专利名称：一种宽频带双极化lte基站天线辐射单元的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种天线的辐射单元，尤其涉及一种应用在双极化LTE基站天线 上的辐射单元。
背景技术：
随着移动通信技术的发展，对基站天线的要求越来越高。基站天线一般由相同形 式的辐射单元组合成阵列形式，以获得某种实际的需求，现一般出现的双极化振子(1)基 本为单层结构(空气微带形式除外，指振子形式)，即无寄生辐射单元，这种结构频带窄、增 益低。(2)剖面大，即振子臂剖面大，这种结构隔离度差，交叉极化比不好，互耦严重，不利于 组阵。(3)馈电形式复杂，对批量生产带来诸多不便。
发明内容本实用新型的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种宽频带双极化LTE 基站天线辐射单元，该辐射单元提高了双极化天线的增益、带宽，改善了隔离度、交叉极化 比，降低了互耦等，特有的馈电方式使辐射单元容易匹配，而且便于装配，一致性好。本实用新型是采用如下技术解决方案来实现上述目的一种宽频带双极化LTE基 站天线辐射单元，包括振子主体、馈电片、寄生辐射单元，振子主体为呈十字交叉状的整体 金属结构，其特征在于所述十字交叉结构中间有空隙，振子主体包括四片振子臂，每片振 子臂均设置有固定寄生辐射单元的支撑件。作为上述方案的进一步说明，所述振子主体为一整体压铸成型的金属结构。所述寄生辐射单元为十字交叉结构，中间无空隙，交叉的两个方向的总长度相等 且小于半个波长，通过支撑件活动安装在上振子主体上部。所述支撑件呈柱形，该柱形支撑的上部与寄生辐射单元接插配合，柱形支撑的底 部穿过振子臂并与其卡接，支撑件外的振子臂表面设置有方形孔。所述振子臂的工作频段为1/4波长。所述馈电片的一臂采用耦合，另一臂采用直接接触馈电方式。所述馈电片为倒“L”结构，上部采用焊接、螺丝锁扣或者挤压接触形成馈电，L竖 直部分采用非接触式耦合馈电方式，和振子支撑部分、传输部分或巴仑之间有介质支撑，下 端采用直接焊接。本实用新型采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是1、本实用新型采用振子臂上均设置固定寄生辐射单元的支撑件，寄生辐射单元采 用十字交叉结构，改善了双极化天线单元的增益，以及带宽。2、十字交叉的振子主体结构改善了双极化天线单元的隔离度、交叉极化比，降低 了互耦。3、馈电方式，使单元馈电结构变的简单，便于批量生产，一致性好。
图1为本实用新型立体结构示意图；图2为本实用新型结构示意图；图3为本实用新型结构示意图。附图标记说明1、振子2、馈电片3、寄生辐射单元4、支撑件5、方形孔6、凹槽 7、凸筋
具体实施方式
如图1 图3所示，一种宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，它包括压铸而成 的振子1、馈电片2、寄生辐射单元3，压铸振子1为十字交叉结构，中间有空隙，由两对振子 四个振子臂组成，为振子单元主要辐射部分，振子臂为工作频段1/4波长左右，每片振子臂 均设置有固定寄生辐射单元的支撑件4。本实施例中，支撑件4呈柱形，该柱形支撑的上部 与寄生辐射单元接插配合，柱形支撑的底部穿过振子臂并与其卡接，支撑件外的振子臂表 面设置有方形孔5。柱形支撑的主体沿其周长方向设置有由若干组纵向凹槽6和凸筋7组 成的加强结构。馈电片2为倒L结构，上部采用焊接、螺丝锁扣或者挤压接触形成馈电，倒 L结构竖直部分采用非接触式耦合馈电方式，和振子支撑部分、传输部分或巴仑之间有介质 支撑，下端采用直接焊接。寄生辐射单元3为十字交叉结构，中间无空隙，交叉的两个方向 的总长度相等且小于半个波长，放置在振子1上部。以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术 人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属 于本实用新型的保护范围。
权利要求一种宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，包括振子主体、馈电片、寄生辐射单元，振子主体为呈十字交叉状的整体金属结构，其特征在于所述十字交叉结构中间有空隙，振子主体包括四片振子臂，每片振子臂均设置有固定寄生辐射单元的支撑件。
2.根据权利要求1所述的宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，其特征在于所述振 子主体为一整体压铸成型的金属结构。
3.根据权利要求1所述的宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，其特征在于所述寄 生辐射单元为十字交叉结构，中间无空隙，交叉的两个方向的总长度相等且小于半个波长， 通过支撑件活动安装在上振子主体上部。
4.根据权利要求1所述的宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，其特征在于所述支 撑件呈柱形，该柱形支撑的上部与寄生辐射单元接插配合，柱形支撑的底部穿过振子臂并 与其卡接，支撑件外的振子臂表面设置有方形孔。
5.根据权利要求4所述的宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，其特征在于所述柱 形支撑的主体沿其周长方向设置有由若干组纵向凹槽和凸筋组成的加强结构。
6.根据权利要求1所述的宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，其特征在于所述振 子臂的工作频段为1/4波长。
7.根据权利要求1所述的宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，其特征在于所述馈 电片的一臂采用耦合，另一臂采用直接接触馈电方式。
8.根据权利要求1所述的宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，其特征在于所述馈 电片为倒“L”结构，上部采用焊接、螺丝锁扣或者挤压接触形成馈电，L竖直部分采用非接 触式耦合馈电方式，和振子支撑部分、传输部分或巴仑之间有介质支撑，下端采用直接焊 接。
专利摘要本实用新型公开了一种宽频带双极化LTE基站天线辐射单元，包括振子主体、馈电片、寄生辐射单元，振子主体为呈十字交叉状的整体金属结构，其特征在于所述十字交叉结构中间有空隙，振子主体包括四片振子臂，每片振子臂均设置有固定寄生辐射单元的支撑件。本实用新型简化了加工工艺，降低了生产成本，具有增益高，频带宽，隔离度好，交叉极化比高，装配简单，一致性好，造价低的优点。
文档编号H01Q1/36GK201749946SQ201020266360
公开日2011年2月16日 申请日期2010年7月20日 优先权日2010年7月20日
发明者唐鹏程, 张代宾, 张辉, 樊际洲, 黄江汉 申请人:广东盛路通信科技股份有限公司