具有非对称凸柱/基座/凸柱散热座的半导体芯片组体的制作方法

专利名称：具有非对称凸柱/基座/凸柱散热座的半导体芯片组体的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体芯片组体，特别是涉及一种由半导体元件、导线、黏着层及散热座组成的半导体芯片组体及其制造方法。本申请案为2009年11月11日提出申请的第12/616，773号美国专利申请案的部分延续案，也为2009年11月11日提出申请的第12/616,775号美国专利申请案的部分延续案，以上两案的内容均以引用的方式并入本文。本申请案另主张2010年11月7日提出申请的第61/410，932号美国临时专利申请案及2010年6月3日提出申请的第61/350，923号美国临时专利申请案的优先权，以上两案的内容也以引用的方式并入本文。上述于2009年11月11日提出申请的第12/616，773号美国专利申请案及上述于2009年11月11日提出申请的第12/616，775号美国专利申请案均为2009年9月11日提出申请的第12/557，540美国专利申请案的部分延续案，且也均为2009年9月11日提出申请的第12/557，541号美国专利申请案的部分延续案。上述于2009年9月11日提出申请的第12/557，540号美国专利申请案及上述于2009年9月11日提出申请的第12/557,541号美国专利申请案均为2009年3月18日提出申请的第12/406,510号美国专利申请案的部分延续案。该第12/406,510号美国专利申请案主张2008年5月7日提出申请的第61/071，589号美国临时专利申请案、2008年5月7日提出申请的第61/071，588号美国临时专利申请案、2008年4月11日提出申请的第61/071，072号美国临时专利申请案及2008年3月25日提出申请的第61/064，748号美国临时专利申请案的优先权，上述各案的内容均以引用的方式并入本文。上述于2009年9月11日提出申请的第12/557，540号美国专利申请案及上述于2009年9月11日提出申请的第12/557，541号美国专利申请案也主张2009年2月9日提出申请的第61/150，980号美国临时专利申请案的优先权，其内容以引用的方式并入本文。
背景技术：
诸如经封装与未经封装的半导体芯片等半导体元件可提供高电压、高频率及高效能的应用，这些应用需消耗大量的功率以执行特定功能，然而功率愈高则半导体元件产生的热愈多。此外，在封装密度提高及尺寸缩减后，可供散热的表面积缩小，更导致热能累积加剧。半导体元件在高温操作下易产生效能衰退及使用寿命缩短等问题，甚至可能立即故障。高热不仅影响芯片效能，也可能因热膨胀不匹配而对芯片及其周遭元件产生热应力作用。因此，必须使芯片迅速有效散热方能确保其操作的效率与可靠度。高导热性路径通常需将热能传导并发散至一表面积较芯片或芯片所在的晶粒座更大的区域。发光二极管(LED)近来已普遍成为白炽光源、荧光光源与卤素光源的替代光源。
LED可为医疗、军事、招牌、讯号、航空、航海、车辆、可携式设备、商用与住家照明等应用领域提供高能源效率及低成本的长时间照明。例如，LED可为灯具、手电筒、车头灯、探照灯、交通号志灯及显示器等设备提供光源。
LED中的高功率芯片在提供高亮度输出的同时也产生大量热能。然而，在高温操作下，LED会发生色偏、亮度降低、使用寿命缩短及立即故障等问题。此外，LED在散热方面有其限制，进而影响其光输出与可靠度。因此，LED格外突显市场对于具有良好散热效果的高功率芯片的需求。LED封装体通常包含一 LED芯片、一基座、电接点及一热接点。所述基座热连结至LED芯片并用以支撑该LED芯片。电接点则电连结至LED芯片的阳极与阴极。热接点经由该基座热连结至LED芯片，其下方载具可充分散热以预防LED芯片过热 。业界积极以各种设计及制造技术投入高功率芯片封装体与导热板的研发，以期在此极度成本竞争的环境中满足效能需求。塑料球栅阵列(PBGA)封装是将一芯片与一层压基板包裹于一塑料外壳中，然后再以锡球黏附于一印刷电路板(PCB)之上。所述层压基板包含一通常由玻璃纤维构成的介电层。芯片产生的热能可经由塑料及介电层传至锡球，进而传至印刷电路板。然而，由于塑料与介电层的导热性低，PBGA的散热效果不佳。方形扁平无引脚(QFN)封装是将芯片设置在一焊接于印刷电路板的铜质晶粒座上。芯片产生的热能可经由晶粒座传至印刷电路板。然而，由于其导线架中介层的路由能力有限，使得QFN封装无法适用于高输入/输出(I/O)芯片或无源元件。导热板为半导体元件提供电性路由、热管理与机械性支撑等功能。导热板通常包含一用于讯号路由的基板、一提供热去除功能的散热座或散热装置、一可供电连结至半导体元件的焊垫，以及一可供电连结至下一层组体的端子。该基板可为一具有单层或多层路由电路系统及一或多层介电层的层压结构。该散热座可为一金属基座、金属块或埋设金属层。导热板接合下一层组体。例如，下一层组体可为一具有印刷电路板及散热装置的灯座。在此范例中，一 LED封装体是设于导热板上，该导热板则设于散热装置上，导热板/散热装置次组体与印刷电路板又设于灯座中。此外，导热板经由导线电连结至该印刷电路板。该基板将电讯号自该印刷电路板导向LED封装体，而该散热座则将LED封装体的热能发散并传递至该散热装置。因此，该导热板可为LED芯片提供一重要的热路径。授予Juskey等人的第6，507，102号美国专利揭示一种组体,其中一由玻璃纤维与固化的热固性树脂所构成的复合基板包含一中央开口。一具有类似前述中央开口的正方或长方形状的散热块黏附于该中央开口侧壁而与该基板结合。上、下导电层分别黏附于该基板的顶部及底部，并透过贯穿该基板的电镀导孔互为电连结。一芯片设置于散热块上并打线接合至上导电层，一封装材料模设成形于芯片上，而下导电层则设有锡球。制造时，该基板原为一置于下导电层上的乙阶(B-stage)树脂半固化片。散热块插设于中央开口，且位于下导电层上，并与该基板以一间隙相隔。上导电层则设于该基板上。上、下导电层经加热及彼此压合后，使树脂熔化并流入前述间隙中固化。上、下导电层被图案化而在该基板上形成电路布线，并使树脂溢料显露于散热块上。然后去除树脂溢料，使散热块露出。最后再将芯片固设于散热块上并进行打线接合与封装。因此，芯片产生的热能可经由散热块传至印刷电路板。然而在量产时，以手工方式将散热块放置于中央开口内的作业极为费工，且成本高昂。再者，由于侧向安装的容许公差小，散热块不易精确定位于中央开口中，导致基板与散热块之间易出现间隙以及打线不均的情形。如此一来，该基板仅部分黏附于散热块，无法自散热块获得足够支撑力，且容易脱层。此外，用于去除部分导电层以显露树脂溢料的化学蚀刻液也会去除部分未被树脂溢料覆盖的散热块，使散热块不平且不易结合，最终导致组体的良率偏低、可靠度不足且成本过闻。授予Ding等人的第6，528，882号美国专利揭露一种高散热球栅阵列封装体，其基板包含一金属芯层。芯片固设于金属芯层顶面的晶粒座区域，一绝缘层形成于金属芯层的底面，盲孔贯穿绝缘层直通金属芯层，且孔内填有散热锡球，另在该基板上设有与散热锡球相对应的锡球。芯片产生的热能可经由 金属芯层流向散热锡球，再流向印刷电路板。然而，夹设于金属芯层与印刷电路板间的绝缘层却对流向印刷电路板的热流造成限制。授予Lee等人的第6，670, 219号美国专利公开一种凹槽向下球栅阵列(⑶BGA)封装体，其中一具有中央开口的接地板设置于一散热座上以构成一散热基板。一具有中央开口的基板透过一具有中央开口的黏着层设置于该接地板上。一芯片固设于该散热座上由接地板中央开口所形成的一凹槽内，且该基板上设有锡球。然而，由于锡球是位于基板上，散热座并无法接触印刷电路板，导致该散热座的散热作用仅限热对流而非热传导，因而大幅限缩其散热效果。授予Woodall等人的第7，038，311号美国专利提供一种高散热BGA封装体，其散热装置为倒T形且包含一柱部与一宽基底。一设有窗型开口的基板设于宽基底上，一黏着层将柱部与宽基底黏附于该基板。一芯片固设于柱部上并打线接合至该基板，一封装材料模制成形于芯片上，且该基板上设有锡球。柱部延伸穿过该窗型开口，并由宽基底支撑该基板，且锡球位于宽基底与基板周缘之间。芯片产生的热能可经由柱部传至宽基底，再传至印刷电路板。然而，由于宽基底上必须留有容纳锡球的空间，宽基底仅在对应于中央窗口与最内部锡球之间的位置突伸于该基板下方。如此一来，该基板在制造过程中便不平衡，且容易晃动及弯曲，进而导致芯片的安装、打线接合以及封装材料的模制成形均十分困难。此外，该宽基底可能因封装材料的模制成形而弯折，且一旦锡球崩塌，便可能使该封装体无法焊接至下一层组体。因此，此封装体的良率偏低、可靠度不足且成本过高。Erchak等人的美国专利申请公开案第2007/0267642号提出一种发光装置组体，其中一倒T形的基座包含一基板、一突出部及一具有通孔的绝缘层，绝缘层上并设有电接点。一具有通孔与透明上盖的封装体设置于电接点上。一 LED芯片设置于突出部并以打线连接该基板。该突出部邻接该基板并延伸穿过绝缘层与封装体上的通孔，进入封装体内。绝缘层设置于该基板上，且绝缘层上设有电接点。封装体设置于所述电接点上并与绝缘层保持间距。该芯片产生的热能可经由突出部传至该基板，进而到达一散热装置。然而，所述电接点不易设置于绝缘层上，难以与下一层组体电连结，且无法提供多层路由。现有封装体与导热板具有重大缺点。举例而言，诸如环氧树脂等低导热性的电绝缘材料对散热效果造成限制，然而，以陶瓷或碳化硅填充的环氧树脂等具有较高导热性的电绝缘材料则具有黏着性低且量产成本过高的缺点。该电绝缘材料可能在制作过程中或在操作初期即因受热而脱层。该基板若为单层电路系统则路由能力有限，但若该基板为多层电路系统，则其过厚的介电层将降低散热效果。此外，前案技术尚有散热座效能不足、体积过大或不易热连结至下一层组体等问题。前案技术的制造工序也不适于低成本的量产作业。
有鉴于现有高功率半导体元件封装体及导热板的种种发展情形及相关限制，业界实需一种具成本效益、效能可靠、适于量产、多功能、可灵活调整讯号路由且具有优异散热性的半导体芯片组体。

发明内容
本发明提供一种半导体芯片组体，包含一半导体元件、一散热座、一导线及第一黏着层与第二黏着层。该散热座包含一第一凸柱、一第二凸柱及一基座。该导线包含一焊垫与一端子。该半导体元件电连结至该导线，并与该散热座热连结。该第一凸柱自该基座沿一第一垂直方向延伸进入该第一黏着层的一第一开口，且位于该第二凸柱的一周缘内，该第二凸柱则自该基座沿一第二垂直方向延伸进入该第二黏着层的一第二开口。该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱侧向延伸。该导线可在该焊垫与该端子之间提供讯号路由。根据本发明的一样式，一半导体芯片组体包含一半导体元件、第一黏着层与第二黏着层、一散热座与一导线。该第一黏着层具有一第一开口。该第二黏着层具有一第二开口。该散热座包含一第一凸柱、一第二凸柱及一基座，其中(i)该第一凸柱邻接该基座，并自该基座沿一第一垂直方向垂直伸出，此外，该第一凸柱位于该第二凸柱的一周缘内，且该第一凸柱的一表面区域小于该第二凸柱的一表面区域的一半；(ii)该第二凸柱邻接该基座，并自该基座沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直伸出；且(iii)该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱沿垂直于该第一垂直方向与该第二垂直方向的侧面方向侧伸而出。该导线包含一焊垫、一端子与一电性互连结构，其中该焊垫与该端子间的一导电路径包含该电性互连结构。该半导体兀件设置于该第一凸柱上，垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侦牝且侧向延伸于该第一凸柱与该第二凸柱的周缘内。该半导体元件电连结至该焊垫，从而电连结至该端子；该半导体元件也热连结至该第一凸柱，从而热连结至该第二凸柱。该第一黏着层垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，并自该第一凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该焊垫之间。该第二黏着层垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，并自该第二凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该端子之间。该焊垫垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，而该端子则垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧。该电性互连结构延伸穿过该第一黏着层、该第二黏着层及该基座，但与该基座保持距离且电性隔离。该第一凸柱延伸进入该第一开口，该第二凸柱延伸进入该第二开口，该基座位于该第一黏着层与该第二黏着层之间，并于该第二垂直方向覆盖该半导体元件。根据本发明的另一样式，一半导体芯片组体至少包含一半导体元件、第一黏着层与第二黏着层、一散热座与一导线。该第一黏着层至少具有一第一开口。该第二黏着层至少具有一第二开口。该散热座至少包含一第一凸柱、一第二凸柱、一第一盖体、一第二盖体及一基座，其中(i)该第一凸柱邻接该基座并与该基座形成一体，同时自该基座沿一第一垂直方向垂直伸出，且位于该基座与该第一盖体之间，此外，该第一凸柱位于该第二凸柱的 一周缘内，且该第一凸柱的一表面区域小于该第二凸柱的一表面区域的一半；(ii)该第二凸柱邻接该基座并与该基座形成一体，同时自该基座沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直伸出，且位于该基座与该第二盖体之间；(iii)该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱沿垂直于该第一垂直方向与该第二垂直方向的侧面方向侧伸而出；Qv)该第一盖体邻接该第一凸柱，并于该第一垂直方向覆盖该第一凸柱，同时自该第一凸柱侧伸而出；且(V)该第二盖体邻接该第二凸柱，并于该第二垂直方向覆盖该第二凸柱，同时自该第二凸柱侧伸而出。该导线包含一焊垫、一端子与一电性互连结构，其中该焊垫与该端子间的一导电路径包含该电性互连结构。该半导体兀件设置于该第一盖体上，垂直延伸于该第一盖体沿该第一垂直方向的外侧，侧向延伸于该第一凸柱、该第二凸柱、该第一盖体与该第二盖体的周缘内，且位于该第二凸柱与该第二盖体的周缘内。该半导体元件电连结至该焊垫，从而电连结至该端子；该 半导体元件也热连结至该第一盖体，从而热连结至该第二盖体。该第一黏着层接触该第一凸柱及该基座，但与该第二凸柱保持距离。该第一黏着层垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，并自该第一凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该焊垫之间。该第二黏着层接触该第二凸柱及该基座，但与该第一凸柱保持距离。该第二黏着层垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，并自该第二凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该端子之间。该焊垫垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，而该端子则垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧。该电性互连结构延伸穿过该第一黏着层、该第二黏着层及该基座，但与该基座保持距离且电性隔离。该第一凸柱延伸进入该第一开口，该第二凸柱延伸进入该第二开口，该第一盖体垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，该第二盖体垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，该基座位于该第一黏着层与该第二黏着层之间，并于该第二垂直方向覆盖该半导体元件。该第一盖体可为矩形或正方形，而该第一凸柱则可为圆形。在此例中，该第一盖体的尺寸及形状可经过设计，以配合该半导体元件的热接触表面，至于该第一凸柱的尺寸及形状则未依该半导体元件的热接触表面而设计。同样地，该第二盖体可为矩形或正方形，而该第二凸柱则可为圆形。在此例中，该第二盖体的尺寸及形状可经过设计，以配合一散热装置的热接触表面，至于该第二凸柱的尺寸及形状则未依该散热装置的热接触表面而设计。此外，该第一盖体可位于该第二凸柱的周缘内。无论采用何种构形，该第一盖体与该第二盖体均可经由该第一凸柱、该第二凸柱及该基座而相互热连结。该散热座可由该第一凸柱、该第二凸柱及该基座组成，或由该第一凸柱、该第二凸柱、该基座、该第一盖体与该第二盖体组成。该散热座也可实质上由铜、铝或铜/镍/铝合金组成。该散热座也可由一内部铜、铝或铜/镍/铝合金核心及表层的被覆接点组成，其中该内部核心由该第一凸柱、该第二凸柱与该基座共用，而所述被覆接点则位于该第一盖体与该第二盖体上且由金、银及/或镍组成。无论采用何种组成方式，该散热座皆可提供散热作用，将该半导体元件的热能扩散至下一层组体。该半导体元件可设置于该散热座与该导线上。例如，该半导体元件可设置于该第一盖体与该焊垫上，延伸于该第一盖体与该焊垫沿该第一垂直方向的外侧，同时透过一第一焊锡电连结至该焊垫，并透过一第二焊锡热连结至该散热座。或者，该半导体元件可设置于该第一盖体而未设置于该焊垫上，并且延伸于该第一盖体与该焊垫沿该第一垂直方向的外侧，同时透过一打线电连结至该焊垫，并透过一固晶材料热连结至该第一盖体。
该半导体元件可为一经封装或未经封装的半导体芯片。例如，该半导体元件可为一包含LED芯片的LED封装体，设置于该第一盖体与该焊垫上，延伸于该第一盖体与该焊垫沿该第一垂直方向的外侧，同时经由一第一焊锡电连结至该焊垫，并经由一第二焊锡热连结至该第一盖体。或者，该半导体元件可为一诸如LED芯片的半导体芯片，设置于该第一盖体而未设置于该焊垫上，并且延伸于该第一盖体与该焊垫沿该第一垂直方向的外侧，同时经由一打线电连结至该焊垫，并经由一固晶材料热连结至该第一盖体。该第一黏着层可接触该第一凸柱、该第一盖体与该基座，并与该第二凸柱、该第二黏着层、该电性互连结构及该端子保持距离。该第一黏着层也可接触并位于该第一凸柱与该焊垫之间、该基座与该焊垫之间，以及该基座与该第一盖体之间。该第一黏着层也可沿所述侧面方向覆盖且环绕该第一凸柱，并于该第一垂直方向覆盖该基座位于该第一凸柱以外的部分，并于该第二垂直方向覆盖该第一盖体位于该第一凸柱以外的部分。该第一黏着层也可同形地被覆于该第一凸柱的侧壁。该第一黏着层可自该第一凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子。例如，该第一黏着层与该端子可延伸至该半导体芯片组体的外围边缘；在此例中，该第一黏着层从该第一凸柱侧向延伸至该端子。或者，该第一黏着层可延伸至该半导体芯片组体的外围边缘，而该端子则与该半导体芯片组体的外围边缘保持距离；在此情况下，该第一黏着层从该第一凸柱侧向延伸且越过该端子。该第一黏着层可单独穿过该第一凸柱与一绝缘填充物间的一假想水平线、该第一凸柱与该半导体芯片组体的一外围边缘间的一假想水平线、该基座与该焊垫间的一假想垂直线，以及该基座与该第一盖体间的一假想垂直线。该第二黏着层可接触该第二凸柱、该第二盖体与该基座，并与该第一凸柱、该第一黏着层、该电性互连结构及该焊垫保持距离。该第二黏着层也可接触并位于该第二凸柱与该端子之间、该基座与该端子之间，以及该基座与该第二盖体之间。该第二黏着层也可沿所述侧面方向覆盖且环绕该第二凸柱，并于该第二垂直方向覆盖该基座位于该第二凸柱以外的部分，并于该第一垂直方向覆盖该第二盖体位于该第二凸柱以外的部分。该第二黏着层也可同形地被覆于该第二凸柱的侧壁。该第二黏着层可自该第二凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子。例如，该第二黏着层与该端子可延伸至该半导体芯片组体的外围边缘；在此例中，该第二黏着层从该第二凸柱侧向延伸至该端子。或者，该第二黏着层可延伸至该半导体芯片组体的外围边缘，而该端子则与该半导体芯片组体的外围边缘保持距离；在此情况下，该第二黏着层从该第二凸柱侧向延伸且越过该端子。该第二黏着层可单独穿过该第二凸柱与一绝缘填充物间的一假想水平线、该第二凸柱与该半导体芯片组体的一外围边缘间的一假想水平线、该基座与该端子间的一假想垂直线，以及该基座与该第二盖体间的一假想垂直线。该第一凸柱、该第二凸柱可与该基座一体成形。例如，该第一凸柱、该第二凸柱与该基座可为单一金属体，或于其接口包含单一金属体，其中该单一金属体可为铜。该第一凸柱与该第一黏着层可于该第一盖体处以及该基座处共平面，该第二凸柱与该第二黏着层可于该第二盖体处以及该基座处共平面。该第一凸柱可为平顶圆锥或角锥形，其中该第一凸柱的直径随着该第一凸柱从该基座沿该第一垂直方向延伸至该第一盖体而递减。该第二凸柱也可为平顶圆锥或角锥形，其中该第二凸柱的直径随着该第二凸柱从该基座沿该第二垂直方向延伸至该第二盖体而递减。该基座可于该第二垂直方向覆盖该第一凸柱与该第一黏着层，并于该第一垂直方向覆盖该第二凸柱与该第二黏着层。该基座可支撑该第一凸柱、该第二凸柱、该第一黏着层与该第二黏着层，同时延伸至该半导体芯片组体的外围边缘。该基座的厚度可大于该焊垫、该端子、该第一盖体与该第二盖体的厚度。该焊垫可位于该第二凸柱的周缘内，该端子可位于该第二凸柱的周缘外。此外，该第一黏着层可延伸至第二凸柱的周缘内及周缘外。无论采用何种设计，该第一凸柱均实质小于该第二凸柱，故该第一凸柱与该第二凸柱并不对称。该焊垫可接触该第一黏着层或与其保持距离，该端子可接触该第二黏着层或与其保持距离。例如，该焊垫可接触该第一黏着层，而该端子则可接触该第二黏着层。或者，该半 导体芯片组体可包含第一介电层与第二介电层，其中该焊垫与该第一黏着层保持距离，该端子与该第二黏着层保持距离，该第一介电层接触且位于该焊垫与该第一黏着层之间，但与该第一凸柱及该基座保持距离，该第二介电层接触且位于该端子与该第二黏着层之间，但与该第二凸柱及该基座保持距离。该第一介电层与该第二介电层彼此保持距离，该电性互连结构则延伸穿过该第一介电层与该第二介电层。此外，一具有层压结构的第一基板可包含该焊垫与该第一介电层，并与该第一凸柱及该基座保持距离；一具有层压结构的第二基板可包含该端子与该第二介电层，并与该第二凸柱及该基座保持距离。该焊垫与该第一盖体可于彼此相邻处具有相同的厚度，但该第一盖体邻接该第一凸柱处的厚度则可与该焊垫不同。该焊垫与该第一盖体可在一面朝该第一垂直方向的表面上共平面。该端子与该第二盖体可于彼此相邻处具有相同的厚度，但该第二盖体邻接该第二凸柱处的厚度则可与该端子不同。该端子与该第二盖体可在一面朝该第二垂直方向的表面上共平面。该导线可包含一路由线，其一方面延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侦牝一方面则沿该焊垫与该电性互连结构间的一导电路径侧向延伸。同样地，该导线可包含一路由线，其一方面延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，一方面则沿该端子与该电性互连结构间的一导电路径侧向延伸。此外，该电性互连结构可为一被覆穿孔，其延伸穿过该基座、该第一黏着层与该第二黏着层但与这三者保持距离；此被覆穿孔位于一绝缘填充物的内部，而此绝缘填充物则接触且贯穿该基座、该第一黏着层与该第二黏着层。该导线可实质上由铜组成。该导线也可包含一内部铜核心及表层的被覆接点，其中该内部铜核心由该焊垫、该端子与该电性互连结构共用，而所述被覆接点则位于该焊垫及该端子上，且由金、银及/或镍组成。无论采用何种组成方式，该导线皆可在该焊垫与该端子之间提供讯号路由。该焊垫可作为该半导体元件的一电接点，该端子则可作为下一层组体的一电接点。该焊垫与该端子可在该半导体元件与该下一层组体之间提供讯号路由。该焊垫、该端子、该第一盖体与该第二盖体可采用相同的金属，而该第一凸柱、该第二凸柱与该基座也可采用相同的金属。例如，该焊垫、该端子、该第一盖体与该第二盖体可包含一金、银或镍质表面层及一内部铜核心，且主要为铜；该第一凸柱、该第二凸柱与该基座可为铜；而该电性互连结构可包含铜。在此例中，一被覆接点可包含一金或银质表面层及一内部镍层，其中该内部镍层接触且位于该表面层与该内部铜核心之间；或者，该被覆接点可包含一接触该内部铜核心的镍质表面层。该散热座可包含一由该第一凸柱、该第二凸柱、该基座、该第一盖体与该第二盖体共用的铜核心，该导线则可包含一由该焊垫、该端子与该电性互连结构共用的铜核心。例如，该散热座可包含一设于该第一盖体与该第二盖体上的金、银或镍质表面层，以及一设于该第一凸柱、该第二凸柱、该基座、该第一盖体与该第二盖体内的内部铜核心，且该散热座主要为铜。在此例中，该第一盖体可包含一被覆接点以作为其表面层，该第二盖体也可包含一被覆接点以作为其表面层。同样地，该导线可包含一设于该焊垫与该端子上的金、银或镍质表面层，以及一设于该焊垫、该端子与该电性互连结构内的内部铜核心，且该导线主要为铜。在此例中，该焊垫可包含一被覆接点以作为其表面层，该端子也可包含一被覆接点以作为其表面层。该半导体芯片组体可为一第一级或第二级单晶或多晶装置。例如，该半导体芯片组体可为一包含单一芯片或多枚芯片的第一级封装体。或者，该半导体芯片组体可为一包含单一 LED封装体或多个LED封装体的第二级模块，其中各LED封装体可包含单一 LED芯片或多枚LED芯片。本发明提供一种制作一半导体芯片组体的方法，其包含提供第一凸柱、第二凸柱、第一黏着层、第二黏着层及一基座，其中该第一凸柱自该基座沿一第一垂直方向延伸进入该第一黏着层的一第一开口，且位于该第二凸柱的一周缘内，该第二凸柱自该基座沿一第二垂直方向延伸进入该第二黏着层的一第二开口，该基座则位于该第一凸柱与该第二凸柱之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱侧伸而出；使该第一黏着层与该第二黏着层流动并进而固化；提供一导线，该导线包含一焊垫与一端子，其中该焊垫延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，该端子延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧；提供一散热座，该散热座包含该第一凸柱、该第二凸柱及该基座；设置一半导体元件于该第一凸柱上；电连结该半导体元件至该导线；以及热连结该半导体元件至该散热座。根据本发明的一样式，一种制作一半导体芯片组体的方法包含(1)提供一第一凸柱、一第二凸柱、一第一黏着层、一第二黏着层及一基座，其中(a)该第一凸柱邻接该基座，并自该基座沿一第一垂直方向垂直伸出，进入该第一黏着层的一第一开口，(b)该第二凸柱邻接该基座，并自该基座沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直伸出，进入该第二黏着层的一第二开口，(C)该第一黏着层接触该基座，垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，且未固化，(d)该第二黏着层接触该基座，垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，且未固化，(e)该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间以及该第一黏着层与该第二黏着层之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱沿着垂直于该第一垂直方向与该第二垂直方向的侧面方向侧伸而出，此外，(f)该第一凸柱及该第一开口均位于该第二凸柱的一周缘内；(2)使该第一黏着层流动；(3)使该第二黏着层流动；(4)固化该第一黏着层与该第二黏着层；(5)提供一导线，该导线包含一焊垫、一端子及一电性互连结构，其中该焊垫垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，该端子垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的 外侧，该电性互连结构延伸穿过该第一黏着层、该第二黏着层及该基座，但与该基座保持距离且电性隔离，此外，该焊垫与该端子间的一导电路径包含该电性互连结构；(6)提供一散热座，该散热座包含该第一凸柱、该第二凸柱及该基座；(7)设置一半导体兀件于该第一凸柱上，其中该半导体元件垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，侧向延伸于该第一凸柱与该第二凸柱的周缘内，且该第一凸柱位于该半导体元件与该基座之间；(8)电连结该半导体元件至该焊垫，借此电连结该半导体元件至该端子；以及(9)热连结该半导体元件至该第一凸柱，借此热连结该半导体元件至该第二凸柱。提供该导线可包含提供第一导电层的一选定部分与第二导电层的一选定部分。此外，提供该第一导电层与该第二导电层的步骤可在固化该第一黏着层与该第二黏着层之前或之后进行。例如，该方法可包含使一第一脱模纸接触该第一黏着层，其中该第一黏着层接触且位于该第一脱模纸与该基座之间；使该 第一黏着层流动及固化；将该第一脱模纸自该第一黏着层移除；在该第一黏着层上沉积导电金属以形成一第一导电层；以及提供该导线，其中该导线包含该第一导电层的一选定部分。同样地，该方法可包含使一第二脱模纸接触该第二黏着层，其中该第二黏着层接触且位于该第二脱模纸与该基座之间；使该第二黏着层流动及固化；将该第二脱模纸自该第二黏着层移除；在该第二黏着层上沉积导电金属以形成一第二导电层；以及提供该导线，其中该导线包含该第二导电层的一选定部分。因此，该第一黏着层仅将其自身叠合于该第一凸柱及该基座，该第二黏着层也仅将其自身叠合于该第二凸柱及该基座；此外，提供该第一导电层与该第二导电层的步骤是在该第一黏着层与该第二黏着层固化之后进行。再者，沉积导电金属以形成该第一导电层与该第二导电层的方式可为先溅镀再电镀，或先实施无电镀被覆再进行电镀。又例如，该方法可包含提供一第一导电层；使该第一黏着层流入一贯穿该第一导电层的第一通孔；以及提供该导线，其中该导线包含该第一导电层的一选定部分。同样地，该方法可包含提供一第二导电层；使该第二黏着层流入一贯穿该第二导电层的第二通孔；以及提供该导线，其中该导线包含该第二导电层的一选定部分。如此一来，该第一黏着层便将该第一导电层叠合于该第一凸柱及该基座，该第二黏着层则将该第二导电层叠合于该第二凸柱及该基座；此外，提供该第一导电层与该第二导电层的步骤是在该第一黏着层与该第二黏着层固化之前实施。根据本发明的另一样式，一种制作一半导体芯片组体的方法包含(I)提供一第一凸柱、一第二凸柱、一第一黏着层、一第二黏着层、一第一导电层、一第二导电层及一基座，其中(a)该第一凸柱邻接该基座且与该基座形成一体，并自该基座沿一第一垂直方向垂直伸出，进入该第一黏着层的一第一开口，同时对准该第一导电层的一第一通孔，(b)该第二凸柱邻接该基座且与该基座形成一体，并自该基座沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直伸出，进入该第二黏着层的一第二开口，同时对准该第二导电层的一第二通孔，(C)该第一黏着层接触该基座，位于该基座与该第一导电层之间，垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，且未固化，(d)该第二黏着层接触该基座，位于该基座与该第二导电层之间，垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，且未固化，(e)该第一导电层垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，(f)该第二导电层垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，(g)该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间、该第一黏着层与该第二黏着层之间，以及该第一导电层与该第二导电层之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱沿着垂直于该第一垂直方向与该第二垂直方向的侧面方向侧伸而出，且(h)该第一凸柱、该第一开口及该第一通孔均位于该第二凸柱的一周缘内；(2)使该第一黏着层沿该第一垂直方向流入该第一通孔内一位于该第一凸柱与该第一导电层间的第一缺口 ；(3)使该第二黏着层沿该第二垂直方向流入该第二通孔内一位于该第二凸柱与该第二导电层间的第二缺口 ；(4)固化该第一黏着层与该第二黏着层，以利用该第一黏着层将该第一导电层机械性黏附至该第一凸柱及该基座，并 利用该第二黏着层将该第二导电层机械性黏附至该第二凸柱及该基座；(5)提供一导线，该导线包含一焊垫、一端子、一电性互连结构、第一导电层的一选定部分及第二导电层的一选定部分，其中该焊垫垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，该端子垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，该电性互连结构延伸穿过该第一黏着层、该第二黏着层及该基座，但与该基座保持距离且电性隔离，此外，该焊垫与该端子间的一导电路径包含该电性互连结构；(6)提供一散热座，该散热座包含该第一凸柱、该第二凸柱及该基座；(7)设置一半导体元件于该第一凸柱上，其中该半导体元件垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，侧向延伸于该第一凸柱与该第二凸柱的周缘内，且该第一凸柱位于该半导体元件与该基座之间；(8)电连结该半导体元件至该焊垫，借此电连结该半导体元件至该端子；以及(9)热连结该半导体元件至该第一凸柱，借此热连结该半导体元件至该第二凸柱。提供该第一导电层可包含将该第一导电层单独设置于该第一黏着层上。或者，提供该第一导电层可包含先将该第一导电层黏附于一第一载体，再将该第一导电层与该第一载体一同设置于该第一黏着层上，以使该第一导电层接触且位于该第一黏着层与该第一载体之间，接着在该第一黏着层固化后，先去除该第一载体，再提供该导线。又或者，设置该第一导电层可包含将该第一导电层与一第一介电层一同设置于该第一黏着层上，以使该第一介电层接触且位于该第一导电层与该第一黏着层之间。提供该第二导电层可包含将该第二导电层单独设置于该第二黏着层上。或者，提供该第二导电层可包含先将该第二导电层黏附于一第二载体，再将该第二导电层与该第二载体一同设置于该第二黏着层上，以使该第二导电层接触且位于该第二黏着层与该第二载体之间，接着在该第二黏着层固化后，先去除该第二载体，再提供该导线。又或者，设置该第二导电层可包含将该第二导电层与一第二介电层一同设置于该第二黏着层上，以使该第二介电层接触且位于该第二导电层与该第二黏着层之间。根据本发明的另一样式，一种制作一半导体芯片组体的方法包含(I)提供一第一凸柱、一第二凸柱、一第一黏着层、一第二黏着层、一第一导电层、一第二导电层及一基座，其中(a)该第一凸柱邻接该基座且与该基座形成一体，并自该基座沿一第一垂直方向垂直伸出，进入该第一黏着层的一第一开口，同时对准该第一导电层的一第一通孔，(b)该第二凸柱邻接该基座且与该基座形成一体，并自该基座沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直伸出，进入该第二黏着层的一第二开口，同时对准该第二导电层的一第二通孔，(C)该第一黏着层接触该基座，位于该基座与该第一导电层之间，垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，且未固化，(d)该第二黏着层接触该基座，位于该基座与该第二导电层之间，垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，且未固化，(e)该第一导电层垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，(f)该第二导电层垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，(g)该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间、该第一黏着层与该第二黏着层之间，以及该第一导电层与该第二导电层之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱沿着垂直于该第一垂直方向与该第二垂直方向的侧面方向侧伸而出，且(h)该第一凸柱、该第一开口及该第一通孔均位于该第二凸柱的一周缘内；(2)使该第一黏着层沿该第一垂直方向流入该第一通孔内一位于该第一凸柱与该第一导电层间的第一缺口 ；(3)使该第二黏着层沿该第二垂直方向流入该第二通孔内一位于该第二凸柱与该第二导电层间的第二缺口 ；(4)固化该第一黏着层与该第二黏着层，以利用该第一黏着层将该第一导电层机械性黏附至该第一凸柱及该基座，并利用该第二黏着层将该第二导电层机械性黏附至该第二凸柱及该基座；(5)提供一导线，该导线包含一焊垫、一端子、一电性互连结构、该第一导电层的一选定部分及第二导电层的一选定部分，其中该焊垫垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，该端子垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，该电性互连结构延伸穿过该第一黏着层、该第二黏着层及该基座，但与该基座保持距离且电性隔离，此外，该焊垫与该端子间的一导电路径包含该电性互连结构；(6)提供一散热座，该散热座包含该第一凸柱、该第二凸柱、该基座、一第一盖体、一第二盖体、该第一导电层的一选定部分及第二导电层的一选定部分，其中该第一盖体邻接该第一凸柱并于该第一垂直方向覆盖该第一凸柱，同时自该第一凸柱侧伸而出，并垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂 直方向的外侧，该第二盖体邻接该第二凸柱并于该第二垂直方向覆盖该第二凸柱，同时自该第二凸柱侧伸而出，并垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧；(7)设置一半导体元件于该第一盖体上，其中该半导体元件垂直延伸于该第一盖体沿该第一垂直方向的外侧，侧向延伸于该第一凸柱、该第二凸柱、该第一盖体与该第二盖体的周缘内，且该第一凸柱与该第一盖体均位于该半导体元件与该基座之间；(8)电连结该半导体元件至该焊垫，借此电连结该半导体元件至该端子；以及(9)热连结该半导体元件至该第一盖体，借此热连结该半导体元件至该第二盖体。根据本发明的又一样式，一种制作一半导体芯片组体的方法包含(I)提供一第一凸柱、一第二凸柱、一第一黏着层、一第二黏着层、一第一导电层、一第二导电层及一基座，其中(a)该第一凸柱邻接该基座且与该基座形成一体，并自该基座沿一第一垂直方向垂直伸出，进入该第一黏着层的一第一开口，同时对准该第一导电层的一第一通孔，(b)该第二凸柱邻接该基座且与该基座形成一体，并自该基座沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直伸出，进入该第二黏着层的一第二开口，同时对准该第二导电层的一第二通孔，(C)该第一黏着层接触该基座，位于该基座与该第一导电层之间，垂直延伸于该基座沿 该第一垂直方向的外侧，且未固化，(d)该第二黏着层接触该基座，位于该基座与该第二导电层之间，垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，且未固化，(e)该第一导电层垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，(f)该第二导电层垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，(g)该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间、该第一黏着层与该第二黏着层之间，以及该第一导电层与该第二导电层之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱沿着垂直于该第一垂直方向与该第二垂直方向的侧面方向侧伸而出，且(h)该第一凸柱、该第一开口及该第一通孔均位于该第二凸柱的一周缘内；(2)加热熔化该第一黏着层与该第二黏着层；(3)使该第一导电层与该第二导电层彼此靠合，借此(a)使该第一凸柱在该第一通孔内沿该第一垂直方向移动，(b)使该第二凸柱在该第二通孔内沿该第二垂直方向移动，(C)对该基座与该第一导电层间已熔化的该第一黏着层施加压力，以及(d)对该基座与该第二导电层间已熔化的该第二黏着层施加压力，其中(e)该基座与该第一导电层间的压力迫使该已熔化的第一黏着层沿该第一垂直方向流入该第一通孔内一介于该第一凸柱与该第一导电层间的第一缺口，且(f)该基座与该第二导电层间的压力迫使该已熔化的第二黏着层沿该第二垂直方向流入该第二通孔内一介于该第二凸柱与该第二导电层间的第二缺口 ；(4)加热固化所述已熔化的黏着层，以利用该第一黏着层将该第一导电层机械性黏附至该第一凸柱及该基座，并利用该第二黏着层将该第二导电层机械性黏附至该第二凸柱及该基座；(5)提供一导线，该导线包含一焊垫、一端子及一电性互连结构，其中该焊垫包含该第一导电层的一选定部分，且垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，该端子包含该第二导电层的一选定部分，且垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，该电性互连结构延伸穿过该第一黏着层、该第二黏着层及该基座，但与该基座保持距离且电性隔离，此外，该焊垫与该端子间的一导电路径包含该电性互连结构； (6)提供一散热座，该散热座包含该第一凸柱、该第二凸柱、该基座、一第一盖体及一第二盖体，其中该第一盖体邻接该第一凸柱，并于该第一垂直方向覆盖该第一凸柱，同时自该第一凸柱侧伸而出，垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，且包含该第一导电层的一选定部分，该第二盖体邻接该第二凸柱，并于该第二垂直方向覆盖该第二凸柱，同时自该第二凸柱侧伸而出，垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，且包含该第二导电层的一选定部分；(7)设置一半导体元件于该第一盖体上，其中该半导体元件垂直延伸于该第一盖体沿该第一垂直方向的外侧，侧向延伸于该第一凸柱、该第二凸柱、该第一盖体与该第二盖体的周缘内，且该第一凸柱与该第一盖体均位于该半导体元件与该基座之间；(8)电连结该半导体元件至该焊垫，借此电连结该半导体元件至该端子；以及(9)热连结该半导体元件至该第一盖体，借此热连结该半导体元件至该第二盖体。提供该第一凸柱、该第二凸柱及该基座可包含提供一金属板；于该金属板上形成一第一图案化蚀刻阻层，该第一图案化蚀刻阻层可使该金属板的选定部分朝该第一垂直方向外露，借此定义该第一凸柱；于该金属板上形成一第二图案化蚀刻阻层，该第二图案化蚀刻阻层可使该金属板的选定部分朝该第二垂直方向外露，借此定义该第二凸柱；蚀刻该金属板，使其形成该第一图案化蚀刻阻层所定义的一第一图案以及该第二图案化蚀刻阻层所定义的一第二图案，因而在该金属板上形成一第一凹槽及一第二凹槽，该两凹槽均延伸进入但未贯穿该金属板，其中该第一凸柱包含该金属板的一未受蚀刻部分，此未受蚀刻部分突伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，且被该第一凹槽侧向环绕，该第二凸柱也包含该金属板的一未受蚀刻部分，此未受蚀刻部分突伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，且被该第二凹槽侧向环绕，该基座同样包含该金属板的一未受蚀刻部分，此未受蚀刻部分位于该第一凸柱与该第二凸柱之间以及所述凹槽之间；然后去除所述图案化蚀刻阻层。提供该第一黏着层可包含提供一第一半固化片，其中该第一半固化片包含一第一未固化环氧树脂；然后将该第一凸柱插入该第一开口。使该第一黏着层流动可包含熔化该第一未固化环氧树脂，并挤压该第一导电层与该基座间的该第一未固化环氧树脂。固化该第一黏着层可包含将已熔化的该第一未固化环氧树脂固化。同样地，提供该第二黏着层可包含提供一第二半固化片，其中该第二半固化片包含一第二未固化环氧树脂；然后将该第二凸柱插入该第二开口。使该第二黏着层流动可包含熔化该第二未固化环氧树脂，并挤压该第二导电层与该基座间的该第二未固化环氧树脂。固化该第二黏着层可包含将已熔化的该第二未固化环氧树脂固化。
提供该第一导电层可包含使该第一导电层接触该第一黏着层，其中该第一通孔仅延伸穿过该第一导电层；然后使该第一黏着层流入该第一缺ロ。同样地，提供该第二导电层可包含使该第二导电层接触该第二黏着层，其中该第二通孔仅延伸穿过该第二导电层；然后使该第二黏着层流入该第二缺ロ。因此，该第一黏着层仅将该第一导电层叠合于该第ー凸柱及该基座，该第二黏着层仅将该第二导电层叠合于该第二凸柱及该基座。提供该第一导电层可包含提供一第一基板，该第一基板包含该第一导电层及一第一介电层；然后使该第一介电层接触该第一黏着层，其中该第一介电层接触且位于该第ー导电层与该第一黏着层之间且已固化，该第一通孔则延伸穿过该第一导电层与该第一介电层；然后使该第一黏着层流入该第一缺ロ。同样地，提供该第二导电层可包含提供一第ニ基板，该第二基板包含该第二导电层及一第二介电层；然后使该第二介电层接触该第二黏着层，其中该第二介电层接触且位于该第二导电层与该第二黏着层之间且已固化，该第二通孔则延伸穿过该第二导电层与该第二介电层；然后使该第二黏着层流入该第二缺ロ。如此ー来，该第一黏着层便将该第一导电层及该第一介电层一同叠合于该第一凸柱及该基座，该第二黏着层则将该第二导电层及该第二介电层一同叠合于该第二凸柱及该基座。
提供该焊垫可包含在固化该第一黏着层之后，去除该第一导电层的选定部分。所述去除可包含利用一可定义该焊垫的图案化蚀刻阻层对该第一导电层进行湿式化学蚀亥IJ，以使该焊垫包含该第一导电层的ー选定部分。提供该端子可包含在固化该第二黏着层之后，去除该第二导电层的选定部分。所述去除可包含利用一可定义该端子之图案化蚀刻阻层对该第二导电层进行湿式化学蚀亥IJ，以使该端子包含该第二导电层的ー选定部分。提供该第一盖体可包含在固化该第一黏着层之后，去除该第一导电层的选定部分。所述去除可包含利用一可定义该第一盖体的图案化蚀刻阻层对该第一导电层进行湿式化学蚀刻，以使该第一盖体包含该第一导电层的ー选定部分。提供该第二盖体可包含在固化该第二黏着层之后，去除该第二导电层的选定部分。所述去除可包含利用一可定义该第二盖体的图案化蚀刻阻层对该第二导电层进行湿式化学蚀刻，以使该第二盖体包含该第二导电层的ー选定部分。提供该焊垫与该第一盖体可包含利用一可定义该焊垫与该第一盖体的图案化蚀刻阻层去除该第一导电层的选定部分。如此ー来，该焊垫与该第一盖体便可于同一湿式化学蚀刻步骤中利用相同的图案化蚀刻阻层同时形成。提供该端子与该第二盖体可包含利用一可定义该端子与该第二盖体的图案化蚀刻阻层去除该第二导电层的选定部分。如此ー来，该端子与该第二盖体便可于同一湿式化学蚀刻步骤中利用相同的图案化蚀刻阻层同时形成。提供该焊垫与该第一盖体可包含在固化该第一黏着层之后，研磨该第一凸柱、该第一黏着层及该第一导电层，以使该第一凸柱、该第一黏着层及该第一导电层在一面向该第一垂直方向的侧向表面上彼此侧向齐平；然后去除该第一导电层的选定部分，以使该焊垫与该第一盖体包含该第一导电层的选定部分。所述研磨可包含先研磨该第一黏着层而不研磨该第一凸柱，然后研磨该第一凸柱、该第一黏着层及该第一导电层。所述去除可包含利用一可定义该焊垫与该第一盖体的图案化蚀刻阻层对该第一导电层进行湿式化学蚀亥|J。
提供该端子与该第二盖体可包含在固化该第二黏着层之后，研磨该第二凸柱、该第二黏着层及该第二导电层，以使该第二凸柱、该第二黏着层及该第二导电层在一面向该第二垂直方向的侧向表面上彼此侧向齐平；然后去除该第二导电层的选定部分，以使该端子与该第二盖体包含该第二导电层的选定部分。所述研磨可包含先研磨该第二黏着层而不研磨该第二凸柱，然后研磨该第二凸柱、该第二黏着层及该第二导电层。所述去除可包含利用一可定义该端子与该第二盖体的图案化蚀刻阻层对该第二导电层进行湿式化学蚀亥IJ。提供该焊垫与该第一盖体可包含在研磨完成后，于该第一凸柱、该第一黏着层及该第一导电层上沉积导电金属以形成一第一被覆层；然后去除该第一导电层与该第一被覆层两者的选定部分，以使该焊垫与该第一盖体包含该第一导电层与该第一被覆层两者的选定部分。沉积导电金属以形成该第一被覆层可包含将ー无电镀被覆层以无电镀被覆的方式设于该第一凸柱、该第一黏着层及该第一导电层上；然后将ー电镀层电镀至该无电镀被 覆层上。所述去除可包含利用一可定义该焊垫与该第一盖体的图案化蚀刻阻层对该第一导电层与该第一被覆层进行湿式化学蚀刻。提供该端子与该第二盖体可包含在研磨完成后，于该第二凸柱、该第二黏着层及该第二导电层上沉积导电金属以形成一第二被覆层；然后去除该第二导电层与该第二被覆层两者的选定部分，以使该端子与该第二盖体包含该第二导电层与该第二被覆层两者的选定部分。沉积导电金属以形成该第二被覆层可包含将ー无电镀被覆层以无电镀被覆的方式设于该第二凸柱、该第二黏着层及该第二导电层上；然后将ー电镀层电镀至该无电镀被覆层上。所述去除可包含利用一可定义该端子与该第二盖体的图案化蚀刻阻层对该第二导电层与该第二被覆层进行湿式化学蚀刻。提供该导线可包含在固化该第一黏着层与该第二黏着层之后，提供一贯穿该基座、该第一黏着层、该第二黏着层、该第一导电层及该第二导电层的孔洞，然后在该第一凸柱、该第二凸柱、该第一黏着层、该第二黏着层、该第一导电层及该第二导电层上沉积ー被覆金属，其中该被覆金属形成一第一被覆层、一第二被覆层及该电性互连结构，该第一被覆层于该第一垂直方向覆盖该第一凸柱，该第二被覆层于该第二垂直方向覆盖该第二凸柱，该电性互连结构则为该孔洞内的一被覆穿孔；然后在该第一被覆层上形成一可定义该焊垫的第一图案化蚀刻阻层，并在该第二被覆层上形成一可定义该端子的第二图案化蚀刻阻层；接着蚀刻该第一导电层与该第一被覆层，使这两者形成该第一图案化蚀刻阻层所定义的一第一图案，并蚀刻该第二导电层与该第二被覆层，使这两者形成该第二图案化蚀刻阻层所定义的ー第二图案；然后去除所述图案化蚀刻阻层。提供该孔洞可包含提供一内孔，该内孔延伸穿过一外孔并与该外孔同轴。例如，提供该孔洞可包含在固化该第一黏着层与该第二黏着层之后，形成一贯穿且邻接该基座、该第一黏着层、该第二黏着层、该第一导电层及该第二导电层的外孔；在该外孔内沉积ー绝缘填充物；然后形成ー内孔，该内孔贯穿该外孔，贯穿且邻接该绝缘填充物，贯穿该基座、该第一黏着层、该第二黏着层、该第一导电层及该第二导电层但与这五者保持距离，因而形成该孔洞。再者，该内孔可以机械钻孔、雷射钻孔或电浆蚀刻等方式于单ー步骤中形成，该外孔则可利用机械钻孔或雷射钻孔等方式于单ー步骤中形成，或以多道エ序制成，例如先对该基座、该第一导电层及/或该第二导电层进行湿式化学蚀刻以形成开孔，再以雷射钻孔或电浆蚀刻等方式在该第一黏着层与该第二黏着层上开孔。蚀刻该第一导电层及该第一被覆层可包含使该第一黏着层朝该第一垂直方向外露，但不使该第二黏着层朝该第一垂直方向外露。蚀刻该第二导电层及该第二被覆层可包含使该第二黏着层朝该第二垂直方向外露，但不使该第一黏着层朝该第二垂直方向外露。形成该焊垫的时机可早于该端子、晚于该端子或与该端子同吋。因此，可于同一湿式化学蚀刻步骤中以不同的图案化蚀刻阻层同时形成该焊垫与该端子，或以不同的图案化蚀刻阻层先后形成该焊垫与该端子。同样地，形成该第一盖体的时机可早于该第二盖体、晚于该第二盖体或与该第二盖体同吋。因此，可于同一湿式化学蚀刻步骤中以不同的图案化蚀刻阻层同时形成该第一盖体与该第二盖体，或以不同的图案化蚀刻阻层先后形成该第一盖体与该第二盖体。同样地，该焊垫、该端子、该第一盖体与该第二盖体可同时形成或先后形成。使该第一黏着层流动可包含以该第一黏着层填满该第一缺ロ。使该第一黏着层流动也可包含挤压该第一黏着层，使其通过该第一缺ロ，并沿该第一垂直方向延伸至该第ー凸柱与该第一导电层之外，最后到达该第一凸柱与该第一导电层两者的表面部分，其中所述表面部分均邻接该第一缺ロ且面向该第一垂直方向。使该第二黏着层流动可包含以该第二黏着层填满该第二缺ロ。使该第二黏着层流动也可包含挤压该第二黏着层，使其通过该第二缺ロ，并沿该第二垂直方向延伸至该第ニ凸柱与该第二导电层之外，最后到达该第二凸柱与该第二导电层两者的表面部分，其中所述表面部分均邻接该第二缺ロ且面向该第二垂直方向。固化该第一黏着层可包含将该第一凸柱与该基座机械性结合于该第一导电层。同样地，固化该第二黏着层可包含将该第二凸柱与该基座机械性结合于该第二导电层。设置该半导体元件于该第一凸柱上可包含将该半导体元件设置于该第一盖体上，借此将该半导体元件设置于第一凸柱上。换句话说，该半导体元件可位于该第一凸柱与该第一盖体的周缘内，或延伸于该第一凸柱与该第一盖体的周缘内及周缘外，但始终位于该第二凸柱与该第二盖体的周缘内。设置该半导体元件可包含提供一第一焊锡与一第二焊锡，其中该第一焊锡位于一包含LED芯片的LED封装体与该焊垫之间，该第二焊锡则位于该LED封装体与该第一盖体之间。电连结该半导体元件可包含在该LED封装体与该焊垫之间提供该第一焊锡。热连结该半导体元件可包含在该LED封装体与该第一盖体之间提供该第二焊锡。设置该半导体元件可包含在一半导体芯片(如LED芯片)与该第一盖体之间提供ー固晶材料。电连结该半导体元件可包含在该芯片与该焊垫之间提供一打线。热连结该半导体元件可包含在该芯片与该第一盖体之间提供该固晶材料。该半导体元件可以下列方式封装提供一封装材料，使该封装材料于该第一垂直方向覆盖该半导体元件。该第一黏着层可接触该基座、该第一凸柱及该第一盖体，且与该端子、该第二凸柱及该第二黏着层保持距离，同时沿所述侧面方向覆盖及环绕该第一凸柱，并延伸至该半导体芯片组体制造完成后与同批生产的其它组体分离所形成的外围边缘。该第二黏着层可接触该基座、该第二凸柱及该第二盖体，且与该焊垫、该第一凸柱及该第一黏着层保持距离，同时沿所述侧面方向覆盖及环绕该第二凸柱，并延伸至该半导、体芯片组体制造完成后与同批生产的其它组体分离所形成的外围边缘。该基座可于该第二垂直方向覆盖该半导体元件、该第一凸柱、该第一盖体与该焊垫，并于该第一垂直方向覆盖该第二凸柱、该第二盖体与该端子。该基座可支撑该第一黏着层与该第二黏着层，并延伸至该半导体芯片组体制造完成后与同批生产的其它组体分离所形成的外围边缘。在本文中，「邻接」一语意指元件一体成形(形成单ー个体)或相互接触(彼此无间隔或未隔开)。例如，本案的凸柱邻接基座，这与形成凸柱时采用增添法或削減法无关。「重叠」ー语意指位于上方且延伸于ー下方元件的周缘内。「重叠」包含延伸于该周缘的内、外或坐落于该周缘内。例如，当第一凸柱自基座向上延伸且第二凸柱自基座向下延伸时，本案的半导体元件重叠于该第一凸柱与该第二凸柱，此乃因ー假想垂直线可同时贯穿该半导体元件、该第一凸柱与该第二凸柱，不论该半导体元件与该第一凸柱、该第二凸柱 之间是否存在有另一同为该假想垂直线贯穿的元件(如第一盖体或固晶材料)，且也不论是否有另ー假想垂直线仅贯穿该第一凸柱、该第二凸柱而未贯穿该半导体元件(亦即位于该半导体元件的周缘外)。同样地，本案的第一黏着层重叠于基座并被焊垫重叠，第一凸柱重叠于基座且位于基座的周缘内，而基座则被第一凸柱重叠。此外，「重叠」与「位于上方」同义，「被重叠」则与「位于下方」同义。「接触」一语意指直接接触。例如，本案的绝缘填充物接触基座与黏着层，但并未接触凸柱。「覆盖」ー语意指于ー垂直及/或侧面方向上完全覆盖。例如，本案的基座于第二垂直方向覆盖第一凸柱，但第一凸柱并未于第一垂直方向覆盖基座；基座于第一垂直方向覆盖第二凸柱，但第二凸柱并未于第二垂直方向覆盖基座。「层」字包含设有图案或未设图案的层体。例如，在黏着层流动及固化的过程中，本案的导电层可为空白无图案的平板；而当半导体元件设置于本案的散热座上之后，该导电层可为具有间隔导线的电路图案。此外，「层」可包含复数叠合层。「表面区域」ー语指一平行于侧面方向且与第一垂直方向、第二垂直方向正交的侧向平面上的ー侧向区域。此外，一元件的表面区域由该元件的周缘加以界定。例如，第一凸柱的表面区域由第一凸柱的周缘所界定的ー侧向区域，且该侧向区域与第一垂直方向、第ニ垂直方向正交，而第二凸柱的表面区域由第二凸柱的周缘所界定的ー侧向区域，且该侧向区域与第一垂直方向、第二垂直方向正交。「焊垫」一语与导线搭配使用时，是指ー用于接触及/或接合外部连接媒介(如焊料或打线)的连结区域，而该外部连接媒介则可将导线电连结至半导体元件。「端子」一语与导线搭配使用时是指ー连结区域，其可接触及/或接合外部连结媒介(如焊料或打线)，而该外部连结媒介则可将导线电连结至与下一层组体相关的一外部设备(例如一印刷电路板或与其连接的ー导线)。「被覆穿孔」一语与导线搭配使用时，是指ー以被覆方式形成于一孔洞内的电性互连结构。例如，一被覆穿孔可在其对应孔洞内保持完整无缺的状态并与组体的外围边缘保持距离，抑或在后续制程中被劈开或经修整为ー沟槽，致使该被覆穿孔的剩余部分位于组体外围边缘的沟槽中；该被覆穿孔的存在与采用上述何种构型无关。「第一盖体」一语与散热座搭配使用时是指ー用于接触及/或接合外部连接媒介(如焊料或导热黏着剂)的接触区域，而该外部连接媒介则可将散热座热连结至半导体元件。「第二盖体」一语与散热座搭配使用时是指ー用于接触及/或接合外部连接媒介(如焊料或导热黏着剂)的接触区域，而该外部连接媒介则可将散热座热连结至与下ー层组体相关的一外部设备(例如一印刷电路板或ー散热装置)。「开ロ」、「通孔」与「孔(洞)」等词同指贯穿孔洞。例如，当第一凸柱插入第一黏着层的第一开ロ后，第一凸柱是沿第一垂直方向曝露于第一黏着层中。同样地，当第二凸柱插入第二黏着层的第二开ロ后，第二凸柱沿第二垂直方向曝露于第二黏着层中。「插入」一语意指元件间的相对移动。例如，「将第一凸柱插入第一通孔中」包含第ー凸柱固定不动而由第一导电层朝第一凸柱移动；第一导电层固定不动而由第一凸柱朝第ー导电层移动；以及第一凸柱与第一导电层两者彼此靠合。又例如，「将第一凸柱插入(或 延伸至)第一通孔内」包含第一凸柱贯穿(穿入并穿出)第一通孔；以及第一凸柱插入但未贯穿(穿入但未穿出)第一通孔。「彼此靠合」一语也指元件间的相对移动。例如，「基座与第一导电层彼此靠合」包含基座固定不动而由第一导电层朝基座移动；第一导电层固定不动而由基座朝第一导电层移动；以及基座与第一导电层相互靠近。「对准」一语意指元件间的相对位置。例如，当第一黏着层已设置于基座上、第一导电层已设置于第一黏着层上、第一凸柱已插入并对准第一开ロ，且第一通孔已对准第一开ロ时，无论第一凸柱是插入第一通孔或与其保持距离，第一凸柱均已对准第一通孔。「设置于」ー语包含与单ー或多个支撑元件间的接触与非接触。例如，本案的半导体元件设置于散热座上，不论此半导体元件实际接触该散热座或与该散热座以ー固晶材料相隔。「上方」ー语意指向上延伸，且包含邻接与非邻接元件以及重叠与非重叠元件。例如，当第一凸柱自基座向上伸出且第二凸柱自基座向下伸出时，第一凸柱延伸于基座上方，邻接且重叠于基座，同时自基座突伸而出。「下方」ー语意指向下延伸，且包含邻接与非邻接元件以及重叠与非重叠元件。例如，当第一凸柱自基座向上伸出且第二凸柱自基座向下伸出时，基座延伸于第一凸柱下方，邻接第一凸柱且被第一凸柱重叠。同样地，被覆穿孔即使并未邻接第一凸柱或被第一凸柱重叠，仍延伸于第一凸柱下方。「第一垂直方向」及「第二垂直方向」并非取决于半导体芯片组体(或导热板)的定向，凡本领域技术人员即可轻易了解其实际所指的方向。例如，第一凸柱垂直延伸于基座沿第一垂直方向的外侧，且垂直延伸于第一盖体沿第二垂直方向的外侧，这与组体是否倒置及/或组体是否设置于ー散热装置上无关。同样地，基座沿ー侧向平面自凸柱「侧向」イ申出，这与组体是否倒置、旋转或倾斜无关。因此，该第一垂直方向与第二垂直方向彼此相对且垂直于侧面方向，此外，侧向对齐的兀件在一垂直于该第一垂直方向与第二垂直方向的侧向平面上彼此共平面。再者，当第一凸柱自基座向上伸出且第二凸柱自基座向下伸出吋，第一垂直方向为向上方向，第二垂直方向为向下方向；而当第一凸柱自基座向下伸出且第ニ凸柱自基座向上伸出时，第一垂直方向为向下方向，第二垂直方向为向上方向。本发明具有多项优点。该散热座可提供优异的散热效果，并使热能不流经该第一黏着层与该第二黏着层。因此，该第一黏着层与该第二黏着层可为低导热性的低成本电介质且不易脱层。该第一凸柱、该第二凸柱可与该基座一体成形以提高可靠度。该第一凸柱可与设置其上的半导体元件形成热膨胀匹配以提高可靠度。该第一盖体可为该半导体元件量身订做以提升热连结的效果。该第一黏着层可位于该基座与该焊垫之间，该第二黏着层可位于该基座与该端子之间，借以在该散热座与该导线之间提供坚固的机械性连结。该导线可形成简单的电路图案以提供讯号路由，或形成复杂的电路图案以实现具弹性的多层讯号路由。该导线也可在该焊垫与该端子之间提供垂直讯号路由。该电性互连结构可为ー被覆穿孔，且该被覆穿孔是在该第一黏着层与该第二黏着层固化之后形成，并维持中空管状，或于该半导体芯片组体外围边缘处被劈开，使后续回焊至该端子表面的焊锡得以湿润该被覆穿孔并流入其中，从而避免因为该被覆穿孔被该第一黏着层与该第二黏着层或其它非可湿性绝缘材料填满而导致该焊锡内形成空洞，这ー设计有助于提高可靠度。该基座可为该第一导电层、该第二导电层、该第一黏着层及该第二黏着层提供机械性支撑，防止其弯曲变形。该半导体芯片组体可利用低温エ序制造，不仅降低应力，也可提高可靠度。该半导体芯片组体也可利用电路板、导线架与卷带式基板制造厂可轻易实施的高控制エ序加以制造。



图I至图4为剖面图，说明本发明ー实施例中用以制作第一凸柱与第二凸柱及一基座的方法。图5与图6分别为图4的俯视图及仰视图。图7与图8为剖面图，说明本发明ー实施例中用以制作一第一导电层的方法。图9与图10分别为第图8的俯视图及仰视图。图11与图12为剖面图，说明本发明ー实施例中用以制作一第二导电层的方法。图13与图14分别为图12的俯视图及仰视图。图15与图16为剖面图，说明本发明ー实施例中用以制作一第一黏着层的方法。图17与图18分别为图16的俯视图及仰视图。图19与图20为剖面图，说明本发明ー实施例中用以制作一第二黏着层的方法。图21与图22分别为图20的俯视图及仰视图。图23至图39为剖面图，说明本发明ー实施例中用以制作一导热板的方法。图40与图41分别为图39的俯视图及仰视图。图42、图43及图44分别为本发明ー实施例中一导热板的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板的外围边缘设有被覆穿孔。图45、图46及图47分别为本发明ー实施例中一导热板的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板具有厚度相同的焊垫与第一盖体，以及厚度相同的端子与第二盖体。图48、图49及图50分别为本发明ー实施例中一导热板的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板具有介电层。图51、图52及图53分别为本发明ー实施例中一导热板的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板具有一隆起边缘。图54、图55及图56分别为本发明ー实施例中一导热板的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板具有防焊绿漆。
图57、图58及图59分别为本发明一实施例中一半导体芯片组体的剖面图、俯视图及仰视图，该半导体芯片组体包含ー导热板、一半导体元件及一封装材料。图60、图61及图62分别为本发明ー实施例中一半导体芯片组体的剖面图、俯视图及仰视图，该半导体芯片组体包含一具有隆起边缘的导热板、一半导体元件及一上盖。图63、图64及图65分别为本发明ー实施例中一半导体芯片组体的剖面图、俯视图及仰视图，该半导体芯片组体包含一具有防焊绿漆的导热板及一具有背面接点的半导体元件。
具体实施例方式下面结合附图及实施例对本发明进行 详细说明。在本发明被详细描述之前，要注意的是，在此所述的实施例为例示之用，在以下的说明内容中简化或省略现有元件或步骤，以免模糊本发明的特点。同样地，为使附图清晰，附图中省略重复或非必要的元件及參考标号。图I至图4为剖面图，绘示本发明的一实施例中ー种制作一第一凸柱24(以下简称凸柱24,即，以标号24指代第一凸柱)与一第二凸柱26 (以下简称凸柱26,即，以标号26指代第二凸柱)及一基座28的方法，图5及图6分别为图4的俯视图及仰视图。图I为金属板10的剖面图，金属板10包含位于相反侧的两个主要表面12、14。图示的金属板10是ー厚度为500微米的铜板。铜具有导热性高、结合性良好与低成本等优点。金属板10可由多种金属制成，如铜、铝、铁、镍、银、金及所述金属的合金。图2为ー剖面图，显示金属板10上形成有两个图案化蚀刻阻层16、18。图示的图案化蚀刻阻层16、18是沉积于金属板10上的光阻层，其制作方式是利用压模技术以热滚轮同时将光阻层16与光阻层18分别压合于表面12与表面14。湿性旋涂法及淋幕涂布法也为适用的光阻形成技术。先将第一光罩与第二光罩(图未不)分别靠合于光阻层16与光阻层18，然后依照现有技术，令光线分别选择性通过该第一光罩与第二光罩，使受光的光阻部分变为不可溶解，之后再以显影液去除未受光且仍可溶解的光阻部分，因而使光阻层16与光阻层18形成图案。于是，光阻层16具有一选择性曝露表面12的图案，而光阻层18则具有一选择性曝露表面14的图案。图3为ー剖面图，显示金属板10上所形成的凹槽20与凹槽22，所述凹槽20、22掘入但未穿透金属板10。凹槽20与凹槽22以蚀刻金属板10的方式形成,使金属板10形成图案化蚀刻阻层16与图案化蚀刻阻层18所定义的图案。图示的蚀刻方式为双面湿式化学蚀刻。例如，可利用一顶部喷嘴(图未示)及一底部喷嘴(图未示)将化学蚀刻液喷洒于结构体的顶部与底部，或将结构体浸入化学蚀刻液中。所述化学蚀刻液对铜具有高度针对性，且分别自金属板10的正面与背面刻入金属板10达150微米。因此，凹槽20自表面12延伸进入但未穿透金属板10，深度为150微米；凹槽22自表面14延伸进入但未穿透金属板10，深度也为150微米。化学蚀刻液也对图案化蚀刻阻层16下方及图案化蚀刻阻层18上方的金属板10造成侧向蚀入。适用的化学蚀刻液可为含碱氨的溶液或硝酸与盐酸的稀释混合物。换句话说，所述化学蚀刻液可为酸性或碱性。足以形成凹槽20与凹槽22而不致使金属板10过度曝露于化学蚀刻液的理想蚀刻时间可由试误法決定。
图4、图5及图6分别为去除图案化蚀刻阻层16与18后的金属板10的剖面图、俯视图及仰视图，其中所述光阻层已经溶剂处理去除。例如，所用溶剂可为pH值14的强碱性氢氧化钾溶液。蚀刻后的金属板10包含凸柱24、凸柱26与基座28。凸柱24为金属板10受图案化蚀刻阻层16保护的一未受蚀刻部分。凸柱24邻接基座28，与基座28形成一体，且突伸于基座28上方，并由凹槽20从侧向包围。凸柱24高150微米(等于凹槽20的深度)，其顶面(表面12的正方形部分)的长、宽均为1000微米，而底部(邻接基座28的正方形部分)的长、宽则均为1200微米。因此，凸柱24呈平顶角锥形，其侧壁渐缩，且直径自基座28处朝其平坦正方形顶面向上递减。该渐缩侧壁是因为 化学蚀刻液侧向蚀入图案化蚀刻阻层16的下方而形成。该顶面同心地位于该底部的周缘内(如图5所示)。凸柱26为金属板10受图案化蚀刻阻层18保护的一未受蚀刻部分。凸柱26邻接基座28，与基座28形成一体，且突伸于基座28下方，并由凹槽22从侧向包围。凸柱26高150微米(等于凹槽22的深度)，其底面(表面14的矩形部分)的长、宽分别为5000及3000微米，而顶部(邻接基座28的矩形部分)的长、宽则分别为5200及3200微米。因此，凸柱26平顶角锥形，其侧壁渐缩，且直径自基座28处朝其平坦矩形底面向下递减。该渐缩侧壁是因为化学蚀刻液侧向蚀入图案化蚀刻阻层18的上方而形成。该底面同心地位于该顶部的周缘内(如第图6所示)。凸柱24与凸柱26具有相同厚度，且彼此轴向对准，并由基座28将两者上下隔开，但凸柱24的长、宽及表面区域均远小于凸柱26，凸柱24的表面区域至少小于凸柱26的一半。因此，凸柱24位于凸柱26周缘内的中央位置。基座28为金属板10在凸柱24下方与凸柱26上方的一未受蚀刻部分。基座28从下方覆盖凸柱24，并从上方覆盖凸柱26。基座28位于凸柱24与凸柱26之间，且自凸柱24、26沿ー侧向平面(如左、右等侧面方向)侧向延伸，厚度为200微米(即500-150-150)。凸柱24、26与基座28可经处理以加强与环氧树脂及焊料的结合度。例如，凸柱24、26与基座28可经化学氧化或微蚀刻以产生较粗糙的表面。凸柱24、26与基座28在附图中为透过削减法形成的单ー金属(铜)体。此外，也可利用一接触件冲压金属板10，其中该接触件具有可定义凸柱24的凹槽或孔洞以及可定义凸柱26的凹槽或孔洞，以使凸柱24、26与基座28成为冲压成形的単一金属体。或者，可利用增添法形成凸柱24与凸柱26，其作法是透过电镀、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等技术，将凸柱24与凸柱26沉积于基座28上。例如，可于铜质基座28上电镀焊料凸柱24及焊料凸柱26 ;在此情况下，凸柱24与基座28是以冶金界面相接，彼此邻接，但并非一体成形，凸柱26与基座28同样以冶金界面相接，彼此邻接，但也非一体成形。或者，可利用半增添法形成凸柱24与凸柱26，例如可在由蚀刻而成的凸柱24的下部沉积凸柱24的上部，并在由蚀刻而成的凸柱26的上部沉积凸柱26的下部。以半增添法形成凸柱24与凸柱26的另一方式，是在由蚀刻而成的凸柱24的下部沉积凸柱24的同形上部，并在由蚀刻而成的凸柱26的上部沉积凸柱26的同形下部。此外，也可将凸柱24与26烧结于基座28。图7及图8为剖面图，说明本发明的一实施例中ー种制作一第一导电层30 (以下简称导电层30，S卩，以标号30指代第一导电层)的方法。图9及图10分别为根据图8所绘制的俯视图及仰视图。图7为导电层30的剖面图。例如，导电层30为ー无图案且厚度为80微米的铜板。图8、图9及图10分别为具有一第一通孔30A(以下简称通孔30A,即，以标号30A指代第一通孔)的导电层30的剖面图、俯视图及仰视图。通孔30A为ー窗ロ，其贯穿导电层30且长、宽均为1250微米。通孔30A以冲制或冲压的方式穿透导电层30而形成，但也可以其它技术制作，例如湿式化学蚀刻。图11及图12为剖面图，说明本发明的一实施例中ー种制作一第二导电层32(以下简称导电层32，S卩，以标号32指代第二导电层)的方法。图13及图14分别为根据图12所绘制的俯视图及仰视图。图11为导电层32的剖面图。例如，导电层32为ー无图案的铜板，且厚度与导电 层30相同，均为80微米。图12、图13及图14分别为具有一第二通孔32A(以下简称通孔32A，即，以标号32A指代第二通孔)的导电层32的剖面图、俯视图及仰视图。通孔32A为ー窗ロ，其贯穿导电层32且长、宽分别为5250及3250微米。通孔32A以冲制或冲压的方式穿透导电层32而形成，但也可以其它技术制作，例如湿式化学蚀刻。图15及图16为剖面图，说明本发明的一实施例中ー种制作一第一黏着层34(以下简称黏着层34，S卩，以标号34指代第一黏着层)的方法。图17及图18分别为根据图16所绘制的俯视图及仰视图。图15为黏着层34的剖面图。图示的黏着层34为こ阶(B-stage)未固化环氧树脂的半固化片，其为一未经固化且无图案的片体，厚100微米。黏着层34可为多种有机或无机电性绝缘体制成的各种介电膜或半固化片。例如，黏着层34可以是由热固性环氧树脂浸入ー加强材料后部分固化至中期的一半固化片。所述环氧树脂可为FR-4，但也可使用诸如多官能与双马来酰亚胺-三氮杂苯(BT)树脂等其它环氧树脂。在特定应用中，氰酸酷、聚酰亚胺及聚四氟こ烯(PTFE)也为可用的环氧树脂。所述加强材料可为电子级玻璃，也可为其它加强材料，如闻强度玻璃、低诱电率玻璃、石英、克维拉纤维(kevlar aramid)及纸等。所述加强材料也可为织物、不织布或无方向性微纤维。可将诸如硅(研粉熔融石英)等填充物加入半固化片中以提升导热性、热冲击阻抗カ与热膨胀匹配性。市售的半固化片，例如由美国威斯康星州奥克莱W. L. Gore & Associates制的SPEEDBOARD C半固化片也可适用。图16、图17及图18分别为具有一第一开ロ 34A(以下简称开ロ 34A,即，以标号34A指代第一开ロ)的黏着层34的剖面图、俯视图及仰视图。开ロ 34A为ー窗ロ，其贯穿黏着层34且长、宽均为1250微米。开ロ 34A以冲制或冲压的方式穿透半固化片而形成，但也可以其它技术制作，例如电浆蚀刻。图19及图20为剖面图，说明本发明的一实施例中ー种制作一第二黏着层36 (以下简称黏着层36，S卩，以标号36指代第二黏着层)的方法。图21及图22分别为根据图20所绘制的俯视图及仰视图。图19为黏着层36的剖面图。图示的黏着层36为こ阶(B_stage)未固化环氧树脂的半固化片，其为一未经固化且无图案的片体，且厚度与黏着层34相同，均为100微米。图20、图21及图22分别为具有一第二开ロ 36A(以下简称开ロ 36A，S卩，以标号36A指代第二开ロ)的黏着层36的剖面图、俯视图及仰视图。开ロ 36A为ー窗ロ，其贯穿黏着层36且长、宽分别为5250及3250微米。开ロ 36A以冲制或冲压的方式穿透半固化片而形成，但也可以其它技术制作，例如电浆蚀刻。导电层30与32为几乎完全相同的两铜板，唯一不同处在于通孔30A远小于通孔32A。黏着层34与黏着层36则为几乎完全相同的两半固化片，唯一不同处在于开ロ 34A远小于开ロ 36A。此外，通孔30A与开ロ 34A具有相同的形状及尺寸，故可利用相同的冲头或压模，在同一机台上以相同方式形成。同样地，通孔32A与开ロ 36A也具有相同的形状及尺寸，故可利用相同的冲头或压模，在同一机台上以相同方式形成。图23至图39为剖面图，说明本发明的一实施例中ー种制作导热板的方法，该导热板包含凸柱24与凸柱26、基座28、导电层30与导电层32以及黏着层34与黏着层36。图40及图41分别为图39的俯视图及仰视图。图23及图24所示的结构呈倒置状态，其中凸柱26突伸于基座28上方，而凸柱24则突伸于基座28下方。而后，图25至图39所示的结构则恢复至图I至图4所示的状态，其中凸柱24突伸于基座28上方，而凸柱26则突伸于基座28下方。因此，在图23及图24中，导电层32与黏着层36可借助重力而设置于基座28上，然后在图26及图27中，导电层30与黏着层34也可借助重力而设置于基座28上。尽管如此，该结构体的相对方位并未改变。无论该结构体是否倒置、旋转或傾斜，凸柱24均沿一第一垂直方向自基座28伸出，并于ー第二垂直方向上由基座28覆盖，凸柱26则沿该第二垂直方向自基座28伸出，并于该第一垂直方向上由基座28覆盖。同样地，无论该结构体是否倒置、旋转或傾斜，黏着层34均延伸于基座28沿该第一垂直方向的外侧，而黏着层36则延伸于基座28沿该第二垂直方向的外侧。因此，该第一垂直方向与第二垂直方向均为相对于该结构体的方向，彼此始终相反，且恒垂直于前述的侧面方向。图23为黏着层36设置于基座28上的剖面图。黏着层36以下降至基座28上的方式设置，使凸柱26向上插入且贯穿开ロ 36A，最终则使黏着层36接触并定位于基座28。凸柱26在插入、贯穿并延伸至开ロ 36A上方后，对准开ロ 36A且位于开ロ 36A内的中央位置而不接触黏着层36。在图24所示结构中，导电层32已设置于黏着层36上。导电层32以下降至黏着层36上的方式设置，使凸柱26向上插入但并未贯穿通孔32A，最终则使导电层32接触并定位于黏着层36。凸柱26在插入(但未贯穿)通孔32A后，对准通孔32A且位于通孔32A内的中央位置而不接触导电层32。此外，通孔32A与开ロ 36A相互对齐且具有相同的长度
与宽度。图25是将上述结构倒置，如此ー来，黏着层36便设置于导电层32上，而基座28则设置于黏着层36上。在图26所示结构中，黏着层34已设置于基座28上。黏着层34以下降至基座28上的方式设置，使凸柱24向上插入且贯穿开ロ 34A，最终则使黏着层34接触并定位于基座28。凸柱24在插入、贯穿并延伸至开ロ 34A上方后，对准开ロ 34A且位于开ロ 34A内的中央位置而不接触黏着层34。在图27所示结构中，导电层30已设置于黏着层34上。导电层30以下降至黏着层34上的方式设置，使凸柱24向上插入但并未贯穿通孔30A，最终则使导电层30接触并定位于黏着层34。凸柱24在插入(但未贯穿)通孔30A后，对准通孔30A且位于通孔30A内的中央位置而不接触导电层30。此外，通孔30A与开ロ 34A相互对齐且具有相同的长度
与宽度。此时，导电层30设置于黏着层34上并与其接触，且延伸于黏着层34上方；黏着层34设置于基座28上并与其接触，且延伸于基座28上方；基座28设置于黏着层36上并与其接触，且延伸于黏着层36上方；而黏着层36则设置于导电层32上并与其接触，且延伸于导电层32上方。因此，基座28接触且位于黏着层34与黏着层36之间，但与导电层30、32保持距离；黏着层34接触且位于基座28与导电层30之间，但与导电层32及黏着层36保持距离；黏着层36接触且位于基座28与导电层32之间，但与导电层30及黏着层34保持距离。凸柱24贯穿开ロ 34A，伸入通孔30A，且对准通孔30A与开ロ 34A。凸柱24较导电层30的顶面低30微米，且透过通孔30A朝向上方向露出。凸柱24仍旧邻接基座28并与其形成一体，但与导电层30及黏着层34保持距离。 凸柱26贯穿开ロ 36A，伸入通孔32A，且对准通孔32A与开ロ 36A。凸柱26较导电层32的底面高30微米，且透过通孔32A朝向下方向露出。凸柱26仍旧邻接基座28并与其形成一体，但与导电层32及黏着层36保持距离。此时,黏着层34仍为こ阶(B-stage)未固化环氧树脂的半固化片，黏着层36也仍为こ阶未固化环氧树脂的半固化片，且黏着层34与黏着层36仍旧保持距离。凸柱24、通孔30A及开ロ 34A均与凸柱26轴向对准，且均位于凸柱26的周缘内。因此，凸柱26从下方覆盖凸柱24、通孔30A及开ロ 34A。在图28所示结构中，已使黏着层34与黏着层36产生流动并分别接触凸柱24与凸柱26。缺ロ 40位于通孔30A内且介于凸柱24与导电层30之间，缺ロ 42则位于通孔32A内且介于凸柱26与导电层32之间。缺ロ 40从侧向包围凸柱24，而缺ロ 40本身则由导电层30从侧向包围。缺ロ 42从侧向包围凸柱26，而缺ロ 42本身则由导电层32从侧向包围。黏着层34与黏着层36经加热及加压后，分别流入缺ロ 40与缺ロ 42。在此图中，迫使黏着层34与黏着层36分别流入缺ロ 40与缺ロ 42的方法是对导电层30施以向下压力及/或对导电层32施以向上压力，亦即将基座28与导电层30相对压合，并将基座28与导电层32相对压合，借以对黏着层34与黏着层36施压；在此同时也对黏着层34与黏着层36加热。受热的黏着层34与黏着层36可在压カ下任意成形。因此，位于基座28与导电层30间的黏着层34受到挤压后，改变其原始形状并向上流入缺ロ 40。同样地，位于基座28与导电层32间的黏着层36受到挤压后，改变其原始形状井向下流入缺ロ 42。基座28与导电层30持续朝彼此压合，直到黏着层34填满缺ロ 40为止。同样地，基座28与导电层32持续朝彼此压合，直到黏着层36填满缺ロ 42为止。此外，在基座28与导电层30间的间隙缩小后，黏着层34仍旧填满这ー縮小的间隙。同样地，在基座28与导电层32间的间隙縮小后，黏着层36仍旧填满这ー縮小的间隙。例如，可将导电层30与导电层32设置于一压合机的上、下压台(图未示)之间。此外，可将ー上挡板及上缓冲纸(图未示)夹置于导电层30与上压台之间，并将一下挡板及下缓冲纸(图未示)夹置于导电层32与下压台之间。以此构成的叠合体由上到下依次为上压台、上挡板、上缓冲纸、导电层30、黏着层34、基座28、黏着层36、导电层32、下缓冲纸、下挡板及下压台。此外，可利用从下压台向上延伸并穿过金属板10对位孔(图未示)的エ具接脚(图未示)将此叠合体定位于下压台上。而后将上、下压台加热并相互推进，借此对黏着层34与36加热并施压。挡板可将压台的热分散，使热均匀施加于导电层30与导电层32乃至于黏着层34与黏着层36。缓冲纸则将压台的压カ分散，使压カ均匀施加于导电层30与导电层32乃至于黏着层34与黏着层36。起初，导电层30接触并压合于黏着层34，而导电层32则接触并压合于黏着层36。随着压台持续动作与持续加热，基座28与导电层30间的黏着层34受到挤压并开始熔化，因而向上流入缺ロ 40 ;基座28与导电层32间的黏着层36也受到挤压并开始熔化，因而向下流入缺ロ 42。例如，在黏着层34中，未固化的环氧树脂遇热熔化后，被压カ挤入缺ロ 40中，但加强材料及填充物仍留在基座28与导电层30之间。同样地，在黏着层36中，未固化的环氧树脂遇热熔化后，被压カ挤入缺ロ 42中，但加强材料及填充物仍留在基座28与导电层32之间。黏着层34在通孔30A内上升的速度大于凸柱24，终至填满缺ロ 40，并延伸至略高于缺ロ 40的位置。黏着层34在压台停止动作前，溢流至凸柱24顶面及导电层30顶面邻接缺ロ 40处。若半固化片厚度略大于实际所需便可能发生这一情形。如此ー来，黏着层34便在凸柱24顶面及导电层30顶面形成ー覆盖薄层。黏着层36在通孔32A内下降的速度大于凸柱26，终至填满缺ロ 42，并延伸至略低于缺ロ 42的位置。黏着层36在压台停止动作前，溢流至凸柱26底面及导电层32底面邻接缺ロ 42处。若半固化片厚度略大于实际所需便可能发生这一情形。如此ー来，黏着层36便在凸柱26底面及导电层32底面形成ー覆盖薄层。压台在触及凸柱24与凸柱26后停止动作，但仍持续对黏着层34与黏着层36加热。黏着层34于缺ロ 40内向上流动的方向如图中向上粗箭号所示，黏着层36于缺ロ42内向下流动的方向如图中向下粗箭号所示，导电层32相对于凸柱26与基座28的向上移动如向上细箭号所示，导电层30相对于凸柱24与基座28的向下移动则如向下细箭号所 示。
图29中的黏着层34与黏着层36已固化。例如，压台停止移动后仍持续夹合凸柱24与凸柱26并供热，借此将已熔化的こ阶(B-stage)环氧树脂转换为丙阶(C-stage)固化或硬化的环氧树脂。因此，环氧树脂以类似现有多层压合的方式固化。环氧树脂固化后，压台分离，以便将结构体从压合机中取出。固化的黏着层34可在凸柱24与导电层30之间以及基座28与导电层30之间提供牢固的机械性连结。黏着层34可承受一般操作压カ而不致变形损毁，受到过大压カ时则仅暂时扭曲。再者，黏着层34可吸收凸柱24与导电层30之间以及基座28与导电层30之间的热膨胀不匹配。固化的黏着层36可在凸柱26与导电层32之间以及基座28与导电层32之间提供牢固的机械性连结。黏着层36可承受一般操作压カ而不致变形损毁，受到过大压カ时则仅暂时扭曲。再者，黏着层36可吸收凸柱26与导电层32之间以及基座28与导电层32之间的热膨胀不匹配。
凸柱24与导电层30大致共平面，且导电层30与黏着层34均延伸至一面朝向上方向的顶面。例如，基座28与导电层30间的黏着层34厚70微米，较其初始厚度100微米減少30微米；亦即凸柱24在通孔30A中升高30微米，而导电层30则相对于凸柱24下降30微米。凸柱24的高度150微米基本上等同于导电层30(80微米)与下方黏着层34(70微米)的总合高度。此外，凸柱24仍位于通孔30A与开ロ 34A内的中央位置并与导电层30保持距离，而黏着层34则填满凸柱24与导电层30间的空间及基座28与导电层30间的空间，进而填满缺ロ 40。例如，缺ロ 40(即凸柱24与导电层30间的黏着层34)在凸柱24顶面处的宽度为125微米[(1250-1000)/2]。凸柱26与导电层32大致共平面，且导电层32与黏着层36均延伸至一面朝向下方向的底面。例如，基座28与导电层32间的黏着层36厚70微米，较其初始厚度100微米减少30微米；亦即凸柱26在通孔32A中下降30微米，而导电层32则相对于凸柱26上升30微米。凸柱26的高度150微米基本上等同于导电层32(80微米)与上方黏着层36 (70微米)的总合高度。此外，凸柱26仍位于通孔32A与开ロ 36A内的中央位置并与导电层32保持距离，而黏着层36则填满凸柱26与导电层32间的空间及基座28与导电层32间的空间，进而填满缺ロ 42。例如，缺ロ 42 (即凸柱26与导电层32间的黏着层36)在凸柱26底 面处的宽度为 125 微米[(3250-3000)/2 及(5250-5000)/2]。黏着层34在缺ロ 40内延伸跨越导电层30。换句话说，缺ロ 40中的黏着层34是沿向上方向及向下方向延伸并跨越缺ロ 40外侧壁的导电层30厚度。黏着层34也包含缺ロ 40上方的ー薄顶部分，其接触凸柱24的顶面与导电层30的顶面并在凸柱24上方延伸10微米。黏着层36在缺ロ 42内延伸跨越导电层32。换句话说，缺ロ 42中的黏着层36是沿向上方向及向下方向延伸并跨越缺ロ 42外侧壁的导电层32厚度。黏着层36也包含缺ロ 42下方的一薄底部分,其接触凸柱26的底面与导电层32的底面并在凸柱26下方延伸10微米。图30所示的结构具有外孔44。外孔44为穿孔，其延伸贯穿基座28、导电层30、32及黏着层34、36并与这五者邻接，直径则为500微米。外孔44以机械方式钻透基座28、导电层30、32与黏着层34、36而形成，但也可以其它技术制作，如雷射钻孔、电浆蚀刻及湿式化学蚀刻等。在图31中，外孔44内已填入绝缘填充物46。绝缘填充物46为ー电性绝缘环氧树脂，其位于外孔44内，填满外孔44，并于外孔44内接触基座28、导电层30、32及黏着层34、36，但绝缘填充物46与凸柱24、26保持距离。绝缘填充物46原为ー环氧树脂膏，并以网版印刷的方式选择性印刷于外孔44中，之后再以相对较低的温度(如190°C )加热该环氧树脂膏使其硬化。绝缘填充物46可为多种有机或无机电性绝缘体制成的各种介电膜。例如，绝缘填充物46可为聚酰亚胺或FR-4环氧树脂，但也可使用诸如多官能与双马来酰亚胺-三氮杂苯(BT)树脂等其它环氧树脂。在图32所示结构中，凸柱24、导电层30、黏着层34与绝缘填充物46的顶部皆已去除，且凸柱26、导电层32、黏着层36与绝缘填充物46的底部皆已去除。凸柱24、导电层30、黏着层34与绝缘填充物46的顶部以研磨方式去除，例如以旋转钻石砂轮及蒸馏水处理结构体的顶部。起初，钻石砂轮仅磨去黏着层34。持续研磨，则黏着层34因受磨表面下移而变薄。钻石砂轮终将接触凸柱24、导电层30与绝缘填充物46 (未必同时)，因而开始研磨凸柱24、导电层30与绝缘填充物46。持续研磨后，凸柱24、导电层30、黏着层34与绝缘填充物46均因受磨表面下移而变薄。研磨作业持续至去除所需厚度为止。之后，以蒸馏水冲洗结构体去除污物。上述研磨作业将黏着层34的顶部磨去30微米，将凸柱24的顶部磨去20微米，将导电层30的顶部磨去20微米，并将绝缘填充物46的顶部磨去20微米。厚度减少对凸柱24、导电层30、黏着层34或绝缘填充物46均无明显影响。凸柱26、导电层32、黏着层36与绝缘填充物46的底部以研磨方式去除，例如以旋转钻石砂轮及蒸馏水处理结构体的底部。起初，钻石砂轮仅磨去黏着层36。持续研磨，则黏着层36因受磨表面上移而变薄。钻石砂轮终将接触凸柱26、导电层32与绝缘填充物46 (未必同时)，因而开始研磨凸柱26、导电层32与绝缘填充物46。持续研磨后，凸柱26、导电层32、黏着层36与绝缘填充物46均因受磨表面上移而变薄。研磨作业持续至去除所 需厚度为止。之后，以蒸馏水冲洗结构体去除污物。上述研磨作业将黏着层36的底部磨去30微米，将凸柱26的底部磨去20微米，将导电层32的底部磨去20微米，并将绝缘填充物46的底部磨去20微米。厚度减少对凸柱26、导电层32、黏着层36或绝缘填充物46均无明显影响。至此，凸柱24、导电层30、黏着层34与绝缘填充物46在朝向上方向的研磨平坦化的顶面处共平面。同样地，凸柱26、导电层32、黏着层36与绝缘填充物46在朝向下方向的研磨平坦化的底面处共平面。图33所示的结构已于外孔44内形成内孔50。内孔50为穿孔，其位于外孔44中且贯穿外孔44并与之同轴。内孔50位于绝缘填充物46内，延伸贯穿绝缘填充物46，并邻接绝缘填充物46。此外，内孔50延伸贯穿基座28、导电层30、32及黏着层34、36但与这五者保持距离。内孔50的直径为300微米。因此，内孔50的外侧壁位于绝缘填充物46上，且内孔50与基座28、导电层30、32及黏着层34、36相距100微米[(500-300)/2]。内孔50以机械方式钻透绝缘填充物46而形成，但也可以其它技术制作，如雷射钻孔与电浆蚀刻
坐寸ο图34所不的结构具有被覆金属52。被覆金属52沉积于凸柱24与凸柱26、导电层30与导电层32、黏着层34与黏着层36及绝缘填充物46上，且形成被覆层54、被覆层56及被覆穿孔58。被覆层54沉积于凸柱24、导电层30、黏着层34及绝缘填充物46的侧向顶面，同时接触并从上方覆盖这四者。被覆层54为ー无图案的铜层，厚度为20微米。被覆层56沉积于凸柱26、导电层32、黏着层36及绝缘填充物46的侧向底面，同时接触并从下方覆盖这四者。被覆层56为ー无图案的铜层，厚度为20微米。被覆穿孔58沉积于且接触内孔50中的绝缘填充物46，同时沿侧面方向覆盖内孔50的内侧壁。被覆穿孔58为厚度20微米的铜管，其邻接被覆层54、56并与被覆层54、56形成一体，且彼此电连结。此外，被覆穿孔58与基座28及黏着层34、36相距100微米[(500-300)/2]。举例而言，可将结构体浸入一活化剂溶液中，因而使黏着层34、36及绝缘填充物46可与无电镀铜产生触媒反应，接着将ー第一铜层以无电镀被覆的方式设于凸柱24与凸柱26、导电层30与导电层32、黏着层34与黏着层36及绝缘填充物46上，然后将一第二铜层电镀于该第一铜层上。第一铜层厚约2微米，第二铜层厚约18微米，故被覆金属52(以及被覆层54、56与被覆穿孔58)的总厚度约为20微米。如此ー来，导电层30的厚度便实质增加至80微米(60+20)，导电层32的厚度也实质增加至80微米(60+20)。被覆层54作为凸柱24、黏着层34与绝缘填充物46的一覆盖层，以及导电层30的一加厚层。被覆层56作为 凸柱26、黏着层36与绝缘填充物46的一覆盖层，以及导电层32的一加厚层。被覆穿孔58作为被覆层54与被覆层56间的ー电性互连结构，并因而成为导电层30与导电层32间的ー电性互连结构。为便于图示，凸柱24、导电层30、被覆层54与被覆穿孔58以单层显示。同样地，为便于图示，凸柱26、导电层32、被覆层56也以单层显示。由于铜为同质被覆，凸柱24与被覆层54间的界线、导电层30与被覆层54间的界线、凸柱26与被覆层56间的界线以及导电层32与被覆层56间的界线(均以虚线绘示)可能不易察觉甚至无法察觉。然而，黏着层34与被覆层54间的界线、绝缘填充物46与被覆层54间的界线、黏着层36与被覆层56间的界线、绝缘填充物46与被覆层56间的界线以及绝缘填充物46与被覆穿孔58间的界线则清楚可见。图35所示结构的被覆层54与被覆层56上分別形成有图案化蚀刻阻层60、62。图示的图案化蚀刻阻层60、62是与光阻层16、18类似的光阻层。光阻层60具有选择性露出被覆层54的图案，而光阻层62则具有选择性露出被覆层56的图案。在图36所示的结构中，导电层30及被覆层54已经由蚀刻去除其选定部分以形成图案化蚀刻阻层60所定义的图案，而导电层32及被覆层56也已经由蚀刻去除其选定部分以形成图案化蚀刻阻层62所定义的图案。所述蚀刻为双面湿式化学蚀刻，其与施用于金属板10者相仿。例如，利用一顶部喷嘴(图未不)及一底部喷嘴(图未不)将化学蚀刻液分别喷洒于结构体的顶面及底面，或者将结构体浸入化学蚀刻液中。化学蚀刻液可蚀透导电层30与被覆层54，使黏着层34朝向上方向露出，但不使基座28或黏着层36朝向上方向外露，从而将原本无图案的导电层30及被覆层54转变为图案层。化学蚀刻液也蚀透导电层32与被覆层56，使黏着层36朝向下方向露出，但不使基座28或黏着层34朝向下方向外露，从而将原本无图案的导电层32及被覆层56转变为图案层。在图37中，结构体上的图案化蚀刻阻层60、62均已去除。去除光阻层60、62的方式可与去除光阻层16、18的方式相同。蚀刻后的导电层30与被覆层54包含焊垫64、路由线66与盖体68。焊垫64、路由线66及盖体68为导电层30与被覆层54受图案化的蚀刻阻层60保护而未被蚀刻的部分。如此ー来，导电层30与被覆层54便成为ー包含焊垫64、路由线66与盖体68的图案层。焊垫64为导电层30与被覆层54受图案化蚀刻阻层60保护而未被蚀刻的部分，其与被覆穿孔58保持距离。路由线66为导电层30与被覆层54受图案化蚀刻阻层60保护而未被蚀刻的部分，其邻接被覆穿孔58与焊垫64，并自被覆穿孔58与焊垫64侧伸而出，同时电连结被覆穿孔58与焊垫64。盖体68为导电层30与被覆层54受图案化蚀刻阻层60保护而未被蚀刻的部分，其邻接凸柱24且自凸柱24侧伸而出，同时热连结至凸柱24。焊垫64的厚度为80微米(60+20)。盖体68的厚度在邻接凸柱24处为20微米，而在靠近焊垫64处则为80微米(60+20)。因此，焊垫64与盖体68均接触黏着层34且延伸于其上方；焊垫64与盖体68的厚度在彼此相邻处相等，但盖体68邻接凸柱24处的厚度则与焊垫64不同；此外，焊垫64与盖体68共平面但彼此保持距离。蚀刻后的导电层32与被覆层56包含端子70与盖体72。端子70与盖体72为导电层32与被覆层56受图案化蚀刻阻层62保护而未被蚀刻的部分。如此ー来，导电层32与被覆层56便成为ー包含端子70与盖体72的图案层。端子70为导电层32与被覆层56受图案化蚀刻阻层62保护而未被蚀刻的部分，其邻接被覆穿孔58且自被覆穿孔58侧伸而出，同时电连结至被覆穿孔58。盖体72为导电层32与被覆层56受图案化蚀刻阻层62保护而未被蚀刻的部分，其邻接凸柱26且侧向延伸至凸柱26タト，同时热连结至凸柱26。端子70的厚度为80微米(60+20)。盖体72的厚度在邻接凸柱26处为20微米，而在靠近端子70处则为80微米(60+20)。因此，端子70与盖体72均接触黏着层36且延伸于其下方；端子70与盖体72的厚度在彼此相邻处相等， 但盖体72邻接凸柱26处的厚度则与端子70不同；此外，端子70与盖体72共平面但彼此保持距离。被覆穿孔58、焊垫64、路由线66与端子70共同形成导线74。换句话说，被覆穿孔58与路由线66是焊垫64与端子70间的ー导电路径。此外，焊垫64位于凸柱26与盖体72的周缘内，路由线66延伸于凸柱26与盖体72的周缘内及周缘外，至于被覆穿孔58与端子70则位于凸柱26与盖体72的周缘外。散热座76包含凸柱24与凸柱26、基座28及盖体68与盖体72。凸柱24与基座28乃一体成形，凸柱26与基座28也为一体成形。凸柱24位于基座28与盖体68之间，而凸柱26则位于基座28与盖体72之间。盖体68位于凸柱24的顶部上方，邻接凸柱24的顶部，同时从上方覆盖凸柱24的顶部，并自凸柱24的顶部往侧向延伸。设置盖体68后，凸柱24坐落于盖体68周缘内的中央区域。同样地，盖体72位于凸柱26的底部下方，邻接凸柱26的底部，同时从下方覆盖凸柱26的底部，并自凸柱26的底部往侧向延伸。设置盖体72后，凸柱26坐落于盖体72周缘内的中央区域。再者，凸柱24与凸柱26以及盖体68与盖体72均彼此轴向对准，且凸柱24与盖体68均位于凸柱26与盖体72的周缘内，而凸柱26则位于盖体72的周缘内。因此，凸柱26与盖体72从下方覆盖凸柱24与盖体68。散热座76实质上为ー散热块，其包含一相对较小的上柱部(凸柱24)、一相对较大的下柱部(凸柱26)、自该上柱部侧向伸出的上翼部(盖体68)、自该下柱部侧向伸出的下翼部(盖体72)，以及自该上、下柱部侧向伸出的中间翼部(基座28)。图38所示结构的导线74及散热座76上设有被覆接点78。被覆接点78为ー接触外露铜质表面的多层金属镀层。因此，被覆接点78接触被覆穿孔58、焊垫64、路由线66与盖体68，并从上方覆盖这四者，此外也接触被覆穿孔58、端子70与盖体72，并从下方覆盖这三者。例如，一镍层以无电镀被覆的方式设于外露的铜质表面上，而后再将ー银层以无电镀被覆的方式设于该镍层上，其中内部镍层厚约3微米，银质表面层厚约O. 5微米，故被覆接点78的厚度约为3. 5微米。以被覆接点78作为焊垫64、盖体68、端子70与盖体72的表面处理具有几项优点。内部镍层提供主要的机械性与电连结及/或热连结，而银质表面层则提供一可湿性表面以利焊料回焊，借以搭配焊锡及打线。被覆接点78也保护导线74与散热座76不受腐蚀。被覆接点78可包含各种金属以符合外部连结媒介的需要。例如，可在内部镍层上被覆一金层，或単独使用ー镍质表面层。为便于图示，设有被覆接点78的导线74与散热座76均以单ー层体表示。导线74与被覆接点78间的界线(图未示)以及散热座76与被覆接点78间的界线(图未示)为
铜/镍界面。至此完成导热板90的制作。图39、图40及图41分别为导热板90的剖面图、俯视图及仰视图，图中导热板90的边缘已沿切割线而与支撑架及/或同批生产的相邻导热板分离。导热板90包含黏着层34与黏着层36、绝缘填充物46、导线74及散热座76。导线74包含被覆穿孔58、焊垫64、路由线66及端子70。散热座76包含凸柱24与凸柱26、基座28及盖体68与盖体72。凸柱24延伸进入开ロ 34A后，仍位于开ロ 34A内的中央区域，且仍位于凸柱26、基座28、黏着层34、36及盖体68、72周缘内的中央区域。凸柱24保持平顶角锥形，其渐缩侧壁使其直径自基座28处朝凸柱24邻接盖体68的平坦正方形顶部向上递减。此外，凸柱24的顶部与黏着层34的顶部于盖体68处共平面，凸柱24的底部与黏着层34的底部于基座28处共平面。凸柱26延伸进入开ロ 36A后，仍位于开ロ 36A内的中央区域，且仍位于基座28、黏着层34、36及盖体72周缘内的中央区域。凸柱26保持平顶角锥形，其渐缩侧壁使其直径自基座28处朝凸柱26邻接盖体72的平坦矩形底部向下递减。此外，凸柱26的顶部与黏着层36的顶部于基座28处共平面，凸柱26的底部与黏着层36的底部于盖体72处共平面。基座28位于凸柱24下方，并从下方覆盖凸柱24，基座28也位于凸柱26上方，并从上方覆盖凸柱26，同时自凸柱24与凸柱26侧向延伸至导热板90的外围边缘。基座28始终位于凸柱24与凸柱26之间、黏着层34与黏着层36之间以及盖体68与盖体72之间，并为黏着层34、36与导线74提供机械性支撑。此外，基座28的厚度大于焊垫64、路由线66、盖体68、端子70与盖体72。黏着层34接触且位于凸柱24与绝缘填充物46之间，接触且位于基座28与焊垫64之间，接触且位于基座28与路由线66之间，接触且位于基座28与盖体68之间，但与凸柱26、黏着层36、端子70及盖体72保持距离。黏着层34也从凸柱24侧向延伸至端子70夕卜，重叠于端子70，并从上方覆盖基座28位于凸柱24周缘外的部分，从下方覆盖盖体68位于凸柱24周缘外的部分，同时沿侧面方向覆盖且环绕凸柱24。此时黏着层34已固化。黏着层36接触且位于凸柱26与绝缘填充物46之间，接触且位于基座28与端子70之间，接触且位于基座28与盖体72之间，但与凸柱24、黏着层34、焊垫64、路由线66及盖体68保持距离。黏着层36也从凸柱26侧向延伸至端子70タト，重叠于端子70，并从下方覆盖基座28位于凸柱26周缘外的部分，从上方覆盖盖体72位于凸柱26周缘外的部分，同时沿侧面方向覆盖且环绕凸柱26。此时黏着层36已固化。黏着层34可単独穿过凸柱24与绝缘填充物46间的ー假想水平线、基座28与焊垫64间的ー假想垂直线、基座28与路由线66间的ー假想垂直线，以及基座28与盖体68、间的ー假想垂直线。换句话说，可绘出一条从凸柱24延伸至绝缘填充物46且仅穿过黏着层34的假想水平线、一条从基座28延伸至焊垫64且仅穿过黏着层34的假想垂直线…等。黏着层36可単独穿过凸柱26与绝缘填充物46间的ー假想水平线、基座28与端子70间的ー假想垂直线，以及基座28与 盖体72间的ー假想垂直线。换句话说，可绘出ー条从凸柱26延伸至绝缘填充物46且仅穿过黏着层36的假想水平线、一条从基座28延伸至端子70且仅穿过黏着层36的假想垂直线…等。绝缘填充物46于外孔44中接触基座28、黏着层34、36、路由线66及端子70，但绝缘填充物46与凸柱24、26保持距离。绝缘填充物46延伸穿过基座28与黏着层34、36，进入但未贯穿路由线66及端子70。被覆穿孔58于内孔50中延伸穿过基座28与黏着层34、36。被覆穿孔58也接触绝缘填充物46，并由绝缘填充物46将被覆穿孔58与基座28及黏着层34、36隔开，绝缘填充物46同时将被覆穿孔58与基座28电性隔离。被覆穿孔58維持管状且具有笔直的垂直内、外侧壁，换句话说，被覆穿孔58的直径在从路由线66延伸至端子70的垂直方向上固定不变。焊垫64与盖体68在彼此相邻处具有相同厚度，但盖体68邻接凸柱24处的厚度则与焊垫64不同。焊垫64与盖体68均接触黏着层34，延伸于黏着层34上方，并在黏着层34上方一面朝向上方向的顶面处共平面。端子70与盖体72在彼此相邻处具有相同厚度，但盖体72邻接凸柱26处的厚度则与端子70不同。端子70与盖体72均接触黏着层36，延伸于黏着层36下方，并在黏着层36下方一面朝向下方向的底面处共平面。同批制作的导热板90经裁切后，其基座28与黏着层34、36均延伸至裁切而成的
垂直边缘。焊垫64为ー专为LED芯片等半导体元件量身订做的电性界面，该半导体元件将于后续制程中设置于盖体68上。端子70为ー专为下ー层组体(例如来自ー印刷电路板的可焊接线)量身订做的电性界面。盖体68为ー专为该半导体元件量身订做的热界面，而盖体72则为ー专为该下一层组体(例如前述印刷电路板或ー电子设备的散热装置)量身订做的热接ロ。焊垫64与端子70在水平及垂直方向上彼此错位，且分别外露于导热板90的顶面及底面，以便在该半导体元件与下ー层组体之间提供水平及垂直讯号路由。导线74不仅可透过路由线66提供从焊垫64至被覆穿孔58的水平(侧向)路由，也可透过被覆穿孔58提供从焊垫64至端子70的垂直(由上至下)路由。导线74并不限于这ー构型。举例而言，焊垫64可电连结至被覆穿孔58而不需透过黏着层34上方由图案化蚀刻阻层60所定义的路由线，至于端子70则可利用黏着层36下方由图案化蚀刻阻层62所定义的一路由线电连结至被覆穿孔58。焊垫64或路由线66也可经由多条不同导电路径中的多个不同被覆穿孔58电连结至端子70。此外，上述导电路径可包含贯穿黏着层34及/或黏着层36的导电孔、额外的路由线(其位于黏着层34及/或黏着层36的上方及/或下方)及无源元件(例如设置于其它焊垫上的电阻与电容)。为便于图示，导线74于剖面图中绘示为ー连续电路迹线。然而，导线74通常同时提供X与Y方向的水平讯号路由，亦即焊垫64与端子70彼此在X与Y方向形成侧向错位。此外，被覆穿孔58可位于焊垫64与盖体68之间，或位于端子70与盖体72之间，或位于导热板90的角落或外围边缘。导线74与散热座76彼此保持距离，因此，导线74与散热座76机械性连接但彼此电性隔尚。散热座76可将随后设置于盖体68上的半导体元件所产生的热能扩散至导热板90所连接的下ー层组体。该半导体元件所产生的热能流入盖体68，由盖体68流入凸柱24，由凸柱24流入基座28，由基座28流入凸柱26，再由凸柱26流入盖体72。热能自盖体72相对于凸柱24而散出，并沿向下方向扩散,例如扩散至一下方散热装置。凸柱24、26与基座28为铜，被覆穿孔58、焊垫64、路由线66、盖体68、端子70及盖体72则为铜/镍/银。被覆穿孔58、焊垫64、路由线 66、盖体68、端子70及盖体72由ー银质表面层、一内部铜核心及一内部镍层组成，其中该内部镍层接触且介于该银质表面层与该内部铜核心之间。被覆穿孔58、焊垫64、路由线66、盖体68、端子70及盖体72的内部铜核心主要为铜。该银质表面层与该内部镍层由被覆接点78提供，而该内部铜核心则由金属板10、导电层30、32与被覆金属52的多种组合提供。导线74包含一由被覆穿孔58、焊垫64、路由线66与端子70共用的内部铜核心，而散热座76则包含一由凸柱24、26、基座28及盖体68、72共用的内部铜核心。此外，导线74包含位于被覆穿孔58、焊垫64、路由线66与端子70等处的被覆接点78，而散热座76则包含位于盖体68上且与凸柱24、26及基座28保持距离的被覆接点78，以及位于盖体72上且与凸柱24、26及盖体68保持距离的被覆接点78。再者，导线74由铜/镍/银组成，且其内部铜核心主要为铜；散热座76也由铜/镍/银组成，且其内部铜核心主要为铜。导热板90的凸柱24、凸柱26与基座28均未朝向上或向下方向外露。为便于图示，图40以虚线绘示凸柱24,图41也以虚线绘示凸柱26。导热板90可包含多条由被覆穿孔58、焊垫64、路由线66及端子70构成的导线74。为便于说明，在此仅描述并绘示単一导线74。在所述导线74中，被覆穿孔58、焊垫64及端子70通常具有类似的形状及尺寸。例如，部分导线74设有间距，彼此分离，且为电性隔离，而部分导线74则彼此交错或导向同一焊垫64、路由线66或端子70且彼此电连结。同样地，部分焊垫64可接收独立讯号，而部分焊垫64则共用ー讯号、电源或接地端。导热板90可适用于具有蓝、绿及红光LED芯片的LED封装体，其中各LED芯片包含一阳极与ー阴极，且各LED封装体包含对应的阳极端子与阴极端子。在此例中，导热板90可包含六个焊垫64与四个端子70，以便将每ー阳极从ー独立焊垫64导向ー独立端子70，并将每一阴极从一独立焊垫64导向一共同的接地端子70。在各制造阶段均可利用一简易清洁步骤去除外露金属上的氧化物与残留物，例如可对本案结构体施行ー短暂的氧电浆清洁步骤。或者，可利用ー过锰酸钾溶液对本案结构体进行ー短暂的湿式化学清洁步骤。同样地，也可利用蒸馏水淋洗本案结构体以去除污物。此清洁步骤可清洁所需表面而不对结构体造成明显的影响或破坏。本案的优点在干，导线74形成后不需从中分离或分割出汇流点或相关电路系统。汇流点可于形成焊垫64、路由线66及盖体68的湿式化学蚀刻步骤中分离。导热板90可包含钻透或切通基座28与黏着层34、36而形成的对位孔(图未示)。如此ー来，当导热板90需于后续制程中设置于一下方载体时，便可将工具接脚插入对位孔中，借以将导热板90置于定位。导热板90可容纳多个半导体元件，而非单ー凸柱24或多个凸柱24仅可容纳单ー半导体元件。因此，可将多个半导体元件设置于单ー凸柱24上，或将多个半导体元件分别设置于不同凸柱24上。若欲在导热板90上形成可容纳多个半导体元件的单ー凸柱24，可额外钻孔以定义更多被覆穿孔58，调整图案化蚀刻阻层60以定义更多焊垫64及路由线66，并调整图案化蚀刻阻层62以定义更多端子70。被覆穿孔58、焊垫64、路由线66及端子70可改变侧向位置以便为四个半导体元件提供一 2x2阵列。此外,焊垫64与端子70的形貌(topography)(即侧面形状)也可有所调整。若欲在导热板90上形成复数个凸柱24以容纳复数个半导体元件，可调整图案化蚀刻阻层16以定义更多凸柱24，调整导电层30以包含更多通孔30A，调整黏着层34以包含更多开ロ 34A，钻设额外的外孔44与内孔50以定义更多被覆穿孔58，调整图案化蚀刻阻 层60以定义更多焊垫64、路由线66及盖体68，并调整图案化蚀刻阻层62以定义更多端子70。上述元件可改变侧向位置以便为四个半导体元件提供一 2x2阵列。此外，凸柱24、焊垫64、路由线66、盖体68与端子70的形貌(即侧面形状)也可有所调整。图42、图43及图44分别为本发明ー实施例中一导热板91的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板91的外围边缘设有被覆穿孔。在本实施例中，被覆穿孔位于导热板与同批生产的相邻导热板分离所形成的外围边缘。为求简明，凡导热板90的相关说明适用于此实施例者均并入此处，相同的说明不予重复。同样地，本实施例导热板的元件与导热板90的元件相仿者，均采对应的參考标号。导热板91包含黏着层34、36、绝缘填充物46、导线74及散热座76。导线74包含被覆穿孔58、焊垫64、路由线66及端子70。散热座76包含凸柱24、26、基座28及盖体68、72。被覆穿孔58位于导热板91的外围边缘而非与导热板91的外围边缘保持距离。因此，导热板91较导热板90更为小巧。此外，被覆穿孔58并非具有完整圆周的管状，而是呈半管形，亦即仅具有半圆形的周缘；黏着层34与黏着层36则分别自凸柱24与凸柱26侧向延伸至端子70而未越过端子70。导热板91的制作方式与导热板90类似，但必须为被覆穿孔58进行适当调整。例如，先将黏着层36设置于基座28上，再将导电层32设置于黏着层36上。将结构体倒置后，先于基座28上设置黏着层34，再于黏着层34上设置导电层30。接着对黏着层34、36加热及加压，使其流动并固化。然后钻透基座28、导电层30、32及黏着层34、36以形成外孔44，并于外孔44内沉积绝缘填充物46。接着将结构体的顶面及底面以研磨方式平面化，钻透绝缘填充物46以形成内孔50，然后将被覆层54、56及被覆穿孔58沉积于结构体上。接着蚀刻导电层30及被覆层54以形成焊垫64、路由线66及盖体68，并蚀刻导电层32及被覆层56以形成端子70及盖体72，之后再以被覆接点78为焊垫64、盖体68、端子70及盖体72进行表面处理。最后，于导热板91的外围边缘处切割或劈裂基座28与黏着层34、36，使导热板91与同批制作的其它导热板分离。如此ー来，被覆穿孔58的一半管形部分便与导热板91的外围边缘分离，而被覆穿孔58的另一半管形部分则完整留在导热板91的外围边缘。图45、图46及图47分别为本发明ー实施例中一导热板92的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板92具有厚度相同的焊垫与第一盖体，以及厚度相同的端子与第二盖体。在本实施例中，焊垫与第一盖体均位于第一黏着层上方且具有相同厚度，端子与第二盖体均位于第二黏着层下方且具有相同厚度。为求简明，凡导热板90的相关说明适用于此实施例者均并入此处，相同的说明不予重复。同样地，本实施例导热板的元件与导热板90的元件相仿者,均采对应的參考标号。导热板92包含黏着层34与黏着层36、绝缘填充物46、导线74及散热座76。导线74包含被覆穿孔58、焊垫64、路由线66及端子70。散热座76包含凸柱24与凸柱26、基座28及盖体68与盖体72。焊垫64与盖体68均接触黏着层34且位于其上方。此外，焊垫64与盖体68具有相同厚度。因此，焊垫64与盖体68不仅彼此相邻处的厚度相等，盖体68邻接凸柱24处的厚度也与焊垫64相同。端子70与盖体72均接触黏着层36且位于其下方。此外，端子70与盖体72具有 相同厚度。因此，端子70与盖体72不仅彼此相邻处的厚度相等，盖体72邻接凸柱26处的厚度也与端子70相同。导热板92的制作方式与导热板90类似，但必须为焊垫64、路由线66、盖体68、端子70及盖体72进行适当调整。例如，将金属板10的厚度由500微米改为300微米，以使凸柱24、26的高度由150微米降为50微米。至于黏着层34与36的半固化片厚度也由100微米改为60微米。先在基座28上设置黏着层36，然后将结构体倒置，再于基座28上设置黏着层34。在此省略导电层30、32。此外，凸柱24与凸柱26分别延伸进入但未贯穿对应开ロ 34A与开Π 36A。接着对黏着层34与黏着层36加热及加压，使其流动并固化。例如，可将黏着层34与黏着层36设置于一压合机的上、下压台之间。此外，可将ー上挡板及上缓冲纸夹置于黏着层34与上压台之间，并将一下挡板及下缓冲纸夹置于黏着层36与下压台之间。以此构成的叠合体由上到下依次为上压台、上挡板、上缓冲纸、黏着层34、基座28、黏着层36、下缓冲纸、下挡板及下压台。因此，黏着层34接触且位于基座28与上缓冲纸之间，黏着层36则接触且位于基座28与下缓冲纸之间。将上、下压台加热并相互推进，借此对黏着层34与黏着层36加热并施压。随着压台持续动作与持续加热，基座28与上压台间的黏着层34受到挤压并开始熔化，因而流动并接触凸柱24 ;基座28与下压台间的黏着层36也受到挤压并开始熔化，因而流动并接触凸柱26。此外，黏着层34在凸柱24顶面形成一覆盖薄层，黏着层36则在凸柱26底面形成一覆盖薄层。压台在触及凸柱24与凸柱26后停止动作，但仍持续对黏着层34与黏着层36加热以使其固化。待黏着层34与黏着层36固化后即可将压台分离，以便将结构体从压合机中取出。上缓冲纸作为黏着层34的脱模纸，而下缓冲纸则作为黏着层36的脱模纸。黏着层34与黏着层36 —旦固化后，上缓冲纸便可轻易自黏着层34剥除而不使黏着层34分层，下缓冲纸也可轻易自黏着层36剥除而不使黏着层36分层。再者，黏着层34仅将其自身叠合于凸柱24及基座28，而黏着层36也仅将其自身叠合于凸柱26及基座28。之后，钻透基座28与黏着层34、36以形成外孔44，并于外孔44内沉积绝缘填充物46，接着将结构体的顶面及底面以研磨方式平面化，钻透绝缘填充物46以形成内孔50，然后将被覆层54、56及被覆穿孔58沉积于结构体上。接着仅蚀刻被覆层54以形成焊垫64、路由线66及盖体68，仅蚀刻被覆层56以形成端子70及盖体72，之后再以被覆接点78为焊垫64、盖体68、端子70及盖体72进行表面处理。最后，于导热板92的外围边缘处切割或劈裂基座28与黏着层34、36，使导热板92与同批制作的其它导热板分离。图48、图49及图50分别为本发明ー实施例中一导热板94的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板94具有第一介电层80与第二介电层82。在本实施例中，第一介电层80位于焊垫64与第一黏着层34之间，而第二介电层82则位于端子70与第二黏着层36之间。为求简明，凡导热板90的相关说明适用于此实施例者均并入此处，相同的说明不予重复。同样地，本实施例导热板的元件与导热板90的元 件相仿者，均采对应的參考标号。导热板94包含黏着层34、36、绝缘填充物46、导线74、散热座76、第一介电层80 (以下简称介电层80，S卩，以标号80指代第一介电层)及第ニ介电层82(以下简称介电层82，S卩，以标号82指代第二介电层)。导线74包含被覆穿孔58、焊垫64、路由线66及端子70。散热座76包含凸柱24、26、基座28及盖体68、72。焊垫64、路由线66与盖体68均接触介电层80且延伸于其上方。盖体68于凸柱24与介电层80之间接触黏着层34，而焊垫64及路由线66则与黏着层34保持距离。介电层80接触且位于黏着层34与焊垫64之间、黏着层34与路由线66之间以及黏着层34与盖体68之间，但与凸柱24及基座28保持距离。端子70与盖体72均接触介电层82且延伸于其下方。盖体72于凸柱26与介电层82之间接触黏着层36，而端子70则与黏着层36保持距离。介电层82接触且位于黏着层36与端子70之间以及黏着层36与盖体72之间，但与凸柱26及基座28保持距离。外孔44、内孔50、绝缘填充物46及被覆穿孔58均延伸穿过介电层80与介电层82。绝缘填充物46接触介电层80、82，而被覆穿孔58则与介电层80、82保持距离。导热板94的制作方式与导热板90类似，但必须为介电层80、82进行适当调整。例如，将金属板10的厚度由500微米改为600微米，以使凸柱24、26的高度由150微米增为200微米，至于导电层30、32的厚度则由80微米改为30微米。介电层80、82为电性绝缘的环氧树脂片，厚度为100微米。此外，导电层30与介电层80彼此黏附，因而形成一第一铜/环氧树脂基板，导电层32与介电层82也彼此黏附并因而形成一第二铜/环氧树脂基板，其中通孔30A延伸穿过导电层30与介电层80，通孔32A则延伸穿过导电层32与介电层82。先将黏着层36设置于基座28上，再将导电层32与介电层82设置于黏着层36上。将结构体倒置后，先于基座28上设置黏着层34，再于黏着层34上设置导电层30与介电层80。如此ー来，导电层30便与黏着层34保持距离，而导电层32则与黏着层36保持距离，此外，介电层80接触且位于导电层30与黏着层34之间，介电层82则接触且位于导电层32与黏着层36之间。此时黏着层34、36并未固化，而介电层80、82则已固化。然后对黏着层34、36加热及加压，使其流动并固化。接着钻透基座28、导电层30、32、黏着层34、36及介电层80、82，借以形成外孔44，然后在外孔44内沉积绝缘填充物46。接着研磨结构体的顶面及底面以使其平面化，钻透绝缘填充物46以形成内孔50，然后将被覆层54、56及被覆穿孔58沉积于结构体上。接着蚀刻导电层30及被覆层54以形成焊垫64、路由线66与盖体68，并蚀刻导电层32及被覆层56以形成端子70与盖体72，之后再以被覆接点78为焊垫64、盖体68、端子70及盖体72进行表面处理。最后，于导热板94的外围边缘处切割或劈裂基座28、黏着层34、36以及介电层80、82，使导热板94与同批制作的其它导热板分离。图51、图52及图53分别为本发明ー实施例中一导热板96的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板96具有一隆起边缘84。在本实施例中，一隆起边缘设置于结构体顶面。为求简明，凡导热板90的相关说明适用于此实施例者均并入此处，相同的说明不予重复。同样地，本实施例导热板的元件与导热板90的兀件相仿者,均米对应的參考标号。导热板96包含黏着层34、36、绝缘填充物46、导线74、散热座76及隆起边缘8 4。导线74包含被覆穿孔58、焊垫64、路由线66及端子70。散热座76包含凸柱24、26、基座28及盖体68、72。隆起边缘84为ー正方形框，其接触黏着层34且延伸于其上方。凸柱24与盖体68均位于隆起边缘84周缘内的中央位置。例如，隆起边缘84的高度为600微米，宽度(内侧壁与外侧壁间的距离)为1000微米，隆起边缘84与盖体68的侧向间距则为500微米。隆起边缘84包含一防焊绿漆、ー叠合体及一膜状黏胶，但为便于图示，隆起边缘84在图中仅以单ー层体表示。该防焊绿漆接触该叠合体且延伸于其上方，因而形成一顶面。该膜状黏胶接触该叠合体且延伸于其下方，因而形成一底面。该叠合体接触且压合于该防焊绿漆与该膜状黏胶之间。该防焊绿漆、该叠合体及该膜状黏胶均为电性绝缘体。例如，该防焊绿漆厚50微米，该叠合体厚500微米，该膜状黏胶厚100微米，因此，隆起边缘84的高度为 650 微米(50+500+100)。该叠合体可为多种有机及无机电性绝缘体制成的各种介电膜。例如，该叠合体可为聚酰亚胺或FR-4环氧树脂，但也可使用诸如多官能与双马来酰亚胺-三氮杂苯(BT)等其它环氧树脂。或者，隆起边缘84可包含一设于该膜状黏胶上的金属环。导热板96的制作方式与导热板90类似，但必须为隆起边缘84进行适当调整。例如，先将黏着层36设置于基座28上，再将导电层32设置于黏着层36上。将结构体倒置后，先于基座28上设置黏着层34，再于黏着层34上设置导电层30。接着对黏着层34、36加热及加压，使其流动并固化。然后钻透基座28、导电层30、32及黏着层34、36以形成外孔44，并于外孔44内沉积绝缘填充物46。接着研磨结构体的顶面及底面以使其平面化，钻透绝缘填充物46以形成内孔50，然后将被覆层54、56及被覆穿孔58沉积于结构体上。接着蚀刻导电层30及被覆层54以形成焊垫64、路由线66及盖体68，并蚀刻导电层32及被覆层56以形成端子70及盖体72，然后将隆起边缘84设置于黏着层34上，接着再以被覆接点78为焊垫64、盖体68、端子70及盖体72进行表面处理。最后，于导热板96的外围边缘处切割或劈裂基座28与黏着层34、36，使导热板96与同批制作的其它导热板分离。图54、图55及图56分别为本发明ー实施例中一导热板98的剖面图、俯视图及仰视图，该导热板98具有第一防焊绿漆86 (以下简称防焊绿漆86，S卩，以标号86指代第一防焊绿漆)及第ニ防焊绿漆88 (以下简称防焊绿漆88，S卩，以标号88指代第二防焊绿漆)。在本实施例中，第一防焊绿漆及第ニ防焊绿漆选择性露出导线与散热座。为求简明，凡导热板90的相关说明适用于此实施例者均并入此处，相同的说明不予重复。同样地，本实施例导热板的元件与导热板90的元件相仿者，均采对应的參考标号。导热板98包含黏着层34、36、绝缘填充物46、导线74、散热座76及防焊绿漆86、88。导线74包含被覆穿孔58、焊垫64、路由线66及端子70。散热座76包含凸柱24、26、基座28及盖体68、72。防焊绿漆86为ー电性绝缘层，其可使焊垫64与盖体68的选定部分朝向上方向外露，并覆盖黏着层34原本朝向上方向外露的部分。防焊绿漆88为ー电性绝缘层，其可使端子70与盖体72的选定部分朝向下方向外露，并覆盖黏着层36原本朝向下方向外露的部分。导热板98的制作方式与导热板90类似，但必须为防焊绿漆86、88进行适当调整。例如，先将黏着层36设置于基座28上，再将导电层32设置于黏着层36上。将结构体倒置后，先于基座28上设置黏着层34，再于黏着层34上设置导电层30。接着对黏着层34、36加热及加压，使其流动并固化。然后钻透基座28、导电层30、32及黏着层34、36以形成外孔 44，并于外孔44内沉积绝缘填充物46。接着研磨结构体的顶面及底面以使其平面化，钻透绝缘填充物46以形成内孔50，然后将被覆层54、56及被覆穿孔58沉积于结构体上。继而蚀刻导电层30与被覆层54以形成焊垫64、路由线66与盖体68，并蚀刻导电层32与被覆层56以形成端子70与盖体72。然后于结构体的顶面形成防焊绿漆86，并于结构体的底面形成防焊绿漆88。防焊绿漆86与防焊绿漆88起初是分别涂布于结构体顶面与底面的光显像型液态树脂，之后才形成图案，其形成图案的方式是使光线选择性透过光罩(图未示)，使受光的部分防焊绿漆变为不可溶解，然后利用ー显影溶液去除未受光且仍可溶解的部分防焊绿漆，最后再进行硬烤，以上步骤乃现有技木。接着以被覆接点78为焊垫64、盖体68、端子70及盖体72进行表面处理，最后再于导热板98的外围边缘处切割或劈裂基座28、黏着层34、36与防焊绿漆86、88，使导热板98与同批制作的其它导热板分离。图57、图58及图59分别为本发明ー实施例中一半导体芯片组体100的剖面图、俯视图及仰视图，该半导体芯片组体100包含ー导热板、一半导体元件及一封装材料。在此实施例中，该半导体元件为ー发蓝光的LED芯片，设置于第一盖体上，并利用一打线电连结至焊垫，同时利用ー固晶材料热连结至第一盖体。该半导体元件由一可将蓝光转换为白光的封装材料加以覆盖。半导体芯片组体100包含导热板90、LED芯片102、打线104、固晶材料106及封装材料108。LED芯片102包含顶面110、底面112与打线接垫114。顶面110为活性表面且包含打线接垫114，底面112则为热接触表面。LED芯片102设置于散热座76上，电连结至导线74，并且热连结至散热座76。详细地说，LED芯片102设置于盖体68上(并因而设置于凸柱24上)，重叠于凸柱24、26、基座28及盖体68、72 (亦即侧向延伸于凸柱24、26、基座28及盖体68、72的周缘内)，但并未重叠于导线74 (亦即LED芯片102位于导线74的周缘外)。LED芯片102经由打线104电连结至焊垫64，同时利用固晶材料106热连结且机械性黏附于盖体68。LED芯片102也延伸于凸柱24、26、基座28及盖体68、72的周缘内，且位于凸柱26、基座28及盖体68、72的周缘内，但位于导线74的周缘外。
例如，打线104连接于并电连结焊垫64与打线接垫114，借此将LED芯片102电连结至端子70。固晶材料106接触且位于盖体68与热接触表面112之间，同时热连结且机械性黏合盖体68与热接触表面112，借此将LED芯片102热连结至凸柱24，借此将LED芯片102热连结至基座28，借此将LED芯片102热连结至凸柱26，并借此将LED芯片102热连结至盖体72。封装材料108为ー用以转换顔色的固态电性绝缘保护性包覆体，其可为LED芯片102及打线104提供抗潮湿及防微粒等环境保护。封装材料108接触黏着层34、焊垫64、路由线66、盖体68、LED芯片102、打线104及固晶材料106，但封装材料108与凸柱24、26、基座28、黏着层36、被覆穿孔58、端子70及盖体72保持距离。此外，封装材料108从上方覆盖凸柱24、26、焊垫64、盖体68、LED芯片102、打线104及固晶材料106。封装材料108在附图中呈透明状是为了方便图示说明。焊垫64上设有镍/银的被覆金属接垫以利与打线104稳固接合，借此改善自导线74至LED芯片102的讯号传送。盖体68上也设有镍/银的被覆金属接垫以利与固晶材料106稳固接合，并借此改善自LED芯片102至散热座76的热传导。盖体68也提供一高反射 性表面，其可反射LED芯片102射向银质表面层的光线，进而提高沿向上方向的出光量。此夕卜，由于盖体68的形状及尺寸均与热接触表面112相配合，凸柱24的形状及尺寸并未且也不需配合热接触表面112而设计。LED芯片102为一可发出蓝光、具有高发光效率且形成p_n接面的化合物半导体。适用的化合物半导体包括氮化镓(GaN)、神化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷神化镓(GaAsP)、磷化铝镓(GaAlP)、砷铝化镓(GaAlAs)、磷化铟(InP)与磷化铟镓(InGaP)。此外，LED芯片102的出光量虽高，但也产生可观的热能。封装材料108包含透明硅氧树脂及黄色磷光体。举例而言，该硅氧树脂可为聚硅氧烷树脂，而该黄色磷光体可为掺杂铈的钇铝石榴石(Ce:YAG)荧光粉末。该黄色磷光体受蓝光照射时发出黄光，而蓝、黄光混合即成白光。因此，封装材料108可将LED芯片102所发出的蓝光转为白光，使组体100成为一白光光源。此外，封装材料108呈半球圆顶形，可提供一凸折射面，使白光朝向上方向集中。若欲制造半导体芯片组体100，可利用固晶材料106将LED芯片102设置于盖体68上，然后打线接合焊垫64与打线接垫114，最后再使封装材料108成形。例如，固晶材料106原为一具有高导热性的含银环氧树脂膏，并以网版印刷的方式选择性印刷于盖体68上。然后利用一抓取头及ー自动化图案辨识系统，以步进重复的方式将LED芯片102放置于该环氧树脂银膏上。接着加热该环氧树脂银膏，使其于相对低温(如190°C)下硬化以完成固晶。打线104为金线，其随即以热超音波连接焊垫64与打线接垫114。最后再将封装材料108模制于结构体上。LED芯片102可透过多种连结媒介电连结至焊垫64，利用多种热黏着剂热连结并机械性黏附于散热座76，并以多种封装材料封装。该半导体芯片组体100为ー第一级单晶封装体。图60、图61及图62分别为本发明ー实施例中一半导体芯片组体200的剖面图、俯视图及仰视图，该半导体芯片组体200包含一具有隆起边缘的导热板、一半导体元件及一上盖。
在此实施例中是将上盖设置于隆起边缘上，同时省略封装材料。为求简明，凡组体100的相关说明适用于此实施例者均并入此处，相同的说明不予重复。同样地，本实施例组体的元件与组体100的元件相仿者，均采对应的參考标号，但其编码的基数由100改为200。例如，LED芯片202对应于LED芯片102，打线204对应于打线104，以此类推。半导体芯片组体200包含导热板96、LED芯片202、打线204、固晶材料206及上盖216。LED芯片202包含顶面210、底面212与打线接垫214。顶面210为活性表面且包含打线接垫214，底面212则为热接触表面。LED芯片202设置于散热座76上，电连结至导线74，并且热连结至散热座76。详 细地说，LED芯片202设置于盖体68上，重叠于凸柱24、26、基座28及盖体68、72，但未重叠于导线74。LED芯片202经由打线204电连结至焊垫64，并透过固晶材料206热连结且机械性黏附于盖体68。上盖216为ー设置于隆起边缘84上的玻璃板，其可将LED芯片202及打线204密闭于一空穴中。此外，上盖216呈透明状且无转换光色的功能。LED芯片202可发出白光，此白光将穿过上盖216而出光，使组体200成为一白光光源。若欲制造半导体芯片组体200，可利用固晶材料206将LED芯片202设置于盖体68上，接着打线接合焊垫64与打线接垫214，最后再将上盖216设置于隆起边缘84上。此半导体芯片组体200为ー第一级单晶封装体。图63、图64及图65分别为本发明ー实施例中一半导体芯片组体300的剖面图、俯视图及仰视图，该半导体芯片组体300包含一具有防焊绿漆的导热板及一具有背面接点的半导体元件。本实施例的半导体兀件为一 LED封装体而非一 LED芯片。此外，该半导体兀件设置于散热座及导线上，重叠于凸柱及导线，同时透过ー焊锡(第一焊锡)电连结至焊垫，并透过另ー焊锡(第二焊锡)热连结至第一盖体。半导体芯片组体300包含导热板98、LED封装体302及第ー焊锡304 (以下简称焊锡304，即，以标号304指代第一焊锡)、第二焊锡306 (以下简称焊锡306，即，以标号306指代第二焊锡)。LED封装体302包含LED芯片308、基座310、打线312、电接点314、热接点316及封装材料318。LED芯片308包含一打线接垫(图未示)，该打线接垫经由打线312电连结至基座310中的一导电孔(图未示)，借以将LED芯片308电连结至电接点314。LED芯片308透过ー固晶材料(图未示)设置于基座310上，同时热连结且机械性黏附于基座310，借以将LED芯片308热连结至热接点316。基座310为ー具有低导电性及高导热性的陶瓷块，而电接点314及热接点316则被覆于基座310的背部，并自基座310的背部向下突伸。此外，LED芯片308与LED芯片102类似，打线312与打线104类似，封装材料318则与封装材料108类似。LED封装体302设置于导线74及散热座76上，电连结至导线74，并且热连结至散热座76。详细地说，LED封装体302设置于焊垫64及盖体68上(并因而设置于凸柱24及黏着层34上)，重叠于凸柱24、26、基座28、黏着层34、焊垫64及盖体68、72 (亦即侧向延伸于凸柱24、26、基座28、黏着层34、焊垫64及盖体68与72的周缘内)，但并未重叠于黏着层36、被覆穿孔58与端子70 (亦即LED封装体302位于黏着层36、被覆穿孔58与端子70的周缘外)。LED封装体302经由焊锡304电连结至焊垫64，并经由焊锡306热连结至盖体68。LED封装体302也延伸于凸柱24、26、基座28、焊垫64及盖体68、72的周缘内，且位于基座28及盖体72的周缘内，但位于被覆穿孔58及端子70的周缘外。例如，焊锡304接触且位于焊垫64与电接点314之间，同时电连结且机械性黏合焊垫64与电接点314，借此将LED芯片308电连结至端子70。同样地，焊锡306接触且位于盖体68与热接点316之间，同时热连结且机械性黏合盖体68与热接点316，借此将LED芯片308热连结至盖体72。焊垫64上设有镍/银的被覆金属接垫以利与焊锡304稳固结合，借此改善自导线74至LED芯片308的讯号传导。盖体68上也设有镍/银的被覆金属接垫以利与焊锡306稳固结合，并借此改善自LED芯片308至散热座76的热传导。此外，由于盖体68的形状及尺寸均配合热接点316而设计，凸柱24的形状及尺寸并未且也不需配合热接点316而设计。若欲制造半导体芯片组体300，可将ー焊料沉积于焊垫64及盖体68上，然后将电 接点314与热接点316分别放置于焊垫64及盖体68上方的焊料上，继而使该焊料回焊，以形成接着的焊锡304与焊锡306。例如，先以网版印刷的方式将锡膏选择性印刷于焊垫64及盖体68上，而后利用一抓取头与ー自动化图案辨识系统以步进重复的方式将LED封装体302放置于导热板98上。回焊机的抓取头将电接点314、与热接点316分别放置于焊垫64及盖体68上方的锡膏上。接着加热锡膏，使其以相对较低的温度(如190°C)回焊，然后移除热源，静待锡膏冷却固化以形成硬化的焊锡304与焊锡306。或者，可于焊垫64与盖体68上放置锡球，然后将电接点314与热接点316分别放置于焊垫64与盖体68上方的锡球上，接着加热锡球使其回焊，以形成接着的焊锡304与焊锡306。焊料起初可经由被覆或印刷或布置技术沉积于导热板98或LED封装体302上，使其位于导热板98与LED封装体302之间并使其回焊。若有需要，也可将焊料置于端子70及盖体72上以供下一层组体使用。此外尚可利用ー导电黏着剂(例如填充银的环氧树脂)或其它连结媒介取代焊料，且焊垫64、盖体68、端子70与盖体72上的连接媒介不必相同。此半导体芯片组体300为ー第二级单晶模块。上述的半导体芯片组体与导热板仅为说明范例，本发明尚可通过其它多种实施例实现。此外，上述实施例可依设计及可靠度的考虑，彼此混合搭配使用或与其它实施例混合搭配使用。例如，本案的导热板可包含复数组单层导线与复数组多层导线。本案的导热板尚可包含多个第一凸柱，且该等第一凸柱是排成ー阵列以供多个半导体元件使用，此外，该导热板为了配合额外的半导体元件，可包含更多导线。本案的导热板也可包含一选择性露出焊垫与第一盖体的防焊绿漆，以及ー设置于此防焊绿漆上的隆起边缘。本案的半导体元件可为ー倒装芯片，并以焊锡接合于焊垫及第ー盖体，同时于第一垂直方向覆盖焊垫及第ー凸柱。本案的半导体元件可于第一垂直方向上由一透明、半透明或不透明的封装材料及/或一透明、半透明或不透明的上盖覆盖。例如，本案的半导体元件可为ー发蓝光的LED芯片，并由一透明的封装材料或上盖加以覆盖，使该半导体芯片组体成为ー蓝光光源；或者，该LED芯片由ー用以转换顔色的封装材料或上盖加以覆盖，因而使该半导体芯片组体成为ー绿光、红光或白光光源。同样地，本案的半导体兀件可为一具有多枚LED芯片的LED封装体，且本案的导热板可包含更多导线以配合额外的LED芯片。本案的半导体元件可独自使用ー散热座，或与其它半导体元件共用ー散热座。例如，可将单一半导体元件设置于一散热座上，或将多个半导体元件设置于一散热座上。举例而言，可将四枚排列成2x2阵列的小型芯片黏附于第一盖体，并在本案的导热板上设置额外导线以配合这些芯片的电性连接。这ー作法远较为每ー芯片设置一微小凸柱更具经济效益。本案的半导体 芯片可为光学性或非光学性。例如，该芯片可为LED、红外线(IR)侦测器、太阳能电池、微处理器、控制器、动态随机存取存储器(DRAM)或射频(RF)功率放大器。同样地，本案的半导体封装体可为LED封装体或射频模块。因此，本案的半导体元件可为已封装或未经封装的光学或非光学芯片。此外，可利用多种连结媒介将此半导体元件机械性连结、电连结及热连结至本案的导热板，包括利用焊接及使用导电及/或导热黏着剂等方式达成。本案的散热座可将半导体元件所产生的热能迅速、有效且均匀散发至下一层组体而不需使热流通过黏着层。如此ー来便可使用导热性较低的黏着层，进而大幅降低成本。本案的散热座可包含一体成形的凸柱与基座，以及与该第一凸柱、该第二凸柱为冶金连结及热连结的盖体，借此提高可靠度并降低成本。本案的第一盖体可与焊垫共平面，以便与半导体元件形成电性、热能及机械性连结。此外,本案的第一盖体可依半导体元件量身订做,而本案的第二盖体则可依下ー层组体量身订做，借此加强自半导体元件至下一层组体的热连结。例如，该第一盖体在ー侧向平面上可为正方形或矩形，且该第一盖体的侧面形状可与半导体元件热接点的侧面形状相同或相似；同样地，该第二盖体在ー侧向平面上可为正方形或矩形，且该第二盖体的侧面形状可与ー散热装置的侧面形状相同或相似。在上述任ー设计中，散热座均可采用多种不同的导热金属结构。本案的焊垫可与第一盖体电连结或电性隔离。例如，一位于第一黏着层上方的路由线可电连结焊垫与第一盖体，一位于第二黏着层下方的路由线可电连结端子与第二盖体，基座可邻接并电连结至被覆穿孔，或者焊垫与第一盖体可并为一体。之后再将端子电性接地，借以将第一盖体电性接地。本案的第一凸柱与第二凸柱可沉积于基座上或与基座一体成形。该第一凸柱、该第二凸柱可与基座一体成形，因而成为単一金属体(如铜或铝)。该第一凸柱、该第二凸柱也可与基座一体成形，使这三者的接ロ包含单ー金属体(例如铜)，至于他处则包含其它金属(例如包含一与基座保持距离的焊料凸柱部分，以及ー邻接基座的铜质凸柱部分)。该第ー凸柱、该第二凸柱也可与基座一体成形，使这三者的接ロ包含多层单ー金属体(例如在ー铝核心外设有ー镍缓冲层，而该镍缓冲层上则设有ー铜层)。第一凸柱可包含一平坦的顶面，且该顶面与第一黏着层共平面。例如，第一凸柱可与第一黏着层共平面，或者第一凸柱可在第一黏着层固化后接受蚀刻，因而在第一凸柱上方的第一黏着层形成一凹穴。也可选择性蚀刻第一凸柱，借以在第一凸柱上形成一凹穴。在上述任ー情况下，均可将半导体元件设置于第一凸柱上，使其位于该凹穴中，并使打线从该凹穴内的半导体元件延伸至该凹穴外的焊垫。在此情况下，该半导体元件可为ー LED芯片，并由该凹穴将LED光线朝第一垂直方向聚焦。本案的基座可为导线及黏着层提供机械性支撑。例如，该基座可防止导电层在金属研磨、芯片设置、打线接合及模制封装材料的过程中弯曲变形。本案的盖体可于黏着层固化后以多种沉积技术制成，包括以电镀、无电镀被覆、蒸发及喷溅等技术形成单层或多层结构。该第一盖体与该第二盖体可采用与凸柱相同的金属材质，或采用与凸柱表面相同的金属材质。此外，该第一盖体与该第二盖体可包含本案的导电层或与其保持距离。在上述任ー情况下，第一盖体均自第一凸柱沿第一垂直方向及侧面方向延伸而出，而第二盖体则自第二凸柱沿第二垂直方向及侧面方向延伸而出。本案的黏着层可在散热座与导线之间提供坚固的机械性连结。例如，该第一黏着层与该第二黏着层可分别从对应的凸柱侧向延伸井越过导线，最后到达组体的外围边缘。该第一黏着层与该第二黏着层也可为具有均匀分布的结合线的无孔洞结构。该第一黏着层与该第二黏着层也可吸收散热座与导线之间因热膨胀所产生的不匹配现象。本案黏着层的材料可与介电层相同或不同。此外，本案的黏着层可为一低成本的电介质，且不需具备高导热性。再者，本案的黏着层不易脱层。
黏着层的厚度可调整，以使该第一黏着层与该第二黏着层实质填满对应的缺ロ，并使该第一黏着层与该第二黏着层在固化及/或研磨后仍位于结构体内。例如，理想的半固化片厚度可由试误法决定。第一导电层可单独设置于第一黏着层上。例如，可先在第一导电层上形成第一通孔，然后将第一导电层设置于第一黏着层上，使第一导电层接触第一黏着层并朝第一垂直方向外露，在此同时，第一凸柱则延伸进入第一通孔，并透过第一通孔朝第一垂直方向外露。在此例中，第一导电层的厚度可为80至150微米，此厚度一方面够厚，故搬运时不致弯曲晃动，一方面则够薄，故不需过度蚀刻即可形成图案。第二导电层可单独设置于第二黏着层上。例如，可先在第二导电层上形成第二通孔，然后将第二导电层设置于第二黏着层上，使第二导电层接触第二黏着层并朝第二垂直方向外露，在此同时，第二凸柱则延伸进入第二通孔，并透过第二通孔朝第二垂直方向外露。在此例中，第二导电层的厚度可为80至150微米，此厚度一方面够厚，故搬运时不致弯曲晃动，一方面则够薄，故不需过度蚀刻即可形成图案。也可将第一导电层与第一介电层一同设置于第一黏着层上。例如，可先将第一导电层设置于第一介电层上，然后在第一导电层及第一介电层上形成第一通孔，接着将第一导电层及第一介电层设置于第一黏着层上，使第一导电层朝第一垂直方向外露，并使第一介电层接触且介于第一导电层与第一黏着层之间，因而将第一导电层与第一黏着层隔开，在此同时，第一凸柱则延伸进入第一通孔，并透过第一通孔朝第一垂直方向外露。在此例中，第一导电层的厚度可为10至50微米，例如30微米，此厚度一方面够厚，足以提供可靠的讯号传导，一方面则够薄，可降低重量及成本；此外，第一介电层恒为导热板的一部分。也可将第二导电层与第二介电层一同设置于第二黏着层上。例如，可先将第二导电层设置于第二介电层上，然后在第二导电层及第ニ介电层上形成第二通孔，接着将第二导电层及第ニ介电层设置于第二黏着层上，使第二导电层朝第二垂直方向外露，并使第二介电层接触且介于第二导电层与第二黏着层之间，因而将第二导电层与第二黏着层隔开，在此同时，第二凸柱则延伸进入第二通孔，并透过第二通孔朝第二垂直方向外露。在此例中，第二导电层的厚度可为10至50微米，例如30微米，此厚度一方面够厚，足以提供可靠的讯号传导，一方面则够薄，可降低重量及成本；此外，第二介电层恒为导热板的一部分。
也可将第一导电层与一第一载体一同设置于第一黏着层上。例如，可先利用一薄膜将第一导电层黏附于一诸如双定向聚对苯ニ甲酸こニ酯胶膜(Mylar)的第一载体，然后仅在第一导电层而非第一载体上形成第一通孔，接着将第一导电层及第ー载体设置于第一黏着层上，使第一载体覆盖第一导电层且朝第一垂直方向外露，并使该薄膜接触且介于第一载体与第一导电层之间，至于第一导电层则接触且介于该薄膜与第一黏着层之间，在此同时，第一凸柱则对准第一通孔，并于第一垂直方向上由第一载体覆盖。待第一黏着层固化后，可利用紫外光分解该薄膜，以便将第一载体从第一导电层上剥除，从而使第一导电层朝第一垂直方向外露，之后便可研磨及图案化第一导电层以形成焊垫与第一盖体。在此例中，第一导电层的厚度可为10至50微米，例如30微米，此厚度一方面够厚，足以提供可靠的讯号传导，一方面则够薄，可降低重量及成本；至于第一载体的厚度可为300至500微米，此厚度一方面够厚，故搬运时不致弯曲晃动，一方面又够薄，有助于减少重量及成本；此外，第一载体仅为ー暂时固定物，并非永久属于导热板的一部分。
也可以类似的方式，将第二导电层与一第二载体一同设置于第二黏着层上。由第一导电层与第一介电层所构成的第一基板可为ー低成本的层压结构，且不需具备高导热性。第一基板可包含単一导电层或复数个导电层。此外，第一基板也可为其它电性互连结构，例如陶瓷板或印刷电路板，并且另包含复数个内嵌电路的层体。由第二导电层与第二介电层所构成的第二基板可为ー低成本的层压结构，且不需具备高导热性。第二基板可包含単一导电层或复数个导电层。此外，第二基板也可为其它电性互连结构，例如陶瓷板或印刷电路板，并且另包含复数个内嵌电路的层体。本案的焊垫与第一盖体可在一面朝第一垂直方向的第一表面上共平面，如此ー来便可借由控制锡球的崩塌程度，強化半导体元件与导热板间的焊接。同样地，本案的端子与第二盖体可在一面朝第二垂直方向的第二表面上共平面，以便借由控制锡球的崩塌程度，強化导热板与下一层组体间的焊接。本案的焊垫与端子可视半导体元件与下一层组体的需要而采用多种封装形式。本案的焊垫与端子可在导电层尚未或已设置于黏着层上吋，以多种沉积技术制成，包括以电镀、无电镀被覆、蒸发及喷溅等技术形成单层或多层结构。例如，可在第一基板尚未设置于第一黏着层上时、或在第一基板已借由第一黏着层而黏附于第一凸柱与基座后，于第一基板上形成第一导电层的图案，借以形成焊垫。同样地，可在第二基板尚未设置于第二黏着层上时、或在第二基板已借由第二黏着层而黏附于第二凸柱与基座后，于第二基板上形成第二导电层的图案，借以形成端子。以被覆接点进行表面处理的エ序可于焊垫及端子形成之前或之后为之。例如，可先蚀刻导电层以形成焊垫、端子与盖体，再将被覆接点沉积于导电层上；或者先将被覆接点沉积于导电层上，再蚀刻导电层以形成焊垫、端子与盖体。本案的隆起边缘可具有或不具有反射性，可透明或不透明。例如，该隆起边缘可包含银或铝等高反射性金属，且具有一倾斜的内侧表面，借以将照射至该内侧表面的光线朝第一垂直方向反射，进而增加第一垂直方向的出光量。同样地，该隆起边缘可包含诸如玻璃等透明材料，或诸如环氧树脂等非反射性、不透明且低成本的材料。此外，无论隆起边缘是否接触封装材料或限制封装材料的范围，均可使用具反射性的隆起边缘。本案的封装材料可为多种透明、半透明或不透明材料，且可具有不同的形状及尺寸。例如，本案的封装材料可为透明的硅氧树脂、环氧树脂或前述的组合。就导热及转换颜色的稳定度而言，硅氧树脂均优于环氧树脂，但硅氧树脂的成本较高、硬度较低且黏着性较差。本案的上盖可覆盖或取代封装材料。该上盖可将芯片及打线密封，以为这两者提供诸如抗潮湿及防微粒等环境保护。本案的上盖可由多种透明、半透明或不透明材料制成，且可具有不同的形状及尺寸。例如，本案的上盖可为透明的玻璃或ニ氧化硅。也可以一透镜覆盖或取代封装材料。该透镜可将芯片及打线密封，以为这两者提供诸如抗潮湿及防微粒等环境保护。该透镜也可提供一凸折射面，以将光线朝第一垂直方向集中。该透镜可由多种透明、半透明或不透明材料制成，且可具有不同的形状及尺寸。例如，可将一中空半球圆顶形玻璃透镜设置于导热板上，并使该透镜与封装材料保持距离；或者可将ー实心半球圆顶形塑料透镜设置于封装材 料上，并使该透镜与导热板保持距离。本案的导线可包含额外的焊垫、端子、被覆穿孔、路由线、导电孔及无源元件，且可采用不同构型。本案的导线可作为讯号层、功率层或接地层，视其相应半导体元件焊垫的目的而定。本案的导线也可包含各种导电金属，如铜、金、镍、银、钯、锡及所述金属的合金。理想的组成既取决于外部连结媒介的性质，也取决于设计及可靠度方面的考虑。此外，本领域中技术人员应可了解，在本案半导体芯片组体中所用的铜可为纯铜，但通常是以铜为主的合金，如铜-锆(99. 9 %铜)、铜-银-磷-镁(99. 7 %铜)及铜-锡-铁-磷(99. 7 %铜)，借以提高如抗张强度与延展性等机械性能。在一般情况下，最好设有所述的盖体、导电层、被覆层、被覆穿孔、被覆接点、绝缘填充物、介电层、防焊绿漆及隆起边缘，但于某些实施例中则可省略之。例如，若该第一开ロ、第二开ロ、第一通孔、第二通孔以冲孔而非钻孔的方式产生，因而使第一凸柱的形状及尺寸均与半导体元件的热接触表面相配合，则可省略第一盖体。同样地，若无需设置反射器，则可省略隆起边缘。本案的导热板可包含导热孔，其中该导热孔与凸柱保持距离，并于所述的开ロ及通孔外延伸穿过基座与黏着层，同时邻接且热连结基座与盖体，借此提升自第一盖体至第ニ盖体的散热效果，并促进热能在第二盖体内扩散。本案的组体可提供水平或垂直的单层或多层讯号路由。林文强等人于2009年11月11日提出申请的第12/616，773号美国专利申请案「具有凸柱/基座的散热座及基板的半导体芯片组体」即揭露ー种具有水平单层讯号路由的结构，其中焊垫、端子与路由线均位于介电层上方，这一美国专利申请案的内容在此以引用的方式并入本文。林文强等人于2009年11月11日提出申请的第12/616，775号美国专利申请案「具有凸柱/基座的散热座及导线的半导体芯片组体」则揭露另ー种具有水平单层讯号路由的结构，其中焊垫、端子与路由线位于黏着层上方，且该结构未设置介电层，这一美国专利申请案的内容在此以引用的方式并入本文。王家忠等人于2009年9月11日提出申请的第12/557，540号美国专利申请案「具有凸柱/基座的散热座及水平讯号路由的半导体芯片组体」揭露ー种具有水平多层讯号路由的结构，其中介电层上方的焊垫与端子利用穿过该介电层的第一及第ニ导电孔以及该介电层下方的路由线达成电连结，这一美国专利申请案的内容在此以引用的方式并入本文。王家忠等人于2009年9月11日提出申请的第12/557，541号美国专利申请案「具有凸柱/基座的散热座及垂直讯号路由的半导体芯片组体」则揭露ー种具有垂直多层讯号路由的结构，其中介电层上方的焊垫与黏着层下方的端子利用穿过该介电层的第一导电孔、该介电层下方的路由线以及穿过该黏着层的第二导电孔达成电连结，这一美国专利申请案的内容在此以引用的方式并入本文。本案导热板的作业格式可为单ー或多个导热板，视制造设计而定。例如，可单独制作单ー导热板。或者，可利用单ー金属板、单ー第一导电层、单ー第二导电层、单ー第一黏着层、単一第二黏着层及単一被覆金属同时批次制造多个导热板，而后再行分离。同样地，针对同一批次中的各导热板，也可利用单ー金属板、单ー第一导电层、单ー第二导电层、单ー第一黏着层、単一第二黏着层及単一被覆金属同时批次制造多组分别供单一半导体元件使用的散热座与导线。 例如，可在一金属板上蚀刻出多道凹槽以形成一基座、多个第一凸柱与多个第二凸柱；而后将一具有对应于该等第二凸柱的第二开ロ的未固化第二黏着层设置于该基座上，使每ー第二凸柱均延伸贯穿ー对应的第二开ロ ；然后将一具有对应于该等第二凸柱的第二通孔的第二导电层设置于第二黏着层上，使每ー第二凸柱均延伸贯穿ー对应的第二开ロ并进入一对应的第二通孔；将结构体倒置；接着将一具有对应于该等第一凸柱的第一开ロ的未固化第一黏着层设置于该基座上，使每ー第一凸柱均延伸贯穿ー对应的第一开ロ ；然后将一具有对应于该等第一凸柱的第一通孔的第一导电层设置于第一黏着层上，使每ー第一凸柱均延伸贯穿ー对应的第一开ロ并进入ー对应的第一通孔；接着利用压台使该第一导电层与该第二导电层彼此靠合，因而迫使第一黏着层与第二黏着层分别进入第一缺ロ与第二缺口中；固化该第ー黏着层与该第二黏着层，然后钻透该第一导电层与该第二导电层、该第一黏着层、该第二黏着层及该基座以形成多个外孔，并于所述外孔中沉积绝缘填充物；接着研磨该第一凸柱、该第二凸柱、该第一导电层、该第二导电层、该第一黏着层、该第二及该绝缘填充物以形成位于相反侧的第一侧向表面与第二侧向表面；然后钻透所述外孔中的绝缘填充物以形成多个内孔；将被覆金属被覆于结构体上，借以形成被覆层并于所述内孔中形成被覆穿孔；接着蚀刻第一导电层与第一被覆层以形成多个对应于该等第一凸柱的第ー盖体，以及多个对应于所述被覆穿孔的焊垫与路由线；蚀刻第二导电层与第二被覆层以形成多个对应于该等第二凸柱的第二盖体，以及多个对应于所述被覆穿孔的端子；而后以被覆接点为所述焊垫、所述端子及该第一盖体与该第二盖体进行表面处理；最后于各导热板外围边缘的适当位置切割或劈裂该基板与该第一黏着层与该第二黏着层，以使个别的导热板彼此分离。本案半导体芯片组体的作业格式可为单ー组体或多个组体，取决于制造设计。例如，可単独制造单ー组体。或者，可同时批次制造多个组体，之后再将各导热板一一分离。同样地，也可将多个半导体元件电连结、热连结及机械性连结至批次量产中的每ー导热板。例如，可将多个锡膏分别设于多个焊垫及多个第一盖体上，然后将多个LED封装体放置于所述锡膏上，接着同时加热所述锡膏以使其回焊、硬化并形成接着的焊锡，之后再将各导热板分离。又例如，可将多个固晶材料分别设于多个第一盖体上，再将多枚芯片放置于所述固晶材料上，之后同时加热所述固晶材料以使其硬化，借以完成固晶。接着将所述芯片打线接合至对应的焊垫，再于所述芯片及打在线形成封装材料，之后便可将各导热板一一分离。可通过单一歩骤或以多道步骤使各导热板彼此分离。例如，可将多个导热板批次制成一平板，接着将多个半导体元件设置于该平板上，然后再将该平板所构成的多个半导体芯片组体一一分离。或者，可将多个导热板批次制成一平板，而后将该平板所构成的多个导热板分切为多个导热板条，接着将多个半导体元件分别设置于所述导热板条上，最后再将各导热板条所构成的多个半导体芯片组体分离为个体。此外，在分割导热板时可利用机械切割、雷射切割、分劈或其它适用技术。本发明的半导体芯片组体具有多项优点。该半导体芯片组体的可靠度高、价格平实且极适合量产。该半导体芯片组体尤其适用于易产生高热且需优异散热效果方可有效及可靠运作的高功率半导体元件，例如LED芯片、大型半导体芯片以及多个同时使用的小型半导体元件(例如以阵列方式排列的多枚小形半导体芯片)。本案的制造エ序具有高度适用性，且是以独特、进步的方式结合运用各种成熟的电连结、热连结及机械性连结技木。此外，本案的制造エ序不需昂贵工具即可实施。因此，此制造エ序可大幅提升传统封装技术的产量、良率、效能与成本效益。再者，本案的组体极适合于铜芯片及无铅的环保要求。本领域技术人员针对本文所述的实施例当可轻易思及各种变化及修改的方式。例如，前述的材料、尺寸、形状、大小、步骤的内容与步骤的顺序皆仅为范例。上述人士可在不脱离本发明的精神与范围的条件下从事这些改变、调整与均等技术，本发明的范围由权利要求书加以界定。权利要求
1.一种半导体芯片组体，包含一半导体元件、一散热座及一导线；其特征在于该半导体芯片组体还包含一具有一第一开口的第一黏着层，及一具有一第二开口的第二黏着层；该散热座包含一第一凸柱、一第二凸柱及一基座，其中(i)该第一凸柱邻接该基座，并自该基座沿一第一垂直方向垂直伸出，该第一凸柱位于该第二凸柱的一周缘内，且该第一凸柱的一表面区域小于该第二凸柱的一表面区域的一半；(ii)该第二凸柱邻接该基座，并自该基座沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直伸出；且(iii)该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱沿垂直于该第一垂直方向与该第二垂直方向的侧面方向侧伸而出；该导线包含一焊垫、一端子及一电性互连结构，其中该焊垫与该端子间的一导电路径包含该电性互连结构；其中该半导体元件设置于该第一凸柱上，垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，且侧向延伸于该第一凸柱与该第二凸柱的周缘内；该半导体元件电连结至该焊垫，从而电连结至该端子；该半导体元件热连结至该第一凸柱，从而热连结至该第二凸柱；其中该第一黏着层垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，并自该第一凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该焊垫之间；其中该第二黏着层垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，并自该第二凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该端子之间；其中该焊垫垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，该端子垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，该 电性互连结构延伸穿过该第一黏着层、该第二黏着层及该基座，但与该基座保持距离且电性隔离；并且其中该第一凸柱延伸进入该第一开口，该第二凸柱延伸进入该第二开口，该基座位于该第一黏着层与该第二黏着层之间，并于该第二垂直方向覆盖该半导体元件。
2.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该半导体元件为一LED芯片。
3.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该半导体元件利用一打线电连结至该焊垫，并利用一固晶材料热连结至该第一凸柱。
4.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该半导体元件利用一第一焊锡电连结至该焊垫，并利用一第二焊锡热连结至该第一凸柱。
5.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一黏着层接触该第一凸柱与该基座，并与该第二凸柱保持距离，该第二黏着层接触该第二凸柱与该基座，并与该第一凸柱保持距离。
6.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一黏着层沿所述侧面方向覆盖且环绕该第一凸柱，该第二黏着层沿所述侧面方向覆盖且环绕该第二凸柱。
7.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一黏着层延伸至该半导体芯片组体的外围边缘，该第二黏着层也延伸至该半导体芯片组体的外围边缘。
8.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一黏着层与该第二黏着层彼此保持距离。
9.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一凸柱与该基座一体成形，该第二凸柱也与该基座一体成形。
10.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一凸柱的直径随着该第一凸柱自该基座沿该第一垂直方向垂直延伸而递减，该第二凸柱的直径随着该第二凸柱自该基座沿该第二垂直方向垂直延伸而递减。
11.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该基座延伸至该半导体芯片组体的外围边缘。
12.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，该端子则延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧。
13.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫接触该第一黏着层，该端子接触该第二黏着层。
14.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫与该第一黏着层保持距离，该端子则与该第二黏着层保持距离；一第一介电层接触且位于该焊垫与该第一黏着层之间，但与该第一凸柱及该基座保持距离，一第二介电层接触且位于该端子与该第二黏着层之间，但与该第二凸柱及该基座保持距离；该电性互连结构延伸穿过该第一介电层与该第二介电层。
15.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫位于该第二凸柱的该周缘内，该端子位于该第二凸柱的该周缘外，且该电性互连结构为一被覆穿孔。
16.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫与该端子为相同的金属。
17.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫与该端子包含一金、银或镍质表面层及一内部铜核心，且主要为铜，该基座为铜。
18.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该导线包含一由该焊垫、该端子与该电性互连结构共用的铜核心。
19.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该散热座包含一由该第一凸柱、该第二凸柱与该基座共用的铜核心。
20.根据权利要求I所述的半导体芯片组体，其特征在于该导线包含一由该焊垫、该端子与该电性互连结构共用的铜核心，而该散热座则包含一由该第一凸柱、该第二凸柱与该基座共用的铜核心。
21.一种半导体芯片组体，包含一半导体元件、一散热座及一导线；其特征在于该半导体芯片组体还包含一具有一第一开口的第一黏着层，及一具有一第二开口的第二黏着层；该散热座包含一第一凸柱、一第二凸柱、一第一盖体、一第二盖体及一基座，其中(i)该第一凸柱邻接该基座并与该基座形成一体，同时自该基座沿一第一垂直方向垂直伸出，且位于该基座与该第一盖体之间，该第一凸柱位于该第二凸柱的一周缘内，且该第一凸柱的一表面区域小于该第二凸柱的一表面区域的一半；(ii)该第二凸柱邻接该基座并与该基座形成一体，同时自该基座沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直伸出，且位于该基座与该第二盖体之间；(iii)该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱沿垂直于该第一垂直方向与该第二垂直方向的侧面方向侧伸而出；Qv)该第一盖体邻接该第一凸柱，并于该第一垂直方向覆盖该第一凸柱，同时自该第一凸柱侧伸而出；且(V)该第二盖体邻接该第二凸柱，并于该第二垂直方向覆盖该第二凸柱，同时自该第二凸柱侧伸而出；该导线包含一焊垫、一端子及一电性互连结构，其中该焊垫与该端子间的一导电路径包含该电性互连结构；其中该半导体元件设置于该第一盖体上，垂直延伸于该第一盖体沿该第一垂直方向的外侧，侧向延伸于该第一凸柱、该第二凸柱、该第一盖体与该第二盖体的周缘内，且位于该第二凸柱与该第二盖体的周缘内；该半导体元件电连结至该焊垫，从而电连结至该端子；该半导体元件热连结至该第一盖体，从而热连结至该第二盖体；其中该第一黏着层接触该第一凸柱与该基座，但与该第二凸柱保持距离，该第一黏着层垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侧，并自该第一凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该焊垫之间；其中该第二黏着层接触该第二凸柱与该基座，但与该第一凸柱保持距离，该第二黏着层垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，并自该第二凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该端子之间；其中该焊垫垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，该端子垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，该电性互连结构延伸穿过该第一黏着层、该第二黏着层及该基座，但与该基座保持距离且电性隔离；并且其中该第一凸柱延伸进入该第一开口，该第二凸柱延伸进入该第二开口 ；该第一盖体垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，该第二盖体垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧；该基座位于该第一黏着层与该第二黏着层之间，并于该第二垂直方向覆盖该半导体元件。
22.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该半导体元件为一LED芯片，且位于该第一凸柱、该第二凸柱、该第一盖体与该第二盖体的周缘内；该半导体元件利用一固晶材料设置于该第一盖体上，并利用一打线电连结至该焊垫，同时利用该固晶材料热连结至该第一盖体。
23.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一黏着层接触该第一盖体，该第二黏着层则接触该第二盖体。
24.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一黏着层沿所述侧面方向覆盖且环绕该第一凸柱，该第二黏着层沿所述侧面方向覆盖且环绕该第二凸柱。
25.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一黏着层延伸至该半导体芯片组体的外围边缘，该第二黏着层也延伸至该半导体芯片组体的外围边缘。
26.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一凸柱的直径随着该第一凸柱自该基座垂直延伸至该第一盖体而递减，该第二凸柱的直径随着该第二凸柱自该基座垂直延伸至该第二盖体而递减。
27.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一凸柱与该第一黏着层于该第一盖体处共平面，该第二凸柱与该第二黏着层于该第二盖体处共平面。
28.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该基座延伸至该半导体芯片组体的外围边缘。
29.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫接触该第一黏着层，该端子接触该第二黏着层。
30.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫与该第一黏着层保持距离，该端子则与该第二黏着层保持距离；一第一介电层接触且位于该焊垫与该第一黏着层之间，但与该第一凸柱及该基座保持距离，一第二介电层接触且位于该端子与该第二黏着层之间，但与该第二凸柱及该基座保持距离；该电性互连结构延伸穿过该第一介电层与该第二介电层。
31.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫位于该第二凸柱的该周缘内，该端子位于该第二凸柱的该周缘外，且该电性互连结构为一被覆穿孔。
32.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫与该第一盖体于彼此相邻处具有相同的厚度，且该焊垫与该第一盖体在一面朝该第一垂直方向的第一表面上共平面。
33.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫与该第一盖体于彼此相邻处具有相同的厚度，但该第一盖体邻接该第一凸柱处的厚度则与该焊垫不同，该焊垫与该第一盖体在一面朝该第一垂直方向的第一表面上共平面。
34.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该端子与该第二盖体于彼此相邻处具有相同的厚度，且该端子与该第二盖体在一面朝该第二垂直方向的第二表面上共平面。
35.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该端子与该第二盖体于彼此相邻处具有相同的厚度，但该第二盖体邻接该第二凸柱处的厚度则与该端子不同，该端子与该第二盖体在一面朝该第二垂直方向的第二表面上共平面。
36.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫、该端子、该第一盖体与该第二盖体为相同的金属，该第一凸柱、该第二凸柱与该基座为相同的金属。
37.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫、该端子、该第一盖体与该第二盖体包含一金、银或镍质表面层及一内部铜核心，且主要为铜；该第一凸柱、该第二凸柱与该基座为铜。
38.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该导线包含一由该焊垫、该端子与该电性互连结构共用的铜核心。
39.根据权利要求21所述的半导体芯片组体,其特征在于该散热座包含一由该第一凸柱、该第二凸柱、该基座、该第一盖体与该第二盖体共用的铜核心。
40.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于该导线包含一由该焊垫、该端子与该电性互连结构共用的铜核心，而该散热座则包含一由该第一凸柱、该第二凸柱、该基座、该第一盖体与该第二盖体共用的铜核心。
41.一种半导体芯片组体，包含一半导体元件、一散热座及一导线；其特征在于该半导体芯片组体还包含一具有一第一开口的第一黏着层，及一具有一第二开口的第二黏着层；该散热座包含一第一凸柱、一第二凸柱、一第一盖体、一第二盖体及一基座，其中(i)该第一凸柱邻接该基座并与该基座形成一体，同时自该基座沿一第一垂直方向垂直伸出，且位于该基座与该第一盖体之间，以及该第二凸柱的一周缘内，该第一凸柱的一表面区域小于该第二凸柱的一表面区域的一半；(ii)该第二凸柱邻接该基座并与该基座形成一体，同时自该基座沿一与该第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直伸出，且位于该基座与该第二盖体之间；(iii)该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱沿垂直于该第一垂直方向与该第二垂直方向的侧面方向侧伸而出，且侧向延伸至该第一盖体与该第二盖体沿所述侧面方向的外侧；(iv)该第一盖体邻接该第一凸柱，并于该第一垂直方向覆盖该第一凸柱，同时自该第一凸柱侧伸而出，且位于该第二凸柱的该周缘内；且(V)该第二盖体邻接该第二凸柱，并于该第二垂直方向覆盖该第二凸柱，同时自该第二凸柱侧伸而出；该导线包含一焊垫、一端子及一电性互连结构，其中该电性互连结构为一被覆穿孔，且该焊垫与该端子间的一导电路径包含该电性互连结构；其中该半导体元件设置于该第一盖体上，垂直延伸于该第一盖体沿该第一垂直方向的外侧，侧向延伸于该第一凸柱、该第二凸柱、该第一盖体与该第二盖体的周缘内，且位于该第二凸柱与该第二盖体的周缘内；该半导体元件电连结至该焊垫，从而电连结至该端子；该半导体元件热连结至该第一盖体，从而热连结至该第二盖体；其中该第一黏着层接触该第一凸柱与该基座，但与该第二凸柱、该第二黏着层及该端子保持距离，该第一黏着层垂直延伸于该基座沿该第一垂直方向的外侦牝并自该第一凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该焊垫之间；其中该第二黏着层接触该第二凸柱与该基座，但与该第一凸柱及该焊垫保持距离，该第二黏着层垂直延伸于该基座沿该第二垂直方向的外侧，并自该第二凸柱侧向延伸至该端子或越过该端子，同时位于该基座与该端子之间；其中该焊垫垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，且位于该第二凸柱的该周缘内；该端子垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧，且位于该第二凸柱的该周缘外；该电性互连结构延伸穿过该第一黏着层、该第二黏着层及该基座，且与该基座保持距离且电性隔离，同时位于该第二凸柱的该周缘外；并且其中该第一凸柱延伸进入该第一开口，该第二凸柱延伸进入该第二开口 ；该第一盖体垂直延伸于该第一黏着层沿该第一垂直方向的外侧，该第二盖体垂直延伸于该第二黏着层沿该第二垂直方向的外侧；该基座位于该第一黏着层与该第二黏着层之间，并于该第二垂直方向覆盖该半导体元件，且延伸至该半导体芯片组体的外围边缘。
42.根据权利要求41所述的半导体芯片组体，其特征在于该半导体元件为一LED芯片，且位于该第一凸柱、该第二凸柱、该第一盖体与该第二盖体的周缘内；该半导体元件利用一固晶材料设置于该第一盖体上，并利用一打线电连结至该焊垫，同时利用该固晶材料热连结至该第一盖体。
43.根据权利要求41所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一黏着层接触该第一盖体，并沿所述侧面方向覆盖且环绕该第一凸柱，同时延伸至该半导体芯片组体的外围边缘；该第二黏着层接触该第二盖体，并沿所述侧面方向覆盖且环绕该第二凸柱，同时延伸至该半导体芯片组体的外围边缘。
44.根据权利要求41所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一凸柱的直径随着该第一凸柱自该基座垂直延伸至该第一盖体而递减，该第二凸柱的直径随着该第二凸柱自该基座垂直延伸至该第二盖体而递减。
45.根据权利要求41所述的半导体芯片组体，其特征在于该第一凸柱与该第一黏着层于该第一盖体处共平面，该第二凸柱与该第二黏着层于该第二盖体处共平面。
46.根据权利要求41所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫接触该第一黏着层，该端子接触该第二黏着层。
47.根据权利要求41所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫与该第一黏着层保持距离，该端子则与该第二黏着层保持距离；一第一介电层接触且位于该焊垫与该第一黏着层之间，但与该第一凸柱及该基座保持距离，一第二介电层接触且位于该端子与该第二黏着层之间，但与该第二凸柱及该基座保持距离；该电性互连结构延伸穿过该第一介电层与该第二介电层。
48.根据权利要求41所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫与该第一盖体于彼此相邻处具有相同的厚度，但该第一盖体邻接该第一凸柱处的厚度则与该焊垫不同，该焊垫与该第一盖体在一面朝该第一垂直方向的第一表面上共平面。
49.根据权利要求41所述的半导体芯片组体，其特征在于该端子与该第二盖体于彼此相邻处具有相同的厚度，但该第二盖体邻接该第二凸柱处的厚度则与该端子不同，该端子与该第二盖体在一面朝该第二垂直方向的第二表面上共平面。
50.根据权利要求41所述的半导体芯片组体，其特征在于该焊垫、该端子、该第一盖体与该第二盖体为相同的金属，并包含一金、银或镍质表面层，且主要为铜；该第一凸柱、该第二凸柱与该基座为铜；该电性互连结构包含铜；该导线包含一由该焊垫、该端子与该电性互连结构共用的铜核心；该散热座包含一由该第一凸柱、该第二凸柱、该基座、该第一盖体与该第二盖体共用的铜核心。
全文摘要
具有非对称凸柱/基座/凸柱散热座的半导体芯片组体。一种半导体芯片组体包含一半导体元件、一散热座、一导线及第一黏着层与第二黏着层。该散热座包含一第一凸柱、一第二凸柱及一基座。该导线包含一焊垫及一端子。该半导体元件电连结至该导线，并与该散热座热连结。该第一凸柱自该基座沿一第一垂直方向延伸进入该第一黏着层的一第一开口，且位于该第二凸柱的一周缘内，该第二凸柱则自该基座沿一第二垂直方向延伸进入该第二黏着层的一第二开口。该基座位于该第一凸柱与该第二凸柱之间，并自该第一凸柱与该第二凸柱侧伸而出。该导线可在该焊垫与该端子之间提供讯号路由。
文档编号H01L33/62GK102646646SQ201210021368
公开日2012年8月22日 申请日期2012年1月31日 优先权日2011年2月18日
发明者林文强, 王家忠 申请人:钰桥半导体股份有限公司