专利名称：晶体硅臭氧清洗装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶体硅清洗装置，更准确地是一种晶体硅臭氧清洗装置。
背景技术：
由于半导体元件制作工艺日益精密复杂，对晶圆表面洁净度的要求也日益提高。在晶体硅片生产工艺中，由于制作工艺差异及异常事件的发生，晶圆表面难免会有污染物，一般讲硅片表面沾污大致可以分为三类有机杂质沾污、颗粒及金属离子沾污。 在电池片制作过程中，如果不及时清洁，对后期工艺及电池片效率会造成比较大的影响。本实用新型旨在提供一种方法，使晶圆在进行蚀刻前可有效的将晶圆表面的污染物去除，不至于对产品的性能造成影响，从而有效的提高产品的质量。
实用新型内容本实用新型的目的是为了提供一种晶体硅臭氧清洗装置，以解决背景技术中的缺
点ο一种晶体硅臭氧清洗装置，包括滚轮、臭氧发生器、桶槽，所述的桶槽下部设有臭氧发生器，桶槽上部设有双层滚轮，所述的双层滚轮，上面一层滚轮，下面对应有一层滚轮， 本实用新型去除污染物方法，是将水放入桶槽中，打开臭氧发生器，硅片将在上下滚轮的作用下依次通过桶槽，所述的臭氧发生器上部开有多孔，臭氧将通过小孔处进入桶槽，从而实现对硅片的去污作用。本实用新型采用的臭氧去除污染物工作原理为臭氧在水中分解速度比气体时快的多，分解过程如下03+0H — O2+HO2Ο3+ΗΟ2-— 202+0『Ο3+οη —Ο2+ΗΟ22Η02 — 03+Η20Η02+0Η — 02+Η20溶液中臭氧的分解速度与温度和PH值有关。在酸性条件下较稳定，而在碱性条件下分解非常快。升高温度将加速臭氧的分解。臭氧是强的氧化剂。在水中臭氧的氧化还原电位为03+2H++2e = 02+Η20 Εα° = 2. 07V03+H20+2e = 02+20F Eb ° = 1. 24V所以许多无机物和有机物很容易被氧化，臭氧与-SH、= NH2, = S、-OH、-CHO等基团作用生产相应的氧化物；高浓度的臭氧可把SO2氧化成SO3或H2SO4 ；把NO2氧化成N2O5或 HNO3 ；将Ag+氧化成Ag2+盐；与烯烃反应成醛是臭氧的特性反应。臭氧易和大多数有机物如蛋白质、氨基酸、有机胺、链式不饱和化合物.芳香族化合物、什环化合物、木质素、腐植酸以及含硫化合物反应。氧化过程为连续的，即按有机物一臭氧化一醛一有机酸过程进行，最终成为稳定的化合物。有益效果本实用新型专利利用臭氧的强氧化作用将硅片表面的污染物氧化后随去离子水的冲洗而被去除，且在水中可短时间内自行分解，没有二次污染，其副产物无毒，基本无二次污染，有着许多别的氧化剂无法比拟的优点，同时由于其独特的滚轮设计可以实现硅片的自动化生产，节约人力。
附图1为本实用新型的结构示意图；具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。一种晶体硅臭氧清洗装置，包括滚轮1、臭氧发生器3、桶槽4，所述的桶槽4下部设有臭氧发生器3，桶槽4上部设有双层滚轮，所述的双层滚轮，上面一层滚轮1，下面对应有一层滚轮1，本实用新型去除污染物方法，是将水放入桶槽4中，打开臭氧发生器3，硅片 2将在上下滚轮1的作用下依次通过桶槽4，所述的臭氧发生器3上部开有多孔，臭氧将通过小孔处进入桶槽4，从而实现对硅片的去污作用。以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求1. 一种晶体硅臭氧清洗装置，包括滚轮、臭氧发生器、桶槽，其特征在于，所述的桶槽下部设有臭氧发生器，桶槽上部设有双层滚轮，所述的双层滚轮，上面一层滚轮，下面对应有一层滚轮。
专利摘要一种晶体硅臭氧清洗装置，包括滚轮、臭氧发生器、桶槽，其特征在于，所述的桶槽下部设有臭氧发生器，桶槽上部设有双层滚轮，所述的双层滚轮，上面一层滚轮，下面对应有一层滚轮。本实用新型利用臭氧的强氧化作用将硅片表面的污染物氧化后随去离子水的冲洗而被去除，且在水中可短时间内自行分解，没有二次污染，其副产物无毒，基本无二次污染，有着许多别的氧化剂无法比拟的优点，同时由于其独特的滚轮设计可以实现硅片的自动化生产，节约人力。
文档编号H01L21/02GK201975377SQ201020648369
公开日2011年9月14日 申请日期2010年12月8日 优先权日2010年12月8日
发明者吕日祥, 敖淑恒, 范维涛, 黄贵雄, 龚小文 申请人:江西升阳光电科技有限公司