专利名称：一种改善w-cmp后表面平坦性的制造方法
技术领域：
本发明涉及微电子领域，特别是涉及一种W-CMP后表面平坦性方法。
背景技术：
随着超大规模集成电路的发展，集成电路的特征尺寸持续缩小，集成度越来越高， 后道互连(interconnect)普遍采用立体化和多层化布线。同时，对于130nm以及以下线宽的IC制造工艺，铜互连具有铝互连不可比拟的诸多优点，成为主流互连技术。大马士革(Damascene)技术是实现多层铜金属互连的必要技术，包括绝缘介质层淀积；连线槽和接触孔刻蚀；防扩散金属层以及铜籽晶层的淀积；电镀铜工艺；以及铜的化学机械抛光 (Chemical Mechanical Polishing, CMP)等一系列工艺过程。其中，CMP工艺作为唯一能实现全局平坦化的技术工艺，是实现铜互连的关键技术。但在铜化学机械抛光(Cu-CMP)过程中，如图1所示，因铜连线图形密度的不均勻，会在特定区域，如宽线、图形密集区(high density area)，产生碟形凹陷(dishing) 2以及侵蚀 (erosion)缺陷1，影响化学机械抛光后(post-CMP)器件表面的平坦性，进而影响产品良率和可靠性的提高。另一方面为实现多层步线，CMP本身也对表面平坦性提出了较高的要求。 如果平坦化效果不好，则随着层数的增加，表面的不平坦度会累积，在特定区域可能在后续形成铜互连时产生金属残留，如池状(pooling)缺陷或桥接(bridging)等缺陷。为了得到更加平坦的铜化学机械抛光后表面，通常是在布线设计时在空白区域插入冗余图形(dummy pattern))，来调节金属线的密度，使其在各区域尽量一致，以此改善金属表面的平坦性，此方法在互连层的Cu-CMP工艺中取得良好效果。但是，在接触孔层(一般利用钨金属来制作接触接触孔层)，由于冗余图形和接触孔利用同一次光刻和刻蚀工艺完成，使得冗余图形和接触孔的深度一致，即冗余图形也会贯穿金属前绝缘介质层(pre-metal dielectric, PMD)，如此一来冗余金属很容易连接到 MOS器件的闸极(也称栅极)和有源区的金属硅化物而造成对器件特性的不利影响，为此一般不会在器件接触孔(contact)层插入冗余图形。W-CMP的表面平坦度因此不能通过设计上的优化得到保障，从而对后道的互连造成影响。受接触孔的布局设计影响，钨化学机械抛光(W-CMP)后的表面起伏，可高达1000埃(Angstrom)以上。受到上述表面形貌影响，第一层铜互连在经过Cu-CMP后仍有严重的金属残留。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改善W-CMP后表面平坦性的制造方法，避免了冗余图形连接到间极和有源区的金属硅化物，或者离间极过近造成不利影响，又可利用冗余图形的插入，减少各区域金属密度差异，改善W-CMP后表面平坦性，避免后续形成铜互连时产生金属残留。为解决上述技术问题，本发明提供一种改善W-CMP后表面平坦性方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤
提供一衬底，所述衬底中形成有器件；在所述衬底上形成金属前绝缘介质层；通过两次光刻和刻蚀工艺形成接触孔和冗余图形，所述接触孔贯穿所述金属前绝缘介质层，所述冗余图形的深度小于所述接触孔的深度；在所述金属前绝缘介质层上以及接触孔和冗余图形中形成钨金属层；进行钨化学机械抛光工艺，以去除所述金属前绝缘介质层上的钨金属层，在所述接触孔中形成钨金属接触层，并在所述冗余图形中形成冗余金属层。在所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法中，通过两次光刻工艺形成接触孔和冗余图形，包括进行第一次光刻和刻蚀工艺，形成所述接触孔；进行第二次光刻和刻蚀工艺，形成所述冗余图形。在所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法中，通过两次光刻工艺形成接触孔和冗余图形，包括进行第一次光刻和刻蚀工艺，形成所述冗余图形；进行第二次光刻和刻蚀工艺，形成所述接触孔。在所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法中，在所述金属前绝缘介质层上以及接触孔和冗余图形中形成钨金属层之前，还包括在所述金属前绝缘介质层上以及接触孔和冗余图形中形成金属阻挡层。在所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法中，所述冗余图形为圆形或方形。在所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法中，所述冗余图形与所述接触孔的最小距离大于0. 5 μ m。在所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法中，所述冗余图形的特征尺寸为0. 01 2. 0 μ m0在所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法中，所述冗余图形的深度为
100~1000Ao本发明提供的改善W-CMP后平坦性的制造方法，通过两次光刻和刻蚀工艺形成接触孔和冗余图形，所述冗余图形的深度小于所述接触孔的深度，随后形成钨金属层，并利用钨化学机械抛光(W-CMP)工艺去除金属前绝缘介质层上的钨金属层，以在接触孔中形成钨金属接触层，并在冗余图形中形成冗余金属层。这样既避免了冗余金属层连接到间极和有源区的金属硅化物而造成对器件特性的不利影响，又利用冗余图形的插入，减少各区域金属密度差，改善了 W-CMP后表面平坦性，避免后续形成铜互连时产生金属残留和缺陷。
图1为现有技术Cu-CMP后的硅片表面形貌的剖面图；图2为本发明一实施例的改善W-CMP后平坦性的制造方法流程图；图3 7为本发明一实施例的改善W-CMP后表面平坦性的制造方法各步骤中的器件剖面图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
如图2所示，本发明实施例的改善W-CMP后平坦性的方法，包括下列步骤步骤Si，如图3所示，提供一衬底1，所述衬底1中形成有器件2，本实施例中所述器件2为CMOS器件，由于发明并不涉及该部分的改进，因此对该部分并不进行详细介绍；步骤S2，继续参考图3，在所述衬底1上沉积金属前绝缘介质层(pre-metal dielectric,PMD)薄膜，随后对所述金属前绝缘介质层薄膜进行化学机械抛光，形成平坦的金属前绝缘介质层3 ；步骤S3，通过两次光刻和刻蚀工艺形成接触孔4和冗余图形5，所述接触孔4贯穿所述金属前绝缘介质层3，所述冗余图形5的深度小于所述接触孔4的深度，S卩，所述冗余图形5并不贯穿所述金属前绝缘介质层3 ；在本实施例中，如图4所示，先进行第一次光刻和刻蚀工艺，形成贯穿所述金属前绝缘介质层3的接触孔4 ；随后，如图5所示，进行第二次光刻和刻蚀工艺，刻蚀所述金属前绝缘介质层3形成冗余图形5，所述冗余图形5并未贯穿金属前绝缘介质层3。其中，相邻区域的图形密度差在2% 50%之间，接触孔4与冗余图形5的最小距离D在0. 5 10 μ m之间，冗余图形5的形状可为任何几何图形，例如圆形或方形。冗余图形5的特征尺寸与接触孔4相当，在0. 01 2. 0 μ m之间，冗余图形5的深度为100~1000人之间，使之与器件2的闸极保持一定距离，这样既可避免冗余金属层连接到闸极和有源区的金属硅化物而造成对器件特性的不利影响，当然上述冗余图形5的深度也可根据金属前绝缘介质层3的厚度适当变化，只要其并不贯穿金属前绝缘介质层3即不会连接到闸极和有源区的金属硅化物。本发明中，冗余图形5的形成与接触孔4的形成是相对独立完成，冗余图形5的形成与接触孔4的形成无先后顺序，即，可以先形成冗余图形5，然后再形成接触孔4，反之亦可。由于形成冗余图形5步骤是单独制版完成的，这样既避免了冗余图形连接到间极和有源区的金属硅化物而造成对器件特性的不利影响，又可利用冗余图形5的插入减少接触孔层各区域金属密度差，改善了 W-CMP后表面平坦性，避免后续形成铜互连时产生金属残留和缺陷，如池状(pooling)缺陷或桥接(bridging)等缺陷。步骤S4，如图6所示，接着，在所述金属前绝缘介质层3上以及接触孔4和冗余图形5中形成钨金属层6。进一步地，在步骤S4之前，还可在所述金属前绝缘介质层3上以及接触孔4和冗余图形5中先形成金属阻挡层(barrier metal)，以阻挡金属扩散。步骤S5，如图7所示，进行钨化学机械抛光(W-CMP)工艺，以去除金属前绝缘介质层3上多余的钨金属层，从而在所述接触孔4中形成钨金属接触层4’，并在所述冗余图形5 中形成冗余金属层5’。需要说明的是，在图3至图7中，只是示意性的表示了改善W-CMP后平坦性的制造方法的大致流程，而并未对器件中公知的结构例如CMOS器件等部分进行详细描述，但是本领域技术人员应是知晓的。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种改善W-CMP后平坦性的制造方法，其特征在于，包括提供一衬底，所述衬底中形成有器件；在所述衬底上形成金属前绝缘介质层；通过两次光刻和刻蚀工艺形成接触孔和冗余图形，所述接触孔贯穿所述金属前绝缘介质层，所述冗余图形的深度小于所述接触孔的深度；在所述金属前绝缘介质层上以及接触孔和冗余图形中形成钨金属层；进行钨化学机械抛光工艺，以去除所述金属前绝缘介质层上的钨金属层，在所述接触孔中形成钨金属接触层，并在所述冗余图形中形成冗余金属层。
2.如权利要求1所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法，其特征在于，通过两次光刻工艺形成接触孔和冗余图形，包括进行第一次光刻和刻蚀工艺，形成所述接触孔；进行第二次光刻和刻蚀工艺，形成所述冗余图形。
3.如权利要求1所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法，其特征在于，通过两次光刻工艺形成接触孔和冗余图形，包括进行第一次光刻和刻蚀工艺，形成所述冗余图形；进行第二次光刻和刻蚀工艺，形成所述接触孔。
4.如权利要求1所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法，其特征在于，在所述金属前绝缘介质层上以及接触孔和冗余图形中形成钨金属层之前，还包括在所述金属前绝缘介质层上以及接触孔和冗余图形中形成金属阻挡层。
5.如权利要求1所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法，其特征在于，所述冗余图形为圆形或方形。
6.如权利要求1所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法，其特征在于，所述冗余图形与所述接触孔的最小距离大于0. 5 μ m。
7.如权利要求1所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法，其特征在于，所述冗余图形的特征尺寸为0. 01 2· Ομ 。
8.如权利要求1所述的改善W-CMP后平坦性的制造方法，其特征在于，所述冗余图形的深度为100~1000人。
全文摘要
本发明公开了一种改善W-CMP后平坦性的制造方法，通过两次光刻和刻蚀工艺形成接触孔和冗余图形，所述冗余图形的深度小于所述接触孔的深度，随后形成钨金属层，并利用钨化学机械抛光工艺去除金属前绝缘介质层上的钨金属层，以在接触孔中形成钨金属接触层，并在冗余图形中形成冗余金属层。这样既避免了冗余金属层连接到闸极和有源区的金属硅化物而造成对器件特性的不利影响，又利用冗余图形的插入，减少各区域金属密度差，改善了W-CMP后表面平坦性，避免后续形成铜互连时产生金属残留和缺陷。
文档编号H01L21/768GK102543858SQ20121004873
公开日2012年7月4日 申请日期2012年2月28日 优先权日2012年2月28日
发明者同小刚, 左威, 张传民, 文静, 方精训, 王哲, 邓镭 申请人:上海华力微电子有限公司