量降低，边缘区域25显示为无覆盖。此外，现有的等离子体工艺可沿基板周边产 生区域15，区域15可能是发生过度沉积及材料堆积的区域。在后续工艺中，基板1可能经 历化学机械研磨(CMP)工序或其它平坦化或研磨工序，以移除层10的一部分。在后续工序 中，由于区域15必须与层10 —起移除，因此区域15可能形成问题。由于区域15在层10 的表面区域20之上的高度D3介于数百埃(A)至数千埃(A)之间，使得在后续工艺中可能对产量造成负面影响。此外，移除区域15可能导致过度研磨表面区域20，而可能导致形成在基 板1上的装置或结构受损。因此，需要有一种在等离子体腔室中增强对等离子体空间分布控制的设备及方 法，以解决上述问题。

发明内容
此处所述的实施例大体上提供在等离子体腔室中使用辅助接地平面(secondary ground plane)来控制等离子体空间分布的方法及设备。一实施例提供一种用于处理基板的设备，其包含基板支撑件，耦合至所述基板支 撑件的一或更多个电极，具有与所述基板支撑件相对的面板的喷头组件，以及一或更多个 接地组件，该些接地组件与所述基板支撑件径向分离，其中所述基板支撑件及所述面板共 同界定出处理空间，且所述一或更多个电极适于在所述处理空间内产生具有轴向及径向分 量的可调电场。另一实施例提供一种在处理腔室中用于支撑基板的设备，其包含支撑表面，配置 在所述支撑表面内部的热控制组件，配置在所述支撑表面内部的电极，以及调整器(timer) 耦合至所述电极，其中所述电极具有界定第一平面的第一部分以及界定角度表面(angled surface)的第二部分，且所述角度表面与所述第一平面相交。另一实施例提供一种控制电容耦合等离子体的空间分布的方法，其包含在处理 腔室内设置第一电极；在所述处理腔室内设置第一接地平面并使之面对所述第一电极以界 定处理空间；及藉由施加射频功率至所述第一电极和施加直流功率至所述第一接地平面而 在所述处理空间内产生具有轴向及径向分量的电场。


为了详细了解本发明的上述特征，可参考多个实施例来阅读概要地整理如上的本 发明的更具体叙述，部分实施例绘示于附图中。不过，须注意附图仅说明本发明的典型实施 例，因此不应视为对本发明范围的限制，因为本发明可容许其它等效的实施例。图IA(现有技术)为根据现有技术处理的基板的剖面图。图IB(现有技术)为图IA的基板的细节图。图2A为根据本发明一实施例的等离子体处理腔室的示意剖面图。图2B为图2A的等离子体处理腔室的示意侧视图。图3为根据本发明等离子体处理腔室的另一实施例的示意侧视图。图4为根据本发明等离子体处理腔室的另一实施例的示意侧视图。图5为根据本发明的等离子体处理腔室的另一实施例的示意侧视图。图6为根据本发明等离子体处理腔室的另一实施例的示意侧视图。为帮助了解，已尽可能地使用相同的标记符号来标明图中共享的相同组件。也预 期在一实施例中揭示的组件可在无需特别说明的情况下有利地用在其它实施例。
具体实施例方式本发明大体上提供在具有平行电极的等离子体产生器的等离子体反应器中处理基板期间，用于控制等离子体空间分布的方法及设备。图2A为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统100的一实施例的示意剖面图。 PECVD系统100大体上包含腔室主体102，其支撑腔室盖104，可以用一或更多个紧固件 (例如，螺钉、螺栓、铰链及类似物)将腔室盖104附接至腔室主体102。腔室主体102包 含腔室侧壁112及底部壁116，以界定出在基板支撑件128及喷头组件142之间用于容纳 等离子体103的处理空间120。控制器175耦合至系统100以提供工艺控制，例如，气体输 送及排气、传送功能，以及其它功能。腔室盖104耦合至气体分配系统108，以通过喷头组件142输送反应物及清洁气体 至处理空间120中。喷头组件142包含气体入口通道140，其从一或更多个气体入口 168、 163及169输送气体至处理空间120中。远程等离子体源(未显示)可耦合在处理空间120 和气体入口 168、163及169之间。PECVD系统100也可包含液体输送源150及气源172，其 配置用以提供载气及/或前驱物气体。形成在侧壁112中并耦合至泵浦系统164的圆周泵 浦槽道125是配置用于将气体从处理空间120中排出及控制处理空间120内部的压力。腔 室内衬件(liner) 127，较佳由陶瓷或类似材料制成，可配置在处理空间120中以保护侧壁 112免于遭受腐蚀性的处理环境。多个排气埠131可形成在腔室内衬件127上，以将处理空 间120耦合至泵浦槽道125。底板(base plate) 148整合了腔室盖104、气体分配系统108及喷头组件142。冷 却槽道147形成在底板148中，以在操作期间冷却底板148。冷却入口 145输送冷却剂流 体(例如水或类似物)至冷却槽道147中。冷却剂流体通过冷却剂出口 149离开冷却槽道 147。基板支撑件128配置用于在处理期间支撑及保持基板121。基板支撑件128适于 在处理空间120内部垂直移动，并可额外配置成能藉由耦合至杆122的驱动系统来转动基 板支撑件128。举升销161可包含在基板支撑件128内，以帮助移送基板进出处理空间120。 在一实施例中，基板支撑件128包含至少一电极123，电压施加至此电极123以将基板121 以静电式固定在基板支撑件128上。电极123由连接至所述电极123的直流(DC)电源176 提供动力。虽然图中将基板支撑件128表示成单极直流夹盘，但此处所述的实施例可用在 任何适于在等离子体腔室中作为接地平面的基板支撑件，而且也可为双极夹盘、三极夹盘、 直流夹盘、指叉型夹盘、分区夹盘及类似夹盘。基板支撑件128可包含加热组件126，例如电阻加热组件，以将放置在基板支撑件 128上的基板121加热至所需的工艺温度。加热组件126可耦合至交流(AC)功率供应器 (未显示)，该功率供应器提供电压(例如，约208伏特)给加热组件126。射频(RF)功率源165通过阻抗匹配电路173耦合至喷头组件142。喷头组件142 的面板146及电极123形成电容等离子体产生器，其中电极123可经由电子滤波器(例如 电容190)而接地。射频源165提供射频能量给喷头组件142，以帮助在喷头组件142的面 板146及基板支撑件128之间产生电容式等离子体(capacitive plasma)。因此，电极123 提供用于射频源165的接地路径及来自直流功率源176的电偏压两者，而能以静电式夹钳 基板121。基板支撑件128大体上包含主体，其由陶瓷材料，例如，氧化铝(Al2O3)、氮化铝 (AlN)、二氧化硅(SiO2)、或其它陶瓷材料制成。在一实施例中，基板支撑件128的主体设计
5成可在约-20°C至约700°C的温度范围中使用。电极123可为筛网(mesh)，例如射频筛网， 或是穿孔板材料，其可由钼(Mo)、钨(W)或其它具有实质上与包含基板支撑件128主体的陶 瓷材料的膨胀系数相类似的材料制成。嵌入基板支撑件128中的电极123与喷头组件142 的面板146 —起共同界定出处理空间120。射频源165可包含高频射频(HFRF)功率源，例如13. 56MHz的射频产生器，以及低 频射频(LFRF)功率源，例如300kHz的射频产生器。LFRF功率源提供低频产生组件及固定 匹配组件两者。HFRF功率源设计成与固定匹配(fixedmatch)并用，并且调节输送至负载的 功率，同时消除顺向及反射功率方面的疑虑。电极123耦合至导电构件180。导电构件180可为杆、管、电线或类似物，并由导电 材料制成，例如钼(Mo)、钨(W)或其它具有实质上与包含基板支撑件128在内的其它材料的 膨胀系数相类似的材料制成。电极123作为射频功率的返回路径及偏压电极，以能够以静 电式夹钳基板。为了提供电偏压给基板121，电极123与供应偏置电压给电极123的功率供 应系统182通讯。功率供应系统182包含直流功率源176以供应直流信号给电极123，以及 包含电子滤波器186用于过滤直流功率源176及电极123间的电压波动。在一实施例中， 直流功率源176为24伏特的直流功率供应器，且电信号可提供正或负偏压。直流功率源176可耦合至放大器184，以放大来自直流功率源176的电信号。利用 电子滤波器186过滤电压波动，以防止直流功率源176及放大器184遭受电压突波。在一实 施例中，滤波器186可为具有并联电容190及192的电感(inductor) 188。经过放大及过滤 的电信号提供给电极123及基板121，以能够以静电式夹钳基板121。电容190及192也允 许电极123作为射频功率的接地构件，其中射频功率藉由连接器194及196而接地。当传 递射频功率时，电容190及192防止来自直流功率源176的直流功率传递至地。在一实施 例中，在10至15安培及约2000伏特(volts)下，电容190及192可各为0. 054微法(μ F) 的电容。以此方式，电极123可作为基板偏压电极以及射频功率的返回电极。如上文所述，电极123提供来自直流功率源176的偏压，并作为来自射频功率源 165的射频能量的接地路径。可根据来自控制器175的信号，利用匹配电路173来调整处 理空间120中所产生的电容耦合等离子体103。然而，在电极123作为射频能量的接地平 面的配置中，可能无法提供可接受的等离子体放电或空间分布。举例来说，基板121的周围 (periphery)可能仅受到间歇等离子体放电，其导致在周围处不完全或较少的沉积。在参照 图IA及IB的另一范例中，等离子体103的周围可沿基板周围产生区域15，区域15可能是 在基板121上发生过度沉积及沉积材料堆积的区域。在图2A所示的实施例中，可制造电极123的形状，以消除参照图IA及IB所述的 等离子体边缘效应。如在此实施例中所示，使电极123的周围具有角度(angling)，将导致 在处理空间120内产生具有径向和轴向分量的电场。在电极123的不同点处，电极123及面 板146之间的电位差也不相同。这些电位差产生静电力，其中电场的轴向分量将带电粒子 从面板146推向电极123，而电场的径向分量使带电粒子更接近或更远离腔室中心。此外， 可根据来自控制器175的信号通过调整供应至电极的直流功率，而对电极123进行调整。以 此方式，用于等离子体产生器的接地平面(在此实施例中以电极123作为示范)为可调整 并能缓解等离子体边缘效应。图2B为图2A的等离子体处理腔室的另一示意侧视图，其更清楚地显示位于基板支撑件128内部的电极123。通过面板146，藉由电容耦合提供给处理空间120的处理气体， 而使电场产生等离子体103。在此实施例中，电极123的特征在于平坦部分204及角度部 分205。电极123的平坦部分204包含界定出平面的第一部分，且角度部分205包含界定出 表面的第二部分。基板支撑件128界定第二平面。在此实施例中，由平坦部分204界定的 第一平面及由基板支撑件128界定的第二平面实质上平行，而第一平面与角度部分205所 界定的表面相交。以此方式，电极123呈现三维结构，而产生具有径向及轴向分量的电场。 电极123的角度部分205会以散布等离子体103使之更完全覆盖基板支撑件128上的基板 121的方式来弯曲处理空间120内的电场线。如图2B所示，对于特征为具有角度边缘的电极123的实施例来说，角度部分205 在剖面上将与平坦部分204形成一角度，其较佳介于约90°至约170°之间，例如，约 135°。在图2B所示的实施例中，电极123的角度部分205因而与平坦部分204形成钝角， 并远离基板支撑件128的表面弯折。在其它实施例中，角度部分205可朝向基板支撑件128 的表面弯折，或可朝向或远离基板支撑件128的表面弯曲。在一些实施例中，电极123的边 缘可延伸超出设置在基板支撑件128上的基板的边缘。在其它实施例中，基板边缘可延伸 超出基板支撑件128及电极123的边缘。在其它实施例中，电极123嵌入基板支撑件128中 的深度使得电极123的平坦部分204及基板支撑件128的表面之间的距离介于约5至IOmm 之间。在一些实施例中，可配置角度部分205，使得角度部分205离平坦部分204最远的末 端比平坦部分204更加远离基板支撑件128表面约25%至约50%。在其它实施例中，基板 支撑件128延伸超出电极123边缘的部分的宽度可介于约Imm至约3mm间。在其它实施例中，部分205为边缘部分，且部分204为电极123的中心部分。部分 205可相对于该部分204而升高或降低，使得部分204及205界定出实质上平行的平面，但 部分205可更接近或更远离基板支撑件128的表面。在一些实施例中，部分205可偏离部 分204约0. 5mm至约2mm。可具有一倾斜部分，用以连接部分204及205，该倾斜部分可与 部分204及205形成角度，或与部分204及205形成弯曲接合。此外，不管部分205是否相对于部分204形成角度，部分205的厚度可大于或小于 部分204的厚度。部分205的厚度可从部分204的厚度偏离高达约0. 5mm,以致部分205比 部分204要薄高达0. 5mm,或部分205比部分204要厚高达0. 5mm。部分204或205的任一 者的厚度也可逐渐变小。举例来说，部分205在其连接部分204处可厚达约3mm，并可逐渐 变薄至其边缘处约0. 5mm或更小的厚度。部分205也可能与一造形边缘相配合，例如，具有 造形剖面的珠件，例如附接至部分205的边缘的圆形珠。珠件的剖面可具有任何有利形状， 例如，三角形、正方形或梯形。图3为根据另一实施例的等离子体处理腔室的示意侧视图。在此实施例中，腔室 300的特征在于分区喷头组件360。喷头组件360的面板146被电绝缘体370分隔成多个 不连续的导电区域。在一实施例中，在控制器175的控制下，由独立的射频源165及330分 别通过各自的匹配网络173及340分别施加射频功率至各区域。在另一实施例中，使用单 一射频源提供功率给各区域，或一同供应给所有区域。如上述，使用直流偏压源(全体以组 件350来代表)施加电压偏压至电极123 ；组件350可如上述那样包含滤波器(例如，滤波 器186)及放大器(例如放大器184)，并藉由连接器耦合至电极123。分区喷头组件360耦 合至独立的射频源165及330，以允许不同的功率电平通过独立的阻抗匹配网络173及340
7施加至该些区域，以调整处理空间120内的电场以控制等离子体103的空间分布。图4为根据本发明另一实施例的等离子体处理腔室的示意侧视图。在此实施例 中，腔室400利用嵌入腔室侧壁112中的电极410。腔室壁电极410是以适当的导电材料 (例如，铝)制成，并利用绝缘体320使其与侧壁112绝缘开来，及利用绝缘体105使其与腔 室盖104绝缘。各绝缘体可以任何适当的绝缘材料制成，但较佳使用以与腔室壁材料具有 类似热特性的材料制成。其中一种此类材料为陶瓷。在此实施例中，如上文所述般，使用参 照图2A所述的直流源、放大器及滤波器(全体以直流组件350代表)藉由连接器耦合至电 极123，以施加电压偏压至电极123。类似的偏压产生器420可耦合至腔室壁电极410。控 制器175可用于控制施加至面板146的射频功率、施加至电极123的偏压功率，以及施加至 腔室壁电极410的偏压功率，以确保等离子体103足以覆盖基板121。图5为根据本发明另一实施例的等离子体处理腔室500的示意侧视图。在此实施 例中，腔室壁电极410未与侧壁112绝缘，所以等离子体103可直接与腔室壁和电极123耦 合，以致腔室壁电极410、侧壁112及电极123共同做为接地平面。施加至腔室壁电极410 的直流偏压因而施加至整个腔室壁，导致等离子体103朝处理空间120的边缘散布并覆盖 基板121。绝缘体520设置用以防止侧壁112放电，且绝缘体105使盖组件148与腔室的其 余部分绝缘。图6为根据本发明另一实施例的等离子体处理腔室600的示意侧视图。在此实施 例中，两电极623A及623B嵌入基板支撑件128内部。如前文所述，当施加直流电压偏压以 在适当位置夹钳基板121时，各电极作为射频功率的接地平面。分别以直流偏压产生器610 及620个别地偏压各电极。如前文所述，如有需要，各直流偏压产生器包含具有放大器及滤 波器的直流源。独立调整接地平面的能力提供塑造处理空间120内的电场形状的能力，以 控制等离子体103的空间分布，从而最小化或消除等离子体边缘效应。上述实施例以浅显易懂的方式示范包含本发明组件的范例。上述组件的任何组合 可用于调整及塑造处理空间120内的等离子体103形状而使等离子体在无边缘效应的情况 下完全覆盖基板121。可使用多个电极、造形或未造形的接地构件、偏压产生器、绝缘体及其 类似组件的任何组合。举例来说，可使用多个造形接地构件或单个具有侧壁电极的造形接 地构件。分区喷头电极也可与一或更多个造形接地构件及一或更多个侧壁电极并用。在操作中，将一基板配置在根据上述的任何实施例的等离子体处理腔室内的基板 支撑件上。处理气体通过包含第一电极的喷头组件供应给该处理腔室。通过阻抗匹配网络 将射频产生器耦合至该第一电极而施加射频功率至该第一电极。该射频产生器可产生高频 功率，例如约13. 56MHz，或低频功率，例如约300kHz。施加射频功率至该第一电极在该处理 腔室内产生振荡电场(oscillating electric field)，并离子化该处理气体使之成为等离 子体。该基板放置在基板支撑件上，该基板支撑件中嵌入具有接地构件。该接地构件作 为用于将直流功率耦合至该基板支撑件的电极，并与该第一电极一同在该处理腔室中界定 处理空间。使用贯穿该基板支撑件的连接器将直流功率耦合至该电极。直流功率施加至该 电极，在该电极中产生电压偏压，其导致该基板支撑件牢固地夹钳该基板。电子滤波器可设 置在该直流功率源及位于该基板支撑件中的该电极之间，使得该电极在施加直流电压偏压 至该基板时可作为射频功率的接地路径。以此方式，位于该基板支撑件中的该电极可作为射频功率的接地构件。可使用控制器来调整该匹配网络的阻抗，以调整传送至该等离子体 的功率。该控制器也可用于调整该直流源的功率输出，以调整该处理腔室内的电场。以此 方式，可产生具有径向和轴向分量的电场，且允许调整等离子体的空间分布为朝向或远离 该腔室中心，以完全覆盖该基板。在此实施例中，可塑造该接地构件的形状，以产生所需的电场性质。举例来说，该 接地构件可具有实质上与该基板支撑件表面平行的第一部分，以及具有从该第一部分逐渐 变小的第二部分。该第一部分界定出平面，且该第二部分界定出与该平面相交的表面。因 此，造形接地构件可界定出多个相交表面。在替代实施例中，可设置多个接地构件。举例来说，具有与该第一接地构件不同形 状的第二接地构件可嵌入该基板支撑件内。控制器可个别地调整施加至各接地构件的偏压 以产生所需的等离子体空间分布。在另外实施例中，分区喷头电极可用于产生可调整电场。射频功率可通过不同的 匹配网络独立地提供给不同区域。控制器可藉由调整该匹配网络的阻抗，而调整提供给各 区域的功率。如上文所讨论的那样，直流电压偏压施加至嵌入该基板支撑件中的电极，使得 该基板支撑件夹钳该基板且提供用于射频功率的接地路径。在此实施例中，调整输送至该 喷头的不同区域的功率导致具有径向和轴向分量的电场，并允许控制等离子体空间分布。在替代实施例中，可藉由在该处理腔室的侧壁中设置电极而径向调整电场及等离 子体。在一些实施例中，该腔室壁自身可用作该电极。除了嵌入该基板支撑件中的该电极 外，该电极可接地或偏压。控制器可用于独立地调整该基板支撑件电极的偏压、该侧壁电极 的偏压，以及调整输送至该喷头电极的功率，以调整等离子体空间分布。虽然前文说明本发明多个实施例，但可在不偏离本发明基本范围的情况下做出本 发明的其它及进一步的实施例，且本发明范围由后附权利要求书决定。
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权利要求
一种用于处理基板的设备，其包含基板支撑件；一或更多个电极，耦合至所述基板支撑件；喷头组件，其具有面板，所述面板相对于所述基板支撑件；及一或更多个接地组件，其与所述基板支撑件径向分离，其中基板支撑件及面板共同界定处理空间，且所述一或更多个电极用于在所述处理空间内产生具有轴向及径向分量的可调整电场。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述一或更多个电极配置在所述基板支撑件内。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述一或更多个电极的至少其中一个的一部分具有 角度(angled)。
4.如权利要求1所述的设备，还包含一或更多个可调整电路，其耦合至所述一或更多 个接地平面的至少其中一个。
5.如权利要求4所述的设备，还包含一或更多个可调整电路，其耦合至所述一或更多 个电极的至少其中一个。
6.如权利要求1所述的设备，其中所述面板被一或更多个绝缘体划分为多个分隔区域。
7.如权利要求6所述的设备，还包含多个绝缘体，其配置在所述一或更多个接地平面 之间。
8.一种用于在处理腔室中支撑基板的设备，其包含 支撑表面；热控制组件，配置在所述支撑表面内；电极，配置在所述支撑表面内，其中所述电极具有第一部分及第二部分，所述第一部分 界定第一平面，所述第二部分界定角度表面，并且所述角度表面与所述第一平面相交 ’及 调整器，其耦合至所述电极。
9.如权利要求8所述的设备，还包含电子滤波器，其耦合至所述电极。
10.如权利要求8所述的设备，其中所述支撑表面界定第二平面，且所述第一平面与所 述第二平面实质平行。
11.如权利要求8所述的设备，其中所述电极为射频筛网。
12.—种控制电容耦合等离子体的空间分布的方法，其包含 在处理腔室内放置第一电极；在所述处理腔室内放置第一接地平面，并使之面对所述第一电极以界定处理空间；及 藉由施加射频功率至所述第一电极及施加直流功率至所述第一接地平面，而在所述处 理空间内产生具有轴向及径向分量的电场。
13.如权利要求12所述的方法，还包含在所述处理腔室内放置第二接地平面。
14.如权利要求12所述的方法，还包含使用所述第一接地平面以提供用于射频功率的 接地路径并在所述处理空间内施加电压偏压。
15.如权利要求13所述的方法，还包含调整所述第一和所述第二接地平面的至少其中
全文摘要
本发明提供一种设备及方法，用于控制等离子体腔室中的等离子体放电的强度及分布。在一实施例中，成形电极嵌入基板支撑件中，以在所述腔室内提供具有径向及轴向分量的电场。在另一实施例中，用绝缘体将喷头组件的面板电极划分为多个区域，而能将不同电压施加至不同区域。此外，一或更多个电极可嵌入所述腔室侧壁中。
文档编号H01L21/26GK101978474SQ200980109820
公开日2011年2月16日 申请日期2009年1月26日 优先权日2008年3月20日
发明者卡希克·贾纳基拉曼, 埃勒·Y·朱科, 希姆·M·萨德, 戴尔·R·杜波依斯, 托马斯·诺瓦克, 穆罕默德·阿尤布, 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南, 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯, 阿米特·班塞尔, 马克·A·福多尔 申请人:应用材料股份有限公司