专利名称：光伏模块的透明传导膜中还原的传导区域的形成方法
技术领域：
本发明针对具有透明传导膜的薄膜制品和用于改性透明传导膜的方法。
背景技术：
能量需求在不断增加。由于能量需求增加，对化石燃料能源备选的源重要性增加。 一个这样的备选能源是太阳能。一般，太阳能通过将辐射(例如，日光)转换成可存储或通过电力网传输的电力来生产。透明传导氧化物(TCO)用作PV模块中薄膜光伏(PV)电池的在操作期间接收日光的一侧上的电接触的导电层层。在处理期间，使用薄膜施加方法和划刻技术，使用化学或激光以选择性去除材料提供电池间的互连。由于该处理和形成这些互连的结构，电池之间的互连区域是“死区”(即，没有光收集)并且不发电。另外，传导层之间的互连是对PV模块中串联电阻的大贡献者。因此，减少PV电池之间的互连区域的电阻是可取的。用于生产在电池间的互连中具有减小的电阻/增加的导电率，而不影响PV电池的有效区域的制品的方法将是可取的。
发明内容
本公开的一个方面包括用于在透明传导膜中形成还原的传导区域的方法。该方法包括提供透明导电的化学上可还原的材料。提供还原性气氛，并且将来自能源的集中的电磁能量引导朝向该透明导电的化学上可还原的材料的一部分来形成还原的传导区域。该还原的传导区域具有比该透明导电的化学上可还原的材料更大的电导率。本公开的另一方面包括具有选择性改性的电导率的薄膜制品。该制品包括基板， 其具有透明导电的化学上可还原的材料和选择性设置在该导电的化学上可还原的材料内的还原的传导区域。该还原的传导区域具有比该透明导电的化学上可还原的材料更大的电导率。本公开的再另一方面包括具有透明传导氧化物层的薄膜光伏模块。该模块包括选择性设置在该透明传导氧化物层内的还原的传导区域。该还原的传导区域具有比该透明传导氧化物层更大的电导率。从下列与附图(其通过示例说明本发明的原理)结合来看的优选实施例的更详细描述，本发明的其他特征和优点将是明显的。
图1示出根据本公开安装在基底上的薄膜模块。图2是根据本公开的组成模块的电池的层系统的图。图3是根据本公开的用于形成模块的示范性工艺的工艺流程图。图4示出图1的薄膜模块的放大区域400。
图5示出在图4的5-5方向上获取的截面图。图6是根据本公开的用于形成互连的示范性工艺的工艺流程图。图7是用于形成还原的传导区域的示范性工艺的工艺流程图。图8是根据本公开的用于形成还原的传导区域的设备。图9是根据本公开的用于在PV电池中形成还原的传导区域的设备。只要有可能，在全部图中将使用相同的标号表示相同的部件。
具体实施例方式提供用于生产制品的方法，该制品在电池间的互连中具有减小的电阻率/增加的导电率，而基本上不影响PV电池的有效区域。本公开的实施例可导致具有在电池间的互连区域中减小的电阻率和增加的总模块效率的制品。另外，其他实施例可允许在容易获得的例如形成气体或一氧化碳等氧还原气体的存在下形成互连期间，在可控环境中激光划刻互连，其减小了模块的串联电阻。本公开的系统和方法可增加PV模块效率，而没有复杂或昂贵的设备或工艺。本公开中，当层被描述为“邻近”另一层或基板、“在其上”或“在其上方”时，要理解的是该层可以直接接触或者另一层或特征可以插入。另外，“死区”包括跨PV模块当暴露于光时不产生电力的区域。例如，死区可包括不具有产生电力的材料的区域，或者可包括被电隔离的电力产生层。相反，“有效区域”包括跨PV模块当暴露于光时产生电力并可连接至负载的区域。当层或材料被描述为“透明的”时，要理解的是透明膜包括对于处于自然日光中发现的一些或全部波长的光完全或部分透明的材料。当层或材料被描述为“导电的”、 “传导的”或是“导体”时，要理解的是该材料允许电力流动且具有或不具有电阻。当层或材料被描述为“电绝缘的”、“绝缘的”或是“绝缘体”时，要理解的是该材料阻碍或防止电力流动。“还原的”、“还原性”、“还原”和其的其他语法上的变化形式指材料的化学还原，其中发生了通过分子、原子或离子的电子的获得或氧化态的减少。特别地，还原可包括从氧化物化学去除氧，来形成金属性或部分金属性材料。关于层、制品和材料的“改性”和其的其他语法上的变化形式指的是导致与原始材料不同的性质的材料中的改变，例如化学改变等。本公开的一个实施例包括用于将PV模块的死区中的透明传导层，典型的透明传导氧化物层(TCO)，转变为更高传导率的金属的方法。该转变工艺可包括从TCO中去除氧的化学还原工艺。转变TCO所借助的方法是通过在吸氧气体(例如氢、形成气体或一氧化碳等)的存在下通过激光加热时在膜中减少氧。图1示出安装在基底103上的薄膜PV模块100。该PV模块设置成用于接收光 105。该PV模块分成串联设置的多个电池107。该电池107由间隔、非传导性材料和/或其他分开电路的结构分隔。例如，电池107可由通过激光划刻形成的划刻互相隔离。当PV 模块100暴露于光105时，产生电力。本公开不限于示出的设置并且可包括其他安装设置和/或电池107。例如，电池107可沿模块100的长尺寸、而不是模块100的短尺寸取向。 本公开的一个实施例包括薄膜CdTe太阳光伏(PV)模块。这样的模块用于产生太阳电力用于许多应用，例如大型地面安装系统和在商业和居住建筑上的屋顶系统。尽管PV模块可是薄膜结构，本公开的方法和系统还可用于形成例如Si或族III-V基聚集体(例如GaAs和 GaInP)等晶体太阳能电池上的网格线前接触。
图2是形成PV模块100的电池107的层系统的图。电池107的层包括顶板201、 第一传导层203、缓冲层205、第一半导体层207、第二半导体层209、第二传导层211和封装玻璃213。电池107的层设置成当暴露于光105时产生并且传导采用可用形式的电力。顶板201是薄膜生长到其上的高透射玻璃板。顶板在下面的层之前接收光105 (参见图1)。顶板201可是标准钠钙玻璃、高透射低铁浮法玻璃或对于光105具有高透射率的任何其他适合的玻璃材料。在另一个实施例中，顶板201还可是高透射硼硅酸盐玻璃。在光105通过顶板201后，光的至少一部分通过第一传导层203。第一传导层203 可是透明传导氧化物(TCO)，其允许光105以很少的吸收或没有吸收地透射。第一传导层 203也是导电的，其允许电传导以提供电池的串联设置。第一传导层203形成为提供导电性但允许至少一些光105通过的厚度。尽管没有这样限制，在一个实施例中，第一传导层 203可形成为氧化锡的大约0. 1-0. 7 μ m或0. 1-0. 4 μ m或0. 2-0. 3 μ m或0. 2-1. 0 μ m或 0. 3-0. 7 μ m或0. 35-0. 55 μ m的厚度。用于在形成第一传导层203中使用的一个适合的材料可以是掺氟的氧化锡。其他适合的传导层可以包括，例如化学计量的锡酸镉(名义上的Cd2SnO4)、掺铝氧化锌、氧化铟锡、掺杂的氧化铟、掺锌或镉的氧化锡、铜铝氧化物或氧化镉锡的另一个化合物(例如CdSnO3等)。第一传导层203可允许光105通过以到达半导体层(例如，第一半导体层207和第二半导体层209)同时也起欧姆电极的作用以输运光生电荷载流子远离光吸收材料。缓冲层205邻近第一传导层203。缓冲层205电阻更高并且保护电池107的层免于来自玻璃的化学相互作用和/或可能从随后处理招致的相互作用。包括缓冲层205减少或防止跨电池107和跨模块100可发生的电或其他损耗。缓冲层205的适合材料可包括含氧化锡的材料，例如但不限于掺锌的氧化锡、氧化锌和氧化锡的混合物(例如，具有0. 5至 33原子％ Zn的氧化锌锡)、锡酸锌、氧化镓、氧化铝、氧化硅、氧化铟、氧化镉和具有比第一传导层203更高的电阻以及保护电池的层免于来自玻璃的相互作用或来自随后处理的相互作用的能力的任何其他适合的阻挡材料。另外，包括缓冲层205允许形成第一半导体层 207，其允许光子通过同时维持能够产生电力的高质量结。在某些实施例中，缓冲层205可省略或由另一个材料或层替换。在一个实施例中，缓冲层205包括ZnO和SnO2W组合。例如，在一个实施例中，缓冲层205(尽管没有这样限制)可形成为高达大约1.5微米或大约 0. 8-1. 5微米的厚度并且可包括具有大约1至22wt%的Si和Si对Sn比从大约1 60到 1 2或者从大约1 5到大约1 18或者为大约1 10的ZnO和Sn02。其他适合的Si 对Sn比可包括0 1至1 2或者大约0 0. 5。如在图2中示出的，第一半导体层207邻近缓冲层205并且继顶板201、第一传导层203和缓冲层205之后接收光105。第一半导体层207包括宽带隙η型半导体材料。第一半导体层207的适合的半导体材料包括但不限于CdS、SnO2, CdO、ZnO, AnSe, GaN, In2O2, CdSnO.ZnS.CdZnS或其他适合的η型半导体材料。在一个实施例中，第一半导体层207包括 CdS0尽管没有这样限制，第一半导体层207可具有从大约0. 01至大约0. 12 μ m或者0. 03 至0. 1 μ m或者0. 05至0. 9 μ m或者大约0. 08 μ m的厚度。第一半导体层207可通过化学浴沉积或通过溅射形成。第一半导体层207优选地具有平滑表面并且大致上是均勻的并且没有杂质以及针孔。
第一半导体层207与第二半导体层209形成结以在电池107中形成光伏效应，从而允许从光105产生电力。第二半导体层209可包括例如Cd、CdTe或其他ρ型半导体材料。当向第二半导体层209提供第一半导体层207时，当暴露于光105时光伏效应产生。如在图2中示出的，第二半导体层209邻近第一半导体层207。第二传导层211邻近第二半导体层209并且提供导电材料，其能够传导当暴露于光105时由第一半导体层207 和第二半导体层209的组合形成的电力。尽管图2示出第一半导体层207和第二半导体层 209的两层设置，可利用任何数目的层(包括间隙层)来提供光伏效应。第二传导层211可用任何适合的传导材料和其的组合制造。例如，适合的材料可包括，包括但不限于石墨、金属银、镍、铜、铝、钛、钯、铬、钼，金属银、镍、铜、铝、钛、钯、铬、和钼的合金以及其的任何组合的材料。在一个实施例中，第二传导层211可是石墨与镍和铝合金的组合。封装玻璃213可邻近第二传导层211粘附。封装玻璃213可是适合与电池107的薄膜使用的刚性结构。封装玻璃213可是与顶板201相同的材料或可是不同的。另外，尽管没有在图2中示出，封装玻璃213可包括开口或结构以允许到电池107的布线和/或连接。模块100和个体电池107可包括没有在图2中示出的其他层和结构。例如，顶板 201和/或封装玻璃213可包括阻挡涂层或其他结构以便于减少或防止杂质扩散进入层中。 另外，封装玻璃213可包括粘附层以将封装玻璃213粘附到这些层。可在模块100和/或电池107中存在的另外的结构包括例如划刻、汇流排连接(bussing)结构、外部布线和与薄膜和/或PV结构能够一起使用的各种常规部件。图3示出用于形成模块100的示范性工艺的工艺流程图。该工艺包括形成电池 107的薄膜堆叠的形成，其中膜或层在顶板201上形成(在图2中从顶部向下示出)。如在图3的流程图中示出的，提供顶板201 (框301)。顶板201可用能够收容用作光伏电池的薄膜并且足够透明以允许光105透射的任何适合材料制造。继提供顶板201后，第一传导层203沉积到顶板201上(框30 。第一传导层203 是导电的，其允许电传导以提供电池107的串联设置。尽管没有这样限制，在一个实施例中第一传导层203可形成为氧化锡的大约0. 1-0. 7 μ m或者0. 1-0. 4 μ m或者0. 2-0. 3 μ m或者0. 2-1. 0 μ m或者0. 3-0. 7 μ m或者0. 35-0. 55 μ m的厚度。其他适合的传导层可包括掺氟化学计量锡酸镉(名义上Cd2SnO4)、掺铝氧化锌、氧化铟锡、掺杂的氧化铟、掺锌或镉的氧化锡、铜铝氧化物或氧化镉锡的另一个化合物(例如CdSnO3等)。第一传导层203可以例如通过直流(DC)或射频(RF)溅射形成。在一个实施例中，第一传导层203是利用化学气相沉积(CVD)沉积到顶板201上的氧化锡大致上非晶Cd2SnO4层。可以在含氧环境中用含锡和氟的前体进行这样的CVD。一旦施加第一传导层203，缓冲层205可施加到第一传导层203 (框30 。在一个实施例中，缓冲层205可例如通过溅射形成。在一个示例中，缓冲层205可通过从热压靶 (含例如主要地Sn和按重量1-22%的Zn，或大约67mol % SnO2和大约33mol % ZnO的化学计量数量)溅射到第一传导层203上形成。当通过溅射沉积时，缓冲层205的氧化锌锡材料可是大致上非晶的。缓冲层205可具有大约200和3，000埃之间、或大约800和1，500 埃之间的厚度，以便具有可取的机械、光学和电性质。缓冲层205可具有宽光学带隙，例如大约3. 3eV或更高，以便允许光105的透射。第一半导体层207沉积在缓冲层205上(框307)。在一个实施例中，第一半导体层207可例如通过化学浴沉积或通过溅射形成。尽管没有这样限制，第一半导体层207可沉积到从大约0. 01至0. 3 μ m或大约0. 01至大约0. 12 μ m或者0. 03至0. 1 μ m或者0. 05至 0. 9 μ m或者大约0. 08 μ m的厚度。用作第一半导体层207的一个适合的材料可包括CdS。 CdS层的适合厚度可在从大约500至800埃的范围内。第一半导体层207与第二半导体层 209形成结以在电池107中形成光伏效应，允许电池107从光105产生电力。在第一半导体层207形成后，第二半导体层209沉积在第一半导体层207上(框 309)。第二半导体层209可包括CcUCdTe或其他ρ型半导体材料。第二半导体层209可通过扩散输运沉积、溅射或用于沉积P型半导体层薄膜材料的其他适合的沉积方法沉积。继第二半导体层209形成后，形成第二传导层211 (框311)。第二传导层211可用任何适合的传导材料制造。第二传导层211可通过溅射、电沉积、丝网印刷、物理气相沉积 (PVD)、化学气相沉积(CVD)或喷涂形成。在一个实施例中，第二传导层211是丝网印刷到表面上的石墨和溅射到其上的镍和铝合金的组合。上文描述的所有溅射步骤可在高纯气氛下在环境温度磁控溅射。例如，氧化锌锡缓冲层205可以通过DC溅射形成。然而，可使用其他的沉积工艺，包括更高温度的溅射、电沉积、丝网印刷、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或喷涂。另外处理可在连续线中提供或可是一系列分批操作。当工艺是连续工艺时，溅射或沉积腔被单独隔离并且在每个涂覆循环期间达到涂覆条件，然后重复。一旦第二传导层211形成，封装玻璃213粘附到第二传导层211 (框313)。封装玻璃213可是适合与薄膜结构一起使用的刚性材料并且可是与顶板201相同的材料或不同材料。封装玻璃213可使用任何适合的方法粘附到第二传导层211。例如，封装玻璃213可使用粘合剂或其他接合成分粘附到第二传导层211。尽管没有在图3中示出，在用于形成模块100和电池107的工艺中可包括其他处理步骤。例如，还可利用清洁、蚀刻、掺杂、介电或其他选择性绝缘材料的沉积、间隙层的形成、划刻、热处理和布线。可提供布线和/或汇流排连接装置来完成PV电路(即，采用串联设置的电池107)和提供PV电路到负载或其他外部装置的连接性。可利用划刻来形成层与层之间的互连以及隔离电池和/或薄膜堆叠的层。划刻可使用用于划刻和/或互连薄膜层的任何已知技术完成。在一个实施例中，划刻使用从一个或多个方向弓I导于一个或多个层的激光完成。可利用一个或多个激光划刻来选择性地去除薄膜层并且提供电池107的互连性和/或隔离。在一个实施例中，完成划刻和层沉积来互连和/或隔离电池107以提供具有采用串联电设置的电池107的PV电路。图4示出来自图1的放大区域400。如图4中示出的，电池通过互连401分隔。互连401可是用于在电池107之间形成电互连的任何适合的结构。适合的结构可包括间隔或划刻、介电材料、绝缘材料、布线、传导材料或者用于在电池107之间形成电连接的其他适合材料。图5图示在图4的5-5方向上获取的用于互连401的示范性膜堆叠的侧视图。如图5中示出的，互连401包括在电池107之间形成的结构。如图5中示出的，互连401包括第一划刻503、第二划刻505和第三划刻507。互连401的第一划刻503、第二划刻505和第三划刻507在电池107的形成期间(参见图3的方法)形成。图6包括图示用于形成互连401的示范性方法的流程图。该方法包括沉积第二半导体层209(框309)，如关于图3的框309示出和描述的。具体的，第一划刻503继第二半导体层的沉积后形成(框60 ，并可通过将能量源(例如采用集中电磁能的形式)或者射束引导通过顶板201来选择性去除其上存在的层来形成。适合的能量源可包括，但并不限于激光、射频(RF)、电子束、离子束、红外(IR)或用于快速热处理(RTA)的源。在另一实施例中，划刻可通过例如光刻等化学工艺形成。为了提供电隔离，第一划刻503用介电材料509填充(框605)。适合的介电材料可包括，但并不限于负性光刻胶(negative photo resist)或其他适合的介电材料。用于形成互连401的方法进一步包括在沉积第二传导层211的期间形成第二划刻 505(图6的框609，图3的框311)。该步骤包括沉积第二传导层211的第一部分511。该第一部分511可包括任何适合的传导材料。适合的第一部分511可包括，例如石墨。在第一部分511形成以后，可通过将来自能量源的集中电磁能或射束引导通过顶板201来选择性去除其上存在的层而形成第二划刻505 (框609)。该能量源可是任何适合的能量源，并可包括用于形成第一划刻503的相同或不同源。继形成第二划刻505以后，提供第二传导层211的第二部分513(框611)。该第二部分513可是任何适合的传导材料，并可包括，例如金属合金，例如包含Ni和Al的合金等。例如，在一个实施例中，包含石墨层的第一部分 511在第二划刻505之前提供，包含金属层的第二部分513在形成第二划刻505之后提供。 除了给电池107提供第二部分513之外，第二部分513还沉积到由第二划刻505形成的表面上。由于第二传导层211的第二部分513导电，第二部分将第一传导层203和缓冲层205 电连接至第二传导层211。该连接(参见下文，当用第三划刻507隔离时)使电池107处于串联设置。第三划刻507继第二传导层211的沉积之后形成(框61 。第三划刻507可通过将来自能量源的集中电磁能从与顶板201相反的方向引导到这些层上来选择性去除其上存在的层而形成。能量源可是任何适合的能量源，并可包括用来形成第一划刻503的相同或不同源。第三划刻507将第一传导层211、第一半导体层207和第二半导体层209断开， 但允许缓冲层205和第一半导体层203保留(参见图幻。在第三划刻507之后保留的模块 100的设置是电池107的串联设置。在第二传导层211的第一部分511的沉积之后形成的第二划刻505(参见图6中框609)导致延伸至第一传导层203的间隔(参见图5)。在本公开的一个实施例中，还原的传导区域501在第一传导层203上形成。该还原的传导区域501是其中第一传导层203 的材料被至少部分化学还原的区域。该还原的传导区域501可沿第一传导层203设置。该还原的传导区域501的放置可使得该还原的传导区域501占用不产生电力的模块100的死区，其中该还原的传导区域501中的任何不透明度或缺少透明度不影响模块100的性能。另外，在还原的传导区域501的区域中第一传导层203增加的传导率或减少的电阻率增加模块100的效率和/或性能。图7包括图示用于形成还原的传导区域501的示范性方法的流程图。该方法包括提供透明、导电、可还原材料(框701)。该可还原材料可例如是包括透明传导氧化物(TCO) 材料的第一传导层203。适合的可还原材料可包括Sn02、In203> Cd2SnO4, SiO、其他可还原材料及其组合。该方法进一步包括提供还原性气氛(框70 。该还原性气氛可包括例如氢气、一氧化碳、转化气体或其他适合的还原性气体等气体。示范性还原性气氛可包括一氧化碳和形成气体H2,95-96% N2)环境气体组成的组合。在另一实施例中，该还原性气氛可包括气体添加物，以在形成的还原的传导区域501中提供可取的材料性质。在该实施例中，还原的传导区域501可包括还原的气体添加物。在一个实施例中，提供该气体添加物以减少或消除由还原或暴露于热所导致的体积变化量。适合的气体添加物可包括有机金属气体，例如四氯化锡、二甲基镉、二甲基锌或其组合。例如激光等能量源采用集中电磁能的形式引导朝向可还原材料(框70 。激光或其他能量源配置成产生集中电磁能，其具有给可还原材料提供热和能量的功率密度和/或波长。来自能量源801(参见例如图8)的集中电磁能803在还原性气氛中接触可还原材料所处的还原的传导区域501包括便于可还原材料的还原以形成还原的传导区域501(框707)的状况。还原的传导区域501包括比可还原材料的传导率更大的电导率。图8图示用于形成如图7中示出和描述的还原的传导区域501的设备。如图8中示出的，能量源801发射引导于第一传导层203的表面805的集中电磁能803。能量源801 可是能够向第一传导层203的表面805提供足够热量的能量源，以至少部分还原该第一传导层203。该工艺在能够在表面805提供还原性气氛809的腔807中完成。当集中电磁能 803在还原性气氛的存在下接触表面805时，第一传导层203至少部分还原以形成还原的传导区域501。在一个实施例中，还原的传导区域501是金属性的。在某些实施例中，还原的传导区域501是至少部分不透明的。在这些实施例中，还原的传导区域501的放置使得不透明在不阻碍日光的区域中和/或大致上不影响模块100操作。图9示出另一实施例，其中当正形成第二划刻505(图6的框609)时形成还原的传导区域501。在该实施例中，能量源801包括引导通过顶板201的例如激光束等集中电磁能803，其中选择性地去除第一传导层203的第一部分511、缓冲层205、第一半导体层207、 第二半导体层209和第二传导层211。集中电磁能803向第一传导层203的表面805提供热量。另外，向表面805提供还原性气氛809，导致在第一传导层203上形成还原的传导区域 501。尽管上文已经关于光伏模块和光伏器件描述，本公开的方法、薄膜结构和设备可与其他薄膜器件一起使用。可与本公开一起使用的其他薄膜器件包括但并不限于光电探测器、二极管应用或薄膜显示器。尽管本发明已经参照优选实施例描述，本领域内技术人员将理解可做出各种改变并且等同物可代替其的元件而不偏离本发明的范围。另外，可做出许多修改以使特定情况或材料适应于本发明的讲授而不偏离其的本质范围。因此，规定本发明不限于作为设想用于执行本发明的最佳模式公开的特定实施例，而本发明将包括落入附上的权利要求的范围内的所有实施例。部件列表
100PV模块401互连103基底501还原的传导区域
权利要求
1.一种用于在透明传导膜中形成还原的传导区域(501)的方法，所述方法包括 提供透明导电的化学上可还原材料；提供还原性气氛(809)；以及将来自能量源(801)的集中的电磁能量(803)引导朝向所述透明导电的化学上可还原材料的一部分来形成还原的传导区域(501)；其中所述还原的传导区域(501)具有比所述透明导电的化学上可还原材料更大的电导率。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述可还原材料是透明传导氧化物。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述透明传导氧化物选自Sn02、In2O3>Cd2SnO4, ZnO 和其组合构成的组。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述透明导电的化学上可还原材料是薄膜光伏模块 (100)的传导层。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述透明导电的化学上可还原材料的所述一部分是死区。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述还原的传导区域(501)沿所述层设置。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述还原性气氛(809)包括选自氢气、一氧化碳、转化气体和其组合构成的组中的气体。
8.如权利要求1所述的方法，其中提供所述还原性气氛(809)进一步包括提供气体添加物。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述气体添加物是有机金属气体。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述有机金属气体选自四氯化锡、二甲基镉、二甲基锌和其组合构成的组。
全文摘要
本发明涉及光伏模块的透明传导膜中还原的传导区域的形成方法。一种用于在透明传导膜中形成还原的传导区域(501)的方法。该方法包括提供透明导电的化学上可还原材料。提供还原性气氛(809)，以及将来自能量源(801)的集中的电磁能量(803)引导朝向该透明导电的化学上可还原材料的一部分，来形成还原的传导区域(501)。该还原的传导区域(501)具有比该透明导电的化学上可还原的材料更大的电导率。还公开了一种薄膜制品和光伏模块(100)。
文档编号H01L31/18GK102315325SQ201110234999
公开日2012年1月11日 申请日期2011年7月1日 优先权日2010年7月1日
发明者J·M·弗里, S·D·费尔德曼-皮博迪 申请人:初星太阳能公司