专利名称：防漏电led管芯结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及发光二极管器件技术领域，具体地说，涉及一种防漏电的LED管芯结构。
背景技术：
现有的发光二极管，大都存在发光和漏电两大技术问题。随着蓝光LED在照明和显示屏方面的广泛应用，对GaN基LED管芯的性能指标要求越来越高，如何提高LED的出光强度，减少LED的漏电成为产品市场竞争中的热点。目前，很多提高LED的出光强度、减少 LED漏电的技术往往体现在LED管芯外延生长结构、倒装、衬底更换等方面，而这些技术往往工艺复杂、成本高。
发明内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、成本低，能够有效提高出光强度、减少漏电的防漏电LED管芯结构。为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是防漏电LED管芯结构，包括自下而上依次设置的ZnO衬底；N型GaN层，所述N型GaN层的上表面呈阶梯状，所述阶梯状的上表面包括由侧面连接的第一平面和第二平面，所述第二平面高于所述第一平面，所述第一平面上设有N电极；InGaN/GaN多量子阱发光层，设置在所述第二平面上；P型GaN层；和 ITO透明导电层，所述ITO透明导电层上设有P电极，所述ITO透明导电层、所述第一平面以及两者之间的侧壁上覆盖有Si02介质膜。由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是由于本实用新型的防漏电 LED管芯结构在所述ITO透明导电层、所述第一平面以及两者之间的侧壁上覆盖有Si02介质膜，该Si02介质膜用作增透膜，当光透过该层Si02介质膜时某种波长的光的透过率会得到增强，因而提高了出光强度；与现有技术的^GaN/GaN多量子阱发光层侧面裸露的LED管芯结构相比，本实用新型的LED管芯结构所覆盖的Si02介质膜将^GaN/GaN多量子阱发光层的侧面覆盖住，从而防止漏电，起到保护作用；所述的Si02介质膜采用物理气相沉积的方式获得，工艺简单，且不会影响LED器件的性能，适合大批量生产。
以下结合附图
和实施例对本实用新型进一步说明附图是本实用新型实施例的结构示意图；图中1- ITO透明导电层；2- P型GaN层；3- InGaN/GaN多量子阱发光层；4- N型 GaN层；41-第一平面；42-第二平面；43-侧面；5- ZnO衬底；6-P电极；7-N电极；8_Si02 介质膜。
具体实施方式
[0009]如附图所示，防漏电LED管芯结构，包括自下而上依次设置的ZnO衬底5 ;N型GaN 层4，所述N型GaN层4的上表面呈阶梯状，所述阶梯状的上表面包括由侧面43连接的第一平面41和第二平面42，所述第二平面42高于所述第一平面41，所述第一平面41上设有 N电极7 ；InGaN/GaN多量子阱发光层3，设置在所述第二平面42上；P型GaN层2，设置在 InGaN/GaN多量子阱发光层3上；和ITO透明导电层1，设置在P型GaN层2上，所述ITO透明导电层1上设有P电极6，所述ITO透明导电层1、所述第一平面41以及两者之间的侧壁上覆盖有一层均勻的Si02介质膜8。该层Si02介质膜采用物理气相沉积的方式获得，工艺简单，且不会影响LED器件的性能，适合大批量生产。Si02介质膜8的折射率介于空气和ITO透明导电层1之间，该Si02介质膜8满足光学增透膜的要求，在此用作增透膜，当光透过该层Si02介质膜8时某种波长的光的透过率会得到增强，因而提高了出光强度；与现有技术的^GaN/GaN多量子阱发光层侧面裸露的LED管芯结构相比，本实用新型的LED管芯结构的Si02介质膜8将hGaN/GaN多量子阱发光层3的侧面覆盖住，从而防止了产生漏电的可能性，起到介质电保护作用。以上所述为本实用新型最佳实施方式的举例，其中未详细述及的部分均为本领域普通技术人员的公知常识。本实用新型的保护范围以权利要求的内容为准，任何基于本实用新型的技术启示而进行的等效变换，也在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.防漏电LED管芯结构，包括自下而上依次设置的 ZnO衬底；N型GaN层，所述N型GaN层的上表面呈阶梯状，所述阶梯状的上表面包括由侧面连接的第一平面和第二平面，所述第二平面高于所述第一平面，所述第一平面上设有N电极； InGaN/GaN多量子阱发光层，设置在所述第二平面上； P型feiN层；和ITO透明导电层，所述ITO透明导电层上设有P电极，其特征在于所述ITO透明导电层、所述第一平面以及两者之间的侧壁上覆盖有Si02介质膜。
专利摘要本实用新型公开了一种防漏电LED管芯结构，包括自下而上依次设置的ZnO衬底；N型GaN层，其上表面呈阶梯状，该阶梯状的上表面包括由侧面连接的第一平面和第二平面，且第二平面高于第一平面，第一平面上设有N电极；InGaN/GaN多量子阱发光层，设置在上述第二平面上；P型GaN层；和ITO透明导电层，所述ITO透明导电层上设有P电极，所述ITO透明导电层、所述第一平面以及两者之间的侧壁上覆盖有SiO2介质膜。本实用新型的防漏电LED管芯结构结构简单、成本低，能够有效提高出光强度、减少漏电，提高安全性能。
文档编号H01L33/44GK202259404SQ20112042042
公开日2012年5月30日 申请日期2011年10月29日 优先权日2011年10月29日
发明者吉爱华, 李玉芝, 祝菡菡 申请人:潍坊广生新能源有限公司