专利名称：板内切换模式液晶显示器的制造方法
技术领域：
本文件涉及板内切换模式液晶显示器的制造方法，更具体地，涉及能够防止在液晶板和覆盖基板的附接エ艺期间由银点(Ag dot)引起的气泡产生问题的板内切换模式液晶显示器的制造方法，该方法能够提高银点エ艺的良率。
背景技术：
最近，随着各种便携式电子装置(例如移动电话、PDA、笔记本电脑等)的发展，大量需要轻、薄、小的平板显示器。对平板显示装置(例如IXD、等离子显示板(PDP)、场致发射显示器(FED)等)的研发正在积极的进行。在这些装置中，LCD由于其简单的大規模生产技术、简单的驱动系统和高画质的实现而吸引了更多的注意。根据液晶分子的布置，IXD装置具有例如TN和VA的多种显示模式。最近，扭曲向 列(TN)模式的LCD装置由于响应时间短和驱动电压低而得到了普遍的应用。当将电压施加至TN模式的LCD装置吋，与基板水平排列的液晶分子几乎垂直于基板表面。因此，问题在于，由于施加了电压的液晶分子的折射率各向异性，视角变窄。为了解决此问题，已提出了具有宽视角特性的板内切换模式的LCD装置。图Ia是示出了常规的板内切换模式液晶显示器的结构的图。图Ib是示出了板内切换模式液晶显示器的常规制造方法的图。參照图la，板内切换模式液晶显示器I包括液晶板LP，液晶板LP包括TFT阵列基板3，其具有薄膜晶体管、公共电极、像素电极和驱动IC 4 ;滤色器基板5，其具有后ITO和滤色器；以及液晶层(未示出)，其介于TFT阵列基板3和滤色器基板5之间。下偏光器7置于TFT阵列基板3下方，并且上偏光器8置于滤色器基板5上方。将银点(Ag dot) 10布置在TFT阵列基板3与滤色器基板5的接合边缘上，其中，银点10连接滤色器基板5的后ITO以及TFT阵列基板3的地(ground)。并且，通过光学透明胶(OCA =Optical Clear Adhesive)膜13将覆盖基板12附接并布置在液晶板LP上。通过手动或自动エ艺执行形成银点的エ艺。具体地，在手动エ艺中，取决于制造商，银点10的尺寸可能増大。而在自动エ艺中，为了防止施加银点的喷嘴阻塞，银胶的粘结性可能降低。因此，在施加银胶之后，银点的尺寸会増大。因此，如图Ib所示，银点10侵入覆盖基板12要接合到的空间，这样便引起了在OCA膜13和上偏光器8之间产生气泡的问题。因此，覆盖基板和液晶板的接合エ艺以及银点エ艺的良率变低。
发明内容
本发明的ー个方面是提供一种板内切换模式液晶显示器的制造方法，该方法能够防止液晶板和覆盖基板的附接エ艺中由银点引起的气泡产生问题，井能够提高银点エ艺的良率。根据本发明的ー个方面的板内切换模式液晶显示器的制造方法可以包括通过在滤色器基板和TFT阵列基板之间插入液晶层形成液晶板；将偏光器附接在所述滤色器基板上，所述偏光器上附接有保护膜；形成与所述保护膜的边缘、所述滤色器基板的边缘以及所述TFT阵列基板接触的银点；通过去除所述保护膜去除所述银点的一部分；以及将覆盖基板附接在所述滤色器基板上。根据本发明另一方面的板内切换模式液晶显示器的制造方法可以包括通过在滤色器基板和TFT阵列基板之间插入液晶层形成液晶板；将偏光器附接在所述滤色器基板上，所述偏光器上附接有保护膜，所述保护膜具有开ロ部分；形成与所述保护膜的边缘、所述偏光器的边缘、所述滤色器基板的边缘以及所述TFT阵列基板接触的银点；通过去除所述保护膜去除所述银点的一部分；以及将覆盖基板附接在所述滤色器基板上。
包括附图以提供对本发明的进ー步理解，附图结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。 图Ia是示出了常规板内切换模式液晶显示器的结构的图，并且图Ib是示出了板内切换模式液晶显示器的常规制造方法的图；图2是示出了根据本发明的板内切换模式液晶显示器的平面图；图3是沿图2的Ι-Γ线截取的截面图；图4是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的图；图5a到5c是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的制造方法的步骤的图；图6a到6c是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的包括触摸板的板内切換模式液晶显示器的制造方法的步骤的图；图7是示出了根据本发明的第二示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的图；图8a至图8d是示出了根据本发明的第二示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的制造方法的步骤的图；图9a到9c是示出了根据本发明的第二示例性实施方式的包括触摸板的板内切換模式液晶显示器的制造方法的步骤的图；图10是示出了根据本发明第一示例性实施方式制造的板内切换模式液晶显示器的图；以及图Ila是示出了其上施加了银点的液晶显示器的图，图Ilb是示出了去除了保护膜的液晶显示器的图，并且图Ilc是示出了所去除的保护膜的图。
具体实施例方式下面将详细描述本发明的实施方式，在附图中例示出了其示例。图2是示出了根据本发明的板内切换模式液晶显示器的平面图。图3是沿图2的Ι-Γ线截取的截面图。以下将以ー个子像素为示例对板内切换模式液晶显示器进行描述。參照图2，将延伸并布置在ー个方向上的选通线103布置在基板(未示出)上，并且在其上布置数据线107，数据线107与选通线103相交并且定义了子像素P。而且，在数据线107上布置公共线109，公共线109与数据线107相交并与选通线103平行地布置。通过选通线103、数据线107和公共线109的交叉来定义子像素P。在子像素P中布置有薄膜晶体管TFT，其包括从选通线103延伸出的栅极104、栅绝缘膜(未示出)、半导体层(未示出)、电连接到数据线107的源极117以及从源极117分离的漏极119。在该附图中例示了薄膜晶体管TFT，其沟道形成区域具有I状，但不限于此，也可以是U状。另外，所例示的薄膜晶体管TFT从选通线103伸出到子像素P，但不限于此，栅极104可以是选通线103本身。在子像素P内部，分支电极123连接至公共线109和接触孔CH1。另外，与分支的公共电极123相对应地布置与公共电极123相间的像素电极135。此处，像素电极135与薄膜晶体管TFT的漏极119相连接。以下，将描述上述取决于其板结构的本发明的板内切换模式液晶显示器的截面结构。參照图3，在本发明的板内切换模式液晶显示器中，将从布置在ー个方向上的选通线(未示出)伸出的栅极104布置在TFT阵列基板101上，并且将公共电极123布置在同
一平面上。将用于隔离栅极104和公共电极123的栅绝缘膜106布置在栅极104和公共电极123上，并且，将与栅极104相对应的半导体层115布置在栅绝缘膜106上。将源极117和漏极119分别布置在半导体层115的两侧端上，这样，薄膜晶体管TFT被配置为包括栅极103、半导体层115、源极117和漏极119。将布置为与公共电极123交替的像素电极135布置在栅绝缘膜106上。布置覆盖源极117、漏极119和像素电极135的钝化膜125，从而配置了 TFT阵列基板101。对面向TFT阵列基板101的滤色器基板140进行布置。将R、G和B滤色器144布置在滤色器基板140的底面上，并且，将黑底142布置在滤色器144之间。将保护层145布置在滤色器144上，并且将用于防止静电的后ITO 160布置在滤色器基板140的顶部上，从而配置了滤色器基板140。液晶层150介于TFT阵列基板101和滤色器基板140之间，从而配置本发明的板内切换模式液晶显示器。以下将描述根据上述板内切换模式液晶显示器的银点エ艺和覆盖基板与液晶板的接合エ艺。图4是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的图。图5a到图5c是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的制造方法的步骤图。參照图4，在本发明的板内切换模式液晶显示器100中，布置有由通过接合TFT阵列基板101和滤色器基板140形成的液晶板LP，其中，液晶层(未示出)介于TFT阵列基板101和滤色器基板140之间，后ITO 160和上偏光器165a布置在滤色器基板140上，并且下偏光器165b布置在TFT阵列基板101下方。将与滤色器基板140的后ITO 160和TFT阵列基板101的地相连接的银点170布、置在液晶板LP的边缘(即，滤色器基板140的边缘)和TFT阵列基板101上。通过OCA膜185将覆盖基板180附接并布置在液晶板LP上。将參照图5a对图4的板内切换模式液晶显示器的制造方法进行描述。在基板上形成薄膜晶体管、公共电极和像素电极，从而制备TFT阵列基板101，并在另一基板上形成黑底、滤色器、保护层和后ΙΤ0，从而制备滤色器基板140。接着，将TFT阵列基板101和滤色器基板140接合在一起，并且将液晶注入其中以制备液晶板LP。之后，将驱动IC 155接合至液晶板LP的TFT阵列基板101的边缘。然后，将其上附接有上保护膜167a的上偏光器165a接合到滤色器基板140的顶部上，并且，将其上附接有下保护膜167b的下偏光器165b接合在TFT阵列基板101的底 部上。接着，制备用于形成银点的银胶。银胶包括银微粒、玻璃料(glass frit)和溶剤。银微粒用于提供银点的导电性，玻璃料用于提供银点和基板之间的粘合性。玻璃料可以是含铅或无铅的玻璃料，例如氧化铅PbO、氧化铋Bi2O3、氧化硅SiO2、氧化硼B2O3、氧化铝A1203、氧化锌ZnO和氧化铺CeO2。溶剂用于溶解银微粒和玻璃料，以使它们容易混合并施加。例如，溶剂可以包括こ基卡必醇、丁基卡必醇、こ基卡必醇こ酸酷、丁基卡必醇こ酸酷、成膜助剂、萜品油、ニ丙ニ
醇甲醚、ニ丙ニ醇こ醚、ニ丙ニ醇单甲醚、ニ丙ニ醇单甲醚醋酸酷、纤溶剂醋酸酷、丁基纤溶剂醋酸酷、三丙ニ醇等。通过例如滴涂或喷涂的方法将以银微粒、玻璃料和溶剂制备的银胶施加到液晶板LP，从而形成银点170。更具体地，将银胶施加到液晶板LP的露出上偏光器165a、滤色器基板140的整个边缘和TFT阵列基板101的区域以形成银点170。因此，银点170连续地接触上保护膜167a、上偏光器165a的ー侧、后ITO 160、滤色器基板140的ー侧和TFT阵列基板101。參照图5b，接着去除上偏光器165a的上保护膜167a和下偏光器165b的下保护膜167b。此时，在去除上保护膜167a的同时去除了覆盖在上保护膜167a顶部的银点170的E部分。也就是说，在去除上保护膜167a的同时去除了银点170的用虚线示出的部分。因此，在上偏光器165a的顶部表面不存在银点170，并且将银点170形成为仅覆盖上偏光器165a —侧的结构。以该结构形成的银点170能够通过连接滤色器基板140的后ITO 160和TFT阵列基板101的地来预防静电。接着，參照图5c，将OCA膜185附接在覆盖基板180上，然后通过层压エ艺将液晶板LP和覆盖基板180接合在一起，从而制造根据本发明的第一示例性实施方式的板内切換模式液晶显示器。如上所示，根据本发明的第一示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的制造方法，通过去除接合在偏光器上的保护膜的エ艺防止银点形成在覆盖基板的接合区域中，并且调整银点的尺寸。因此，其优点在于可以提高覆盖基板和液晶板的接合エ艺以及银点エ艺的良率。同时，根据本发明的第一示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器还可以包括触摸板。图6a到图6c是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的包括触摸板的板内切换模式液晶显示器的制造方法的步骤的图。以下，仅在对图4到图5c的描述中增加触摸板的部件。用相同的标号表示相同的部件，所以将省略对相同的部件的描述。參照图6a，将TFT阵列基板101和具有后ITO 160的滤色器基板140接合在一起，并接合驱动IC 155，从而制造了液晶显示板LP。然后，将触摸板190附接在液晶显示板LP上，并将其上附接有上保护膜167a的上偏光器165a附接到触摸板190的顶部上，并且，将其上附接有下保护膜167b的下偏光器165b附接在TFT阵列基板101的底部上。通过如滴涂或喷涂的方法将银胶施加到液晶板LP以形成银点170。更具体地，将银胶施加于液晶板LP的露出上偏光器165a、触摸板190、滤色器基板140的整个边缘和TFT阵列基板101的区域以形成银点170。因此，银点170连续地接触上保护膜167a、上偏光器165a的ー侧、触摸板190、后ITO 160、滤色器基板140的ー侧和TFT阵列基板101。接着，參照图6b，去除上偏光器165a的上保护膜167a和下偏光器165b的下保护膜167b。此时，在去除上保护膜167a的同时去除覆盖在上保护膜167a顶部的银点170的E部分。也就是说，在去除上保护膜167a的同时去除银点170的用虚线示出的部分。
因此，在上偏光器165a的顶部表面不存在银点170，并且银点170被形成为具有仅覆盖上偏光器165a —侧的结构。以此结构形成的银点170能够通过连接滤色器基板140的后ITO 160和TFT阵列基板101的地来预防静电。接着，參照图6c，将OCA膜185附接在覆盖基板180上，然后通过层压エ艺将液晶板LP和覆盖基板180接合在一起，从而制造根据本发明的第一示例性实施方式的包括触摸板的板内切换模式液晶显示器。如上所述，根据本发明的第一示例性实施方式的包括触摸板的板内切换模式液晶显示器的制造方法，通过去除接合在偏光器上的保护膜的エ艺阻止银点形成在覆盖基板的接合区域中，并且调整了银点的尺寸。因此，其优点在于可以提高覆盖基板和液晶板的接合エ艺以及银点エ艺的良率。图7是示出了根据本发明的第二示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的图，并且图8a到图8d是示出了根据本发明的第二示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的制造方法的步骤的图。參照图7，在本发明的板内切换模式液晶显示器200中，布置有通过接合TFT阵列基板201和滤色器基板240形成的液晶板LP (其中，液晶层(未示出)介于TFT阵列基板201和滤色器基板240之间)，后ITO 260和上偏光器265a布置在滤色器基板240上，并且下偏光器265b布置在TFT阵列基板201下方。将与滤色器基板240的后ITO 260和TFT阵列基板201的地相连接的银点270布置在液晶板LP的边缘(即，滤色器基板240的边缘)和TFT阵列基板201上。通过OCA膜285将覆盖基板280附接并布置在液晶板LP上。 同时，与本发明的第一示例性实施方式不同，在本发明的第二示例性实施方式中，银点270被布置在上偏光器265a的边缘部分上。參照图8a，将描述图7的板内切换模式液晶显示器的制造方法。在基板上形成薄膜晶体管、公共电极和像素电极，从而制备了 TFT阵列基板201，并且在另一基板上形成黑底、滤色器、保护层和后ΙΤ0，从而制备了滤色器基板240。接着，将TFT阵列基板201和滤色器基板240接合在一起，并且将液晶注入其中以制备液晶板LP。之后，将驱动IC 255接合至液晶板LP的TFT阵列基板201的边缘。然后，将其上接合有上保护膜267a的上偏光器265a附接到滤色器基板240的顶部上，并且将其上接合有下保护膜267b的下偏光器265b附接在TFT阵列基板201的底部上。此处，上保护膜267a具有切开的开ロ部分0P。也就是说，如图Sb所示，上保护膜267a的边缘部分被切开，以提供露出上偏光器265a的开ロ部分0P。接着，通过如滴涂或喷涂的方法将以银微粒、玻璃料和溶剂制备的银胶施加到液晶板LP形成银点270。更具体地，将银胶施加到露出上保护膜267a、上偏光器265a、滤色器基板240的整个边缘和TFT阵列基板201的区域以形成银点270。因此，银点270连续地接触上保护膜267a、上偏光器265a、后ITO 260、滤色器基板240的ー侧和TFT阵列基板201。接着，參照图8c，去除上偏光器265a的上保护膜267a和下偏光器265b的下保护膜267b。此时，在去除上保护膜267a的同时去除覆盖在上保护膜267a顶部的银点270的E部分。也就是说，在去除上保护膜267a的同时去除银点270的用虚线示出的部分。因此，形成银点270以具有覆盖上偏光器265a —侧和顶部表面的结构。以这种结 构形成的银点270能够通过连接滤色器基板240的后ITO 260和TFT阵列基板201的地来预防静电。接着，參照图8d，将OCA膜285接合在覆盖基板280上，然后通过层压エ艺将液晶板LP和覆盖基板280接合在一起，从而根据本发明的第二示例性实施方式制造板内切换模式液晶显示器。如上所述，根据本发明的第二示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器的制造方法，通过去除附接在偏光器上的保护膜的处理防止银点形成在覆盖基板的接合区域中，并且调整银点的尺寸。因此，其优点在于可以提高覆盖基板和液晶板的接合エ艺以及银点エ艺的良率。同时，根据本发明的第二示例性实施方式的板内切换模式液晶显示器还可以包括触摸板。图9a到图9c是示出了根据本发明的第二示例性实施方式的包括触摸板的板内切换模式液晶显示器的制造方法的步骤的图。以下，仅在对图7到图8d的描述中增加触摸板的部件。用相同的标号表示相同的部件，所以将省略对相同的部件的描述。參照图9a，将TFT阵列基板201和带有后ITO 260的滤色器基板240接合在一起，并接合驱动IC 255，从而制造了液晶显示板LP。然后，将触摸板290附接在液晶显示板LP上，并将其上附接有上保护膜267a的上偏光器265a附接到触摸板290的顶部上，并且将其上附接有下保护膜267b的下偏光器265b附接在TFT阵列基板201的底部上。在上保护膜267a上形成开ロ部分0P。接着，通过例如滴涂或喷涂的方法将银胶施加到液晶板LP以形成银点270。更具体地，将银胶施加到液晶板LP的露出上保护膜267a、上偏光器265a、触摸板290、滤色器基板240的整个边缘和TFT阵列基板201的区域以形成银点270。因此，银点270连续地接触上保护膜267a、上偏光器265a的一侧和顶部表面、触摸板290、后ITO 260、滤色器基板240的ー侧和TFT阵列基板201。接着，參照图9b，去除上偏光器265a的上保护膜267a和下偏光器265b的下保护膜267b。此时，在去除上保护膜267a的同时去除覆盖在上保护膜267a顶部的银点270的E部分。也就是说，在去除上保护膜267a的同时去除银点270的用虚线示出的部分。并且，将位于上保护膜267a的开ロ部分OP中的银点270的部分保持原样留在上偏光器265a上。因此，形成银点270以具有覆盖上偏光器265a —侧和顶部表面的结构。以这种结构形成的银点270能够通过连接滤色器基板240的后ITO 260和TFT阵列基板201的地来防止静电。接着，參照图9c，将OCA膜285附接在覆盖基板280上，然后通过层压エ艺将液晶板LP和覆盖基板280接合在一起,从而制造包括触摸板的板内切换模式液晶显示器。如上所示，根据本发明的第二示例性实施方式的包括触摸板的板内切换模式液晶显示器的制造方法，通过去除附接在偏光器上的保护膜防止银点形成在覆盖基板的接合区域中，并且调整了银点的尺寸。因此，其优点在于可以提高覆盖基板和液晶板的接合エ艺以及银点エ艺的良率。图10是示出了根据本发明的第一示例性实施方式制造的板内切换模式液晶显示 器的图，图Ila是示出了其中应用了银点的液晶显示器的图，图Ilb是示出了去除了保护膜的液晶显示器的图，并且图Ilc是示出了所去除的保护膜的图。參照图10，将多个银点施加到根据本发明的第一示例性实施方式制造的液晶板的边缘。更具体地，从图Ila可以看出，银点被连续地施加到TFT阵列基板与保护膜之间，并且从图Ilb可以看出，在去除保护膜之后，银点的保护膜上的部分被去除，因此没有在偏光器上留下银点。并且，从图IlC可以看出，银点的该部分被留在所去除的保护膜上。也就是说，可以看出在去除保护膜的同时，银点的该部分也被去除。而且，在例示出没有去除保护膜的状态的图Ila中，TFT阵列基板①和滤色器基板②之间的电阻大约为O. 9Ω，而在例示出去除了保护膜的状态的图Ilb中，TFT阵列基板①和滤色器基板②之间的电阻大约为O. 8Ω。所以，电阻几乎没有差別。如上所述，根据本发明的板内切换模式液晶显示器的制造方法，通过去除附接在偏光器上的保护膜的エ艺能够防止银点形成在覆盖基板的接合区域中，并且调整了银点的尺寸。因此，其优点在于可以提高覆盖基板和液晶板的接合エ艺以及银点エ艺的良率。前述实施方式和优点仅仅是示例性的，并不将其解读为限制本发明。本教导可以容易地应用于其他类型的装置。对前述实施方式的描述意为说明性的，而不是限制权利要求的范围。许多替代、修改和变型对于本领域的技术人员将是明显的。在权利要求书中，装置加功能语句g在覆盖本文所描述的如执行所引用的功能的结构，不仅包括结构等同物，也包括等同的结构。而且，除非在权利要求的限定中明确的引用术语“装置”，否则不应以35USC 112(6)来解释此限定。本申请要求2011年4月20日提交的韩国专利申请第10-2011-0036664号的优先权，通过引证的方式将其结合于此。
权利要求
1.一种板内切换模式液晶显示器的制造方法，所述方法包括以下步骤 通过在滤色器基板和TFT阵列基板之间插入液晶层形成液晶板； 将偏光器附接在所述滤色器基板上，所述偏光器上附接有保护膜； 形成与所述保护膜的边缘、所述滤色器基板的边缘和所述TFT阵列基板接触的银点； 通过去除所述保护膜去除所述银点的一部分；以及 将覆盖基板附接在所述滤色器基板上。
2.根据权利要求I所述的方法，其中，所述银点连续地接触所述偏光器、所述滤色器基板和所述TFT阵列基板。
3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤 将后ITO布置在所述偏光器和所述滤色器基板之间， 其中，所述银点与所述后ITO接触。
4.根据权利要求I所述的方法，其中，所述银点由银胶制成。
5.根据权利要求I所述的方法，所述方法还包括以下步骤 在去除所述保护膜之后，将触摸板附接在所述液晶板上。
6.一种板内切换模式液晶显示器的制造方法，所述方法包括以下步骤 通过在滤色器基板和TFT阵列基板之间插入液晶层形成液晶板； 将偏光器附接在所述滤色器基板上，所述偏光器上附接有保护膜，所述保护膜具有开口部分； 形成与所述保护膜的边缘、所述偏光器的边缘、所述滤色器基板的边缘和所述TFT阵列基板接触的银点； 通过去除所述保护膜去除所述银点的一部分；以及 将覆盖基板附接在所述滤色器基板上。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述保护膜的所述开口部分是所述保护膜的边缘的切口区域。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述银点连续地接触所述偏光器、所述滤色器基板和所述TFT阵列基板。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述银点与所述偏光器的顶部表面接触。
10.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括以下步骤 在去除所述保护膜之后，将触摸板附接在所述液晶板上。
全文摘要
本发明提供一种板内切换模式液晶显示器的制造方法，该方法能够防止在液晶板和覆盖基板的附接工艺期间由银点(Ag dot)引起的气泡产生的问题，并且能够提高银点工艺的良率。根据本发明的实施方式的板内切换模式液晶显示器的制造方法可以包括通过在滤色器基板和TFT阵列基板之间插入液晶层形成液晶板；将偏光器附接在所述滤色器基板上，所述偏光器上附接有保护膜；形成与所述保护膜的边缘、所述滤色器基板的边缘和所述TFT阵列基板接触的银点；通过去除所述保护膜去除所述银点的部分；以及将覆盖基板附接在所述滤色器基板上。
文档编号H01L21/77GK102749745SQ20111044768
公开日2012年10月24日 申请日期2011年12月28日 优先权日2011年4月20日
发明者张正又, 黄汉郁 申请人:乐金显示有限公司