过热自我保护半导体三极管的制作方法

文档序号:6984391阅读:405来源:国知局
专利名称:过热自我保护半导体三极管的制作方法
技术领域
过热自我保护半导体三极管
技术领域
本实用新型涉及半导体三极管,更具体地说,涉及一种具有过热自我保护功能的
半导体三极管。
背景技术
目前,公知的半导体三极管包括P型半导体、N型半导体,形成两个PN结组成的一个管芯,分别引出发射极、基极、集电极三个电极及外包封构成。工作时有发射极电流Ie,基极电流Ib,集电极电流Ic流过半导体三极管,其中基极电流Λ非常小,但控制着较大的发射极电流Ie和集电极电流Ic的大小,但是发射极电流Ie和集电极电流Ic有时因外电路出现短路或其他异常状态类的故障,导致其大于正常值,使工作中的半导体三极管产生过热而烧毁。

实用新型内容本实用新型的目的在于针对上述技术缺陷,提供一种过热自我保护半导体三极管,该一种半导体三极管在工作中当外电路发生短路或者其他异常状态而导致三极管的发射极电流Ie、集电极电流Ic过大,管子温升过高接近半导体三极管的极限结温(150°C ) 时,它的基极电流Λ迅速减小趋于0,控制该管的发射极电流Ie、集电极电流Ic迅速减小, 直至电路停止工作,等待管子温度降下来后又可重新开始工作,从而避免管温过高而烧毁半导体三极管。本实用新型的技术方案如下所述一种过热自我保护半导体三极管,包括壳体和半导体三极管管芯三个引出的发射极、基极和集电极,其特征在于,基极串接一个热敏电阻芯片,半导体三极管管芯与该热敏电阻芯片设于壳体内根据上述结构的本实用新型,其特征还在于,热敏电阻芯片优选用一个成品的热敏电阻,用胶合剂将该热敏电阻贴粘在半导体三极管上。根据上述结构的本实用新型,其特征还在于,热敏电阻芯片优选串联在半导体三极管的发射极。根据上述结构的本实用新型,其特征还在于,热敏电阻芯片优选串联在集电极电路中。根据上述结构的本实用新型,其有益效果在于,本实用新型当管子发射极电流Ie、 集电极电流Ic因外电路短路或其他异常状态而增大,导致管子发热时,半导体三极管内包封的串联在基极电路中的热敏电阻芯片阻值迅速增大,基极电流Λ就会迅速减小,从而控制该管发射极电流Ie、集电极电流Ic迅速减小,使管子温升得以控制而降低,从而避免了烧毁半导体三极管乃至整个电子器具或者设备,且结构简单。

附图1为本实用新型的局部立体结构图;[0010]附图2为本实用新型的一个实施例的结构图。在附图中,1、壳体;2、热敏电阻芯片;3、半导体三极管管芯。
具体实施方式
以下结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述如附图1、附图2所示,一种过热自我保护半导体三极管,包括壳体1和半导体三极管管芯3三个引出的发射极、基极和集电极,其特征在于基极串接一个热敏电阻芯片2,半导体三极管管芯3与该热敏电阻芯片2设于壳体1内。热敏电阻芯片2优选用一个成品的热敏电阻,用胶合剂将该热敏电阻贴粘在半导体三极管上。另外,热敏电阻芯片也可优选串联在半导体三极管的发射极上。另外,热敏电阻芯片也可优选串联在集电极上。
权利要求1.一种过热自我保护半导体三极管,包括壳体和半导体三极管管芯三个引出的发射极、基极和集电极,其特征在于基极串接一个热敏电阻芯片,半导体三极管管芯与该热敏电阻芯片设于壳体内。
2.根据权利要求1所述的过热自我保护半导体三极管,其特征还在于热敏电阻芯片优选用一个成品的热敏电阻,用胶合剂将该热敏电阻贴粘在半导体三极管上。
3.根据权利要求1或2所述的过热自我保护半导体三极管,其特征还在于热敏电阻芯片优选串联在半导体三极管的发射极上。
4.根据权利要求1或2所述的过热自我保护半导体三极管,其特征还在于热敏电阻芯片优选串联在集电极上。
专利摘要本实用新型公开了一种过热自我保护半导体三极管,包括壳体和半导体三极管管芯三个引出的发射极、基极和集电极,其特征在于,基极串接一个热敏电阻芯片,半导体三极管管芯与该热敏电阻芯片设于壳体内。本实用新型当管子发射极电流Ie、集电极电流Ic因外电路短路或其他异常状态而增大,导致管子发热时,半导体三极管内包封的串联在基极电路中的热敏电阻芯片阻值迅速增大,基极电流Ib就会迅速减小,从而控制该管发射极电流Ie、集电极电流Ic迅速减小,使管子温升得以控制而降低,从而避免了烧毁半导体三极管乃至整个电子器具或者设备,且结构简单。
文档编号H01L29/73GK201994302SQ20102067251
公开日2011年9月28日 申请日期2010年12月21日 优先权日2010年12月21日
发明者刘翠莲 申请人:深圳市安晶半导体电子有限公司
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