专利名称：连接孔的制作方法
连接孔的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制作工艺，特别是涉及一种连接孔的制作方法。
背景技术：
在芯片制造的后端工艺中，连接孔的制备是一道必不可少的步骤，连接孔的作用主要是将两层金属连线层连接起来。从清洗完连接孔到开始淀积连接孔内的阻挡层有一段等待时间，等待时间有预定值的限制。由于预定值一般只有几个小时，因此经常出现实际等待时间超过预定值的情况。这种情况下，如果不进行有效的处理，刻蚀形成连接孔的时候产生的副产物很容易吸收空气中的水汽，从而导致后续的连接孔内的阻挡层填充不好，如此会造成连接孔电阻偏高，影响产品的良率。图I是实际等待时间超过预定值后未进行处理的两片芯片的良率图，从图I中可以看出位于晶圆中部的芯片是坏的芯片，不能正常工作。
发明内容
本发明的目的在于提供一种连接孔的制作方法，其提高芯片的良率。为实现上述目的，本发明采用如下技术方案一种连接孔的制作方法，包括如下步骤提供半导体基底，所述半导体基底上形成有待刻蚀层；刻蚀所述待刻蚀层，形成连接孔；清洗所述连接孔；在所述连接孔内淀积阻挡层；所述清洗步骤完成的同时开始计时；若计时的时间达到预定值，而又尚未开始所述淀积阻挡层的步骤，对所述连接孔进行再清洗。在优选的实施例中，所述再清洗步骤所用的时间小于所述清洗步骤所用的时间。在优选的实施例中，所述再清洗步骤所用的时间为五分钟。在优选的实施例中，所述清洗步骤所用的时间为三十分钟。在优选的实施例中，所述再清洗采用EKC溶液。在优选的实施例中，所述清洗采用EKC溶液。超时后对连接孔进行再清洗，可清洗刻蚀步骤中产生的副产物，从而使得电阻值较低，保证连接孔的导电性能。
图I为实际等待时间超过预定值后未进行处理的两片芯片的良率图；图2为经过本实施例方法处理后的两片芯片的良率图。
具体实施方式本实施例的连接孔的制作方法包括如下步骤提供半导体基底，半导体基底上形成有待刻蚀层；刻蚀待刻蚀层，形成连接孔；清洗连接孔；在连接孔内淀积阻挡层。清洗连接孔的步骤主要清洗刻蚀待刻蚀层步骤中产生的副产物，如此可以使得连接孔的电阻值较小。一般清洗步骤完成到开始淀积阻挡层步骤会有一段等待时间，等待时间有预定值的限制，根据芯片制作工艺的不同等待时间的预定值不同。实际等待时间未超过预定值时，芯片的良率较高，该预定值可通过实验得到。本实施例中，清洗步骤完成的同时开始计时，计时的时间即为实际等待时间；若计时的时间达到预定值，而又尚未开始淀积阻挡层的步骤，对连接孔进行再清洗。再清洗步骤主要清洗上述清洗步骤中未清洗完全的刻蚀待刻蚀层步骤中产生的副产物，该副产物易吸收空气中的水汽，在等待时间中副产物吸收了空气中的水汽，经过再次清洗可去除副产物及其吸收的水汽，从而使得连接孔的电阻值较小，保证连接孔的导电性能。再清洗步骤的时间无需太长，短时间的清洗即可达到上述效果。再清洗步骤所用的时间小于所述清洗步骤所用的时间。一般清洗步骤所用的时间为三十分钟。经过试验得出，再清洗步骤所用的时间为五分钟，试验证明五分钟的时间较为恰当，清洗效果较好。如此，耗时较短且产能高。本实施例中，清洗采用EKC溶液，再清洗也采用EKC溶液。EKC溶液为购自EKCTechnology, Inc. , Hayward, CA 的溶液。EKC 溶液为一胺类为主的剥除剂(amine-based stripper)，主要是出羟胺、有机溶剂、抑制腐蚀剂和水组成，能够除去刻蚀待刻蚀层步骤中 产生的副产物等。如此,成本较低。图2是实际等待时间超过预定值，经过再清洗步骤后的两片芯片的良率图。对比图I和图2，可以看出图2的芯片的良率较高，图2的晶圆上的芯片基本是好的芯片。如此可见，本实施例的方法效果明显。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种连接孔的制作方法，包括如下步骤 提供半导体基底，所述半导体基底上形成有待刻蚀层； 刻蚀所述待刻蚀层，形成连接孔； 清洗所述连接孔； 在所述连接孔内淀积阻挡层； 其特征在于所述清洗步骤完成的同时开始计时；若计时的时间达到预定值，而又尚未开始所述淀积阻挡层的步骤，对所述连接孔进行再清洗。
2.根据权利要求I所述的连接孔的制作方法，其特征在于所述再清洗步骤所用的时间小于所述清洗步骤所用的时间。
3.根据权利要求2所述的连接孔的制作方法，其特征在于所述再清洗步骤所用的时间为五分钟。
4.根据权利要求2或3所述的连接孔的制作方法，其特征在于所述清洗步骤所用的时间为三十分钟。
5.根据权利要求I所述的连接孔的制作方法，其特征在于所述再清洗采用EKC溶液。
6.根据权利要求I或5所述的连接孔的制作方法，其特征在于所述清洗采用EKC溶液。
全文摘要
本发明公开一种连接孔的制作方法，包括如下步骤提供半导体基底，所述半导体基底上形成有待刻蚀层；刻蚀所述待刻蚀层，形成连接孔；清洗所述连接孔；在所述连接孔内淀积阻挡层；所述清洗步骤完成的同时开始计时；若计时的时间达到预定值，而又尚未开始所述淀积阻挡层的步骤，对所述连接孔进行再清洗。超时后对连接孔进行再清洗，可清洗刻蚀步骤中产生的副产物，从而使得电阻值较低，保证连接孔的导电性能。
文档编号H01L21/02GK102915951SQ201110221369
公开日2013年2月6日 申请日期2011年8月3日 优先权日2011年8月3日
发明者李艳, 杨杰, 杨兆宇, 谢宝强 申请人:无锡华润上华科技有限公司