专利名称：单刀单掷真空继电器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种继电器，尤其是一种仅设两个接触点杆的单刀单掷真空继电器。
背景技术：
目前，市场上现有的圆形单刀双掷(三触点)继电器是成熟的真空继电器，其典型的触点结构如图1，在保持基本相同的技术条件与安装外形的前提下，设计单刀单掷继电器 (两触点继电器)，为避免多余触点引起的干扰，一般采用将多余触点缩短或去除的方法， 其设计或者不能完全避免多余触点的电场干扰或者必须采用其它的控制衔铁运动的机构， 从而带来其他的负面影响。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供了一种单刀单掷真空继电器，可实现快速将单刀双掷继电器改进为单刀单掷继电器的目的。本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是一种单刀单掷真空继电器，包括陶瓷真空室和密封穿设在真空室的侧壁上的若干接触点杆，其中一个接触点杆朝向真空室内的一端上定位有接触片，其余接触点杆朝向真空室内的一端上设有接触点，陶瓷真空室呈开口圆桶状，所述穿设在真空室的侧壁上的接触点杆为两个，一个接触点杆上设有开槽接触点，该开槽接触点定位接触所述接触片一端， 另一个接触点杆上设有接触点，该真空室的内壁上向形成有一对应所述接触点的陶瓷点， 所述接触片另一端位于所述接触点和陶瓷点之间，即所述接触片、接触点与陶瓷点之间形成传统单刀双掷真空继电器布局。作为本发明的进一步改进，所述陶瓷点为陶瓷真空室的侧壁向内延伸形成。作为本发明的进一步改进，所述陶瓷点为陶瓷真空室底面朝向开口处延伸形成。本发明的有益效果是本发明采用两接触点杆结构，基本保持了同等级单刀双掷陶瓷真空继电器的外形，重新设计陶瓷件的内部结构，实现了快速将单刀双掷继电器改进为单刀单掷继电器的目的。
图1为本发明一种结构的剖面示意图之一；图2为本发明一种结构的剖面示意图之二 ；图3为本发明另一种结构的剖面示意图之一；图4为本发明另一种结构的剖面示意图之二 ；图5为本发明所对比的现有技术的剖面结构示意图。
具体实施例方式实施例一种单刀单掷真空继电器，包括陶瓷真空室1和密封穿设在真空室1的侧壁上的若干接触点杆2，其中一个接触点杆2朝向真空室内的一端上定位有接触片3，其余接触点杆2朝向真空室内的一端上设有接触点4，陶瓷真空室1呈开口圆桶状，所述穿设在真空室1的侧壁上的接触点杆2为两个，一个接触点杆2上设有开槽接触点31，该开槽接触点定位接触所述接触片3 —端，另一个接触点杆2上设有接触点4，该真空室1的内壁上向形成有一对应所述接触点4的陶瓷点5，所述接触片3另一端位于所述接触点4和陶瓷点5 之间，即所述接触片3、接触点4与陶瓷点5之间形成传统单刀双掷真空继电器布局。所述陶瓷点5为陶瓷真空室1的侧壁向内延伸形成。所述陶瓷点5为陶瓷真空室1底面朝向开口处延伸形成。
权利要求
1.一种单刀单掷真空继电器，包括陶瓷真空室(1)和密封穿设在真空室(1)的侧壁上的若干接触点杆O)，其中一个接触点杆( 朝向真空室内的一端上定位有接触片(3)，其余接触点杆(2)朝向真空室内的一端上设有接触点G)，陶瓷真空室(1)呈开口圆桶状，其特征在于所述穿设在真空室⑴的侧壁上的接触点杆⑵为两个，一个接触点杆⑵上设有开槽接触点(31)，该开槽接触点定位接触所述接触片C3) —端，另一个接触点杆( 上设有接触点0)，该真空室(1)的内壁上向形成有一对应所述接触点(4)的陶瓷点(5)，所述接触片⑶另一端位于所述接触点⑷和陶瓷点(5)之间。
2.根据权利要求1所述的单刀单掷真空继电器，其特征在于所述陶瓷点(5)为陶瓷真空室(1)的侧壁向内延伸形成。
3.根据权利要求1所述的单刀单掷真空继电器，其特征在于所述陶瓷点(5)为陶瓷真空室(1)底面朝向开口处延伸形成。
全文摘要
本发明公开了一种单刀单掷真空继电器，包括陶瓷真空室和密封穿设在真空室的侧壁上的若干接触点杆，其中一个接触点杆朝向真空室内的一端上定位有接触片，其余接触点杆朝向真空室内的一端上设有接触点，陶瓷真空室呈开口圆桶状，穿设在真空室的侧壁上的接触点杆为两个，一个接触点杆上设有开槽接触点，开槽接触点定位接触接触片一端，另一个接触点杆上设有接触点，真空室的内壁上向形成有一对应接触点的陶瓷点，接触片另一端位于接触点和陶瓷点之间，即接触片、接触点与陶瓷点之间形成传统单刀双掷真空继电器布局。此结构基本保持了同等级单刀双掷陶瓷真空继电器外形，重新设计陶瓷件的内部结构，可快速将单刀双掷继电器改进为单刀单掷继电器。
文档编号H01H50/00GK102237223SQ20101016688
公开日2011年11月9日 申请日期2010年4月30日 优先权日2010年4月30日
发明者覃奀垚 申请人:昆山国力真空电器有限公司