带有外延层堆叠的宽条激光器及其制造方法

专利名称：带有外延层堆叠的宽条激光器及其制造方法
带有外延层堆叠的宽条激光器及其制造方法本专利申请要求德国专利申请10 2009 035 639. 8的优先权，其公开内容通过引
用结合于此。本发明涉及一种带有外延层堆叠的宽条激光器，该层堆叠包含产生辐射的有源层。此外，本发明涉及一种用于制造这种宽条激光器的方法。半导体激光器由于其紧凑性和成本低廉的制造而使用在许多应用领域中，例如数据传输、数据存储、投影、材料加工、光学泵浦、生物传感器等等。尤其是基于AlInGaN材料系的半导体激光器由于其产生的辐射在UV至蓝色或者绿色波长范围中而提供多种应用可能性。在大多数应用领域中，在此取决于半导体激光器的高的光学输出功率或者输出功率
也/又。然而，在半导体激光器情况下，输出功率由于热学效应而受到限制。例如，在所谓的“单发射器(Single-Emittern) ”情况下，在cw运行中，输出功率局限在数百毫瓦。光学输出功率尤其是可以通过提高半导体激光器的效率来提升，例如借助半导体激光器的层的优化的外延设计来提升。然而，在此这种半导体激光器的输出功率也由于热学效应而在cw运行中局限在数百毫瓦上。此外，提高功率的措施例如可以通过多个激光器二极管的同时运行来实现。附加地，在宽条激光器的情况下由于所谓的“热透镜”(其在大电流情况下引起激光器的激光模式收缩到数微米)存在的危险是，在高电流密度情况下损坏或者完全损毁设置在上侧上的接片。本发明所基于的任务是，提出一种改进的宽条激光器，其尤其是具有改进的光学功率密度、在大功率情况下提升的效率以及改进的寿命。此外，本发明所基于的任务是，提出这种宽条激光器的改进的、尤其是简化的制造方法。这些任务尤其是通过具有权利要求1所述特征的宽条激光器和具有权利要求15 所述特征的用于制造宽条激光器的方法来解决。宽条激光器及其制造方法的有利的实施形式和优选的改进方案是从属权利要求的主题。根据本发明，设计了一种带有外延层堆叠的宽条激光器，其包含产生辐射的有源层并且具有上侧和下侧。层堆叠具有沟槽，在其中层堆叠的至少一个层被至少部分地去除， 并且沟槽从上侧向下侧的方向引导。此外，层堆叠在上侧具有接片，其分别与沟槽邻接，使得层堆叠在上侧带状地构建。接片和沟槽分别具有最大20 μ m的宽度。优选的是，接片和沟槽分别具有最大10 μ m的宽度，特别优选最大7 μ m的宽度。这种宽条激光器相应地在上侧优选具有折射率引导的(indexgefuehrte)、紧紧相邻的单个带(所谓的接片)，宽度为小于20 μ m，优选小于10 μ m，特别优选小于7 μ m。相邻的接片彼此之间在此具有最大20 μ m的距离，优选最大10 μ m的距离。根据本发明的宽条激光器由此并不如传统方式那样在上侧仅仅具有一个宽条。尤其是激光器的宽条根据本发明分裂为单个带、所谓的接片。这种宽条激光器有利地具有改进的、尤其是提高的光学输出功率和输出功率密度，同时具有降低的腔面负荷(Facettenbelastimg)。于是，有利地进一步延长了这种宽条激光器的寿命，其中其同时可以具有针对相应的应用而优化的射束轮廓。附加地，根据本发明的宽条激光器能够有利地实现将发射特性有针对性地在前向辐射、高斯轮廓和矩形轮廓或者其混合之间进行调节。尤其是，借助这种宽条激光器能够通过对于如下方面的受控的控制来有针对性地形成发射特性一单个发射密度，尤其是可以通过接片的相应距离来调节，一激光器阈值电流，例如通过控制折射率引导部上的电流扩展和/或各接片的不同的宽度来实现，以及一坡度，例如通过控制损耗来实现，一或者上述的组合。优选的是，宽条激光器、尤其是宽条激光器的外延层堆叠基于InGaN，特别优选基于InGaAIN。优选的是，宽条激光器是边发射器。优选的是，宽条激光器是半导体激光器。在宽条激光器的一个优选的扩展方案中，层堆叠的至少一个层在产生辐射的有源层的、朝向下侧的侧上η掺杂，并且层堆叠的至少一个层在产生辐射的有源层的、朝向上侧的侧上P掺杂。优选的是，层堆叠的所有层在产生辐射的有源层的、朝向下侧的侧上η掺杂或者不掺杂，而层堆叠的所有层在产生辐射的有源层的、朝向上侧的侧上P掺杂或者不掺杂。宽条激光器的沟槽优选构建在层堆叠的ρ掺杂的层中。优选的是，沟槽并不穿透宽条激光器的层堆叠的有源层。在这种情况下，沟槽于是仅仅构建在层堆叠的上侧。可替选地，沟槽可以穿透有源层。在该情况中，沟槽构建在层堆叠的、位于产生辐射的有源层的朝向上侧的侧上的所有层中以及构建在产生辐射的有源层中。优选的是，接片分别具有相同的高度。在宽条激光器的一个优选的扩展方案中，沟槽分别具有相同的深度。可替选地，沟槽可以至少部分具有不同的深度。例如，在接片之间的沟槽深度小于在原始的宽条之外的沟槽深度。由此，可以通过较大的电流扩展来对抗中间接片的较强的腔面负荷。优选的是，沟槽的深度差阶梯形地分布。可替选地，在接片之间的折射率引导的沟槽深度可以大于在原始的宽条之外的沟槽深度。由此，可以有利地通过与深度相关的沟槽坡度来有针对性地控制宽条激光器的射束轮廓。在宽条激光器的一个优选的扩展方案中，相邻的接片分别以彼此间相同的距离来设置。可替选地，相邻的接片可以至少部分地以彼此间不同的距离来设置。优选的是，相邻的内部接片彼此间具有比相邻的外部接片更大的距离。由此，可以对抗接片的不同的热负荷。在宽条激光器的一个优选的扩展方案中，接片至少部分地具有不同的宽度。优选的是，内部接片具有比外部接片更大的宽度。由此，可以对抗不同的起振(该不同的起振尤其是由于不同的热负荷而引起)，由此有利地有针对性地影响射束轮廓。
在宽条激光器的一个优选的扩展方案中，沟槽分别具有底面，该底面相应具有弯曲。沟槽的深度差优选逐渐地变化。于是，可以有利地通过较大的电流扩展来对抗中间接片的较强的腔面负荷。沟槽的底面的弯曲优选透镜状地构建。优选的是，沟槽的底面一同形成凸透镜形状。在宽条激光器的一个优选的扩展方案中，在接片上分别至少局部地设置有连接层。例如，连接层可以完全覆盖接片的背离有源层的侧。可替选地，接片上的连接层可以分别结构化地构建。优选的是，接片上的连接层分别构建为从层堆叠的两个对置的边缘回退的连接层。此外，接片上的连接层可以分别构建为设置有一个或者多个开口的连接层。连接层的开口在此可以横向于相应的接片或者沿着相应的接片延伸。由此，可以有针对性地产生具有较高吸收率的区域。在宽条激光器的另一优选的扩展方案中，在连接层的开口的区域中可以设置有另外的沟槽，其局部垂直地延伸到相应的接片中，然而并不完全穿透接片。在宽条激光器的另一优选的扩展方案中，在接片和连接层之间局部地设置有钝化层。钝化层优选电绝缘地构建。在钝化层的区域中，由此在接片的层和连接层之间并不存在电接触。连接层在此可以整面地构建，其中在连接层和层堆叠之间的电连接由于钝化层而并不整面地构建。优选的是，在外延层堆叠的上侧上设置有介电的钝化部，其中在接片上并未设置介电的钝化部。在接片上的区域中，介电的钝化部由此分别具有凹处。优选的是，介电的钝化部构建为层。优选的是，钝化层和/或介电的钝化部包含二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)或者氧化钽(Ta2O5)。在另一优选的扩展方案中，多个宽条激光器并排地设置为彼此分离的阵列，其中在相邻的阵列之间的距离优选分别大于20 μ m。在宽条激光器的另一优选的扩展方案中，在发射方向上在激光器之后设置有光学透镜或者透镜系统。根据本发明的具有受控的发射特性的宽条激光器可以有利地与光学透镜或者相应的透镜系统结合，使得实现所希望的成像特征。根据本发明的用于制造宽条激光器的方法尤其是包括以下步骤a)在生长衬底上外延生长层堆叠，其中层堆叠具有上侧和下侧，b)在层堆叠的两个对置的边缘上从上侧刻蚀层堆叠，使得构建宽条激光器结构， 以及c)在宽条激光器结构的区域中从上侧将沟槽刻蚀到层堆叠中，使得构建接片，所述接片分别具有最大20 μ m的宽度，优选具有最大10 μ m的宽度，其中相邻的接片彼此间具有最大20 μ m的距离，优选最大10 μ m的距离。传统方式已知的宽条激光器结构尤其是被分为单个带，尤其是单个接片。通过接片的不同宽度和/或通过射束轮廓的不同的折射率引导，可以针对激光器的相应应用来优化输出功率。由此，能够实现改进的光学输出功率、改进的射束密度以及延长的寿命，其中尤其是能够实现射束轮廓的同时可控的优化。宽条激光器及其制造方法的其他特征、优选的扩展方案和合乎目的性由下面结合

图1至13所阐述的实施例中得到。其中图1、3、4、6、8、10、11和12分别示出了根据本发明的宽条激光器的实施例的示意性横截面，图2、5、7和9分别示出了根据本发明的用于制造宽条激光器的一个实施例的制造方法，并且图13A至13C分别示出了根据本发明的宽条激光器的接片的实施例的俯视图。相同或者作用相同的组成部分分别设置有相同的参考标记。所示的组成部分以及组成部分彼此之间的大小关系不能视为合乎比例。在图1中示出了宽条激光器的示意性横截面，该宽条激光器具有外延层堆叠2，该层堆叠2带有产生辐射的有源层21。层堆叠2尤其是具有上侧22和下侧23。层堆叠2例如可以设置在衬底上或者支承体上(未示出)。优选的是，从有源层21来看朝向下侧23的层具有η掺杂物。从有源层21来看朝向上侧22的、层堆叠2的层优选具有ρ掺杂物。例如可以使用镁或者锌作为ρ掺杂物。激光器尤其是构建为宽条激光器1。在此，激光器结构刻蚀为使得在上侧构建有窄带，由此有利地存在通过激光器结构的折射率跳变至空气的强烈折射率引导。在图1的实施例中，尤其是除了窄带之外去除宽条激光器的ρ掺杂的层，由此在横向上限制了电子并且避免了扩散。此外，层堆叠2具有沟槽3，其中层堆叠的至少一个层被至少部分地去除，并且沟槽从上侧22朝着下侧23的方向引导。宽条激光器1由此在上侧具有另外的刻蚀区域，其中激光器结构的宽条分裂为单个带，即所谓的接片。层堆叠2、尤其是宽条激光器1的宽条在上侧由此带状地构建。接片4优选具有最大20 μ m的宽度，优选最大10 μ m的宽度，特别优选最大7 μ m的宽度。将相邻的接片4彼此分离的沟槽3分别具有最大20 μ m的宽度，优选最大10 μ m的宽度。由此，相邻的接片4彼此间分别具有最大20 μ m的距离，优选最大10 μ m的距离。通过将激光器的宽条分裂为接片4，可以有利地针对激光器的相应的应用来优化射束轮廓和输出功率。尤其是可以借助不同的接片宽度和/或不同的折射率弓I导来实现优化。其宽条被划分为接片4的宽条激光器1能够有利地实现改进的光学输出功率、改进的射束密度以及延长的寿命。尤其是，同时能够实现射束轮廓的可控的优化。此外，在大功率情况下有利地提高了效率。尤其是，这种宽条激光器的发射特性可以例如通过单个发射器密度(接片的距离)的受控的控制、激光器阈值电流的受控的控制(例如通过控制折射率引导部上的电流扩展和/或通过单个发射器的不同的接片宽度来实现)、和/或坡度的受控的控制(例如通过控制损耗来实现)或者其组合来有目的地成形。优选的是，在图1中所示的宽条激光器1是边发射器。宽条激光器1的沟槽3例如借助刻蚀工艺来制造。在图1的实施例中的刻蚀深度 T1尤其是构建为使得并不刻蚀有源层21，尤其是没有沟槽3穿过有源层21。可替选地，沟槽3可以穿透有源层21 (未示出)。在图1的实施例中，沟槽3分别具有相同的深度1\。沟槽宽度(12最大为20μπι。 尤其是，在两个相邻的接片4之间的距离于是最大为20 μ m。接片4具有最大20 μ m、优选 10 μ m的宽度屯。在层堆叠2的上侧22上优选设置有介电的钝化部9，其中在接片4上没有设置介电的钝化部9。在接片4上的区域中，介电的钝化部9由此分别具有凹处。优选的是，介电的钝化部9构建为层。优选的是，介电的钝化部9包含二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(&02)或者氧化钽(Ta2O5)。在另外的图2至13中，分别出于清楚的原因而并未示出介电的钝化部9。然而，介电的钝化部9也使用在另外图2至13中，即使其并未被明确示出。在接片4上分别设置有连接层5。在图1的实施例中，连接层5相应完全覆盖接片的背离有源层21的侧。连接层5由此优选分别设置在介电的钝化部9的凹处中。连接层5优选与接片4同样带状地构建，其中连接层5在图1的实施例中分别在接片的区域中构建为连贯的层。优选的是，连接层5在接片上相应并不具有凹处或者开口。与穿过接片4 一样地，沟槽3穿过连接层5。连接层5由此构建为结构化的、尤其是带状的连接层，其中连接层5的带与接片4 一致。尤其是，仅仅接片4的背离有源层21 的侧具有连接层5。连接层5优选具有金属或者金属合金。图1的实施例的宽条激光器能够实现提高的光学输出功率或者输出功率密度，其中减小了激光器的腔面负荷，有利地延长了寿命并且同时能够实现针对相应的应用而优化的射束轮廓。尤其是，这样构建的宽条激光器能够实现将发射特性有目的地在前向辐射、高斯轮廓以及矩形轮廓或者其混合之间进行调节。优选的是，这种具有受控的发射特性的宽条激光器可以结合透镜来使用(未示出)。尤其是，借助光学透镜或者相应的透镜系统可以实现所希望的成像特征。在图2A和2B中分别示出了用于制造根据图1的实施例的宽条激光器的制造步骤。尤其是，图2A示出了传统的宽条激光器，其中在上侧22上的层堆叠2被去除，使得在上侧构建宽条。优选的是，宽条借助第一刻蚀工艺来形成。在此，宽条激光器的有源层21优选未被刻蚀。层堆叠2在上侧具有连接层5，用于电接触宽条激光器。在下侧可以设置有衬底或者支承体(未示出)，其中在下侧优选设置有另外的连接层(未示出)，用于电接触宽条激光器。在制造宽条激光器结构之后，在设置于上侧的宽条中刻蚀沟槽3，使得宽条被分裂为接片4，或者划分为接片4，参见图2B。接片4在此优选具有最大20 μ m的宽度屯，特别优选最大10 μ m的宽度。刻蚀宽度、即沟槽宽度d2优选为最大20 μ m，优选最大10 μ m。两个相邻的接片4由此尤其是最大彼此间距离为20 μ m、优选为最大10 μ m地设置。在图1和2 的实施例中，各沟槽3的刻蚀深度T1分别大致大小相同。尤其是，刻蚀深度T1构建为使得宽条激光器的有源层21并未被穿透或者刻蚀。
传统上已知的宽条激光器结构由此在图2的实施例中借助另外的刻蚀工艺被分裂为多个宽度相同的、等距的、相同深度地刻蚀的接片4。可替选地，宽条的制造以及接片4的制造、即相应的刻蚀工艺可以在一个刻蚀步骤中进行。图3的实施例与图1的实施例不同在于，相邻的接片4至少部分彼此间距离不同地设置。优选的是，相邻的内部接片4a彼此间具有比相邻的外部接片4b更大的距离。然而，接片4a、4b彼此间的距离最大为20 μ m，优选10 μ m。通过相邻接片4a、4b的不同的距离，可以对抗不同的热负荷。由此，有利地提高了这种宽条激光器的寿命。图4的实施例与图1的实施例不同在于，沟槽3在激光器的宽条结构中具有较小的刻蚀深度1\。尤其是，沟槽3并不完全穿透激光器的宽条结构。激光器的宽条结构的深度T2相应地大于沟槽3的深度T1。由此，宽条结构被分裂为多个相同宽度的、等距的接片4，其中在接片4之间的限定折射率的刻蚀深度T1比在原始的宽条之外的刻蚀深度更小，以便通过较大的电流扩展来对抗中间接片的较强的腔面负荷。T1与T2的刻蚀深度差优选阶梯状地分布。在图5A至5D中示出了根据图4的实施例的用于制造宽条激光器的各制造步骤。在图5A中，示出了具有产生辐射的有源层21、上侧22和下侧23的层堆叠2。在上侧22上，如在图5B中所示的那样，借助第一刻蚀工艺构建有宽条结构。刻蚀优选并不穿过有源层21。第一刻蚀步骤尤其是借助光刻胶6来进行，该光刻胶构建在激光器的上侧22 上。可替选地，第一刻蚀步骤可以不用光刻胶而借助构建在激光器的上侧22上的刻蚀掩模来进行。刻蚀掩模例如可以是介电的硬掩模或者金属的硬掩模。在另一刻蚀工艺中，沟槽3刻蚀到宽条结构中，如在图5C中所示的那样。在此，在该情况中沟槽3的刻蚀深度小于宽条结构的刻蚀深度。可替选地，宽条的制造以及接片4的制造、尤其是第一刻蚀工艺和另外的刻蚀工艺可以在一个刻蚀步骤中进行。在最后的方法步骤中，如在图5D中所示的那样，去除光刻胶6，其中在接片4上设置有连接层5。图6的实施例不同于图4的实施例之处在于，沟槽3分别具有一个底面31，其分别具有弯曲。底面31的弯曲优选分别透镜状地构建。尤其是，底面31的弯曲共同具有凸面的透镜形状。由此，在图6的实施例中，沟槽3具有不同的深度。尤其是宽条结构被分裂为多个相同宽度的、等距的接片4，其中在接片之间的限定折射率的刻蚀深度小于在原始的宽条之外的刻蚀深度，以便通过较大的电流扩展来对抗中间接片的较强的腔面负荷。在该情况中， 刻蚀深度差优选逐渐地变化。在图7A至7D中示出了根据图6的实施例的宽条激光器的制造步骤。如在图7A中所示的那样，在层堆叠2上、尤其是在层堆叠2的上侧22上施加有刻蚀辅助掩模8。在刻蚀辅助掩模8上设置有光刻胶7，其优选通过热处理而流动。通过流动的光刻胶可以制造刻蚀辅助掩模的透镜状的结构。尤其是于是将刻蚀辅助掩模透镜状地结构化，如在图7B中所示的那样。该结构化优选借助至刻蚀辅助掩模8的干法化学转移来实现。在接下来的方法步骤中，如在图7C中所示的那样，将带状的胶结构6施加到透镜状的刻蚀辅助掩模8上。接着借助另外的刻蚀工艺来构建具有逐渐的折射率引导的单个带结构，如图7D中所示。尤其是，于是在层堆叠2中在上侧构建接片4和沟槽3，其中沟槽3 具有分别带有弯曲的底面31。图8的实施例与图4的实施例不同在于，沟槽3具有比激光器的宽条结构(深度 T2)更大的深度，尤其是更大的刻蚀深度1\。尤其是宽条结构分裂为多个相同宽度的、等距的接片4，其中在接片4之间的限定折射率的刻蚀深度T1逐渐地或者阶梯状地高于在原始的宽条之外的刻蚀深度，由此可以通过与刻蚀深度相关的坡度来有利地控制激光器的射束轮廓。在图9A至9D中分别示出了用于制造根据图8的实施例的宽条激光器的制造步
马聚ο类似于图5A至5D的实施例中那样，在此使用了多级的刻蚀工艺。在边缘区域中将光刻胶6施加到层堆叠2上，参见图9B，其中在此进行第一刻蚀工艺，其在层堆叠2的上侧构建第一刻蚀区域9。接着，在第一刻蚀工艺9中的区域中将带状的胶结构施加到层堆叠 2的上侧22上，其中接着进行第二刻蚀工艺，其将沟槽3刻蚀到层堆叠2的上侧22中。在此，沟槽3不同于图5A至5d的实施例刻蚀得深到使得刻蚀深度T1大于宽条结构的刻蚀深度T2，参见图9C。在接下来的方法步骤中，将带状的胶结构6去除，其中连接层5分别施加到接片4上，参见图9D。图10的实施例不同于图1的实施例之处在于，接片4具有不同的宽度bp b2。优选的是，内部接片具有比外部接片(宽度b2)更大的宽度bp根据图10的实施例的宽条激光器由此具有多个等距的、相同深度地刻蚀的、不同宽度的接片4，由此可以有利地对抗不同的起振，其中该起振通过不同的热负荷而引起。由此有利的是可以有目的地影响激光器的射束轮廓。图11的实施例不同于图1的实施例之处在于，分别设置在接片4上的连接层51、 52被结构化。尤其是，连接层51、52不同于图1中所示的连接层地具有沿着相应的接片4 引导的开口 5c。在相应的接片4上的连接层51、52相应地带状地构建，其中在该情况中连接层51、52具有两个在接片4上侧面地设置的带51、52。在带51、52之间构建有连接层的开口 5c，使得局部地在接片4上没有设置连接层51、52，尤其是在接片4的中间区域中没有设置连接层51、52。由此，连接层51、52优选由增益引导(gewirmgefuehrten)的带、尤其是金属化带组成。这样构建的连接层的俯视图例如在图13C中示出。接片4侧面地具有两个连接层 51、52，它们沿着接片4引导并且尤其是连贯的。沿着接片4居中地并未设置有连接层。图12的实施例不同于图11的实施例之处在于，接片局部地、尤其是在其中没有施加连接层5的区域中具有另外的刻蚀深度。连接层5尤其是分别设置在接片4的侧面区域中，使得另外的刻蚀深度在接片4中部构建。刻蚀深度垂直地尤其并不完全穿过接片4。在图13A至13C的实施例中分别示出了接片4的俯视图。尤其是，图13A至13C 的实施例分别示出了连接层5的附加的改进。
在图13A中，连接层5构建为并未完全连贯的连接层。尤其是，连接层5在接片4 上分别构建为从接片4的两个对置的边缘5a、5b回退的连接层5。接片4相应地在边缘区域5a、5b中并不具有连接层5。由此，可以有目的地产生具有较高的吸收性的区域。图13B的实施例不同于图13A的实施例之处在于，连接层5具有开口 5c。尤其是连接层5具有多个横向于接片4的开口 5c。与此不同，图13C的实施例具有沿着接片4的开口 5c。连接层5相应地分裂为两个带51、52，它们沿着接片4延伸。替代具有开口 5c的连接层5，在连接层5和接片4之间可以设置有钝化层(未示出)。钝化层尤其是电绝缘的，使得连接层5可以整面地构建，其中在连接层5和接片4之间的电接触部借助钝化层而并非整面地构建。尤其是，在钝化层的区域中没有进行连接层5 和接片4之间的电接触。例如，钝化层包含二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧化铝(Al2O3)、 氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)或者氧化钽(Ta2O5)。此外，根据图1、3、4、6、8、10、11或12的宽条激光器的实施例的多个宽条激光器可以并排地作为彼此分离的阵列来布置，其中在相邻的阵列之间的距离分别优选大于 20μ (未示出)。本发明并未通过借助实施例的描述而局限于此，而是包括任意新的特征以及特征的任意组合，尤其是包括权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中说明。
权利要求
1.一种带有外延层堆叠(2)的宽条激光器(1)，其包含产生辐射的有源层(21)并且具有上侧(22)和下侧(23)，其中一层堆叠(2)具有沟槽(3)，在所述沟槽中层堆叠(2)的至少一个层被至少部分地去除，并且所述沟槽从上侧(22)向下侧(23)的方向引导，一层堆叠(2)在上侧具有接片(4)，所述接片分别与沟槽(3)邻接，使得层堆叠(2)在上侧带状地构建，以及一接片⑷和沟槽⑶分别具有最大20 μ m的宽度(屯，d2)。
2.根据权利要求1所述的宽条激光器，其中层堆叠(2)的至少一个层在产生辐射的有源层(21)的、朝向下侧(23)的侧上η掺杂，并且层堆叠(2)的至少一个层在产生辐射的有源层(21)的、朝向上侧(22)的侧上ρ掺杂，并且沟槽(3)构建在层堆叠(2)的ρ掺杂的层中。
3.根据上述权利要求之一所述的宽条激光器，其中层堆叠基于InGaAlN材料系。
4.根据上述权利要求之一所述的宽条激光器，其中沟槽(3)穿透有源层。
5.根据上述权利要求之一所述的宽条激光器，其中沟槽(3)分别具有相同的深度。
6.根据上述权利要求1至4之一所述的宽条激光器，其中沟槽(3)至少部分地具有不同的深度。
7.根据上述权利要求之一所述的宽条激光器，其中相邻的接片(4)彼此间分别以相同的距离设置。
8.根据上述权利要求1至6之一所述的宽条激光器，其中相邻的接片(4)彼此间至少部分地以不同的距离来设置，其中相邻的内部接片(4a)彼此间具有比相邻的外部接片 (4b)更大的距离。
9.根据上述权利要求之一所述的宽条激光器，其中接片(4)至少部分地具有不同的宽度(b1 b2)。
10.根据上述权利要求之一所述的宽条激光器，其中沟槽(3)分别具有底面(31)，所述底面分别具有弯曲。
11.根据上述权利要求之一所述的宽条激光器，其中在接片(4)上至少局部地分别设置有连接层(5)。
12.根据权利要求11所述的宽条激光器，其中在接片(4)上的连接层(5)分别构建为从层堆叠(2)的两个彼此对置的边缘(5a，5b)回退的连接层(5)。
13.根据权利要求11或12所述的宽条激光器，其中在接片(4)上的连接层(5)分别构建为设置有一个或者多个开口(5c)的连接层(5)。
14.根据权利要求11至13之一所述的宽条激光器，其中在接片(4)和连接层(5)之间局部地设置有钝化层。
15.一种用于制造宽条激光器(1)的方法，具有以下方法步骤一在生长衬底上外延生长层堆叠(2)，其中层堆叠(2)具有上侧(22)和下侧(23)，一在层堆叠(2)的两个对置的边缘(24a，24b)上从上侧刻蚀层堆叠(2)，使得构建宽条激光器结构，以及一在宽条激光器结构的区域中从上侧地将沟槽(3)刻蚀到层堆叠(2)中，使得构建接片(4)，所述接片分别具有最大20μπι的宽度(Cl1),其中相邻的接片(4)彼此间具有最大-20 μ m的距离(d2)。
全文摘要
设计了一种宽条激光器(1)，其具有带有上侧(22)和下侧(23)的外延层堆叠(2)。层堆叠(2)具有产生辐射的有源层(21)。此外，层堆叠(2)具有沟槽(3)，其中层堆叠(2)的至少一个层被至少部分地去除，并且沟槽从上侧(22)朝着下侧(23)引导。层堆叠(2)在上侧具有接片(4)，所述接片分别与沟槽(3)邻接，使得层堆叠(2)在上侧带状地构建。接片(4)和沟槽(3)分别具有最大20μm的宽度(d1，d2)。此外，设计了一种用于制造这种宽条激光器(1)的方法。
文档编号H01S5/40GK102474078SQ201080033769
公开日2012年5月23日 申请日期2010年6月28日 优先权日2009年7月31日
发明者斯蒂芬妮·布鲁宁戈夫, 阿尔弗雷德·莱尔 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司