专利名称：一种单相高阻抗自耦变压器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种单相高阻抗自耦变压器，属于变压器技术领域。
背景技术：
在高电压电力系统中，需要一种高阻抗自耦变压器，即与第三绕组相关绕组对间的短路阻抗可以达到120%以上，以保证第三绕组具有足够的短路耐受能力。为了实现较高的短路阻抗，背景技术采用两种办法⑴增加绕组间距离，并拆分相关绕组，增大绕组间的漏磁通从而提高短路阻抗；⑵在第三绕组串接一个空心电抗器。第一种实现高阻抗的方法，无论是增加绕组间距离还是拆分其它绕组，都会降低变压器的技术经济指标(增加材料并增大损耗)，拆分相关绕组还会使变压器绝缘系统变的更加复杂。第二种方法的主要缺点是，空心电抗器容量不能做得很大，同时串联的电抗器线圈也会极大地提高第三绕组的雷电冲击绝缘水平，所以采用串接电抗器的方法能够提高短路阻抗值的范围是很有限的。 因此，在合理的技术经济指标条件下，采用上述两种方法，无法实现第三绕组相关绕组对间 120%以上的短路阻抗值。
发明内容
本发明的目的是提供一种单相高阻抗自耦变压器，其与第三绕组相关绕组对间的短路阻抗可以达到120%以上，同时，变压器内部绕组布置合理，使单相高阻抗自耦变压器具有较高的技术经济性，解决背景技术存在的上述问题。本发明的技术方案是一种单相高阻抗自耦变压器，包含单相铁心心柱、心柱励磁绕组、公共绕组、串联绕组、单相铁心旁柱、第三绕组、旁柱励磁绕组和调压绕组，单相铁心心柱和单相铁心旁柱构成单相铁心，心柱励磁绕组、公共绕组和串联绕组由内到外依次布置在单相铁心心柱上，第三绕组、旁柱励磁绕组和调压绕组由内到外依次布置在单相铁心旁柱上。第三绕组和公共绕组及串联绕组不在同一个铁心柱上，公共绕组和串联绕组第三绕组设置在单相铁心心柱上，而第三绕组设置在单相铁心旁柱上。心柱励磁绕组与旁柱励磁绕组形成独立电气回路，建立单相铁心旁柱上的第三绕组和调压绕组与和单相铁心心柱上的公共绕组及串联绕组之间的电磁联系；实现第三绕组与旁柱励磁绕组间以及串联绕组、公共绕组与心柱励磁绕组间两部分漏磁通共同作用，可以达到120%以上短路阻抗的要求。单相铁心心柱和单相铁心旁柱构成的单相铁心、心柱励磁绕组、公共绕组和串联绕组、第三绕组、旁柱励磁绕组、调压绕组设置在一个油箱中，为单箱式结构。本发明的积极效果采用本发明所述的接线方式和绕组布置结构，无需增大绕组间的距离或内置电抗器即可增大变压器短路阻抗，很经济地实现非常大的与第三绕组相关绕组对间的短路阻抗。
附图1是本发明接线原理图中单相铁心心柱1、心柱励磁绕组2、公共绕组3、串联绕组4、单相铁心旁柱5、第三绕组6、旁柱励磁绕组7、调压绕组8。
具体实施例方式下面结合附图，通过实施例对本发明做进一步说明。一种单相高阻抗自耦变压器，包含单相铁心心柱(1)、心柱励磁绕组(2)、公共绕组(3)、串联绕组(4)、单相铁心旁柱(5)、第三绕组(6)、旁柱励磁绕组(7)和调压绕组(8)， 单相铁心心柱和单相铁心旁柱构成单相铁心，心柱励磁绕组、公共绕组和串联绕组由内到外依次布置在单相铁心心柱上，第三绕组(6)、旁柱励磁绕组(7)和调压绕组(8)由内到外依次布置在单相铁心旁柱上。第三绕组(6)和公共绕组(3)及串联绕组(4)不在同一个铁心柱上，公共绕组(3)和串联绕组(4)第三绕组(6)设置在单相铁心心柱(1)上，而第三绕组(6)设置在单相铁心旁柱(5)上。心柱励磁绕组(2)与旁柱励磁绕组(7)形成独立电气回路，建立单相铁心旁柱(5) 上的第三绕组(6)和调压绕组(8)与和单相铁心心柱(1)上的公共绕组(3)及串联绕组(4) 之间的电磁联系；实现第三绕组与旁柱励磁绕组间以及串联绕组、公共绕组与心柱励磁绕组间两部分漏磁通共同作用，可以达到120%以上短路阻抗的要求。单相铁心心柱(1)和单相铁心旁柱(5)构成的单相铁心、心柱励磁绕组(2)、公共绕组(3)和串联绕组(4)、第三绕组(6)、旁柱励磁绕组(7)、调压绕组(8)设置在一个油箱中，为单箱式结构。
权利要求
1.一种单相高阻抗自耦变压器，其特征在于包含单相铁心心柱(1)、心柱励磁绕组 (2)、公共绕组(3)、串联绕组(4)、单相铁心旁柱(5)、第三绕组(6)、旁柱励磁绕组(7)和调压绕组(8)，单相铁心心柱和单相铁心旁柱构成单相铁心，心柱励磁绕组、公共绕组和串联绕组由内到外依次布置在单相铁心心柱上，第三绕组(6)、旁柱励磁绕组(7)和调压绕组 (8)由内到外依次布置在单相铁心旁柱上。
2.根据权利要求1所述之一种单相高阻抗自耦变压器，其特征在于第三绕组(6)和公共绕组(3)及串联绕组(4)不在同一个铁心柱上，公共绕组(3)和串联绕组(4)第三绕组(6) 设置在单相铁心心柱(1)上，而第三绕组(6)设置在单相铁心旁柱(5)上。
3.根据权利要求1或2所述之一种单相高阻抗自耦变压器，其特征在于心柱励磁绕组 (2)与旁柱励磁绕组(7)形成独立电气回路，建立单相铁心旁柱(5)上的第三绕组(6)和调压绕组(8)与和单相铁心心柱(1)上的公共绕组(3)及串联绕组(4)之间的电磁联系。
4.根据权利要求1或2所述之一种单相高阻抗自耦变压器，其特征在于单相铁心心柱 (1)和单相铁心旁柱(5)构成的单相铁心、心柱励磁绕组(2)、公共绕组(3)和串联绕组(4)、 第三绕组(6)、旁柱励磁绕组(7)、调压绕组(8)设置在一个油箱中，为单箱式结构。
5.根据权利要求3所述之一种单相高阻抗自耦变压器，其特征在于单相铁心心柱(1) 和单相铁心旁柱(5)构成的单相铁心、心柱励磁绕组(2)、公共绕组(3)和串联绕组(4)、第三绕组(6)、旁柱励磁绕组(7)、调压绕组(8)设置在一个油箱中，为单箱式结构。
全文摘要
本发明涉及一种单相高阻抗自耦变压器，属于变压器技术领域。技术方案是包含单相铁心心柱(1)、心柱励磁绕组(2)、公共绕组(3)、串联绕组(4)、单相铁心旁柱(5)、第三绕组(6)、旁柱励磁绕组(7)和调压绕组(8)，单相铁心心柱和单相铁心旁柱构成单相铁心，心柱励磁绕组、公共绕组和串联绕组由内到外依次布置在单相铁心心柱上，第三绕组(6)、旁柱励磁绕组(7)和调压绕组(8)由内到外依次布置在单相铁心旁柱上。本发明的积极效果采用本发明所述的接线方式和绕组布置结构，无需增大绕组间的距离或内置电抗器即可增大变压器短路阻抗，很经济地实现非常大的与第三绕组相关绕组对间的短路阻抗。
文档编号H01F27/28GK102420043SQ20111039620
公开日2012年4月18日 申请日期2011年12月5日 优先权日2011年12月5日
发明者刘力强, 刘强, 庞喆, 张栋, 杜振斌, 范洪涛 申请人:保定天威集团有限公司