专利名称：高均匀电场型中间封接环的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种高均勻电场型中间封接环，属于中间封接环技术领域。
背景技术：
40. 5kV真空灭弧室的中间封接环主要起均衡电场和冷凝污染物的作用。当真空灭弧室作隔离开关保护和高原产品使用时，其断口耐受短时工频电压和雷电冲击电压均无法满足要求，需在标准要求的基础上提高。所述原中间封接环本体采用0. 5mm厚的无氧铜板加工，其一端与屏蔽筒悬挂钎焊连接，另一端为R卷边结构，原中间封接环本体置于瓷壳上。这种结构由于与屏蔽筒为悬挂钎焊结构，需钎焊组件后使用，增长加工周期，增加了成本；卷边结构受空间影响半径设计较小，电场均衡效果不佳，雷电冲击耐受电压值不能够满足要求。
实用新型内容本实用新型的目的是针对上述现有技术的不足之处，提供一种高均勻电场型中间封接环，解决现有中间封接环工艺制造复杂、电场均衡效果不佳、雷电冲击耐受电压值不能够满足要求的问题，能有效的解决上述现有技术存在的问题。为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的一种高均勻电场型中间封接环，所述中间封接环本体由环形的底平面、斜边圆弧和竖向的立边组成，所述斜边圆弧与底平面的内端相连，立边与斜边圆弧的上端相连，在底平面的上平面设有瓷壳台阶，在底平面的底部设有屏蔽筒台阶。作为一种优选方式，所述斜边圆弧与立边形成15度的a夹角。作为一种优选方式，所述底平面的外直径为100-102. 5mm，屏蔽筒台阶的直径为 95-97. 5mm，瓷壳台阶的直径为86_90mm。作为对上述优选的进一步选择，所述底平面的外直径为102. 5mm，屏蔽筒台阶的直径为97. 5mm，瓷壳台阶的直径为89. 5mm。作为一种优选方式，所述立边的直径为75-78mm、高度为9_9. 5mm。作为对上述优选的进一步选择，所述立边的直径为78mm、高度为9. 5mm。作为一种优选方式，所述中间封接环的整体高度为18_20mm。作为对上述优选的进一步选择，所述中间封接环的整体高度为20mm。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型高均勻电场型中间封接环与屏蔽筒为非悬挂结构，不需要单独钎焊连接，缩短了工艺流程，降低了制造成本，满足高海拔的使用，适用范围广，能够实现以下有益效果1、增强电场均勻性，提高其耐受雷电冲击电压能力；2、缩短工艺流程；3、降低制造成本。
图1为本实用新型高均勻电场型中间封接环的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。如图1所示，所述中间封接环本体11由环形的底平面1、斜边圆弧2和竖向的立边3组成，所述斜边圆弧2与底平面1的内端相连，立边3与斜边圆弧2的上端相连，所述斜边圆弧2与立边3形成15度的a夹角。在底平面1的上平面设有瓷壳台阶4，在底平面 1的底部设有屏蔽筒台阶5。所述底平面1的外直径为100-102. 5mm，屏蔽筒台阶5的直径为95_97. 5mm，瓷壳台阶4的直径为86-90mm ；所述立边3的直径为75_78mm、高度为9_9. 5mm ；所述中间封接环的整体高度为18-20mm。具体在本实施例中，选用所述底平面1的外直径为102. 5mm，屏蔽筒台阶5的直径为97. 5mm，瓷壳台阶4的直径为89. 5mm ；底平面1两端的台阶选用直径97. 5mm的屏蔽筒台阶5和直径89. 5mm的瓷壳台阶4分别与屏蔽筒和瓷壳配合形成夹封结构，可一次封成， 缩短了工艺流程，降低了制造成本。所述立边3的直径为78mm、高度为9. 5mm ；所述中间封接环的整体高度为20mm ；直径为78mm的立边3与管内零件形成板对板的均勻电场结构，提高了产品耐受雷电冲击电压的能力。该高均勻电场型中间封接环应用到实际中时，使用其制造的产品后，雷电冲击耐受电压能力由原来的200kV提升到^5kV，满足高海拔3000米及以下使用。另外，由于中间封接环与屏蔽筒非悬挂结构，不需要单独钎焊连接，缩短工艺流程，降低了制造成本。如熟悉此技术的人员所了解的，以上所述本实用新型的较佳实施例仅用于帮助了解本实用新型的实施，本实用新型不限于上述实施方式，本领域普通技术人员所做出的对上述实施方式任何显而易见的改进或变更，都不会超出本实用新型的构思和所附权利要求的保护范围。
权利要求1.高均勻电场型中间封接环，其特征在于所述中间封接环本体由环形的底平面、斜边圆弧和竖向的立边组成，所述斜边圆弧与底平面的内端相连，立边与斜边圆弧的上端相连，在底平面的上平面设有瓷壳台阶，在底平面的底部设有屏蔽筒台阶。
2.根据权利要求1所述的高均勻电场型中间封接环，其特征在于所述斜边圆弧与立边形成15度的a夹角。
3.根据权利要求1所述的高均勻电场型中间封接环，其特征在于所述底平面的外直径为100-102. 5mm，屏蔽筒台阶的直径为95-97. 5mm，瓷壳台阶的直径为86_90mm。
4.根据权利要求3所述的高均勻电场型中间封接环，其特征在于所述底平面的外直径为102. 5mm，屏蔽筒台阶的直径为97. 5mm，瓷壳台阶的直径为89. 5mm。
5.根据权利要求1所述的高均勻电场型中间封接环，其特征在于所述立边的直径为 75-78mm、高度为 9-9. 5mm。
6.根据权利要求5所述的高均勻电场型中间封接环，其特征在于所述立边的直径为 78mm、高度为 9. 5mm。
7.根据权利要求1所述的高均勻电场型中间封接环，其特征在于所述中间封接环的整体高度为18-20mm。
8.根据权利要求7所述的高均勻电场型中间封接环，其特征在于所述中间封接环的整体高度为20mm。
专利摘要本实用新型公开了一种高均匀电场型中间封接环，所述中间封接环本体由环形的底平面、斜边圆弧和竖向的立边组成，所述斜边圆弧与底平面的内端相连，立边与斜边圆弧的上端相连，在底平面的上平面设有瓷壳台阶，在底平面的底部设有屏蔽筒台阶。本实用新型高均匀电场型中间封接环与屏蔽筒为非悬挂结构，不需要单独钎焊连接，缩短了工艺流程，降低了制造成本，满足高海拔的使用，适用范围广。
文档编号H01H33/664GK202134454SQ20112025321
公开日2012年2月1日 申请日期2011年7月18日 优先权日2011年7月18日
发明者刘继君, 肖红 申请人:成都凯赛尔电子有限公司