专利名称：具有级联oled结构的amoled的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及一种有源矩阵有机发光显示器，并且更具体地涉及一种具有提高效率的AMOLED。
背景技术：
事实上在所有有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)中，每个像素中的驱动晶体管都与每个有机发光二极管串联并为二极管提供驱动电流。驱动晶体管可以是多种薄膜晶体管(TFT)中的任意一种，其中每一种薄膜晶体管都具有优点和缺点。例如多晶硅TFT具有相对好的性能(例如高迁移率)和可靠性，但由于大晶粒尺寸(约一微米)而具有差的均勻性和差的良率。而且，多晶硅TFT制造起来相对昂贵。非晶硅(a-Si)TFT在有机发光二极管需要的大驱动电流下具有相对差的迁移率和相对差的可靠性，但它们制造起来相对廉价。为了启动有机发光二极管(和电路)，将略大于阈值电压的电压施加到驱动晶体管，其随后提供足够的电流以启动有机发光二极管。对于典型的有源矩阵来说，驱动晶体管上的最小电压降Vds约为5伏特，且有机发光二极管上的电压降大致相同。因此，大约一半的功率都会浪费在驱动晶体管上。大多数致力于提高AMOLED的效率的现有技术都专注于降低有机发光二极管上的电压(Vmd)。但降低的Vmd会进一步劣化功率利用效率，这是因为一半以上的功率都浪费在驱动晶体管上。提高总效率的另一方法是降低驱动晶体管上的电压。对于TFT有源矩阵背板来说，饱和区中的漏极电流如下定义Ids = μ C。X(W/2*L) (Vgs-Vth)2 当 Vds > (Vgs-Vth)时为了用作电流源，Vds必须保持大于(Vgs-Vth)。驱动晶体管上的最小电压受最大驱动电流下的电压(Vgs-Vth)的约束。有几种途径可以降低驱动晶体管上的电压，包括较高的迁移率，较大的栅极电容以及较大的W/L比。较大的W/L比不是一个好的解决方案，因为其需要较大的晶体管，但这是以有机发光二极管的差的开口率(aperture rate)为代价。较大的栅极电容会降低TFT的响应时间，并且在上文中结合不同类型的TFT讨论了迁移率。因此弥补现有技术中固有的上述和其他不足将是非常有利的。
发明内容
简言之，为了根据本发明优选实施例实现本发明的期望的目的，提供一种用于有源矩阵显示器的像素中的有机发光二极管电路。发光二极管电路包括具有源极/漏极电路的薄膜晶体管电流驱动器和串联级联且连接在源极/漏极电路中的η个有机发光二极管， 使得将级联的这些二极管上的电压降以系数η增大且将这些二极管中流动的电流以系数 1/η减小。可以通过将多个有机发光二极管串联级联的方法进一步实现本发明的期望的目的。该方法包括提供具有在其表面上形成的多个间隔开的电接触的衬底的步骤。随后在多个电接触上图案化围堰结构(bank structure)，使得在多个电接触的电接触上在相对的围堰结构之间限定用于多个有机发光二极管中的每个二极管的区域。在多个电接触上邻近其边缘图案化垂直直立的蘑菇状结构，且利用蘑菇状结构引导沉积而将有机材料的多个层沉积在电接触上的相对的围堰结构之间的用于多个有机发光二极管中的每个二极管的区域中。在每个区域中的多个有机材料层形成有机发光二极管，在每个区域中以所述电接触限定下部接触。利用蘑菇状结构引导沉积而将上接触沉积在用于每个二极管的区域中的有机材料的多个层上。在用于每个二极管的区域中的有机材料的多个层上的上部接触与相邻接触中的电接触进行接触，从而串联连接多个有机发光二极管。
结合附图参考本发明优选实施例的以下详细说明将使本发明的上述和其他和更具体的目的和优点对于本领域技术人员来说更加显而易见，其中图1是用于有源矩阵显示器的单个有机发光二极管电路的示意图；图2是根据本发明的有源矩阵显示器的级联有机发光二极管电路的示意图；图3是驱动晶体管中电流对电压以及有机发光二极管或多个有机发光二极管(反向)中的电流对电压的曲线图；图4是根据本发明的级联有机发光二极管的一个实施例的半示意图；图5是根据本发明的级联有机发光二极管的另一实施例的半示意图；图6是示出级联二极管的互连的简化截面图；图7是示出采用仿效(emulated)公共阳极构造将级联二极管与TFT连接的简化截面图；图8是有源矩阵彩色显示器中包括了 RGB发光二极管电路的像素的示意图；以及图9是使用颜色过滤器的有源矩阵彩色显示器中的白色像素的半示意图。
具体实施例方式现在看图1，其示出用于有源矩阵显示器的有机发光二极管电路10的示意图。可以理解虽然在全色显示器的每个像素中通常使用一些类似于电路10的电路，但单个电路 10就足以说明本发明。电路10包括有机发光二极管12，其具有连接至电源(Vdd)的阳极以及连接至驱动晶体管14的阴极。电路10示出了与η沟道TFT驱动晶体管的公共阳极构造。晶体管14的漏极连接至有机发光二极管的阴极且源极连接至接地。存储电容器16连接在晶体管14的栅极和接地之间，且晶体管18以公知构造将晶体管14的栅极连接至数据线。制作公共阳极OLED更为困难的原因是有机发光二极管的阳极材料本质上是稳定的，而阴极则是活性的或不稳定的。可使用公共阴极构造，但它们通常使用P沟道晶体管，而P沟道晶体管在某种程度上更难制造且使用起来效率更低。为了启动有机发光二极管12，电压通过晶体管18施加至驱动晶体管14的栅极。 驱动晶体管14随后提供足够的电流以启动有机发光二极管12。如上所述，在典型的有源矩阵中，驱动晶体管14上的最小电压降Vds约为5伏特，且有机发光二极管12上的电压降大致相同。因此一半的功率会“浪费”(即不产生光)在驱动晶体管14上。参考图2，通过将多个有机发光二极管与驱动晶体管串联级联而根本上解决效率问题。在图2中示出改进的有机发光二极管电路20。电路20包括与驱动晶体管M串联连接的多个有机发光二极管22，它们都以仿效公共阳极构造连接，即堆叠顶部的第一个阳极连接至公共点或电流源。虽然示出三个级联二极管，从以下公开中可以理解的是，可以采用大于一个的任何合适的数量(η)。通过在每个像素中串联级联η个有机发光二极管22，像素的电压可以系数η增大。 图4中所示，η个二极管22可通过连接隔离的二极管而横向级联。为了实现相同的亮度， η个二极管22的电流密度都相同，但每个二极管都具有原始面积的1/η，且总电流也是原始单个二极管(图1)的1/η。替代地，η个二极管22可如图5中所示垂直叠置。每个叠置的二极管都具有与原始单个二极管(图1)相同的面积。为了获得相同的亮度，电流密度可以系数1/η减小。因此，电压以系数η增大且电流和电流密度以系数1/η减小。另外参考图3中所示的曲线图，其示出一些电流对电压的曲线Ids(对于驱动晶体管M)，以及反向并叠加在曲线Ids上的一些电流对电压的曲线(对于二极管22)。可以理解，驱动晶体管M中流动的电流等于有机发光二极管22中流动的电流。而且，电源电压 Vdd等于驱动晶体管M上的电压降(Vds)和有机发光二极管22上的电压降(V_D)之和。当 Ioled和Ids处于点a时，Vds处于点a且Vdd处于点a(Vds+V_D)。例如通过增加有机发光二极管22的数量来增大Vmd，则Vdd增大至点b、c或d。可以看出将Vdd增大至点b、c或d致使 I0LED降至相关的点b、C或d中的一个，致使Ids降至相关的点b、C或d。因此，借助级联有机发光二极管22，驱动晶体管M需要的电流较低且因为需要较小的(Vgs-Vth)，源极/漏极上的电压Vds略微降低。因此在本结构中，电流以系数1/η减小且驱动晶体管M上的电压降略微降低。最重要的是，如图3中所示，η个二极管使级联二极管22上的总电压降以系数η增大。即，η个二极管22中每一个都需要与图1中所示的单个二极管12相同的电压量。每个像素的功率效率定义为(V^/UVmd)。其中是级联二极管22上的电压降。较高的像素电压非常有益于功率利用(即效率)。如果Vds = 5伏特且二极管12上的电压降是 4伏特(如图1中所示)，则功率利用仅为44%。通过级联二极管增大并通过更好的 TFT技术以及更低的二极管电流降低Vds，可大幅提高功率利用效率。利用Novald OLED材料数据SID 2007，OLED材料功率效率(没有圆形偏光镜，使用彩色滤光器取代)是13. 21m/ W。假设Vds是5V且没有进行级联(例如图1中所示)，AMOLED的功率效率约为51m/W。将 Vds降低至2. 5V，则功率效率增大至7. 251m/W。借助两个级联二极管且Vds是2. 5V，则功率效率增大至9. 071m/W。借助三个级联二极管且Vds是2. 5V，则功率效率增大至10. 361m/ff0对于AMOLED具有大像素电压的另一优势在于线电阻的问题，即连接列和/或行中的像素的线的电阻。对于相同规格来说，每条线的驱动电流随尺寸呈二次方增大，而线电阻仅随尺寸呈线性减小。因此，线上的电压降随显示器尺寸呈线性增大。例如在大面积的显示器(每条线具有几千至几万个像素)中，驱动电流可能变得非常大，这使得与像素电压相比，电源线上的电压变得很大，这会导致不均勻性。解决上述问题的一种方法是使用更宽的金属线以降低线电阻。但这种解决方法以牺牲(即降低)开口率为代价。一种更好的解决方法是使像素形成为如在本结构中实现的高电压、低电流且具有相同功率效率的器件。通过将像素形成为高电压、低电流的器件，由此降低线上的电流并降低线上的电压降。降低的电压降与提高的像素的电压降相比是小的。因此均勻性大幅提高。
—种级联有机发光二极管22的方法是如图4中所示的在有效发光区域中横向设置每个二极管。为方便起见，二极管示出为三层结构，即顶部为η型层且底部为P型层，而发光层夹在其间，然而可以根据需要颠倒η型和ρ型层。但是应当理解，有机发光二极管可包括多个层，该多个层包括空穴传输材料和电子传输材料。二极管彼此隔离，并且通过将顶部η型层连接至相邻的底部ρ型层而串联连接。横向级联二极管的工艺会略微牺牲开口率。为了实现相同亮度，级联二极管的电流密度相同，但每个二极管都具有1/η的原始面积且总电流是原始单个二极管(图1)的电流的1/η。横向级联的优点是制造简单且可以自由地将阴极或阳极连接至驱动晶体管。级联有机发光二极管22的另一种方法是如图5中所示垂直叠置二极管。为方便起见，二极管示出为三层结构，即ρ型层位于每个二极管的底部且η型层位于顶部。但可以理解，有机发光二极管可包括多个层且P型和η型层可以颠倒。垂直叠置需要形成在上部 η型层和相邻或上覆二极管的下部ρ型层之间(例如电子传输和空穴传输材料之间)的隧道结，因此制造工艺更加复杂。每个叠置的二极管都具有与单个二极管结构(图1)相同的面积。为了实现相同亮度，电流密度可以系数1/η减小且提高了每个二极管的可靠性。为了与η沟道TFT兼容，优选仿效公共连接的阳极构造，因此二极管的阳极位于底部。如上所述，存在两种级联有机发光二极管的方法，即横向(图4)或垂直(图5)级联。横向级联有机发光二极管的关键挑战在于工艺。参考图6，其示出一个具体实施例及制造方法。在该实施例中，通过光刻图案化的两个结构用于限定电连接。绝缘围堰结构用于将二极管的上电极与下电极隔离以及将该二极管的上电极与相邻二极管的下电极隔离。 “蘑菇状”结构用于以高分辨率为上电极建立隔离区，其分辨率超过通过遮罩工艺可以实现的分辨率。具体参考图6，在本特定实施例中，衬底30可以是任何合适的材料，但其应当是透明的。为方便起见，仅示出两个相邻的有机发光二极管3 和35b。导电层32沉积在衬底 30的上表面上，以便分为用于分离或分开二极管的底部接触32a，32b等。形成第一绝缘围堰结构34a以限定有机发光二极管35a的一侧。第二绝缘围堰结构36a限定有机发光二极管3 的相对侧，同时分别确保相邻二极管3 和3 的底部接触3 和32b的电分离。类似地，形成第一围堰结构34b以限定有机发光二极管35b的一侧且第二绝缘围堰结构(未示出)限定相对侧。利用公知技术通过光刻图案化底部接触3 和32b以及绝缘围堰结构 34a, 34b和36a等。应当理解，取决于本实施例的水平布局，绝缘围堰结构3 和36d形成为围绕有机发光二极管35a的公共绝缘层，且对其他二极管发光二极管来说也是相同的。通过公知的光刻和蚀刻技术图案化蘑菇状结构40且不再赘述。将认识到出于简化将蘑菇状结构40示出为T形结构，而实际形状可能实际上与所示结构不同，且还应理解的是，还可应用实现下述功能的任何结构且都将其定义为“蘑菇状结构”。取决于本实施例的水平布局，蘑菇状结构40通常形成为围绕并限定每个二极管35的边界的一般结构。借助在适当位置的围堰结构或多个围堰结构以及蘑菇状结构或多个蘑菇状结构，通过蒸发将有机材料的第一层4 和42b沉积在每个底部接触3 和32b的上表面上。层4 和42b 的蒸发是定向的(即通常沿图6中的垂直方向)，以致二极管3 的沉积例如仅发生在围堰结构3 和36a之间。蘑菇状结构40和定向蒸发的结合确保沉积基本被限制在例如围堰结构3 和36a之间的区域。如上简述，有机发光二极管可包括多个层，诸如空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、空穴阻挡层等，且虽然优选实施例将P型层或多个P型层沉积在底部上，这些层可以颠倒(即将η型层沉积在底部上)。应当理解，有机材料对辐射造成的损伤非常敏感，因此在沉积上电极(例如阴极) 时必须小心。为了保护有机材料，在本优选实施例中，顶部接触金属的第一层4 和44b通过定向蒸发分别沉积在第一层4 和42b的上表面上。缓慢进行蒸发将不会损坏下面的有机材料。在通过蒸发实现第一金属沉积后，通过第一金属层4 和44b保护有机材料不受后续沉积的影响。在本优选实施例中，通过诸如溅射、离子束沉积、CVD等其他方法沉积另外的互连金属层46a和46b，上述方法是全方向的且能侧向渗入蘑菇状结构40下方。上电极46a的互连层相对于蘑菇状结构40的高度足够薄，因此其不能桥接例如蘑菇状结构40 和顶部接触金属层44a。但是，互连金属层46a侧向渗入蘑菇状结构40下方从而在超过有机层4 和顶部接触金属层4 的边缘处与相邻的底部接触34b和围堰结构36a接触。如图6中所示，二极管3 左侧的底层是绝缘围堰34a，使得上电极46a在该区域中是被隔离的。但是，二极管3 右侧的底层是相邻二极管35b的底部接触32b，使得二极管35a的上电极46a在该区域中连接至下一相邻二极管35b的底部接触。如图7中所示，其示出级联发光二极管中的最后的发光二极管35c，以示出该最后的二极管与TFT(通常为图1中示意性示出的TFT)的连接。为了便于理解，以与图6中所示的发光二极管3 和3 相同的附图标记表示发光二极管35c中的各个部件和层。发光二极管35c的上电极46c连接至(例如图1中所示的驱动晶体管M的)源极/漏极金属 50，该源极/漏极金属50是二极管35c右侧的底层。如本领域技术人员公知的，因为阴极金属本身不稳定，通常难于形成顶部阳极构造，该阴极金属通常是诸如锂的某些活性材料， 并且优选为最后沉积。但是即使阴极金属最后沉积，也可使用图6和图7中所示的横向级联工艺以仿效公共阳极构造。例如，底部接触(例如阳极)可通过背板电路连接在一起以仿效公共阳极，且每个发光二极管电路的隔离的上电极可连接至TFT的源极/漏极接触，从而使能由底部阳极OLED的η沟道TFT驱动。应注意到，图6和图7中所示的OLED可以是底部发射结构或顶部发射结构。在底部发射结构中，底部接触32a，32b等以及衬底30是透明的。在该实例中，顶部接触金属(层 4 和44b等)可以是低电阻金属，因为其不需要是透明的。在顶部发射构造中，层4 和 44b等应至少为半透明的。因为顶部接触是相对短和薄，所以无需低电阻金属且可以通过背板提供导电性。垂直级联有机发光二极管的关键挑战在于电子和空穴传输材料之间的隧道结。随着ρ型和η型掺杂有机材料的发展，垂直级联已经成为可能。隧道结在本领域中是公知的， 因此不再赘述。通过将η个有机发光二极管与驱动晶体管串联级联，驱动晶体管中流动的电流以系数1/η减小。如上简要所述，对于有机发光二极管需要的大驱动电流来说，非晶硅(a-Si) TFT具有相对差的迁移率和相对差的可靠性，但它们制造起来相对廉价。因此，因为通过级联二极管而实质降低驱动电流，所以可以使用相对廉价的非晶硅(a-Si)TFT。此外，具有比非晶硅(a-Si)TFT的迁移率更高并且也同样相对廉价的金属氧化物TFT可以用作驱动晶体管。金属氧化物TFT和非晶硅(a-Si)或纳米晶TFT通常是η沟道晶体管，它们难于整合进公共阳极电路。但是因为公开的级联方法和结构具有通用性以及实质上降低的电流，所以金属氧化物TFT和非晶硅(a-Si)或纳米晶TFT能相对容易地整合进AMOLED中。另外参考图8，其示出有源矩阵彩色显示器中的全色像素的示意图，其包括红色、 绿色和蓝色发光二极管电路。在本实例中，示出三个级联红色二极管、三个级联绿色二极管以及三个级联蓝色二极管，其中每个二极管级联都与TFT控制结构连接。从上述公开内容应当理解，取决于颜色、应用等可级联多于或少于三个二极管。例如，在许多实例中，蓝色二极管产生较少的光，可以适当地以比绿色和红色级联更多的二极管来形成蓝色二极管级联。另外参考图9，其示出利用类似于结合图6所述的用于制造的结构的垂直叠置的二极管。该图具体示出一个以上的二极管可在围堰和蘑菇状实施例中被垂直叠置或级联。 此外，虽然图8中所示的二极管的级联或叠置可以此方式形成，图9具体示出具有位于其底部的彩色滤光器或多个彩色滤光器的白色发光二极管的叠置。在该实例中，该结构是底部发射OLED且滤光器可形成在衬底上或可直接作为衬底。对于OLED基颜色吸收或转换滤光器来说，主要挑战在于有机发光二极管的寿命。 因为在这些类型的滤光器中产生颜色衰减，所以必须足够大地驱动有机发光二极管以补偿损失。通过垂直级联η个有机发光二极管，电流密度降低η倍，因此寿命增加η15。两层叠置可以将寿命提高3倍且三层叠置可以将寿命提高5倍。而且，垂直级联可通过产生在一个结中产生所有颜色或级联发射不同的颜色的结(例如红色二极管、绿色二极管和蓝色二极管)的混合颜色光源而提高像素的寿命。级联发射不同颜色光的二极管的另一优点是更可靠。例如，因为蓝色二极管可靠性较低，所以有利的是在结中级联比其他颜色更多的蓝色二极管，这可使蓝色本身更可靠。而且，可在一些具体应用中可以结合垂直和横向级联。例如，可以整合横向级联以颠倒极性，而可以整合垂直级联以提高可靠性。因此，本发明的具体目的和优点是提供一种具有提高的效率的新颖且改良的有源矩阵有机发光显示器。该新颖且改良的有源矩阵有机发光显示器包括级联有机发光二极管。本发明的另一目的和优点是可以利用更廉价的a-Si或金属氧化物TFT制造一种新颖且改良的有源矩阵有机发光显示器。而且，已经公开了制造有源矩阵有机发光显示器的新颖和改良的方法。本领域技术人员可容易地对本文中选择的用于说明的实施例进行各种改变和修改。就这些修改和变化不脱离本发明的精神范围来说，旨在将这些修改和变化涵盖在仅由随后的权利要求的合理解释限定的本发明的范围内。已经以清楚和简明的形式充分描述了本发明，使其能被本领域技术人员理解和实现。
权利要求
1.一种用于有源矩阵显示器的像素的有机发光二极管电路，包括薄膜晶体管电流驱动器，所述薄膜晶体管电流驱动器具有源极/漏极电路；以及 η个有机发光二极管，所述η个有机发光二极管被串联级联并且连接在所述源极/漏极电路中，使得把级联的这些二极管上的电压降以系数η增大并使这些二极管中流动的电流以系数1/η减小。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管电路，其中所述η个有机发光二极管横向级联。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管电路，其中所述η个有机发光二极管垂直级联。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管电路，其中所述薄膜晶体管电流驱动器包括金属氧化物薄膜晶体管。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管电路，其中所述薄膜晶体管电流驱动器包括非晶或纳米晶硅薄膜晶体管。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管电路，其中所述薄膜晶体管电流驱动器和级联的多个有机发光二极管按仿效公共阳极构造和仿效公共阴极构造中的一种来连接。
7.一种有源矩阵有机发光显示器，所述有源矩阵有机发光显示器具有多个像素，且所述多个像素中每一个都包括至少一个有机发光二极管电路，所述有机发光二极管电路包括η个有机发光二极管，所述η个有机发光二极管被串联级联使得把级联的这些二极管上的电压降以系数η增大并把这些二极管中流动的电流以系数1/η减小，其中η是大于一的整数；薄膜晶体管电流驱动器，所述薄膜晶体管电流驱动器具有源极/漏极电路；并且级联的η个有机发光二极管连接在所述源极/漏极电路中，从而所述电流驱动器提供这些二极管中流动的电流。
8.一种有源矩阵有机发光显示器，包括多个像素，其中所述多个像素中每一个像素都包括至少一个有机发光二极管电路，所述每个像素的至少一个有机发光二极管电路响应于施加至电路的功率W产生预定量的光 Im ；所述每个像素的至少一个有机发光二极管电路都包括串联级联的η个有机发光二极管，使得将级联的这些二极管上的电压降以系数η增大，其中η是大于一的整数，且所述η 个有机发光二极管中的每个二极管都产生所述预定量的光的约1/η，使得将二极管中流动的电流以系数1/η减小；所述每个像素的至少一个有机发光二极管电路都包括具有源极/漏极电路的薄膜晶体管电流驱动器；并且级联的η个有机发光二极管连接在所述源极/漏极电路中，从而所述电流驱动器提供这些二极管中流动的电流。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管电路，其中所述η个有机发光二极管横向级联。
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管电路，其中所述η个有机发光二极管垂直级联。
11.根据权利要求8所述的有机发光二极管电路，其中所述薄膜晶体管电流驱动器包括金属氧化物薄膜晶体管。
12.根据权利要求8所述的有机发光二极管电路，其中所述薄膜晶体管电流驱动器包括非晶或纳米晶硅薄膜晶体管。
13.根据权利要求8所述的有机发光二极管电路，其中所述薄膜晶体管电流驱动器和级联的多个有机发光二极管按仿效公共阳极构造和仿效公共阴极构造中的一种来连接。
14.一种串联级联多个有机发光二极管的方法，包括如下步骤提供具有间隔开的多个电接触的衬底，所述多个电接触形成在所述衬底的表面上； 在所述多个电接触上图案化围堰结构，使得在所述多个电接触中电接触上在相对的围堰结构之间限定用于所述多个有机发光二极管中的每个二极管的区域； 在所述多个电接触上邻近其边缘图案化垂直直立的蘑菇状结构； 利用所述蘑菇状结构引导沉积而在所述相对的围堰结构之间的用于所述多个有机发光二极管的每个二极管的区域中的电接触上沉积多个有机材料层，在每个区域中的所述多个有机材料层形成有机发光二极管，在每个区域中以所述电接触限定下部接触；以及利用所述蘑菇状结构引导沉积而在用于每个二极管的区域中的所述多个有机材料层上沉积上部接触，用于每个二极管的区域中的所述多个有机材料层上的所述上部接触与相邻区域中的电接触进行接触，以串联连接所述多个有机发光二极管。
15.根据权利要求14中所述的方法，其中所述沉积多个有机材料层的步骤包括通过蒸发来定向沉积。
16.根据权利要求14中所述的方法，其中所述沉积上部接触的步骤包括通过蒸发来定向沉积所述上部接触的第一部分。
17.根据权利要求16中所述的方法，其中所述沉积上部接触的步骤包括通过溅射、离子束沉积和CVD中的一种在所述第一部分上全方向沉积所述上部接触的第二部分。
18.—种把多个有机发光二极管串联级联并且级联在薄膜晶体管电流驱动器的源极/ 漏极电路中的方法，包括以下步骤提供具有间隔开的多个电接触以及包括源极/漏极电路的薄膜晶体管电流驱动器的衬底，所述多个电接触形成在所述衬底的表面上；在所述多个电接触上图案化围堰结构，使得在所述多个电接触的电接触上在相对的围堰结构之间限定用于所述多个有机发光二极管中的每个二极管的区域； 在所述多个电接触上邻近其边缘图案化垂直直立的蘑菇状结构； 利用所述蘑菇状结构引导沉积而在所述相对的围堰结构之间的用于所述多个有机发光二极管的每个二极管的区域中的电接触上沉积多个有机材料层，在每个区域中的所述多个有机材料层形成有机发光二极管，在每个区域中以所述电接触限定下部接触；利用所述蘑菇状结构引导沉积而在用于每个二极管的区域中的所述多个有机材料层上沉积上部接触，用于每个二极管的区域中的所述多个有机材料层上的上部接触与相邻区域中的电接触进行接触，以串联连接所述多个有机发光二极管；以及将所述相邻区域的上部接触连接至所述薄膜晶体管电流驱动器的所述源极/漏极电
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述提供薄膜晶体管电流驱动器的步骤包括提供非晶或纳米晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管中的一种。
全文摘要
一种有源矩阵有机发光显示器，包括多个像素，且每一个像素都包括至少一个有机发光二极管电路，每个二极管响应于施加至电路的功率W而产生预定量的光lm，且包括n个被串联级联的有机发光二极管，使得将级联的这些二极管上的电压降以系数n增大，其中n是大于一的整数。n个有机发光二极管的每个二极管产生预定量的光lm的约1/n，使得将这些二极管中流动的电流以系数1/n减小。每个像素的有机发光二极管电路都包括薄膜晶体管电流驱动器，且级联的这些二极管被连接在源极/漏极电路中，从而电流驱动器提供二极管中流动的电流。
文档编号H01L51/50GK102576811SQ201080036491
公开日2012年7月11日 申请日期2010年7月19日 优先权日2009年8月17日
发明者俞钢, 谢泉隆 申请人:希百特股份有限公司