专利名称：发光二极管装置的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种发光二极管的电路设计，且特别是有关于一种发光二极管装置的结构。
背景技术：
近来,随着发光二极管(light emitting diode, LED)的制造技术提升,相关的发光亮度与发光效率持续地增加，并且发光二极管的应用范围越来越普及。传统上为了顺利且稳定地驱动发光二极管发光，会在电路设计上使用限流电阻，用来提供定电流以驱动发光二极管发光。然而，在传统的驱动架构下，所搭配的发光二极管在温度改变时，会使发光二极管在色温的表现上有偏移的现象。举例而言，蓝光LED随温度变化的发光强度改变最小，基本上不受温度变化的任何影响。绿光LED在温度由20°C上升至80°C时，其发光强度大约下降15%。红光LED在温度由20°C上升至40°C时，其发光强度大约下降15%。所以，红光LED的发光强度随着温度变化而改变的程度比蓝光LED的发光强度随着温度变化而改变的程度还要大。也就是说，红光LED的光衰特性比蓝光LED的光衰特性还要严重。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种发光二极管装置，借以解决现有技术中存在的问题。本发明实施例提出一种发光二极管装置，其包括第一调整模块以及第二调整模块。第一调整模块包括具有第一内阻的至少一第一发光二极管，用以接收一第一电流，而第一内阻与第一电流之间具有第一特性曲线，第一特性曲线所涵盖的区域包括第一非完全导通区与第一导通区，且第一内阻随着第一电流由零值往上增加时在第一非完全导通区呈现指数衰减，而在第一导通区呈现线性。第二调整模块包括串联的阻抗提供元件及电子元件，而第二调整模块与第一调整模块电性并联，用以接收一第二电流，且第二调整模块具有第二内阻，而第二内阻与第二电流之间具有第二特性曲线，第二特性曲线所涵盖的区域包括第二非完全导通区与第二导通区，且第二内阻随着第二电流由零值往上增加时在第二非完全导通区呈现指数衰减，而在第二导通区呈现线性。其中第一特性曲线与第二特性曲线相互匹配。在本发明的一实施例中，阻抗提供元件为正温度系数的半导体元件或热敏电阻。在本发明的一实施例中，电子元件为二极管、齐纳二极管、发光二极管、二极管阵列、齐纳二极管阵列或发光二极管阵列。在本发明的一实施例中，发光二极管装置还包括第三调整模块。第三调整模块包括至少一第二发光二极管。第三调整模块分别与第一调整模块、第二调整模块串联。在本发明的一实施例中，第一发光二极管能激发出具有第一波长的第一光线，而第二发光二极管能激发出具有第二波长的第二光线，且第一波长与第二波长相异。在本发明的一实施例中，第一发光二极管与第二发光二极管分别为红光发光二极管与蓝光发光二极管。从另一观点来看，本发明实施例提出一种发光二极管装置，其包括第一二极管阵列、以及串联的第二二极管阵列与阻抗提供元件。第一二极管阵列包括具有第一内阻的多个个第一发光二极管，用以接收一第一电流，而第一内阻与第一电流之间具有第一特性曲线，第一特性曲线所涵盖的区域包括第一非完全导通区与第一导通区，且第一内阻随着第一电流由零值往上增加时在第一非完全导通区呈现指数衰减，而在第一导通区呈现线性。串联的第二二极管阵列与阻抗提供元件用来与第一二极管阵列电性并联，用以接收一第二电流，而串联的第二二极管阵列与阻抗提供元件具有第二内阻，而第二内阻与第二电流之间具有第二特性曲线，第二特性曲线所涵盖的区域包括第二非完全导通区与第二导通区，且第二内阻随着第二电流由零值往上增加时在第二非完全导通区呈现指数衰减，而在第二导通区呈现线性。其中第一特性曲线与第二特性曲线相互匹配。在本发明的一实施例中，第二二极管阵列为二极管、齐纳二极管或发光二极管所形成的阵列。在本发明的一实施例中，发光二极管装置更包括第三二极管阵列。第三二极管阵列包括多个个第二发光二极管，第三二极管阵列分别与第一二极管阵列、串联的第二二极管阵列与阻抗提供元件串联。基于上述，本发明的发光二极管装置的结构因采用第一调整模块与第二调整模块的电性并联，第一调整模块具有至少一发光二极管，而第二调整模块包括串联的阻抗提供元件及电子元件。利用第一调整模块的第一特性曲线与第二调整模块的第二特性曲线相互匹配，使得发光二极管装置可以动态地调光而减少色温偏移的范围，且可在高温时进行发光亮度补偿，从而避免高温热衰的问题。基于上述，本发明还提出一种发光二极管装置，包括一第一发光二极管阵列、串联的一第二发光二极管阵列与一阻抗提供元件。第一发光二极管阵列包括一第一内阻，用以接收一第一电流，而第一内阻与第一电流之间具有一第一特性曲线。串联的一第二发光二极管阵列与一阻抗提供元件与第一发光二极管阵列电性并联，用以接收一第二电流。而串联的第二发光二极管阵列与阻抗提供元件具有一第二内阻，而第二内阻与第二电流之间具有一第二特性曲线。其中第一特性曲线与第二特性曲线相互匹配。其中第一特性曲线所涵盖的区域包括一第一非完全导通区与一第一导通区，且第一内阻随着第一电流由零值往上增加时在第一非完全导通区呈现指数衰减，而在第一导通区呈现线性。第二特性曲线所涵盖的区域包括一第二非完全导通区与一第二导通区，且第二内阻随着第二电流由零值往上增加时在第二非完全导通区呈现指数衰减，而在第二导通区呈现线性。其中第一发光二极管阵列及第二发光二极管阵列分别为多个个红光发光二极管所形成的阵列，第一内阻与第二发光二极管阵列的内阻实质上相等。其中阻抗提供元件为正温度系数的半导体元件或热敏电阻。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
下面的所附图式是本发明的说明书的一部分，绘示了本发明的示例实施例，所附图式与说明书的描述一起说明本发明的原理。图1A是依照本发明一实施例的发光二极管装置的示意图。图1B是绘示本发明一实施例的内阻对应电流的关系图。图2A是依照本发明一实施例的发光二极管装置的示意图。图2B是依照本发明一实施例的内阻对应电流的关系图。图2C是依照本发明另一实施例的内阻对应电流的关系图。图3是依照本发明另一实施例的发光二极管装置的示意图。图4A是依照本发明一实施例的发光二极管装置的示意图。图4B是依照本发明一实施例的发光二极管装置的示意图。主要元件符号说明:100、200、300、400A、400B:发光二极管装置110、350:发光二极管阵列110AU20AU50_1 1δ0_4:特性曲线120、422:阻抗提供元件130Α、230Α:非完全导通区130Β.230Β:导通区140:发光二极管阵列150:调整模块351 355:发光二极管410:第一调整模块412:第一发光二极管420:第二调整模块424:电子元件430:第三调整模块432:第二发光二极管ID、ID1、ID2、ID3:驱动电流RD、RD1、RD2:内阻
具体实施例方式现将详细参考本发明的实施例，并在附图中说明所述实施例的实例。另外，凡可能之处，在图式及实施方式中使用相同标号的元件/构件代表相同或类似部分。图1A是依照本发明一实施例的发光二极管装置的示意图。请参阅图1A。发光二极管装置100包括发光二极管阵列110以及阻抗提供元件120。发光二极管阵列110包括多个个发光二极管。阻抗提供元件120与发光二极管阵列110相互电性并联。阻抗提供元件120会依据环境温度来调整所提供的内阻RD，而阻抗提供元件120可为正温度系数的半导体元件或热敏电阻，例如是正温度系数(Positive Temperature Coefficient7PTC)的半导体元件或热敏电阻，用来补偿发光二极管因温度变化的发光亮度。也就是说，当驱动电流ID时,依据克希荷夫电流定律(Kirchhoff' s circuit laws),驱动电流ID会分成两驱动电流IDl及ID2。驱动电流IDl则分流至发光二极管阵列110的此些发光二极管，驱动电流ID2则流至阻抗提供元件120。并且，驱动电流ID的电流值大小恰等于驱动电流IDl及ID2的电流值大小的和。其中，发光二极管阵列110两端的跨压以及阻抗提供元件120两端的跨压为相同。在此，驱动电流IDl及ID2的电流值大小是由阻抗提供元件120所提供的内阻RD以及发光二极管阵列110的内阻RD I的比例来决定的。请特别注意，在本实施例中，阻抗提供元件120所提供的内阻RD是与环境温度的高低成正比的。在本实施例中，当阻抗提供元件120例如是正温度系数的半导体元件或热敏电阻时，其内阻RD与环境温度成反比。也就是说，当环境温度升高时，阻抗提供元件120的内阻RD减少。当环境温度降低时，阻抗提供元件120的内阻RD增加。简单来说，当阻抗提供元件120所提供的内阻RD大于发光二极管阵列110的内阻RDl时，驱动电流IDl的电流值会大于驱动电流ID2的电流值。相反的，若是当阻抗提供元件120所提供的内阻RD小于发光二极管阵列110的内阻RDl时，驱动电流IDl的电流值会小于驱动电流ID2的电流值。当然，当阻抗提供元件120所提供的内阻RD与发光二极管阵列110的内阻RDl相等时，驱动电流ID被平均分配至驱动电流IDl及ID2。由上述的说明可以清楚的得知，在发光二极管装置100进行长时间的操作时，阻抗提供元件120对应着随时间升高的环境温度来调高其所提供的内阻RD。而随着内阻RD的上升，分流至发光二极管阵列110的驱动电流IDl也会随着增加。这个随环境温度上升的驱动电流ID1，则可以有效地补偿因环境温度上升而导致原先(未补偿前)应该下降的发光二极管阵列110的发光亮度，从而弥补发光二极管的光衰特性。图1B是绘示本发明一实施例的内阻对应电流的关系图。请合并参阅图1A和图1B0当发光二极管阵列110以多个红光发光二极管来实施时，其等效的内阻RDl经实际量测为特性曲线110A，而阻抗提供元件120的内阻RD经实际量测为特性曲线120A，且特性曲线120A在电流O 46mA的范围呈现直线，而在大于46mA的范围呈现上扬弯曲的曲线。特性曲线120A在于表示阻抗提供元件120的内阻RD于小电流区段中大约维持为较小的固定值，但于大电流区段中大约维持较大的上扬值。在图1B的绘示中，特性曲线IlOA是量自于以三串红光发光二极管串且每一串作并联的阻值变化，且特性曲线IlOA所涵盖的区域包括非完全导通区130A与导通区130B，其中非完全导通区130A介于电流O 23mA的区域，而导通区130B介于电流23 80mA或23mA以上的区域。在非完全导通区130A，发光二极管阵列110的内阻RDl随着电流减小而呈现指数递增的变化，越来越接近阻抗提供元件120的内阻RD2,甚至超越过阻抗提供元件120的内阻RD2很多，产生阻值不匹配的问题；而在导通区130B，内阻RDl随着电流增加而呈现线性，大约维持为固定值，但比阻抗提供元件120的内阻RD2还要小。另一方面，特性曲线120A的内阻相对电流O 46mA的范围呈现线性关系，大约维持为较小的固定值。由于发光二极管阵列110的内阻RD I在不同电流条件下的阻值不一样，这会造成发光二极管阵列110与阻抗提供元件120的阻值不匹配，在低电流(例如，低于或等于15mA)的情况下，大部分的电流分流至阻抗提供元件120，但剩余小部分的电流分至发光二极管阵列110。因此，造成了发光二极管阵列110在电流15mA至80mA，甚至到200mA的区间无法发挥实质发光效率而衍生出大约2000K的色温偏移，其中K为凯氏(Kelvins)温标。请需要注意的是，本发明的发光二极管阵列110并不限于以红光发光二极管来实施，且特性曲线所相应的直轴的电流数值与横轴欧姆数值不限于本实例所列出的数值。一切端视实际设计需求而论。图2A是依照本发明一实施例的发光二极管装置的示意图。图2B是依照本发明一实施例的内阻对应电流的关系图。请合并参阅图2A和图2B。为了进一步改进色温偏移的问题，发光二极管装置200包括发光二极管阵列110以及调整模块150，其中调整模块150包括串联的阻抗提供元件120与二极管阵列140。而调整模块150用来与发光二极管阵列110电性并联。在本实施例中，调整模块150可以提供电阻变化的角色，实际上不贡献亮度。在另一实施例中，调整模块150不仅可以提供电阻变化的角色，也可以贡献亮度。发光二极管阵列110包括具有内阻RDl的多个第一发光二极管，而经实际量测内阻RD1，其具有特性曲线110A，特性曲线IlOA可参见前述实施例的说明，在此不多详述。二极管阵列140可使用二极管、齐纳二极管或发光二极管所形成的阵列，用以与发光二极管阵列110的电阻及电流变化特性有相似或相同的变化。在本实施例中，二极管阵列140的内阻大约与发光二极管阵列110的内阻RDl相等。而调整模块150具有等效的内阻RD2。此内阻RD2经实际量测而具有呈现出类似或等同于特性曲线150_1 150_4的变化，阻抗提供元件120例如是PTC。其中特性曲线150_1是量自于以红光发光二极管串接PTC (15欧姆)的阻值变化，特性曲线150_2是量自于以红光发光二极管串接PTC (150欧姆)的阻值变化，特性曲线150_3是量自于以红光发光二极管串接PTC(300欧姆)的阻值变化，并且特性曲线150_4是量自于以红光发光二极管串接PTC(450欧姆)的阻值变化。在小电流区段，特性曲线150_4、150_3、150_2、150_1相对于特性曲线IlOA而言，其电阻随着电流减小而呈现指数递增的一致性趋势。在大电流区段，特性曲线150_4、150_3、150_2、150_1呈现线性关系，每一者大约维持固定值。这些特性曲线在数值关系上，特性曲线150_4、150_3、150_2、150_1依序递减。特性曲线150_4、150_3、150_2相对于特性曲线IlOA存在明显的间隔(差距)，而特性曲线IlOA与特性曲线150_1在内阻与电流的关系曲线呈现重叠现象。特性曲线150_4、150_3、150_2、150_1、IlOA所涵盖的区域包括非完全导通区230A与导通区230B，其中非完全导通区230A介于电流O 23mA的区域，而导通区230B介于电流23 80mA或23mA以上的区域。图2C是依照本发明另一实施例的内阻对应电流的关系图。请参阅图2C。有鉴于图2B的特性曲线150_4、150_3、150_2相对于特性曲线IlOA存在间隔(差距)。理想状况下，在常温(摄氏25度)下，PTC的内阻大约趋近为O。在本实施例中，在常温(摄氏25度)下，阻抗提供元件120的设计可依实际情况来选择，用以减小两条特性曲线之间的间隔，例如阻抗提供元件120在常温为15欧姆时，经实验证实了特性曲线IlOA与150_1会重叠且呈现一致性，即电阻及电流的变化特性重叠且呈现一致性，从而可以应用在非完全导通区与导通区都能相互匹配，亦即内阻RD2可相似比例于内阻RDl作变化。本实施例虽以15欧姆为PTC的最小内阻作说明，但本实施例并不局限在此。再者，驱动电流ID分成两驱动电流IDl及ID3。驱动电流IDl及ID3则分别流至发光二极管阵列110以及调整模块150。由于两条特性曲线的阻值在随着电流变大而呈现指数衰减变化，或者是维持线性部分皆为相似的比例，使得内阻RD2与内阻RDl从小电流(接近零电流)至大电流(正常工作的驱动电流)而可以一直维持相似比例，因此驱动电流ID3也具有比例于驱动电流IDl的稳定效果。如此一来，即使驱动电流IDl和ID3是位在非完全导通区，而内阻RDl与RD2仍可以相似比例作变化，因此驱动电流ID3不会远大于驱动电流ID1，故本实施例可用来确保通过发光二极管阵列110与调整模块150的电流比例是固定的，确保发光二极管阵列110实质上发挥亮度，从而减少色温偏移的范围。因此，发光二极管装置200除了可以动态地调光而减少色温偏移的范围，且可在高温时进行发光亮度补偿，从而避免高温热衰的问题。另一方面，若使用元件的特性曲线IlOA与特性曲线150_1在内阻与电流的关系曲线非常相似而重叠时，则可进一步将色温偏移的范围降到最小。基于上述，以图1A的电路架构为例，虽可弥补发光二极管的光衰特性，但是发光二极管阵列110在电流15mA至200mA的区间会有2000K的色温偏移；而以图2A的电路架构为例，当特性曲线IlOA与150A重叠时，可将色温偏移2000K收敛至200K，甚至更小。所以，本实施例的发光二极管装置200可以有效地解决传统在驱动发光二极管时因温度改变或驱动电流调变所衍生的亮度与色温偏移的问题。图3是依照本发明另一实施例的发光二极管装置的示意图。请参阅图3。在本实施方式中，相较于图2A的绘示，发光二极管装置300更可包括发光二极管阵列350。发光二极管阵列350分别与发光二极管阵列110、调整模块150串接，并接收驱动电流ID来进行发光。发光二极管阵列110可包括多个红光发光二极管，而发光二极管阵列350可包括多个非红光发光二极管351 355，发光二极管351 355依序串接。其中，发光二极管351的电流输入端与红光发光二极管的电流输出端电性连接，发光二极管351的电流输入端分别与阻抗提供元件120的电流输出端电性连接。在增加如发光二极管阵列350的设置后，可以改变发光二极管装置300所发送出的光的颜色。发光二极管阵列350的发光二极管可以是并联、串联或串并联混合。当然，发光二极管阵列350中所包括的非红光发光二极管的数量并不仅限于五颗，可依实际情况来设计。发光二极管阵列350也可改为至少一颗的非红光发光二极管即可来实施。此外，红光发光二极管的光衰特性比非红光发光二极管的光衰特性还要严重且大。于本实施例中，红光发光二极管能激发出具有第一波长的第一光线，而非红光发光二极管能激发出具有第二波长的第二光线，且第一波长相异于第二波长。例如，发光二极管阵列350中所包括的非红光发光二极管可以为蓝光发光二极管，或是可发出其他颜色光线的发光二极管，例如是绿光发光二极管、黄光发光二极管、橘光发光二极管、紫外光发光二极管、近蓝光发光二极管或白光发光二极管。基于上述实施例所揭示的内容，可以汇整出一种通用的发光二极管装置。更清楚来说，图4A是依照本发明一实施例的发光二极管装置的示意图。请参阅图4A，发光二极管装置400A包括第一调整模块410以及第二调整模块420。第一调整模块410包括至少一第一发光二极管412，第二调整模块420包括串联的阻抗提供元件422及电子元件424，而第二调整模块410与第一调整模块420电性并联。其中阻抗提供元件422可为正温度系数的半导体元件或热敏电阻，电子元件424可为二极管、齐纳二极管、发光二极管、二极管阵列、齐纳二极管阵列或发光二极管阵列，但不限于所列举的元件种类，只要是能与第一发光二极管412的元件特性产生具有相似或相同变化的特性曲线即可。以下更详细说明特性曲线。
在操作原理上，第一调整模块410具有第一内阻，第二调整模块420具有第二内阻。第一内阻具有第一特性曲线(如图2B或图2C所绘示的特性曲线110A)，第一特性曲线所涵盖的区域包括第一非完全导通区(如图2B所绘示的230A)与第一导通区(如图2B所绘示的230B)，且第一内阻随着电流由零值往上增加时在第一非完全导通区呈现指数衰减，而在第一导通区呈现线性。而第二内阻具有第二特性曲线(如图2B或图2C所绘示的特性曲线150A)，第二特性曲线所涵盖的区域包括第二非完全导通区(如图2B所绘示的230A)与第二导通区(如图2B所绘示的230B)，且第二内阻随着电流由零值往上增加时在第二非完全导通区呈现指数衰减，而在第二导通区呈现线性。其中第一特性曲线与第二特性曲线在非完全导通区与导通区都能相互匹配。驱动电流ID分成两驱动电流IDl及ID3，并且驱动电流ID的电流值大小恰等于驱动电流IDl及ID3的电流值大小的和。由于第一特性曲线与第二特性曲线相互匹配，因此当驱动电流ID变化时，驱动电流ID3也会与驱动电流IDl成比例作变化，因此本实施例可进一步减少色温偏移的范围。图4B是依照本发明一实施例的发光二极管装置的示意图。请参阅图4B，在本实施方式中，相较于图4A的绘示，发光二极管装置400B更可包括第三调整模块430。第三调整模块430包括至少一第二发光二极管432。第一发光二极管412能激发出具有第一波长的第一光线，而第二发光二极管432能激发出具有第二波长的第二光线,且第一波长与第二波长相异。第三调整模块430分别与第一调整模块410、第二调整模块420串联，并接收驱动电流ID来进行发光。在增加如第三调整模块430的设置后，可以改变发光二极管装置400B所发送出的光的颜色。例如，第一发光二极管412与第二发光二极管432可分别为红光发光二极管与蓝光发光二极管，但本发明并不限制于此。上述实施例所述的电阻、内阻、阻值及阻抗的意思都是一样，其单位都是欧姆。上述实施例所述的环境温度，可以是发光二极管装置、发光二极管阵列、发光二极管、发光二极管芯片、调整模块、二极管阵列或阻抗提供元件的环境温度。在上述实施例所述的发光二极管阵列中，此些发光二极管可以并联、串联或串并联。此外，发光二极管阵列Iio的此些发光二极管可以是发光二极管芯片(chip)、发光二极管封装结构(package)或以上任意组合。上述实施例所述的发光二极管可以是红光、绿光、蓝光、白光或以上任意组合的发光二极管，而白光发光二极管可以包含蓝光发光二极管芯片及黄色萤光粉，还可包含红光发光二极管芯片或红色萤光粉。此外，上述白光发光二极管可以包含红光、绿光及蓝光发光二极管芯片，还可包含黄色萤光粉，更进一步可包含红色萤光粉。另外，上述萤光粉以均匀、不均匀或浓度梯度变化的方式分布于上述发光二极管的透光胶体中。综上所述，本发明的发光二极管装置的结构因采用第一调整模块与第二调整模块的电性并联，第一调整模块具有至少一发光二极管，而第二调整模块包括串联的阻抗提供元件及电子元件。利用第一调整模块的第一特性曲线与第二调整模块的第二特性曲线相互匹配，使得发光二极管装置可以动态地调光而减少色温偏移的范围，且可在高温时进行发光亮度补偿，从而避免高温热衰的问题。另一方面，本发明的发光二极管装置亦可应用于室内照明装置、室外照明装置、背光装置或指示装置中。虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
权利要求
1.一种发光二极管装置，包括: 一第一调整模块，包括具有一第一内阻的至少一第一发光二极管，用以接收一第一电流，而该第一内阻与该第一电流之间具有一第一特性曲线，该第一特性曲线所涵盖的区域包括一第一非完全导通区与一第一导通区，且该第一内阻随着该第一电流由零值往上增加时在该第一非完全导通区呈现指数衰减，而在该第一导通区呈现线性；以及 一第二调整模块，包括串联的一阻抗提供元件及一电子元件，而该第二调整模块与该第一调整模块电性并联，用以接收一第二电流，且该第二调整模块具有一第二内阻，而该第二内阻与该第二电流之间具有一第二特性曲线，该第二特性曲线所涵盖的区域包括一第二非完全导通区与一第二导通区，且该第二内阻随着该第二电流由零值往上增加时在该第二非完全导通区呈现指数衰减，而在该第二导通区呈现线性； 其中该第一特性曲线与该第二特性曲线相互匹配。
2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该阻抗提供元件为正温度系数的半导体元件或热敏电阻。
3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该电子元件为二极管、齐纳二极管、发光二极管、二极管阵列、齐纳二极管阵列或发光二极管阵列。
4.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包括: 一第三调整模块，包括至少一第二发光二极管，该第三调整模块分别与该第一调整模块、该第二调整模块串联。
5.如权利要求4所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一发光二极管能激发出一具有一第一波长的第一光线，而该第二发光二极管能激发出一具有一第二波长的第二光线，且该第一波长与该第二波长相异。
6.如权利要求5所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一发光二极管与该第二发光二极管分别为红光发光二极管与蓝光发光二极管。
7.一种发光二极管装置，包括: 一第一发光二极管阵列，包括一第一内阻，用以接收一第一电流，而该第一内阻与该第一电流之间具有一第一特性曲线；以及 串联的一第二发光二极管阵列与一阻抗提供元件，与该第一发光二极管阵列电性并联，用以接收一第二电流，而串联的该第二发光二极管阵列与该阻抗提供元件具有一第二内阻，而该第二内阻与该第二电流之间具有一第二特性曲线； 其中该第一特性曲线与该第二特性曲线相互匹配。
8.如权利要求7所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一特性曲线所涵盖的区域包括一第一非完全导通区与一第一导通区，且该第一内阻随着该第一电流由零值往上增加时在该第一非完全导通区呈现指数衰减，而在该第一导通区呈现线性:以及 该第二特性曲线所涵盖的区域包括一第二非完全导通区与一第二导通区，且该第二内阻随着该第二电流由零值往上增加时在该第二非完全导通区呈现指数衰减，而在该第二导通区呈现线性。
9.如权利要求7所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一发光二极管阵列及该第二发光二极管阵列分别为多个 个红光发光二极管所形成的阵列，该第一内阻与该第二发光二极管阵列的内阻实质上相等。
10.如权利要求7所述的发光二极管装置，其特征在于，该阻抗提供元件为正温度系数的半导体元件或热敏电 阻。
全文摘要
一种发光二极管装置，其包括第一调整模块以及第二调整模块。第一调整模块包括具有第一内阻的至少一第一发光二极管，而第一内阻具有第一特性曲线。此第一特性曲线所涵盖的区域包括第一非完全导通区与第一导通区，且第一内阻随着电流由零值往上增加时在第一非完全导通区指数衰减，而在第一导通区呈现线性。第二调整模块包括串联的阻抗提供元件及电子元件，而第二调整模块与第一调整模块电性并联。第二调整模块具有第二内阻，且第二内阻具有第二特性曲线，其中第一特性曲线与第二特性曲线相互匹配。
文档编号H01L25/075GK103178055SQ20111043035
公开日2013年6月26日 申请日期2011年12月20日 优先权日2011年12月20日
发明者张忠凯, 李顺昌, 洪诚禧 申请人:亿光电子工业股份有限公司