具有加密结构的ip模块及其制造方法

文档序号:7164761阅读:232来源:国知局
专利名称:具有加密结构的ip模块及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体晶圆的制造方法,尤其涉及一种具有加密结构的IP模块及其制造方法。
背景技术
随着集成电路工艺的飞速发展,人们已经可以将原先的板级系统集成在一块芯片上,系统芯片(system on chip)逐渐成为集成电路设计的主流发展趋势。SOC的出现在很大程度上提高了整个系统的性能,并很好的解决了板级系统固有的噪声问题和板级连线延时所带来的速度问题。它的出现具有划时代的意义,是信息技术发展的一个重要的里程碑。
SOC在设计上,基本上是将多数的IP (Intellectual Property)整合在同一个晶片上,基本上,半导体业所称之IP,是指一种具有特定功能,事先经过设计、通过验证、可重复使用的模块,可看成一个个不同功能的积木,IC设计人员依据晶片所需之功能及规格,选择现有的IP组合在一起即可完成大部份的设计工作(95-99%的晶片设计可藉由IP模组来完成),不需要将所有晶片所需之功能都自行重新设计,如此才能加速晶片的设计时程。
设计公司设计的IP模块,投放市场后;非设计公司的人员通过反向工程就可以制作相同功能的IP模块,设计公司明知道非设计公司制作的IP模块是本公司的产品,却没有证据证明非设计公司制作的IP模块是设计公司自己的产品。综上所述,设计公司的IP模块内没有识别信息能够证明其产品。
针对现有技术存在的问题,本案设计人凭借从事此行业多年的经验,积极研究改良,于是发明了具有加密结构的IP模块。发明内容
本发明是针对现有技术中,IP模块内没有识别信息问题,提供了一种具有加密结构的IP模块。
本发明具有加密结构的IP模块,包括多个加密结构,多个所述加密结构组成特定图形。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述多个加密结构位于同一层。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述多个加密结构位于不同层。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述加密结构为通孔或接触插塞或金属线。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述特定图形由多个字母组成。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述特定图形由多个数字组成。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述加密结构的材料选自金属、多晶硅、钝化层中的一种或组合。
本发明还提供制造具有加密结构的IP模块的方法,包括如下步骤
提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成加密材料层;
在所述加密材料层上形成光刻胶,并图形化所述光刻胶;
以图形化的所述光刻胶为掩膜刻蚀所述加密材料层,在所述加密材料层中形成多个加密结构,多个所述结构组成特定图形。
可选的,在所述制造具有加密结构的IP模块的方法中,所述加密材料层为金属层、多晶硅层或钝化层。
可选的,在所述制造具有加密结构的IP模块的方法中,所述特定图形由数字和/ 或字母组成。
综上所述,本发明的具有加密结构的IP模块,通过在IP模块内增加特定图形的加密结构,使非设计公司在利用反向工程制作本发明的IP模块时,IP模块内的加密结构信息,也同时被制作。非设计公司将本发明的IP模块投放市场后,设计公司的人员再通过反向工程将非设计公司的IP模块解剖后,就可看到设计公司在IP模块内增加的加密结构信息,从而认定非设计公司的IP模块为本设计公司的产品。因此,通过在IP模块内增加加密结构信息后,设计公司能够识别市场上出现的相同功能的IP模块是不是本设计公司的IP 模块。
在所述制造具有加密结构的IP模块的方法中,在所述IP模块上制造所述加密结构,并不需要特定的工艺,因为所需的材料层可以选自现有元件的某一个或某几个材料层都可以,且形成加密结构只需要对材料层进行刻蚀便可以,所有的制造工艺都与现有元器件的制造工艺相兼容。


图1是本发明实施例具有加密结构的IP模块的示意图2是本发明又一实施例具有加密结构的IP模块的示意图3是本发明再一实施例具有加密结构的IP模块的示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
本发明具有加密结构的IP模块,包括多个加密结构,多个所述加密结构组成特定图形。
图1是本发明实施例具有加密结构的IP模块的示意图;参照图1所示,在IP模块上,具有多个不同器件结构,如晶体管、导线、存储器、通孔等等,所述加密结构可以选自所述多个不同器件结构中的一种或几种,如所述加密结构可以是通孔,通孔是连接不同导电层层的,在图1中,用0代表此处没有通孔,用1代表此处有通孔,没有通孔的第一器件10 的排列方式不受限制,作为加密结构的通孔12,组成了特定的图形,在本实施例中所述特定图形为数字“9”。当然,所述特定图形并不限于数字9,其也可以是其他数字或者图形,如苹果形、五角星形、米字形、H形等。所述特定图形没有实际的含义,只是用作对所述IP模块进行加密,同过所述特定图形可以知道是哪一家厂家设计或生产的所述IP模块,或者根据所述特定图形,可以查处仿制厂家。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述多个加密结构位于同一层。如,所述加密结构可以是晶体管的多晶硅栅,同一层中的多个所述多晶硅栅构成特定图形。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述多个加密结构位于不同层。也就是说,所述加密结构组成的特定图形,可以是由位于不同层的加密结构构成的,如果所述加密结构依然是通孔12,则不同层的通孔12共同构成了上述的数字“9”。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述加密结构为通孔或接触插塞或金属线。
可选的,在所述具有加密结构的IP模块中,所述加密结构的材料选自金属、多晶硅、钝化层中的一种或组合。
图2是本发明又一实施例具有加密结构的IP模块的示意图;在图2中,所述特定图形100为T字。
图3是本发明再一实施例具有加密结构的IP模块的示意图;在图3中,所述特定图形100为由多条金属线14组成的字母TNER。
值得注意的是,对于不同的IP模块,所述特定图形也不同,这样,不容易找到加密结构的规律。当所述加密结构位于顶层时,比较容易被发现,所以,所述加密结构优选的,位于不同层。
综上所述,本发明的具有加密结构的IP模块,通过在智财元件中增加特定图形, 可以起到保护IP模块的作用。本发明的IP模块,即使被其他厂家仿制,也很容易抓侵权, 因为加密结构组成的图形具有固定性,不具有随机性,但是又不具有任何含义,所以,不知道所述特定图形存在,但是制造了饱含特定图形IP模块的厂家是侵权厂家。由于所述特定图形是由器件本身的某些结构组成的,所以,并不增加成本。
本发明还提供制造具有加密结构的IP模块的方法,包括如下步骤
提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成加密材料层;
在所述加密材料层上形成光刻胶,并图形化所述光刻胶;
以图形化的所述光刻胶为掩膜刻蚀所述加密材料层,在所述加密材料层中形成多个加密结构,多个所述结构组成特定图形。
可选的,在所述制造具有加密结构的IP模块的方法中,所述加密材料层为金属层、多晶硅层或钝化层。
可选的,在所述制造具有加密结构的IP模块的方法中,所述特定图形由数字和/ 或字母组成,所述加密结构为通孔或接触插塞或金属线。
在所述制造具有加密结构的IP模块的方法中,在所述IP模块上制造所述加密结构,并不需要特定的工艺,因为所需的材料层可以选自现有元件的某一个或某几个材料层都可以,且形成加密结构只需要对材料层进行刻蚀便可以,所有的制造工艺都与现有元器件的制造工艺相兼容。本发明的制造方法简单易行且不增加成本。
在本发明中,所述IP模块可以是具有存储功能的组块、具有模拟功能的组块、具有逻辑运算功能的组块或中央处理器组块。但是不限于所列举的功能组块。
权利要求
1.一种具有加密结构的IP模块,其特征在于,包括多个加密结构,多个所述加密结构组成特定图形。
2.如权利要求1所述的具有加密结构的IP模块,其特征在于,所述多个加密结构位于同一层。
3.如权利要求1所述的具有加密结构的IP模块,其特征在于,所述多个加密结构位于不同层。
4.如权利要求1所述的具有加密结构的IP模块,其特征在于,所述加密结构为通孔或接触插塞或金属线。
5.如权利要求1所述的具有加密结构的IP模块,其特征在于,所述特定图形由多个字母组成。
6.如权利要求1所述的具有加密结构的IP模块,其特征在于,所述特定图形由多个数字组成。
7.如权利要求1所述的具有加密结构的IP模块,其特征在于,所述加密结构的材料选自金属、多晶硅、钝化层中的一种或组合。
8.制造具有加密结构的IP模块的方法,其特征在于,包括如下步骤 提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成加密材料层;在所述加密材料层上形成光刻胶,并图形化所述光刻胶;以图形化的所述光刻胶为掩膜刻蚀所述加密材料层,在所述加密材料层中形成多个加密结构,多个所述结构组成特定图形。
9.如权利要求8所述的制造具有加密结构的IP模块的方法,其特征在于,所述加密材料层为金属层、多晶硅层或钝化层。
10.如权利要求8所述的制造具有加密结构的IP模块的方法,其特征在于,所述特定图形由数字和/或字母组成。
全文摘要
本发明公开了一种具有加密结构的IP模块,包括多个加密结构,多个所述加密结构组成特定图形。所述加密结构可以保护所述IP模块。制造IP模块的方法,包括步骤提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成加密材料层;在所述加密材料层上形成光刻胶,并图形化所述光刻胶;以图形化的所述光刻胶为掩膜刻蚀所述加密材料层,在所述加密材料层中形成多个加密结构,多个所述结构组成特定图形。所述方法与现有半导体制造工艺相兼容。解决了现有IP模块容易被仿制的问题。
文档编号H01L21/67GK102509726SQ201110360139
公开日2012年6月20日 申请日期2011年11月14日 优先权日2011年11月14日
发明者许丹 申请人:上海宏力半导体制造有限公司
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