垂直直列cvd系统的制作方法

专利名称：垂直直列cvd系统的制作方法
垂直直列CVD系统发明背景发明领域本发明的实施例大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical vapordeposition;CVD)系统。相关技术的描述CVD是一种将化学前驱物引入处理腔室中、发生化学反应以形成预定化合物或材料，及将该预定化合物或材料沉积于处理腔室内的基板上的工艺。存在若干种CVD工艺。一种CVD工艺为在腔室中点燃等离子体以增强前驱物之间的反应的等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition;PECVD)。可藉由使用感应稱合等离子体源或电容耦合等离子体源而完成PECVD。
CVD工艺可用以处理大面积基板，诸如平板显示器或太阳电池板。CVD可用以沉积多层，诸如用于晶体管的硅基薄膜。在此项技术中需要一种降低平板显示器装置的制造成本的方法及设备。

发明内容
本发明大体而言关于一种垂直CVD系统,该垂直CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为水平居中的垂直等离子体产生器，该垂直等离子体产生器允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为双系统，藉此将各自具有自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载基板。每一机器人可进入该系统内的两个处理线。在一个实施例中，公开了一种设备。该设备包括基板装载站；机器人，该机器人可操作以自基板堆迭模块取得基板及将该基板置放于该基板装载站中；装载锁定室，该装载锁定室耦合至该基板装载站。该装载锁定室具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板位置；以及处理腔室，该处理腔室耦合至该装载锁定室。该基板装载站具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板装载位置。该处理腔室具有安置于一或多个处理源的相对侧上的两个基板装载位置。在另一实施例中，公开了一种设备。该设备包括两个基板装载站；两个机器人，该两个机器人可操作以自基板堆迭模块取得基板；两个装载锁定室；以及两个处理腔室。每一基板装载站具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板装载位置。每一机器人可操作以将基板置放于每一基板装载站中。每一装载锁定室耦合至相应的基板装载站，每一装载锁定室具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板位置。每一处理腔室耦合至相应的装载锁定室，每一处理腔室具有安置于一或多个处理源的相对侧上的两个基板装载位置。在另一实施例中，一种方法包括使用第一机器人自第一基板堆迭模块取得第一基板；将该第一基板置放于第一位置中的第一基板装载站中；使用该第一机器人自该第一基板堆迭模块取得第二基板；将该第二基板置放于与该第一基板装载站分离的第二位置中的第二基板装载站中；使用第二机器人自第二基板堆迭模块取得第三基板；将该第三基板置放于与该第一位置分离的第三位置中的该第一基板装载站中；使用该第二机器人自该第二基板堆迭模块取得第四基板；以及将该第四基板置放于与该第二位置分离的第四位置中的该第二基板装载站中。附图简要说明因此，可通过参考实施例(其中一些实施例图示于附加附图中)，获知上文所简要概述的本发明的更为具体的描述，从而可详细理解本发明的上述特征的方式。然而，应注意，附加附图仅图示本发明的典型实施例，且因此不欲视为本发明范畴的限制，因为本发明可允许其他同等有效的实施例。图I为根据一个实施例的处理系统的示意图。图2为图I的处理系统的示意俯视图。 图3为图I的处理系统的示意侧视图。图4为图I的处理腔室的近视图。图5为图I的处理系统的不意后视图。图6A为图I的处理腔室的示意横截面图。图6B为图I的处理腔室的部分侧视图。图7为用于图I的处理系统的抽空系统的图解说明。图8为图I的处理腔室的等角视图。图9为用于图I的处理系统的基板定序的俯视图解说明。图IOA至图IOC为图I的处理腔室的示意图。图IlA及图IlB为用于图I的处理系统中的基板载体的示意图。

图12A及图12B为图示针对图I的处理系统将基板自装载锁定室转移至处理腔室的示意图。图13为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的示意等角视图。图14为根据一个实施例的等离子体产生器的示意俯视图。图15为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图16为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图17为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图18为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图19为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图20为根据一个实施例的垂直基板批式装载锁定系统的图解说明。图21至图22为等离子体产生器的另一实施例的图解说明。图23为根据另一实施例的静态PECVD系统的不意系统布局。图24为根据另一实施例的静态PECVD系统的示意系统布局。图25为根据另一实施例的动态PECVD系统2500的示意系统布局。图26A至图26G为大气装卸站的示意图。图27A至图27D为装载锁定移位机构的图解说明。图28至图33图示用于处理系统及等离子体源的附加配置。
为促进理解，在可能情况下已使用相同元件符号来指定为附图所公用的相同元件。可预期可将一个实施例的元件及特征结构有益地并入未进一步叙述的其他实施例中。详细说明本发明大体而言关于一种垂直CVD系统,该垂直CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为水平居中的垂直等离子体产生器，该垂直等离子体产生器允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为双系统，藉此将各自具有自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载基板。每一机器人可进入该系统内的两个处理线。水平居中的垂直等离子体产生器为具有垂直于处理腔室内的等离子体源的等离子体产生器。应理解，所谓垂直，是指等离子体自接近或处于腔室底部的第一端延伸至接近或处于腔室顶部的第二端。应理解，所谓水平居中，是指等离子体源等间隔地介于处理腔室的两个壁或端之间。 可在可购自Applied Materials, Inc. (Santa Clara, California)的改进的AKTAristo系统中使用垂直CVD腔室来实施本文所论述的实施例。应理解，亦可在其他系统(包括由其他制造商出售的那些系统)中实施实施例。图I为根据一个实施例的垂直、线性CVD系统100的不意图。系统100的大小可设定为在沉积2，000埃厚度的氮化硅薄膜时处理具有大于约90，OOOmm2的表面积的基板，且能够每小时处理大于90个基板。系统100较佳包括两个分离处理线114AU14B，处理线114A、114B由公用系统控制平台112耦合在一起以形成双处理线配置/布局。公用电源供应器(诸如，交流电源供应器)、公用及/或共享泵送及排气组件及公用充气板可用于双处理线114A、114B。对每小时大于90个基板的系统总量而言，每一处理线114A、114B每小时可处理大于45个基板。亦预期可使用单个处理线或大于两个处理线来配置系统。用于垂直基板处理的双处理线114A、114B存在若干益处。因为腔室经垂直地配置，所以系统100的占地面积大约与单个、常规的水平处理线相同。因此，在大致相同的占地面积内，存在两个处理线114AU14B，此举有益于制造商在晶圆厂中节省占用面积。为帮助理解术语“垂直”的意义，考虑平板显示器。诸如计算机监视器的平板显示器具有长度、宽度及厚度。当平板显示器为垂直时，长度或宽度自地平面垂直延伸而厚度平行于地平面。相反地，当平板显示器为水平时，长度与宽度皆平行于地平面而厚度垂直于地平面。对大面积的基板而言，基板的长度及宽度比基板的厚度大许多倍。每一处理线114A、114B包括基板堆迭模块102A、102B，自基板堆迭模块102A、102B取得新的基板(亦即，尚未在系统100内处理的基板)且储存经处理基板。大气机器人104A、104B自基板堆迭模块102AU02B取得基板且将基板置放于双基板装载站106AU06B中。应理解，尽管将基板堆迭模块102AU02B图示为具有沿水平定向堆迭的基板，但安置于基板堆迭模块102AU02B中的基板可类似于基板在双基板装载站106AU06B中所固持的方式沿垂直定向维持。随后，将新的基板移入双基板装载锁定室108AU08B中，且随后移动至双基板处理腔室1010AU010B。随后，当下已处理的基板穿过双基板装载锁定室108AU08B中的一个而返回至双基板装载站106AU06B中的一个，其中该基板由大气机器人104AU04B中的一个取得且返回至基板堆迭模块102AU02B中的一个。
图2为图I的实施例的平面图。将同时就两个处理线114A、114B来论述顺序，即便基板仅沿一个路径下降。每一机器人104AU04B可沿公用轨道202移动。如将在下文所论述,每一机器人104A、104B可进入两个基板装载站106A、106B。有时候,用以经由处理线114AU14B输送基板的基板载体将需要维护以便修理、清洁或替换。因此，基板载体维护站204A、204B沿与装载锁定室108A、108B相对的处理线114A、114B耦合至处理腔室110A、IlOB0为抽空装载锁定室108A、108B以及处理腔室110A、110B，一或多个真空泵206可耦合至装载锁定室108AU08B及处理腔室110A、110B。为抽空装载锁定室108A、108B，真空泵206自耦合至两个装载锁定室108A、108B的抽空线210抽出真空。为抽空处理腔室110A、110B，抽空线 212、214、216、218、220、222、224、226 耦合至处理腔室 110A、110B。将在下文参阅图7进一步论述装载锁定室108A、108B及处理腔室110A、110B的抽空。图3为系统100的侧视图。在操作期间，处理腔室110AU10B的温度可升高，且因此经受热膨胀。类似地，具有高温的基板可自处理腔室110A、1 IOB进入装载锁定室108A、 108B，此举可使装载锁定室108AU08B经受热膨胀。为补偿装载锁定室108AU08B的热膨胀，装载锁定室108A、108B可具有端302，端302邻近处理腔室110A、110B固定但允许装载锁定室108AU08B的剩余物以及邻近基板装载站106AU06B在由箭头“A”所示的方向上移动。类似地，处理腔室110A、1 IOB可具有端304，端304邻近装载锁定室108A、108B固定，而处理腔室110AU10B的另一端以及基板载体维护站204A、204B可由于热膨胀在由箭头“B”所示的方向上移动。当处理腔室110AU10B因热膨胀而膨胀时，基板载体维护站204A、204B亦移动以允许处理腔室110A、IlOB膨胀。若当处理腔室110A、IlOB膨胀时基板载体维护站204A、204B未移动，则在炎热的夏日处理线114A、114B可非常类似铁路轨道而弯曲。类似地，当装载锁定室108AU08B膨胀时，基板装载站106AU06B亦移动以允许装载锁定室108AU08B 膨胀。图4为处理腔室IlOB的近视图，该近视示出允许处理腔室IlOB因热膨胀而移动的装备。应理解，尽管就处理腔室IlOB进行描述，但该描述将同样地适用于装载锁定室108B。将处理腔室IlOB安置于框架402上。处理腔室IlOB的端304具有固定点404及可沿安置于框架402上的一块低摩擦材料408移动的底座部分406。可用于低摩擦材料408的合适材料包括聚四氟乙烯。应理解，亦涵盖其他低摩擦材料。应理解，两个基板载体维护站204A、204B以及基板装载站106AU06B将具有安置于框架上的底座部分，该框架具有低摩擦材料以允许基板载体维护站204A、204B及基板装载站106AU06B移动。图5为图示抽空系统的处理系统100的后视图。图6A及图6B为处理腔室IlOB的俯视图及部分侧视图，图示出抽空位置，用于将真空系统连接至此。抽空线212、214、216、218、220、222、224、226各自具有随后耦合至分离器导管504A-504D的垂直导管502A-502D。每一分离器导管504A-504D具有耦合至处理腔室110A、1 IOB的两个连接点506A-506H。因此,对每一处理腔室110A、110B的每一侧面而言存在四个连接点。图6A图示用于处理腔室IlOB的连接点602A-602D。处理腔室IlOB图示为具有两个基板载体604A、604B，在基板载体604A、604B上各自具有基板606A、606B。等离子体产生器608与气体引入导管610 —样位于中心。等离子体产生器608为在处理腔室110A、110B内产生用于CVD的等离子体的微波源。电源614为等离子体产生器608供电。如图6B中所示，连接点602A、602I安置于腔室盖612的转角附近。因为连接点602A-602D安置于处理腔室IlOB的转角附近，所以可在腔室IlOB的所有区域中大体上均匀地抽空处理腔室110B。若仅使用一个抽空点，则与更远的位置相比在抽空点附近可存在更多真空。预期可能存在其他抽空连接，包括附加连接。图7为根据一个实施例的抽空系统700的图解说明。每一处理腔室110A、1 IOB可具有若干个真空泵702A-702H，而非单个真空泵。每一垂直线502A-502H在耦合至连接点602A-602P之前分成分离器导管504A-504H。节流阀704可定位于连接点602A-602P与分离器导管504A-504H之间以控制各自对应的处理腔室110AU10B的真空度。应理解，抽空系统700适用于具有较少真空泵的系统。若耦合至处理腔室的真空泵中的一个不工作，则耦合至处理腔室的其他真空泵可能补偿不工作的泵，以便处理腔室可维持预定的真空度。装载锁定室108A、108 B可由耦合至装载锁定室108A、108B的连接点708A、708B的公用真空泵706抽空。双向阀710可存在于真空泵706与连接点708A、708B之间以控制装载锁定室108A、108B的真空度。图8为与处理腔室IlOB间隔的腔室盖612的侧面透视图。为维护处理腔室110B，盖612可如箭头“C”所示藉由在点802A、802B处使垂直导管502A、502E与抽空线224、226分离而加以移动。因此，在不必拆卸整个抽空系统700或移动大量、重型系统组件的情况下，可移动盖612。可藉由使用诸如起重机或液压升降机的移动装置使盖612滑动离开处理腔室IlOB来移动盖612。图9图示机器人104AU04B自基板堆迭模块102AU02B移除基板906且将基板906置放于基板装载站环境902A-902D中的顺序。基板装载站106AU06B图示为具有两个分离环境902A-902D。在每一环境中，基板载体904面向不同的方向。因此，当基板906安置于基板装载站环境902A-902D内时，基板906由每一分离基板装载站106AU06B内的载体904间隔开。机器人104A自基板堆迭模块102A取得基板906且沿轨道202移动以将基板906置放于环境902B或环境902D中。当机器人104A将基板906置放于环境902B、902D中时，基板906被置放于载体904上，以使得基板906面向离开载体904的箭头「E」的方向。类似地，机器人104B自基板堆迭模块102B取得基板906且沿轨道202移动以将基板906置放于环境902A或环境902C中。当机器人104B将基板906置放于环境902A、902C中时，基板906被置放于载体904上，以使得基板906面向离开载体904的箭头“D”的方向。因此，两个机器人104AU04B皆可使用相同的基板装载站106AU06B且沿相同的轨道202移动。然而，每一机器人104A、104B进入基板装载站106A、106B的分离环境902A-902D且仅可将基板906置放于面向特定方向的各自对应的载体904上。图IOA至图IOC为根据一个实施例的双处理腔室110A、1 IOB的示意图。双处理腔室110A、IlOB包括以线性配置安置于每一处理腔室110AU10B的中心的多个微波天线1010。天线1010自处理腔室的顶部垂直延伸至处理腔室的底部。每一微波天线1010在耦合至微波天线1010的处理腔室的顶部与底部皆具有相应的微波功率头1012。如图IOB中所示，微波功率头1012为交错的。交错可归因于间隔限制。可经由每一功率头1012将功率独立地施加于天线1010的每一端。微波天线1010可在300MHz及300GHz的范围内的频率下操作。
处理腔室中的每一个被配置以能够处理两个基板，微波天线1010的每一侧上有一个基板。基板藉由平台1008及遮蔽框架1004固持于处理腔室中的适当位置。气体引入管1014安置于邻近微波天线1010之间。气体引入管1014自平行于微波天线1010的处理腔室的底部垂直延伸至顶部。气体引入管1014允许引入诸如硅前驱物及氮前驱物的处理气体。尽管未图示于图IOA至图IOC中，但处理腔室110A、110B可经由位于基板载体1008之后的泵送口来抽空。图IlA及图IlB为用以在装载锁定室108A、108B与处理腔室110A、110B之间移动基板的基板载体904的图解说明。基板906由机器人104AU04B置放于基板载体904上，而基板载体904位于装载站106AU06B中。基板载体904包括平板基座部分1108及垂直于平板基座部分1108延伸的干管(trunk) 1102。平板基座部分1108具有对准轨道1110，在输送期间令基板906倚靠于对准轨道1110上。对准轨道1110具有多个凹槽1112。使用凹槽1112以允许举升销啮合基板906且自基板载体904移除基板906。存在垂直于干管1102延伸的三个指状件1104。在一个实施例中，指状件1104可由碳纤维材料制造。基板906当承载在基板载体904上时为倾斜的，以使得基板904在接近垂直而非恰好垂直的 位置(诸如，与垂直偏移3度至6度)定位于载体904上。因为基板906并非恰好垂直，所以基板906靠在指状件1104上。平板基座部分1108具有沿平板基座部分1108的长度延伸的两个长槽1130。长槽1130提供了轨道，用以移动基板载体904的滚轮1124将在该轨道中旋转。基板载体904穿过将开口 1118密封于装载锁定室主体中的流量阀门自基板装载站106A、106B进入装载锁定室108A、108B。在装载锁定室108A、108B内，基板载体904安置于载体移动机构1122上，载体移动机构1122具有经线性配置以啮合基板载体904的长槽1130的多个滚轮1124。基板载体904可如箭头“F”所示沿载体移动机构1122线性地移动。每一载体移动机构1122的大小设定为接收两个基板载体904且使载体移动穿过系统100。载体移动机构1122可如箭头“G”所示在装载锁定室108AU08B内横向移动，以能够自基板装载站106A、106B接收基板载体904或将基板载体904输送至基板装载站106A、106B。另夕卜，载体移动机构1122可如箭头“G”所示在装载锁定室108AU08B内横向移动，以能够穿过流量阀开口 1120自处理腔室110A、1 IOB接收基板载体904或将基板载体904输送至处理腔室110A、110B。致动器(未图示)提供了运动，以允许载体移动机构1122沿由箭头“G”所示的方向横向平移。基板载体904进入处理腔室110A、IIOB以将基板906定位于处理腔室110A、IIOB内。随后，基板载体904缩回进入装载锁定室108AU08B，而基板906留在处理腔室110A、IlOB内以供处理。基板载体904在存在于处理腔室载体移动机构1126中的滚轮1128上移入处理腔室110AU10B中。载体移动机构1122包括未图示的马达，该马达为使载体运动的滚轮1124供电。滚轮1128经线性配置以啮合存在于基板载体904中的长槽1130。处理腔室110A、110B不仅具有微波天线608、平台1008及遮蔽框架1004，而且具有处理腔室载体移动机构1126。类似于存在于装载锁定室108AU08B中的载体移动机构1122，处理腔室载体移动机构1126具有经线性配置以啮合存在于基板载体904的底表面中的长槽1130的多个滚轮1128。处理腔室载体移动机构1126包括未图示的马达，该马达为使载体运动的滚轮1128供电。处理腔室载体移动机构1126亦能够如箭头“H”所示横向平移，以允许基板906 —旦由平台1008及遮蔽框架1004啮合则移入邻近微波天线608的处理位置。致动器(未图示)提供了运动，以允许处理腔室载体移动机构1126沿由箭头“H”所示的方向横向平移。为了自基板载体904接收基板906，基板906由举升销致动系统举升离开对准轨道1110。举升销致动系统包括举升销支撑结构1116及支撑结构移动机构1114。支撑结构移动机构1114可如箭头“H”所示在处理腔室载体移动机构1126上横向且垂直地移动，以移动举升销支撑结构1116。图12A及图12B为图示将基板906自基板载体904转移至处理腔室110A、110B的示意图。基板载体904穿过流量阀开口 1120进入处理腔室110AU10B。基板906和基板载体904的指状件1104在平台1008与遮蔽框架1004之间移动。支撑结构移动机构1114移动举升销支撑结构1116，以将支撑销1202及底部销1204移入用以自基板载体904接收基板的位置。支撑销1202啮合基板906且将基板906自倾斜位置移动至与指状件1104间隔的大体上垂直位置。底部销1204穿过基板下方的对准轨道1110的凹槽1112，而非啮合基 板906。底部销1204在与举升销支撑结构1116相对的尖端上具有放大销头。底部销1204的销头延伸超过基板906且比支撑销1202更远离举升销支撑结构1116延伸。随后，举升销支撑结构1116如箭头“I”所示垂直移动，以自载体904举升基板906。随后，载体904可自处理腔室110AU10B缩回进入装载锁定室。遮蔽框架1004由耦合于平台1008与遮蔽框架1004之间的致动器(未图示)朝平台1008移动，以将基板906夹持于遮蔽框架1004与平台1008之间。随后，基板906及平台1008如箭头“J”所示横向移动，以将基板定位于邻近微波天线608的处理位置。在处理期间，底部销1204可持续支撑基板906。为了处理系统100中的基板，首先大气机器人104A、104B自基板堆迭模块102A、102B取得基板且将该基板置放于双基板装载站106A、106B中。在一个实施例中，基板可置放于双基板装载站106AU06B中的基板载体904上。流量阀门开启且随后基板及基板载体904穿过开口 1118进入装载锁定室108A、108B。随后，将装载锁定室108A、108B抽空以接近邻近处理腔室110A、1 IOB的真空度。随后，流量阀门开启且随后基板及基板载体904穿过开口 1120进入处理腔室110A、110B。支撑结构移动机构1114致动，以沿由箭头“H”所示的方向移动举升销支撑结构1116，藉此底部销1204穿过对准轨道1110中且在基板下方的凹槽1112，同时支撑销啮合基板的背侧。随后，举升销支撑结构1116垂直致动，以沿由箭头“I”所示的方向移动支撑销1202及底部销1204以使基板自基板载体904脱离。随后，基板载体904自处理腔室110A、1 IOB缩回且流量阀门闭合。随后，当平台1008、基板及遮蔽框架1004移动至更接近微波天线608的位置以供处理时，基板夹于遮蔽框架1004与平台1008之间。在处理之后，倒转顺序以自系统100移除基板。图13为根据另一实施例的垂直CVD处理系统1300的示意等角视图。系统1300包括处理线的每一端上的玻璃装卸站1302a、1302b。处理线包括邻近于每一装卸站1302a、1302b的装载锁定室1304a、1304b。亦存在处理腔室1306。亦存在邻近于装卸站1302a、1302b的装卸机器人1308a、1308b。在图13所示的实施例中，系统1300为将在下文所论述的静态系统。可容易地将系统1300修改成动态系统，如下文所论述。对于静态操作而言，可为水平且大体上平行于地面的基板可耦合至机器人1308a的端效器1310。机器人1308a可视需要旋转，以操纵基板进入相对于先前水平位置的垂直定向。随后，将基板置放于装载站1302a中。基板载体(未图示)可夹持基板至垂直位置且随后输送基板穿过系统1300。可经修改以受益于本发明且用于系统1300中的基板载体在以上所提及的Aristo系统中可购得。可替代地使用其他合适的线性马达、致动器或运输装置。—旦将基板适当地固定于载体的垂直定向，则装载锁定室1304a上的流量阀1310a开启且载体将基板输送至装载锁定室1304a中。将基板固定于装载锁定室1304a内的载体，而装载锁定室1304a由流量阀1312a与处理腔室1306环境性地隔离且由流量阀1310a与装载站1302a环境性地隔离。尽管基板及载体安置于装载锁定室1304a内，但另一基板可装载至位于装载站1302a的另一基板载体。一旦处理腔室1306准备好接收基板，则流量阀1312a开启且载体将基板移入处理腔室1306内的位置。一旦流量阀1312a处于处理腔室1306内，则流量阀1312a闭合，以环境性地隔离处理腔室1306。可使载体在处理腔室1306内沿X方向来回振动，以解决处理腔室1306内的处理条件中的非均匀性。处理腔室1306可含有可由任何数量的源供电的等离子体产生器，这些源诸如微波(例如，重复性与重现性类型)、感应耦合等离子体(例如，平衡与非平衡)、电容耦合等离子体(相位调变或非相 位调变)或其他合适的等离子体产生源。等离子体产生器可为线性等离子体源或线性等离子体源的阵列，例如，等离子体产生器可为包含线性等离子体源或两个或两个以上线性等离子体源的阵列的等离子体产生器。每一(各个)线性源由金属天线组成，金属天线为实心或空心的、具有任意横截面(圆形、矩形等)且具有比该金属天线的横截面的特征尺寸大得多的长度；天线可直接暴露于等离子体或嵌入介电质中(注意介电质应理解为实心绝缘体或实心绝缘体加空气/气体间隙或多个间隙)，且在约400kHz至高达约8GHz的频率范围中由射频功率供电。线性源可在一端或两端处用一或两个RF产生器供电。又，一个产生器可为一个线性等离子体源或并联或串联的若干源或两者的组合供电。可同相或异相地驱动天线端；驱动电压的相位可由被动元件(LC)调整或在产生器侧上主动改变；相位调整可为静态或动态的(在时间上变化)。另外，在使用两个或两个以上RF产生器时，产生器可以略不同的频率操作，此举亦动态地改变驱动电压的相位。另外，处理腔室1306不需单独为CVD腔室。因为处理腔室1306由流量阀1312a、1312b与装载锁定室1304a、1304b环境性地隔离，所以处理腔室1306能够执行其他等离子体工艺，诸如蚀刻工艺，蚀刻工艺所使用的可损坏腔室的其他部分的气体较昂贵及/或可造成环境危害。在处理期间，处理腔室1306可由一或多个真空泵(未图示)抽空。另外，可将处理气体自一或多个气体源引入处理腔室1306中。在完成处理腔室1306内的处理后，流量阀1312b开启且将带有基板的载体输送至下一装载锁定室1304b中。随后，流量阀1312b闭合以使处理腔室1306与装载锁定室1304b环境性地隔离。随后，流量阀1310b开启以允许将载体及基板输送至另一装卸站1302b。一旦基板处于装卸站1302b，则在需要时可由机器人1308b自装卸站1302b移除基板。或者，基板可留在装卸站1302b中的载体中。装卸站1302b可旋转且允许基板及载体行进穿过装载锁定室1304a、1304b及位于那些各自对应的腔室的另一侧的处理腔室1306。在穿过处理腔室1306过程中，第一次穿过处理腔室1306时在处理腔室1306中处理的基板的相同表面被第二次处理。另外，在需要时可出现相同的处理，因为相同的处理源可用于各次穿过处理腔室1306。
在第二次在处理腔室1306中处理之后，随后，基板及载体将退出装载锁定室1304a且置放于装卸站1302a中。可使基板及载体旋转180度至机器人1308将自载体卸载基板的位置。装载锁定室1304a、1304b可视需要配备有两个加热元件或冷却元件，以在进入处理腔室1306之前预加热基板或在退出装载锁定室1304a、1304b至装卸站1302a、1302b之前冷却经处理基板。红外线加热源可用于预加热于装载锁定室1304a、1304b中的基板。输送基板穿过系统1300的载体在处于装卸站1302a、1302b的大气环境与处于装载锁定室1304a、1304b及处理腔室1306内的真空环境之间移动。当在真空环境内时，可将载体加热至处理温度；但当该载体处于大气中时，存在载体温度可能降低的可能性。温度循环(亦即，反复改变载体温度)可导致材料自载体剥落。在处理处理腔室1306中的基板的过程期间，剥落的材料可沉积于载体上。载体的加热及冷却可因载体的收缩及膨胀而导致剥落。为防止剥落，当载体位于大气环境时，可加热载体。当载体位于装卸站1302a、1302b上时，载体可由诸如红外线加热器或热板的加热源来加热。
图14为处理腔室1306的示意俯视图。处理腔室包括等离子体产生器1402、一或多个排气装置1404及用于引入处理气体的一或多个气体分配器1406。流量阀1312a、1312b图示用于开启及闭合，以密封处理腔室1306及以允许基板进入和退出处理腔室1306。在处理期间，当处理一个基板时，同时处理第二基板且沿相反方向使该第二基板行进于装载锁定室之间。因此，沿相反方向行进穿过系统1300的两个基板可在处理腔室1306内在等离子体产生器1402的相对侧上同时加以处理。可对系统1300进行少许修改，以允许系统1300作为动态系统而非静态系统来运作。在系统的动态操作中，基板、机器人1308a、1308b、装卸站1302a、1302b及流量阀1310a、1310b将与静态系统相同，然而，其他方面可略有不同。因为系统为动态系统，所以载体将连续地且在处理腔室1306内移动。因此，基板及载体将需要被加速至大体上恒定的速度以供横穿处理腔室1306。为适当地加速载体及基板1408，可使装载锁定室1304a、1304b延长以允许基板1408及载体加速至所要速度。或者，处理腔室1306可包括安置于处理部分与装载锁定室1304a、1304b之间的整备部分，以允许加速/减速。档板或气体幕可提供于处理部分与整备部分之间，以包含沉积气体及对处理部分的清洁。流量阀1312a、1312b可由档板或气体幕替换，该档板或气体幕仅允许基板1408及载体穿过该档板或气体幕而进入处理腔室1306。一旦载体处在处理腔室1306中，则以大体上恒定的速度移动载体，以确保最先进入处理腔室1306的基板1408的部分接收与最后进入处理腔室1306的基板1408的部分大体上相同的条件(亦即，暴露于处理条件的时间)。自然地，因为在装载锁定室1304a、1304b中存在足够的空间来加速基板1408及载体，所以在开启各自对应的流量阀1310a、1310b以移动基板1408及载体至装卸站1302a、1302b之前存在足够的空间来减速载体及基板1408。图15为根据另一实施例的垂直CVD处理系统1500的示意俯视图。系统1500包括具有由壁分离的环境性隔离区域1524a-1524d的两个双轨道装载锁定室1522a、1522b。处理腔室1504耦合于装载锁定室1522a、1522b之间。处理腔室1504具有处理部分1508，处理部分1508具有可为如上关于图14所论述的处理源的一或多个处理源1520。加速/减速部分1506a、1506b位于处理部分1508的任一侧。每一加速/减速部分1506a、1506b耦合至各自对应的装载锁定室1522a、1522b。藉由开启各自对应的环境性隔离区域1524a-1524d的门1514a_1514d及将基板1518置放于载体上，可将基板1518装载于装载锁定室1522a、1522b中的载体(未图示)上。可藉由相应的机器人1510a_1510d自基板储存单元1512a-1512d移除基板1518且将基板置放于载体上。类似地，在处理之后，基板1518可由机器人1510a-1510d自载体移除且置放于基板储存单元1512a_1512d中以等待进一步处理。由于装载锁定室1522a、1522b同时处理两个基板，所以藉由减少每基板泵循环数而增加产量。系统1500可作为动态处理系统操作。基板1518可由机器人1510a自基板储存单元1512a获得。环境性隔离区域1524a的门1514a可开启且两个基板1518可置放于存在于环境性隔离区域1524a中的各自对应的载体上。随后，门1514a闭合。随后，流量阀门1516a开启且基板及载体移动穿过流量阀门1516a。一旦基板1518及载体完全位于加速/减速部分1506a内，则流量阀门1516a闭合。随后，使外轨道上的基板1518及载体加速至大体上恒定的速度。一旦基板1518及载体处于恒定的速度，则基板1518及载体穿过界定加速/减速部分1506a与处理部分1508之间的边界的档板1526a。一旦清除外轨道上的载体，则内轨道上的基板及载体向外移动至外轨道上。基板1518及载体以大体上恒定的速 度移动穿过处理部分1508，以便整个基板1518暴露于处理条件历时大体上相同的时间量。藉由允许基板暴露于处理条件历时大体上相同的时间量，可获得基板1518的均匀处理。亦预期穿过部分1508的速度可变化。藉由穿过界定处理部分1508与加速/减速区域1506b之间的边界的档板1526b，基板1518及载体移出处理部分1508。一旦基板1518及载体位于加速/减速区域1506b中，则基板1518及载体减速且甚至可停止。将第一基板及载体移动至内轨道，以允许基板及载体返回至平行定向以促进同时进入装载锁定室1522b。随后，流量阀1516d开启以允许基板1518及载体移入装载锁定室1522b的环境性隔离区域1524d中。环境性隔离区域1524的门1514d开启，且机器人1510d自载体取得基板1518且将基板1518置放于基板储存单元1512d中。亦可自系统1500移除载体且将该载体输送回至装载锁定室1522a的环境性隔离区域1524a。因为载体暴露于大气中，所以载体可经受温度循环。因此，装载锁定室1522a、1522b可各自配备有可存在的加热元件。另外，冷却装置可存在于装载锁定室1522a、1522b中，以将基板在自装载锁定室1522a、1522b移除之前冷却至所要温度。与刚才所描述的工艺同时，基板1518可穿过处理腔室的相对侧沿相反方向移动穿过系统1500。基板1518可由机器人1510c自基板储存单元1512c取得，机器人1510c将基板1518置放于存在于装载锁定室1522b的环境性隔离区域1524c中的载体中。随后，环境性隔离区域1524c的门1514c闭合。流量阀门1516c可开启以允许基板1518及载体移入加速/减速区域1506b。可使基板1518及载体加速至所要速度，且随后穿过档板1526b进入处理部分1508。基板1518及载体可以如上所论述的大体上恒定的速度移动穿过处理部分1508，且随后穿过档板1526a退出处理部分1508进入加速/减速部分1506a。在流量阀门1516b开启以允许载体及基板1518进入装载锁定室1522a的环境性隔离区域1524b之前，基板1518及载体可减速乃至停止。一旦基板1518及载体位于环境性隔离区域1524b中，则流量阀门1516b闭合而装载锁定门1514b开启。随后，机器人1510b自载体取得基板1518且将基板1518置放于基板储存单元1512b中以供进一步处理。因此，系统1500允许动态处理相同处理部分1508内的多个基板1518。
图16为根据另一实施例的垂直CVD处理系统1600的不意俯视图。系统1600包括具有由壁分离的环境性隔离区域1624a-1624d的两个双轨道装载锁定室1622a、1622b。处理腔室1604耦合于装载锁定室1622a、1622b之间。处理腔室1604具有处理区域1608，处理区域1608具有可为如上关于图14所论述的处理源的一或多个处理源1620。加速/减速区域1606a、1606b位于处理区域1608的任一侧。每一加速/减速区域1606a、1606b耦合至各自对应的装载锁定室1622a、1622b。藉由开启各自对应的环境性隔离区域1624a_1624d的门1614a-1614d及将基板1618置放于类似于针对图15的系统1500所描述的载体的载体上，可将基板1618装载于装载锁定室1622a、1622b中的载体(未图示)上。可藉由相应的机器人1610a-1610d自基板储存单元1612a_1612d移除基板1618且将基板1618置放于载体上。类似地，在处理之后，基板1618可由机器人1610a-1610d自载体移除且置放于基板储存单元1612a-1612d中以等待进一步处理。系统1600可作为动态往复式处理系统操作。基板1618可由机器人1610a自基板储存单元1612a获得。环境性隔离区域1624a的门1614a可开启且基板1618可置放于存在
于环境性隔离区域1624a中的载体上。随后，门1614a闭合。随后,流量阀门1616a开启且基板1618及载体移动穿过流量阀门1616a。一旦基板1618及载体完全位于加速/减速区域1606a内，则流量阀门1616a闭合。随后，使基板1618及载体加速至大体上恒定的速度。一旦基板1618及载体处于恒定的速度，则基板1618及载体穿过界定加速/减速区域1606a与处理区域1608之间的边界的档板1626a。基板1618及载体以大体上恒定的速度移动穿过处理区域1608，以便整个基板1618暴露于处理条件历时大体上相同的时间量。藉由允许基板暴露于处理条件历时大体上相同的时间量，可获得基板1618的均匀处理。藉由穿过界定处理区域1608与加速/减速区域1606b之间的边界的档板1626b，基板1618及载体移出处理区域1608。一旦基板1618及载体位于加速/减速区域1606b中，则基板1618及载体减速至停止。随后，基板1618及载体倒转方向。使基板1618及载体加速至大体上恒定的速度，且随后允许再次穿过档板1626b进入处理区域1608，以便第二次处理基板1618的相同侧。基板1618及载体穿过档板1626b返回进入加速/减速区域1606a(基板1618及载体在该加速/减速区域1606a中减速且甚至可停止)。流量阀门1616a开启且载体及基板1618移入装载锁定室1622a的环境性隔离区域1624a。门1614a开启，且基板1618由机器人1610a取得且置放于基板储存单元1612a中。随后，可自基板储存单元1612a移除基板1618且机器人1610b将基板1618置放于载体中，以藉由移动基板1618及载体穿过系统1600来重复相同的工艺。装载锁定室1622a、1622b可各自配备有加热元件。另外，冷却装置可存在于装载锁定室1622a、1622b中，以将基板1618在自装载锁定室1622a、1622b移除之前冷却至所要温度。与刚才所描述的工艺同时，基板1618可自系统1600的相对侧移动穿过系统1600。基板1618可由机器人1610c自基板储存单元1612c取得，机器人1610c将基板1618置放于存在于装载锁定室1622b的环境性隔离区域1624c中的载体中。随后，环境性隔离区域1624c的门1614c闭合。流量阀门1616c可开启以允许基板1618及载体移入加速/减速区域1606b。可使基板1618及载体加速至所要速度，且随后穿过档板1626b进入处理区域1608。基板1618及载体可以如上所论述的大体上恒定的速度移动穿过处理区域1608，且随后穿过档板1626a退出处理区域1608进入加速/减速区域1606a。基板1618及载体可减速乃至停止。随后，基板1618及载体可倒转方向，以便可在加速/减速区域1606a内第二次处理基板的相同侧。使基板1618及载体加速至大体上恒定的速度且随后穿过档板1626a进入处理区域1608。基板1618及载体藉由穿过档板1626b退出处理区域1608进入加速/减速区域1606b。随后，基板1618及载体穿过流量阀门1616c进入装载锁定室1622b的环境性隔离区域1624c。门1614c开启，且机器人1610c取得基板1618且将基板1618置放于基板储存单元1612c中。随后，可藉由机器人1610c自基板储存单元1612c移除基板1618且将基板1618置放于载体中，以藉由移动基板1618及载体穿过系统1600来重复相同的工艺。同时，在等离子体处理源1620的相对侧上处理来自储存单元1612a-1612d的基板。图17为根据另一实施例的垂直CVD处理系统1700的不意俯视图。存在机器人1702a、1702b，该机器人1702a、1702b用于自基板储存单元1706a、1706b装载基板1704或将基板1704卸载至基板储存单元1706a、1706b及将基板1704置放于 载体中或自载体移除基板1704，这些载体移动基板1704穿过处理系统1700。处理系统1700亦包括基板装卸站1706，基板装卸站1706用作安置于装载锁定室1708附近的输入装载锁定室。装载锁定室1708耦合至处理腔室1710。处理腔室1710具有处理区域1712a、1712b及基板移位区域1714。可如以上参阅图14所描述来配置处理腔室1710。在操作中，基板1704由机器人1702a自基板储存单元1706a取得。装卸站1706的门1716a开启且基板1704置放于载体上。门1716a闭合且装卸站1706被抽空。随后，流量阀门1718a开启且基板1704及载体移入处理腔室1710的第一部分1720。当基板1704及载体位于第一部分1720时，使基板1704及载体加速至大体上恒定的速度。随后，基板1704及载体穿过档板1722a以进入处理腔室1710的处理区域1712a。处理区域1712包括如上关于图14所论述的处理源1724。当基板1704及载体移动穿过处理区域1712a时，处理基板1704。基板1704及载体穿过档板1726a进入基板移位区域1714。一旦基板1704及载体位于基板移位区域1714中，则基板1704及载体沿由箭头K所示的方向移位至外返回轨道。随后，基板1704及载体穿过可选的档板1726b经过处理区域1712a的外。基板1704及载体由壁1728a与处理源1724分离。随后，流量阀门1730a开启以允许基板1704及载体进入装载锁定室1708。随后，流量阀门1718b可开启以允许基板1704及载体可退出装载锁定室1708，在装载锁定室1708中基板1704可由机器人1702a取得且置放于基板储存单元1706a中。应注意，在图17所示的实施例中，装载锁定室1708相对于装卸站1706交错，以便退出腔室1708的载体可直接进入站1706以最小化来自载体的热损失。在载体位于邻近于站1706的区域时，载体亦可由红外线灯或其他合适的加热器加热以最小化载体的热循环。与刚才所描述的工艺同时，基板1704由机器人1702b自基板储存单元1706b取得。装卸站1706的门1716b开启且基板1704置放于载体上。门1716b闭合且站1706被抽空。随后，流量阀门1718c开启且基板1704及载体移入处理腔室1710的第一部分1720。当基板1704及载体位于第一部分1720时，使基板1704及载体加速至大体上恒定的速度。随后，基板1704及载体穿过档板1722b以进入处理腔室1710的处理区域1712b。当基板1704及载体移动穿过处理区域1712时，处理基板1704。基板1704及载体穿过档板1726c进入基板移位区域1714。一旦基板1704及载体位于基板移位区域1714中，则基板1704及载体沿由箭头L所示的方向移位至外返回轨道。随后，基板1704及载体穿过档板1726d经过处理区域1712b的外。基板1704及载体由壁1728b与处理源1724分离。随后，流量阀门1730b开启以允许基板1704及载体进入装载锁定室1708。随后，流量阀门1718d可开启以允许基板1704及载体退出装载锁定室1708，在装载锁定室1708中基板1704可由机器人1702b取得且置放于基板储存单元1706b中。随后，载体被返回至类似于如上所述的站1706以处理另一基板。应理解，尽管系统1700已被描述为动态系统，但系统1700可作为静态系统操作，藉此档板替换为流量阀且基板及载体在处理区域内振动。加热元件或红外线加热源可存在于装卸站1706内，以将载体维持于可接受温度且防止热循环。图18为根据另一实施例的垂直CVD处理系统1800的不意俯视图。处理系统1800包括装载锁定室1802及处理腔室1804。处理腔室1804包括加速/减速区域1806、具有处理源1810的处理区域1808及另一加速/减速区域1812。
在操作中，基板由机器人1826a自基板储存单元1828a取得。装载锁定室1802的第一环境性隔离区域1824a的门开启且机器人1826a将基板置放于装载锁定室1802中的载体1818上。在一个实施例中,将两个基板装载于安置于装载锁定室1802中的各自对应的载体上。亦预期可使用单个基板批式装载锁定室。门1822a闭合且将环境性隔离区域1824a抽空。在需要时，可加热基板。随后，基板及载体1818准备移入处理腔室1804。流量阀门1820a开启且载体1818及基板移入处理腔室1804的加速/减速区域1806。当轨道上的载体1818及基板位于处理腔室1804的加速/减速区域1806中时，使载体1818及基板加速至大体上恒定的速度，该轨道延伸穿过处理腔室1804。另一载体及基板被侧向移位，以线性地跟随基板穿过处理腔室1804。随后，基板及载体1818穿过档板1830至处理基板的处理区域1808。随后，基板及载体1818穿过另一档板1832进入处理腔室1804的加速/减速区域1812。随后，基板及载体1818移动至转盘1814上，转盘1814沿由箭头M所示的方向使基板与载体1818旋转。随后，基板及载体1818再次进入加速/减速区域1812，在加速/减速区域1812中基板及载体1818在穿过档板1832进入处理区域1808之前加速至大体上恒定的速度。随后，当基板穿过处理区域1808时，在先前处理的基板的相同侧再次处理该基板。随后，基板及载体1818再次穿过档板1830进入载体1818及的加速/减速区域1806 (基板在该的加速/减速区域1806中减速且甚至可停止)。基板被侧向移动以允许随后的基板及载体移入平行定向以进入装载锁定室。随后，流量阀门1820b开启且基板及载体1818移入装载锁定室1802的环境性隔离区域1824b。流量阀门1820b闭合而装载锁定门1822b开启。机器人1826b自载体1818取得基板且将基板置放于基板储存单元1828b中。载体1818移动至转盘1816上(使载体1818在该转盘1816中如由箭头N所示旋转)，以便载体1818可进入装载锁定室1802的环境性隔离区域1824a以接收另一基板。随后，将第二空载体导引至转盘1816，以如上所述将第二基板定位于区域1824a中。图19为根据另一实施例的垂直CVD处理系统1900的不意俯视图。存在机器人1902a、1902b，机器人1902a、1902b用于自基板储存单元1906a、1906b装载基板1904或将基板1904卸载至基板储存单元1906a、1906b及将基板1904置放于载体中或自载体移除基板1904，所述这些载体移动基板1904穿过处理系统1900。处理系统1900亦包括基板装卸站1906，基板装卸站1906安置于装载锁定室1908附近。装卸站1906及装载锁定室1908足够长，以在单个载体或分离载体上端对端地容纳两个基板。装载锁定室1908耦合至处理腔室1910。处理腔室1910具有处理区域1912a、1912b及基板移位区域1914。在操作中，基板1904由机器人1902a自基板储存单元1906a取得。装卸站1906的门1916a开启且基板1904置放于第一载体上。另一基板1904由机器人1902a取得且置放于第二载体上。门1916a闭合且装卸站1906被抽空。随后，流量阀门1918a开启且基板1904及载体移入处理腔室1910的第一部分1920。当基板1904及载体位于第一部分1920时，使基板1904及载体加速至大体上恒定的速度。预加热器1940可存在于第一部分1920中。随后，基板1904及载体穿过档板1922a以进入处理腔室1910的处理区域1912a。处理区域1912a包括如上关于图14所论述的处理源1924。处理区域1912a亦包括用于自处理区域1912a引入或抽空处理气体的开口 1926。当基板1904及载体移动穿过处理区域1912a时，处理基板1904。基板1904及载体穿过档板1926a进入基板移位区域1914。一旦基板1904及载体位于基板移位区域1914中，则基板1904及载体沿由箭头O所示的方向移位至外返回轨道。随后，基板1904及载体倒转方向且穿过档板1926b经过处理区域1912a之外。基板1904及载体由壁1928a与处理源1924分离。随后，流量阀门1930a开启以允许基板1904及载体进入装载锁定室1908。在装载锁定室1908已排气后，随后，流量阀门1918b可 开启以允许基板1904及载体退出装载锁定室1908，在装载锁定室1908中基板1904可由机器人1902a取得且置放于基板储存单元1906a中。应注意，在图19所示的实施例中，装载锁定室1908相对于装卸站1906交错。应理解，装载锁定室1908及装卸站1906未必为交错的且可包含分离或单一装载锁定室。与刚才所描述的工艺同时，基板1904由机器人1902b自基板储存单元1906b取得。装卸站1906的门1916b开启且基板1904置放于第三载体上。另一基板1904由机器人1902b取得且置放于第四载体上。门1916b闭合且装卸站1906被抽空。随后，流量阀门1918c开启且基板1904及载体移入处理腔室1910的第一部分1920。当基板1904及载体位于第一部分1920时，使基板1904及载体加速至大体上恒定的速度。预加热器1940可存在于如上所论述的第一部分1920中。随后，基板1904及载体穿过档板1922b以进入处理腔室1910的处理区域1912b。当基板1904及载体移动穿过处理区域1912b时，处理基板1904。基板1904及载体穿过档板1926c进入基板移位区域1914。一旦基板1904及载体位于基板移位区域1914中，则沿由箭头H所示的方向移位基板1904及载体。随后，基板1904及载体倒转方向且穿过档板1926d经过处理区域1912b的外。基板1904及载体由壁1928b与处理源1924分离。随后，流量阀门1930b开启以允许基板1904及载体进入装载锁定室1908。在装载锁定室1908已排气后，随后，流量阀门1918d可开启以允许基板1904及载体退出装载锁定室1908，在装载锁定室1908中基板1904可由机器人1902b取得且置放于基板储存单元1906b中。应了解,尽管系统1900已被描述为动态系统,但系统1900可作为静态系统操作，藉此档板替换为流量阀且基板及载体在处理区域内振动。加热元件或红外线加热源可存在于装卸站1906内，以如上所述将载体维持于可接受温度且防止热循环。图20为根据一个实施例的垂直基板批式装载锁定系统2000的图解说明。装载锁定系统2000包括装载锁定室主体2002，该主体2002内可含有一批基板2004。基板2004可各自I禹合至沿由箭头Q所示的方向线性地致动基板2004的分度(indexing)机构706,以允许基板2004由机器人取得以供插入载体上及穿过处理腔室。应理解，垂直基板批式装载锁定系统2000可用于以上所论述的任何实施例。另外，装载锁定系统2000可以端对端的方式容纳安置于主体2002内的两个基板。图21至图22为等离子体产生器2100的另一实施例的图解说明。等离子体产生器2100包括用于提供诸如Ar、Xe及/或Kr的激发气体的供给导管2102。石英管2104环绕等离子体产生器2106。石英管2104包括窗口，该窗口用于允许由激发气体形成的等离子体进入界定于处理每一基板所在的等离子体产生器2106的任一侧上的扩散等离子体区。石英管2104亦包括允许处理气体(例如，用于SiN沉积的SiH4、Si2H6及NH3)进入扩散等离子体区的多个孔。图23为根据一个实施例的静态PECVD系统2300的示意系统布局。系统2300使用装载锁定室中的副框架装卸机机构及两组滚轮驱 动器。处理腔室具有梭动机构以将基板移入处理位置。大气装卸机亦具有梭动机构。系统2300包括两个装卸机托架2302A、2302B，两个装载锁定室2308A、2308B及双处理腔室2310。装卸机托架2302A、2302B可如由箭头“R”所示横向移动，以自装载锁定室2308A、2308B取得基板2306或将基板2306输送至装载锁定室2308A、2308B。尽管未图示，但预期单个装卸机托架2302A、2302B可用以如由箭头“R”所示横向移动，以自装载锁定室2308A、2308B取得基板2306或将基板2306输送至装载锁定室2308A、2308B。基板2306固持于支撑于驱动滚轮2304上的基板框架2330内。当每一基板2306自大气装卸机托架2302A、2302B行进穿过装载锁定室2308A、2308B且进入处理腔室2310时，每一基板2306将与基板框架2330保留在一起。基板框架2330由留在大气中的驱动滚轮2304移入及移出装载锁定室2308A、2308B。装卸机托架2302A、2302B各自具有一组线性对准的内滚轮2304A及一组线性对准的外滚轮2304B。内滚轮2304A与外滚轮2304B将用于进入及退出系统2300的基板2306。例如，当经处理基板2306及框架2330自装载锁定室2308A、2308B进入装卸机托架2302A、2302B至内滚轮2304A上时，将自框架2330移除经处理基板2306。随后，将新基板2306置放于内滚轮2304A上的框架2330中，以随后进入装载锁定室2308A、2308B。随后，退出装载锁定室2308A、2308B的下一经处理基板2306及框架2330将进入外滚轮2304B上的装卸机托架2302A、2302B，其中将移除基板2306且将新基板置放于框架2330中。因此，基板2306在内滚轮2304A与外滚轮2304B之间交替。每一组滚轮2304A、2304B上的基板2306在位于装卸机托架2302A、2302B内时具有面向系统2300的中心线的「沉积」表面。装载锁定室2308A、2308B可具有承载基板2306及基板框架2330的载体平板2312。类似于装卸机托架2302A、2302B，装载锁定室2308A、2308B各自具有一组线性对准的内滚轮2314A，载体平板2312将在该组线性对准的内滚轮2314A上移动；一组线性对准的内滚轮2316A，基板2306及框架2330将在该组线性对准的内滚轮2316A上自来源于装载锁定的大气移入且移出至该大气；一组线性对准的外滚轮2314B，载体平板2312将在该组线性对准的外滚轮2314B上移动；以及一组线性对准的外滚轮2316B，基板2306及框架2330将在该组线性对准的外滚轮2316B上、自来源于装载锁定的大气移入且移出至该大气。内滚轮2314A、2316A与外滚轮2314B、2316B皆将用于自大气穿过装载锁定室2308A、2308B的基板2306。一旦基板2306进入基板框架2330上的装载锁定室2308A、2308B，随后，基板2306自驱动滚轮组2316A、2316B转移至载体平板2312上。例如，当经处理基板2306、框架2330及载体2312自处理腔室2310进入装载锁定室2308A、2308B至内滚轮2314A上时，新基板2306、框架2330及载体2312随后将在外滚轮2314B上自装载锁定进入处理腔室2310。经处理基板2306、框架2330及载体2312沿相同的滚轮2314A、2314B自处理腔室2310进入装载锁定室2308A、2308B，在此之后该经处理基板2306、框架2330及载体2312进入处理腔室2310。因此，框架2330及载体2312将沿相同组的滚轮2314A、2314B—直行进。然而，(经处理与未经处理)的基板可沿滚轮2314A、2314B、2316A、2316B、2304A、2304B中的任一个行进。每一组滚轮2304A、2304B、2316A、2316B使基板框架2330移动。每一组滚轮2314A、2314B、2320A、2320B使载体2312移动。另外，装载锁定室2308A、2308B可包括一或多个壁加热器2332。装载锁定室2308A、2308B由流量阀门2318与处理腔室2310环境性地隔离。处理腔室2310包括处理腔室托架2326A、2326B，该处理腔室托架2326A、2326B如由箭头“S”、“T”、“U”及“V”所示横向移动以使基板2306、框架2330及载体2312移入及移出处理位置。在处理腔室2310内，基板2306、基板框架2330及载体平板2312皆可安置于耦合至相应的滚轮驱动装置2324的一或多个滚轮2320A、2320B上。滚轮驱动装置2324由处理腔 室托架2326A、2326B致动，以藉由沿箭头“S”及“T”的方向移动将基板2306移动至邻近于天线源2322的位置中。滚轮驱动装置2324由处理腔室托架2326A、2326B致动，以藉由沿箭头“U”及“V ‘的方向移动将基板2306移出更远离天线源2322的位置。内滚轮2320A及外滚轮2320B自装载锁定室2308A、2308B接收载体2312。滚轮驱动装置2324将载体2312、基板2306及框架2330定位于与微波天线源2322相距相同的距离。因此，基于滚轮2320A、2320B、载体2312、基板2306及框架2330所设置的位置而控制滚轮驱动装置2324以移动滚轮2320A、2320B。亦可存在遮蔽框架2328以防止沉积于基板载体2312及基板2306的周边上。使用系统2300，可如下进行CVD工艺。可将基板2306装载至装卸机托架2302A、2302B中的空基板框架2330中。用夹子(未图示)将基板2306夹至框架2330，以将基板2306固持于框架2330上的预定位置中。同时，刚才经处理的基板可自处理腔室2310接收于装载锁定室2308A、2308B中。随后，装载锁定室2308A、2308B可通气至大气。同时，刚才自装载锁定室2308A、2308B接收进入处理腔室2310的新基板可藉由沿由箭头“S “及“T”所示的方向移动滚轮2320A、2320B而被移入处理位置，以开始在处理腔室2310中经处理。在处理腔室2310内，基板2306可如由箭头“W”所示在天线源2322前方振动，以解决微波天线源2322之间距问题且藉此增强沉积均匀性。当在处理腔室2310内处理基板2306时，装卸机托架2302A、2302B与装载锁定室2308A.2308B之间的门可开启，以便成品基板2306可自装载锁定室2308A、2308B卸载。随后，刚才经装载的基板2306可自装卸机托架2302A、2302B进入装载锁定室2308A、2308B。随后，装卸机托架2302A、2302B藉由沿由箭头“R”所示的方向横向移动来分度，以准备接收新基板。或者，将新基板2306置放于外滚轮2304B及内滚轮2304A上。例如，经处理基板2306及载体2312沿内滚轮2304A进入装卸机托架2302A、2302B。经处理基板2306将被卸载，且将新的未经处理基板2306置放于载体2312中以随后沿装载锁定室2308A、2308B的内滚轮2316A进入装载锁定室2308A、2308B。进入装卸机托架2302A、2302B的紧接着的下一经处理基板2306及载体2312将沿外滚轮2304B进入。装载锁定室2308A、2308B的门随后可闭合，且随后装载锁定室2308A、2308B可开始抽空至合适的真空度。接着，当装载锁定室2308A、2308B完成抽空至合适的真空度时，可卸载目前含于装卸机托架2302A、2302B内的成品基板2306。同时，处理腔室2301内的基板2306可完成处理，且随后藉由沿由箭头“U”及“V”所示的方向致动滚轮驱动装置2324而移动返回至基板交换位置。接着，流量阀门2318可在装载锁定室2308么、23088与处理腔室2310之间开启。当自处理腔室2310取得成品基板2306进入装载锁定室2308A、2308B时，可将新基板2306装载至装卸机托架2302A、2302B中。随后，可将新基板2306自装载锁定室2308A、2308B置放于处理腔室2310中。流量阀2318可闭合且基板2306可如由箭头“S”及“T”所示移入处理位置。装载锁定室2308A、2308B可开始排气。随后，循环可连续地重复直至已处理所要数量的基板2306。图24为根据另一实施例的静态PECVD系统2400的不意系统布局。该系统类似于 系统2300，区别在于载体2402贯穿系统2400移动且遮蔽框架2404在装载锁定室2406A、2406B与处理腔室2408内移动，而非仅在处理腔室内简单地加以使用。如图27A至图27D所示及所述，遮蔽框架2404可啮合载体2402。使用系统2400所执行的处理步骤将与使用系统2300所执行的处理步骤大体上相同。图25为根据另一实施例的动态PECVD系统2500的示意系统布局。系统2500包括基板装卸站2506A、2506B，在装卸站2506A、2506B中自系统2500装载基板2502及载体2504或将基板2502及载体2504卸载至系统2500。装卸站2506A、2506B各自具有内滚轮2508A及外滚轮2508B。在基板2502进入装载锁定室2512A、2512B之前将基板2502装载至载体2504中且置放于内滚轮2508A上。经处理基板2502在外滚轮2508B上自装载锁定室2512A、2512B进入装卸站2506A、2506B。流量阀2510环境性地隔离装卸站2506A、2506B与装载锁定室2512A、2512B。基板2502及载体2504在存在于装载锁定室2512A、2512B中的内滚轮2516A上进入装载锁定室2512A、2512B。在装载锁定室2512A、2512B内，遮蔽框架2514安置于基板2502及载体2504上方以保护载体2504免受沉积，如将在下文关于图27A至图27D所论述。被通气至大气以允许基板2502及载体2504进入的装载锁定室2512A、2512B，现在可被抽空。贯穿剩余工艺期间，遮蔽框架2514将与基板2502及载体2504 —同行进，直至基板2502及载体2504沿外滚轮2516B返回至装载锁定室2512A、2512B。装载锁定室2512A、2512B各自可具有可在处理之前预加热基板2502及载体2504的壁加热器2550。随后，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514可穿过流量阀2520进入处理腔室2522以供处理。处理腔室2522包括整备区域2524、处理区域2526及混合腔室区域2528。每一区域2524、2526、2528由内腔室阻障件2536、2538与邻近区域2524、2526、2528部分隔离。在图25所示的实施例中，腔室阻障件2536、2538为挡闸，但应理解，亦可使用诸如流量阀或气体幕的其他腔室阻障件。基板2502、载体2504及遮蔽框架2514沿内滚轮2530A进入整备区域2524。基板2502、载体2504及遮蔽框架2514经过内腔室阻障件2536且进入处理区域2526，将一或多个微波天线2540安置于处理区域2526中。基板2502、载体2504及遮蔽框架2514沿内滚轮2542A穿过处理区域2526。随后，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514经过内腔室阻障件2538且进入混合腔室区域2528。基板2502、载体2504及遮蔽框架2514在停止于滚轮2546上之前沿内滚轮2544A进入混合腔室区域2528。一旦滚轮驱动装置2548位于滚轮2546上，则滚轮驱动装置2548致动以沿由箭头“X”所示的方向移动滚轮，以便滚轮1646并非与内滚轮2530A、2542A、2544A线性地对准而是与外滚轮2530B、2542B、2544B线性地对准。处理腔室2522可经由安置于壁2534与壁2535之间且亦可安置于混合腔室2528中的泵送口来抽空。可将气体引入微波天线2540之间及/或微波天线2540与基板2502之间的区域中的处理腔室2522。在沉积工艺期间，基板2502以大体上恒定的速度移动经过微波天线2540。更特定而言，基板2502以大体上恒定的速度移动经过处理区域2526。应理解，尽管已描述混合腔室区域2528，但亦可预期如上所论述的回转腔室。现在，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514将开始沿外滚轮2530B、2542B、2544B行进返回至装卸站2506A、2506B。基板2502、载体2504及遮蔽框架2514藉由在混合腔室区域2528内的外滚轮2544B上滚动，随后在由壁2534与处理区域2526分离的外滚轮 2542B上滚动，且最后在亦由壁2534与载体进入区域分离的整备区域2524的外滚轮2530B上滚动，从而开始该基板2502、载体2504及遮蔽框架2514的移动。外滚轮2530B、2542B、2544B皆安置于壁2534之后，壁2534分离外滚轮2530B、2542B、2544B与内滚轮2530A、2542A、2544A且隔离基板2502、载体2504及遮蔽框架2514与微波天线2540以防止沉积于基板2502、载体2504及遮蔽框架2514上。随后，流量阀2520在整备区域2524与装载锁定室2512A、2512B之间开启，且基板2502、载体2504及遮蔽框架2514在装载锁定室2512A、2512B的外滚轮2516B上滚动。在装载锁定室2512A、2512B内，遮蔽框架2514将脱离基板2502及载体2504。装载锁定室2512A、2512B将排气且流量阀门2510将开启以允许基板2502及载体2504沿外滚轮2508B进入装卸站2506A、2506B。随后，可自系统移除基板2502。当在系统2500中运行处理时，可将基板2502自基板盒装载至载体2504且置放于装卸站2506A、2506B中。用夹子(未图示)将基板2502夹固至载体2504，以将基板2502固持于载体2504上的预定位置中。同时，在装载锁定室2512A、2512B内，载体2504正好完成真空交换以自处理腔室2522接收处理基板2502。当遮蔽框架2514移动至邻近于内滚轮2516A的装载锁定室2512A、2512B的相对侧时，装载锁定室2512A、2512B开始通气至大气。同时，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514穿过处理区域2526内的等离子体。当基板2502、载体2504及遮蔽框架2514退出等离子体时，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514加速进入混合腔室区域2528至滚轮2546上。随后，滚轮驱动装置2548致动以将基板2502、载体2504及遮蔽框架2514移动至与外滚轮2530B、2542B、2544B对准。随后，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514将移动至整备区域2524，以等待与装载锁定室2512A、2512B的下一次真空交换。同时，将以缓慢且稳定的持续时间持续对其他基板2502进行处理，且滚轮驱动装置2548将致动返回至与内滚轮2530A、2542A、2544A对准。接着，刚才装载至装卸站2506A、2506B中的基板2502及载体2504沿内滚轮2516A自内滚轮2508A进入相应的装载锁定室2512A、2512B，同时处理基板2502及载体2504沿外滚轮2516B退出装载锁定室2512A、2512B至外滚轮2508B上。随后，可将经处理基板自载体2504卸载且返回至储存盒中。在基板2502及载体2504已进入装载锁定室2512A、2512B之后，可将装载锁定室2512A、2512B抽空且可将遮蔽框架2514移入将在下文关于图27A至图27D所论述的位置。在处理腔室内，如上所述持续处理。
接着，将新基板2502及载体2504再装载至装卸站2506A、2506B中。在装载锁定室2512A、2512B内，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514自外滚轮2530B至外滚轮2516B上自处理腔室进入装载锁定室2512A、2512B。同时，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514沿内滚轮2530A自内滚轮2516A进入处理腔室2522。随后，流量阀2520可闭合以允许装载锁定室2512A、2512B通气至大气。在处理腔室2522内，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514加速至赶上正在处理区域2526中处理的基板2502、载体2504及遮蔽框架2514。就处理腔室2522而言应注意的一个要素为，基板2502、载体2504及遮蔽框架2514在不同区域2524、2526、2528内移动的不同速度。基板2502、载体2504及遮蔽框架2514在整备区域2524及混合腔室区域2528内以大于穿过处理区域2526的速度的速度移动。即使基板2502、载体2504及遮蔽框架2514将十分缓慢地移动穿过处理区域2526，但整备区域2524及混合腔室区域2528允许基板产量较高。通常，基板2502位于装载锁定室2512A、2512B内的时间段应大约等于基板2502总共穿过处理区域2526及整备区域2524的时间段，且亦等于基板2502穿入且穿过混合腔室区域且沿外滚轮2544B、2542B、2530B的时间段。基板2502以大体上恒定的速度穿过处理区域2526以增强沉积均匀性。 动态系统2500的一个益处在于，出来且与每一基板热循环的载体免受无关沉积，而收集这些沉积的遮蔽框架2514 —直保持为热的且位于系统2500内。系统2500的产量可为多达每小时130个基板。不同于静态系统，各个微波线源的数量且因而总等离子体功率并不取决于达成所要均匀性所需的源到源间隔。系统2500使用装载锁定室内的遮蔽框架装卸机机构。系统亦使用大气中的机构，该机构在自载体卸载经处理基板且将未经处理基板装载至载体上之后自外轨道移除基板载体且将该基板载体替换至内轨道上。图26A至图26G为可用于系统2500中的大气装卸站2600的示意图。大气装卸站2600包括可如由箭头“Y”所示垂直移动的滚轮驱动装置托架2602以移动内滚轮2508A及外滚轮2508B，以便可移除基板2502及载体2504。一旦经处理基板2502及载体2504在外滚轮2508B上进入大气装卸站2600，则可移除基板2502及载体2504。基板载体2504可以在系统2500内输送期间基板载体2504实际上并不接触顶部轴承2604的任何部分的方式受磁化，且由磁性斥力固持于顶部轴承2604的磁轭内。在所示实施例中，顶部轴承2604包含永久磁铁，然而，预期亦可使用电磁铁。基板载体2504具有多个基板载体抓取销2608。抓取销2608用于将载体2504置放至装卸站2600上及自装卸站2600移除载体2504。当基板2502及载体2504随滚轮驱动装置托架2602下降而自顶部轴承2604下降时，载体2504由具有多个钩元件2612的基板载体托架2610啮合，钩元件2612自底部啮合抓取销2608。随后，载体2504及基板2502将倚靠在钩元件2612上。随后，基板载体托架2610可如由箭头“Z”所示在滚轮2614上垂直移动，以使载体2504下降远离且脱离顶部轴承2604。基板载体托架2610耦合至载体固持器/旋转组件2616，随后载体固持器/旋转组件2616可环绕轴2618自载体2504为大体上垂直的位置枢转至载体2504为大体上水平的位置。当载体固持器/旋转组件2616枢转时，基板2502遇到举升销2624，举升销2624自举升销平板2622延伸以自载体2504移除基板2502。或者，一旦载体固持器/旋转组件2616旋转至大体上水平的位置，则举升销平板2622可在滚轮2626上垂直移动以升起举升销2624及自载体2504移除基板2502。用夹子(未图示)将基板2502夹至载体2504，以将基板2502固持于载体2504上的预定位置中。预期举升销平板2622可耦合至基板载体托架2610，而非如图所示与基板载体托架2610隔开。随后，可将经处理基板2502移除至盒，且可将新的未经处理基板2502置放于举升销2624上。随后，载体固持器/旋转组件2616可枢转回至垂直位置。随后，旋转组件托架2620可如由箭头“AA”所示横向移动，以将载体2504移动至内滚轮2508A。随后，基板载体托架2610可如由箭头“Z”所示垂直移动，以至少部分地啮合顶部轴承2604。随后，滚轮驱动装置托架2602可如由箭头“Y”所示垂直移动，以使载体2504脱离钩元件2612。随后，旋转组件托架2620可如由箭头“AA”所示横向移动且工艺可再次开始。可如下处理基板。基板2502及载体2504正好在外滚轮2508B上进入站2600。如图26A所示，载体固持器/旋转组件2616移入抓取载体2504的位置。滚轮驱动装置托架2602使载体2504下降至钩元件2612上。如图26B所示，基板载体托架2610稳固地夹紧载体2504且自顶部轴承2604抽出载体2504。随后，载体固持器/旋转组件2616向下旋转至交换基板位置，如图26C所示。随后，以未经处理基板交换经处理基板2502，如图26D所示。随后，载体固持器/旋转组件2616旋转返回至垂直状,如图26E所示。如图26F所示，载体固持器/旋转组件2616将载体2504移动至内滚轮2508A上方的位置中。当滚轮驱动 装置托架升起以将载体2504固持于适当的位置时，载体托架2610举升且再啮合顶部轴承2604。如图26G所示，基板载体托架2610松开且下降，以释放载体2504。随后，载体2504及基板2502准备好进入装载锁定室以为处理作准备。图27A至图27D为装载锁定移位机构2700的图解说明。装载锁定移位机构2700包括可处于大气压力的框架组件2704。在框架组件2704内存在垂直延伸支撑梁2716、自支撑梁2716延伸的多个水平延伸支撑梁2706以及遮蔽框架啮合梁2712。梁2716、2706、2712皆在真空之下，因此波纹管2708、2710可用以将梁2716、2706、2712密封于真空环境内同时允许梁2716、2706、2712移动。梁2716、2706、2712可沿滚轮2702沿如由箭头“BB”所示的垂直方向移动，滚轮2702沿框架组件2704内部移动。整个装载锁定移位机构2700可如由箭头“CC”所示横向移动。装载锁定移位机构2700操作如下。如图27A所示，经处理基板2502、载体2504及遮蔽框架2514自处理腔室进入装载锁定室。随后，装载锁定移位机构2700横向移动，以使得自梁2712延伸的销2714啮合遮蔽框架2514中的槽2730，如图27B所示。尽管未图示，但载体2504亦可具有多个销(未图示)，这些销各自啮合遮蔽框架2514中的相应槽(未图示)以将遮蔽框架固持于与载体2504耦合的位置中。随后，梁2716、2706、2712如由箭头“BB”所示地垂直移动，以自载体2504中的多个销(未图示)举升遮蔽框架2514，这些销将遮蔽框架2514耦合至载体2504。随后，移位机构2700如由箭头“CC”所示横向移动，以使遮蔽框架2514脱离载体2504。随后，将遮蔽框架2514移动至装载锁定室的相对侧。随后，装载锁定室可通气至大气。随后，基板2502及载体2504可退出装载锁定室。随后，新的未经处理基板2502及载体2504可进入装载锁定室。当将装载锁定室抽空时，移位机构2700横向移动以将遮蔽框架2514置放于使遮蔽框架2514下降至刚才进入装载锁定室的载体2504上的位置中，如图27C所示。随后，移位机构2700可使遮蔽框架2514下降至载体2504上且缩回至等待位置，如图27D所示。随后，流量阀可开启以允许经处理基板进入装载锁定室，而未经处理基板进入处理腔室。图28为根据另一实施例的垂直CVD系统的示意横断面图。系统2800包括基板装卸站2802及基板转移梭动机构2804。图29为根据另一实施例的垂直CVD系统2900的俯视图解说明。系统2900包括由门2904与装载锁定室2906相分离的装卸机器人2902。装载锁定室2906包括诸如红外线加热器的加热器转移元件2908，以在穿过流量阀开口 2914进入处理腔室2910之前加热基板。在处理腔室2910内存在一或多个等离子体产生器2912。图30为处理腔室3000的示意横截面图，处理腔室3000具有如由箭头“DD”所示在处理腔室3000前方经过的基板载体3002。
图31为根据另一实施例的处理腔室3100的图解说明。处理腔室包括基板温度稳定器3102 (亦即，加热器或冷却器平板)、一或多个等离子体产生器3104、可包含陶瓷材料的处理气体管3106、泵送口 3108及泵送通道3110。在可由介电管或陶瓷管或石英环绕的等离子体产生器3104附近输送冷却气体。图32为处理腔室3100的图解说明，该图解说明图示经由安置于等离子体产生器3104之间的气体引入元件3202的端3204输送之前驱物气体及经由气体引入元件的中心3206输送的其他前驱物气体。图33为根据一个实施例的处理腔室3300的底部的图解说明。腔室3300包括非接触磁性支撑件，用于在处理期间将基板固持于适当位置；处理气体密封件3304，用于防止将处理气体引入腔室的不当的区域中；线性致动器步进驱动机构3306 ;净化气体线3308，用于引入净化气体；以及泵送通道3310，用于抽空处理腔室3300。藉由使用垂直CVD系统，可同时处理多个基板。同时处理多个基板降低了制造成本，从而可增加制造商的利润。尽管上述内容针对本发明的实施例，但在不脱离本发明的基本范畴的情况下，可设计本发明的其他及另外实施例，且本发明的范畴由以下申请专利范围来决定。
权利要求
1.一种设备，所述设备包含 基板装载站，所述基板装载站具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板装载位置； 机器人，所述机器人可操作以自基板堆迭模块取得基板及将所述基板置放于所述基板装载站中； 装载锁定室，所述装载锁定室耦合至所述基板装载站，所述装载锁定室具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板位置；以及 处理腔室，所述处理腔室耦合至所述装载锁定室，所述处理腔室具有安置于一或多个处理源的相对侧上的两个基板装载位置。
2.一种设备，所述设备包含 两个基板装载站，每一基板装载站具有安置于中心壁的相对侧的两个基板装载位置； 两个机器人，所述两个机器人可操作以自基板堆迭模块取得基板，每一机器人可操作以将基板置放于每一基板装载站中； 两个装载锁定室，每一装载锁定室耦合至相应的基板装载站，每一装载锁定室具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板位置；以及 两个处理腔室，每一处理腔室耦合至相应的装载锁定室，每一处理腔室具有安置于一或多个处理源的相对侧上的两个基板装载位置。
3.如权利要求I所述的设备，其中所述处理腔室具有两个盖，一个盖对应于所述中心壁的每一相对侧，且每一盖耦合至处于四个分离位置的真空源。
4.如权利要求I所述的设备，其中所述处理腔室可相对于所述装载锁定室移动，以允许所述处理腔室因热膨胀而移动。
5.如权利要求I所述的设备，其进一步包含基板载体维护站，所述基板载体维护站耦合至所述处理腔室。
6.如权利要求I所述的设备，其中所述基板装载站为大气站，且其中所述装载锁定室及所述处理腔室为真空腔室。
7.如权利要求I或2所述的设备，其中所述一或多个处理源包含多个微波源。
8.如权利要求2所述的设备，其中每一处理腔室具有两个盖，一个盖对应于所述中心壁的每一相对侧，且每一盖耦合至处于四个分离位置的一真空源。
9.如权利要求3或8所述的设备，其中所述两个盖各自可移动远离所述中心壁以暴露所述处理腔室的内侧，且其中将所述处理腔室耦合至所述真空源的管可随所述盖移动。
10.如权利要求2所述的设备，其中每一处理腔室可相对于所述相应的装载锁定室移动，以允许所述处理腔室因热膨胀而移动。
11.如权利要求2所述的设备，其进一步包含两个基板载体维护站，每一基板载体维护站耦合至相应处理腔室。
12.如权利要求2所述的设备，其中每一基板装载站为大气站，且其中每一装载锁定室及每一处理腔室为真空腔室。
13.一种方法，所述方法包含以下步骤 自第一基板堆迭模块取得第一基板至第一机器人上； 将所述第一基板置放于第一位置中的第一基板装载站中； 自所述第一基板堆迭模块取得第二基板至所述第一机器人上；将所述第二基板置放于与所述第一基板装载站分离的第二位置中的第二基板装载站中；自第二基板堆迭模块取得第三基板至第二机器人上； 将所述第三基板置放于与所述第一位置分离的第三位置中的所述第一基板装载站中； 自所述第二基板堆迭模块取得第四基板至所述第二机器人上；以及 将所述第四基板置放于与所述第二位置分离的第四位置中的所述第二基板装载站中。
14.如权利要求13所述的方法，其中将所述第一基板置放于所述第一基板装载站中的步骤包含以下步骤将所述第一基板置放于第一基板载体上，且其中将所述第二基板置放于所述第二基板装载站中的步骤包含以下步骤将所述第二基板置放于第二基板载体上，其中将所述第三基板置放于所述第一基板装载站中的步骤包含以下步骤将所述第三基板 置放于第三基板载体上，以使得所述第一基板及所述第三基板由所述第一基板载体及所述第三基板载体间隔开，其中将所述第四基板置放于所述第二基板装载站中的步骤包含以下步骤将所述第四基板置放于第四基板载体上，以使得所述第二基板及所述第四基板由所述第二基板载体及所述第四基板载体间隔开。
15.如权利要求13所述的方法，其中所述第一机器人及所述第二机器人沿公用轨道移动，其中取得所述第一基板的步骤包含以下步骤自第一位置取得所述第一基板，所述第一位置具有第一定向；且其中将所述第一基板置放于所述第一基板装载站中的步骤包含以下步骤将所述基板置放于第二位置中的所述第一基板装载站中，所述第二位置具有实质上垂直于所述第一位置的第二定向。
全文摘要
本发明大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical vapor deposition;CVD)系统，其具有能够处理多个基板的一处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为一水平居中的垂直等离子体产生器，其允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为一双系统，藉此将各自具有其自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载这些基板。每一机器人可使用该系统内的两个处理线。
文档编号H01L21/677GK102859655SQ201180021614
公开日2013年1月2日 申请日期2011年4月29日 优先权日2010年4月30日
发明者栗田真一, J·库德拉, S·安瓦尔, J·M·怀特, D-K·伊姆, H·沃尔夫, D·兹瓦罗, 稻川真, I·莫里 申请人:应用材料公司