专利名称：光电转换装置的制作方法
技术领域：
实施例涉及ー种光电转换装置。
背景技术：
光电转换装置是ー种将光能转换为电能的元件。光电转换装置可以从光吸收能量并通过光电效应产生自由电子，从而产生电流。可通过将从光电转换装置输出的电流的量与供应到光电转换装置的光的量进行比较来确定光电转换装置的光电效率。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此其可包括未形成在本国中本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例涉及ー种光电转换装置，所述装置包括第一光电转换単元，在基底上并具有第一能带隙；第二光电转换単元，具有与第一能带隙不同的第二能带隙，第二光电转换单元在第一光电转换単元上；中间单元，在第一光电转换単元和第二光电转换単元之间，中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件，第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换単元的折射率，第一中间层具有第一折射率，第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率。中间单元可在堆叠件中包括至少ー个第一中间层，并且可在堆叠件中包括与第一中间层交替地布置的至少ー个第二中间层。第一中间层的电导率可高于第二中间层的电导率。第一中间层和第二中间层可掺杂有n型杂质或p型杂质，第一中间层和第二中间层中的n型杂质和p型杂质的浓度可分别小于lat%。第一中间层和第二中间层可掺杂有n型杂质或p型杂质，两个n型第一中间层可分别设置在中间单元的最外侧，使得第一光电转换単元与所述两个n型第一中间层中的一层直接接触，并且第二光电转换単元与所述两个n型第一中间层中的另ー层直接接触。第一光电转换单兀可包括由非晶娃形成的第一本征娃层、设置在第一本征娃层和基底之间的第一类型导电层以及设置在第一本征硅层上的第二类型导电层，第二光电转换单元可包括由包含多个晶体的结晶硅形成的第二本征硅层、设置在第二本征硅层和中间单元之间的第三类型导电层以及设置在第二本征硅层上的第四类型导电层。第一中间层和第二中间层可掺杂有n型杂质或P型杂质，n型第一中间层和p型第一中间层可分别设置在中间单元的最外侧，第一光电转换単元与所述n型第一中间层和P型第一中间层中的ー层直接接触，第二光电转换単元与所述n型第一中间层和p型第一中间层中的另ー层直接接触。第一光电转换単元可包括由非晶硅形成的第一本征硅层，第一本征硅层与n型第一中间层接触，第二光电转换单元可包括由包含多个晶体的结晶硅形成的第二本征硅层，第二本征硅层与p型第一中间层接触。
第一中间层和第二中间层可掺杂有n型杂质或p型杂质，第一中间层和第二中间层可包含SiOx:H、SiCx:H和SiNx:H中的至少一种。第一中间层的折射率可在2. 3至3.0的范围内，第二中间层的折射率可在I. 6至
2.I的范围内。第一中间层的电导率可在KTVQcmaolQcmr1)以上，第二中间层的电导率可在 10 4/ Q cm(10 4 ( Q cm):)以下。第一中间层的厚度可为10 A至500 A,第二中间层的厚度可为50 A至1500 A。第一中间层的氧浓度可在40at%以下，第二中间层的氧浓度可为40at%至70at % o 中间单元可包括k个层，其中k是大于2的整数，根据下面的等式将中间层的折射率定义为na，
(rHx dn2X d2+‘..+nkx dk)Bfl=---T-
(dl+d1+..,+ di)其中，Ii1至巧表示中间单元中包括的k个层中的各个层的折射率，Cl1至dk表示中间单元中包括的k个层中的各个层的厚度。中间单元的折射率可为I. 7至2. 5，并且中间单元的厚度可为100 A至1500 A。另一实施例涉及一种光电转换装置，所述装置包括基底和多个光电转换单体，其中，基底具有多个单体区域，所述多个光电转换单体在基底上，并且分别对应于所述多个单体区域，所述多个光电转换单体串联地结合并且每个光电转换单体包括第一电极层，在基底上；第一光电转换单元，在第一电极层上并具有第一能带隙；第二光电转换单元，具有与第一能带隙不同的第二能带隙，第二光电转换单元在第一光电转换单元上；中间单元，在第一光电转换单元和第二光电转换单元之间，中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件，第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换单元的折射率，第一中间层具有第一折射率，第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率；第二电极层，在第二光电转换单元上。第一中间层的电导率可高于第二中间层的电导率，两个第一中间层可分别设置在中间单元的最外侧，使得第一光电转换单元与所述两个第一中间层中的一层直接接触，并且第二光电转换单元与所述两个第一中间层中的另一层直接接触。第一光电转换单兀可包括由非晶娃形成的第一本征娃层、在第一本征娃层和基底之间的第一类型导电层以及在第一本征硅层上的第二类型导电层，第二光电转换单元可包括由包含多个晶体的结晶硅形成的第二本征硅层、在第二本征硅层和中间单元之间的第三类型导电层以及在第二本征硅层上的第四类型导电层。中间单元可包括k个层，其中k是大于2的整数，根据下面的等式将中间层的折射率定义为na，
(nlxdl+n1>:-di+...+nk^dk)n= " ^
((+Cf2+…+^y其中，Ii1至巧表示中间单元中包括的k个层中的各个层的折射率，Cl1至dk表示中间单元中包括的k个层中的各个层的厚度。中间单元的折射率可为I. 7至2. 5，并且中间单元的厚度可为100 A至1500人。可通过第一分隔槽将第一电极层划分到所述多个単体区域中，可通过第二分隔槽将第一光电转换単元、第二光电转换単元、中间单元和第二电极层划分到所述多个単体区域中。在每个光电转换单体中，通孔可顺序地穿透第二光电转换单元、中间单元和第一光电转换単元，以暴露相邻的光电转换単体的第一电极层，第二电极层可通过所述通孔电连接到相邻的光电转换単体的第一电极层。通孔可设置在所述多个光电转换单体中的第一光电转换单体中，通孔顺序地穿透第一光电转换単体的第二光电转换単元、中间单元和第一光电转换単元，通孔暴露所述多个光电转换单体中的第二光电转换单体的第一电极层，第二光电转换单体与第一光电转换単体相邻，第一光电转换単体的第二电极层可通过所述通孔电连接到第二光电转换単体的 第一电极层。
通过參照附图进行的对示例实施例的详细描述，多个特征对本领域技术人员来讲将变得明显，在附图中图I示出了根据示例实施例的光电转换装置。图2示出了根据波长的第一光电转换单元和第二光电转换单元的光吸收率的曲线图。图3示出了根据示例实施例的图I中的Rl部分的放大剖视图。图4示出了根据ニ氧化碳的浓度的折射率的变化的曲线图。图5示出了层中的氧浓度根据折射率的曲线图。
图6A至图6E示出了氧(Ols)、碳(Cls)和硅(Si2p)的原子浓度)的根据ニ氧化碳(CO2)的浓度的曲线图。图7示出了在形成具有三层结构的中间层时的氧浓度变化的曲线图。图8示出了根据第二示例实施例的中间层的结构的剖视图。图9A至图9D示出了根据其它示例实施例的光电转换装置的剖视图。图10示出了根据示例实施例的包括多个光电转换单体的光电转换装置的剖视图。
具体实施例方式现在将在下文中參照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施，而不应被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚地示出，可以夸大层和区域的尺寸。还应理解的是，当层或元件被称作“在”另ー层或基底“上”时，该层或元件可以直接在另ー层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，应该理解的是，当层被称作“在”另ー层“下”时，该层可以直接在另ー层下，或者也可存在ー个或多个中间层。另外，还应该理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可存在一个或多个中间层。相同的标号始终表示相同的元件。可简单地使用“第一”、“第二”等术语来描述不同的构成元件，但是它们的意思不应局限于受限的意思。上述术语仅用于将一个构成元件与其它构成元件区分开来。例如，在权利要求的范围内，第一构成元件可被称作第二构成元件，相似地，第二构成元件可被称作第一构成元件。当解释单数形式时，除非明确地进行了相反地描述，否则单数形式可以被解释为复数形式的意思。在本说明书中，使用词语“包括”或“具有”来说明存在特征、构件、工艺、操作、构成元件、部分或它们的组合，应该理解的是，并不预先排除存在或附加一个或多个其它特征或构件、工艺、操作、构成元件、部分或它们的组合的可能性。图I示出了根据示例实施例的光电转换装置，图2示出了根据波长的第一光电转换单元和第二光电转换单元的光吸收率的曲线图。在图2中，第一曲线Gl示出了根据波长的第一光电转换单元的光吸收，第二曲线G2示出了根据波长的第二光电转换单元的光吸收，第三曲线G3示出了第一曲线Gl和第二曲线G2之和。 在图I中示出的示例实施例中，光电转换装置100包括基底10、第一电极层11、第一光电转换单兀20、第二光电转换单兀40和第二电极层13。第一电极层11设置在基底10上，第一光电转换单兀20和第二光电转换单兀40设置在第一电极层11和第二电极层13之间。对于第一电极层11(例如，透明导电层)，可使用透明导电氧化物(TC0)，例如氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)等。第二电极层13可由包括例如铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、钼(Pt)和铬(Cr)中的至少一种的金属材料形成。如图I中所示，第一光电转换单元20可设置在第一电极层11上，第二光电转换单元40可设置在第一光电转换单元20上。中间单元30可设置在第一光电转换单元20和第二光电转换单元40之间。第一光电转换单元20可具有第一能带隙，第二光电转换单元40可具有第二能带隙。例如，第一光电转换单元的能带隙可为I. 7eV至I. 8eV，并且可吸收具有如第一曲线Gl所示的短波长的光。第二光电转换单元40可具有较小的能带隙(相对于第一光电转换单元20的能带隙来说)，例如，I. IeV至I. 2eV,并且可吸收具有如第二曲线G2所示的长波长的光。 具有不同的能带隙的第一光电转换单元20和第二光电转换单元40可以层叠并且可以分别吸收不同波长范围的光，从而可提高光电转换装置100的整体光吸收率。在图I中示出的示例实施例中，第一光电转换单元20包括顺序地层叠在第一电极层上的第一类型导电层21、第一本征硅层23和第二类型导电层22。第一光电转换单元20可由非晶硅形成。第一本征硅层23可由非晶硅层形成，并且可设置在第一类型导电层21和第二类型导电层22之间。第一类型导电层21可以是p型导电层，通过将诸如硼(B)掺杂到非晶硅来形成该P型导电层以增加空穴的数量。第二类型导电层22可以是n型导电层，通过将诸如磷(P)掺杂到非晶硅来形成该n型导电层以增加电子的数量。第一本征硅层23包括彼此数量相同或数量基本相同的电子和空穴。当第一本征硅层23接收来自外部源的光时，形成第一本征硅层23的硅原子可吸收光的能量。当硅原子吸收光时，硅原子的最外部的电子可被激发，从而形成电子-空穴对。当在产生电子-空穴对的同时第一类型导电层21被偏置于负电极并且第二类型导电层22偏置于正电极时，空穴可朝第一类型导电层21移动。这里，“偏置”表示施加直流(DC)电压以产生恒定的电流/电压的适当的方法。第一光电转换单元20可具有0. 5 iim或更小的厚度。由非晶硅形成的第一本征硅层23的光电效率可以不与第一光电转换单元20的厚度的增加成比例地増大。因此，第一光电转换单元20的厚度可以是大约0.5 iim或更小。第二光电转换单元40可包括顺序地层叠在中间单元30上的第三类型导电层41、第二本征硅层43和第四类型导电层42。第二光电转换单元40可由包括多个晶体的结晶硅形成。第三类型导电层41可以是p型导电层，通过将诸如硼(B)掺杂到结晶硅来增加该P型导电层的空穴的数量。另外，第四类型导电层42可以是n型导电层，通过将诸如磷(P)掺杂到非晶硅或结晶硅来增加该n型导电层的电子的数量。 第二本征硅层43可由结晶硅层形成。形成结晶硅层的晶体可具有小于I U m的直径。在通过等离子体化学气相沉积法形成层时，可根据RF功率、エ艺压强或H2/SiH4流速比来控制每个晶体的直径。另外，当通过对非晶硅执行热处理工艺来使非晶硅结晶化时，可通过热处理工艺的エ艺温度来控制每个晶体的直径。在示例实施例中，第二本征硅层43可比第一本征硅层23厚。现在将更详细地描述第一光伏装置(第一光电转换单元)20和第二光伏装置(第ニ光电转换単元)40的光电效应机理。首先，外部供应的光可进入到第一光电转换単元20(所述光由图I中的向上指向的箭头表示)。然后，第一本征硅层23可从光中吸收短波长的光井通过产生第一光电效应来产生电子-空穴对。另外，朝第二本征硅层43运动而未在第一本征娃层23中被吸收的长波长的光可通过从第二本征娃层43产生第二光电效应而产生电子-空穴对。(由非晶硅形成的)第一本征硅层23的光能吸收率可比(由结晶硅形成的)第二本征娃层43的光能吸收率好,例如，(由非晶娃形成的)第一本征娃层23的光能吸收率可以是(由结晶硅形成的)第二本征硅层43的光能吸收率的3倍至10倍。在本示例实施例中，中间单元30设置在第一光电转换单元20和第二光电转换单元40之间。中间单元30可提高由非晶硅形成的第一光电转换単元20的光电效率。中间单元30可反射未被第一光电转换单元20吸收的光的一部分，从而反射的光被引导回第一光电转换单元20中。中间单元30可具有多个层，每个层均具有比第一光电转换单元20的折射率小的折射率。在示例实施例中，中间单元30包括由基于硅的材料形成的多个层。例如，中间单元30可包括由例如SiOx:H、SiCx:H和/或SiNx:H形成的一个或多个层。可利用娃烧气(SiH4)、ニ氧化碳(CO2)、氢气(H2)以及磷化氢气(PH3)或ニ硼烧气(B2H6)作为反应气体来形成中间单元30。可通过等离子体化学气相沉积(CVD)方法来形成中间单元30。等离子体CVD在制造未结晶化层(uncrystallized layer)的H2/SiH4比例下可使用范围在2至10之内的C02/SiH4比例。等离子体产生条件可包括电容耦合的平行板电极、IOMHz至IOOMHz的功率频率、500mW/cm2的功率密度、50Pa至2000Pa的压强、以及150°C至250°C的基底温度。在这种条件下形成的中间单元30的电导率可以随着折射率的增大而增大。S卩，当折射率增大时，中间单元30的电导率可以增大，当折射率减小时，中间单元30的电导率可以减小。中间单元30的折射率优选地具有小于第一光电转换单元20的折射率的平均折射率，以将从第一光电转换单兀20输出的光的一部分部分地反射从而再次进入第一光电转换单元20。然而，当中间单元30的平均折射率减小时，短波长反射率可增大。在这种情况下，第一光电转换单元20的光吸收率可随着中间单元30的电导率降低而增大。因此，光电转换装置100的填充因数(fill factor)可以降低，这可能没有提高光电转效率。因此，中间单元30可包括具有高折射率的至少一个第一中间层31和具有低折射率(即，低于第一中间层31的折射率)的至少一个第二中间层32。这样可以在补充中间单元30的电导率的同时减小折射率。图3示出了根据示例实施例的图I中的Rl部分的放大剖视图。在图3中示出的示例实施例中，中间单元30包括具有高折射率的至少一个第一中间层31和具有低折射率的至少一个第二中间层32。第一中间层31和第二中间层32交替 地布置，并可由n型或p型非晶硅氧化物层(n+a-SiOx或p+a-SiOx)形成。可通过掺杂诸如磷(P)的杂质来形成n型非晶硅氧化物层(n+a-SiOx)，可通过掺杂诸如硼(B)的杂质来形成P型非晶娃氧化物层(p+a_SiOx)。在示例实施例中，第一中间层31和第二中间层32中的杂质(掺杂剂)的浓度可小于Iat % o在图3中示出的示例实施例中，中间单元30具有包括三个第一中间层31和两个第二中间层32的五层结构。五个中间层可分别被形成为n型非晶硅氧化物层(a-SiOx)。第一中间层31可具有范围在2. 3至3. 0之内的折射率，第二中间层32可具有范围在I. 6至2. I之内的折射率。因此，进入中间单元30的光LI的一部分可由于第一中间层31和第二中间层32之间的折射率差异而被反射至第一光电转换单元20。因此，可通过将光反射至第一光电转换单元20来提高第一光电转换单元20的光吸收率。第一中间层31可具有比第二中间层32的结晶度高的结晶度。因此，第一中间层31可具有相对高的电导率。例如，第一中间层31可具有大于lOlQcmaolQcmr1)的电导率，第二中间层32可具有小于IO-4/ Q cm(10_4 ( Q cm) -1)的电导率。具有高电导率的一个或多个第一中间层31可设置在中间单元30的最外侧部分，从而它们可以分别与第一光电转换单元20和第二光电转换单元40接触。更具体地说，在具有高电导率的第一中间层31中，设置在中间单元30的下部的最外侧区域中的中间层31可与第一光电转换单元20的第二类型导电层(n型导电层)接触。设置在中间单元30的上部的最外侧区域中的第一中间层31可与第二光电转换单元40的第三类型导电层(p型导电层)接触。如所描述的，当具有高电导率的第一中间层31分别接触第一光电转换单元20和第二光电转换单元40时，光电转换装置100的串联电阻可以减小，并且填充因数会提闻。 在一个实施方式中，第一中间层31可具有10 A至500 A的厚度，第二中间层32可具有50 A至1500 A的厚度。例如，第一中间层31可具有50 A至200 A的厚度，第二中间层32可具有50 A至200 A的厚度。通过交替地布置第一中间层31和第二中间层32而形成的中间单元30的折射率(即，平均折射率)na可满足等式I :< 等式 1>
权利要求
1.一种光电转换装置，所述光电转换装置包括 第一光电转换单元，在基底上并具有第一能带隙； 第二光电转换单元，具有与第一能带隙不同的第二能带隙，第二光电转换单元在第一光电转换单元上； 中间单元，在第一光电转换单元和第二光电转换单元之间，中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件，第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换单元的折射率，第一中间层具有第一折射率，第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率。
2.如权利要求I所述的装置，其中，中间单元在堆叠件中包括至少一个第一中间层，并且在堆叠件中包括与第一中间层交替地布置的至少一个第二中间层。
3.如权利要求I所述的装置，其中，第一中间层的电导率高于第二中间层的电导率。
4.如权利要求3所述的装置，其中 第一中间层和第二中间层掺杂有η型杂质或P型杂质， 第一中间层和第二中间层中的η型杂质和P型杂质的浓度分别小于lat%。
5.如权利要求3所述的装置，其中 第一中间层和第二中间层掺杂有η型杂质或P型杂质， 两个η型第一中间层分别设置在中间单元的最外侧，使得第一光电转换单元与所述两个η型第一中间层中的一层直接接触，并且第二光电转换单元与所述两个η型第一中间层中的另一层直接接触。
6.如权利要求5所述的装置，其中 第一光电转换单兀包括由非晶娃形成的第一本征娃层、设置在第一本征娃层和基底之间的第一类型导电层以及设置在第一本征硅层上的第二类型导电层， 第二光电转换单元包括由包含多个晶体的结晶硅形成的第二本征硅层、设置在第二本征硅层和中间单元之间的第三类型导电层以及设置在第二本征硅层上的第四类型导电层。
7.如权利要求3所述的装置，其中 第一中间层和第二中间层掺杂有η型杂质或P型杂质， η型第一中间层和P型第一中间层分别设置在中间单元的最外侧，第一光电转换单元与所述η型第一中间层和P型第一中间层中的一层直接接触，第二光电转换单元与所述η型第一中间层和P型第一中间层中的另一层直接接触。
8.如权利要求7所述的装置，其中 第一光电转换单元包括由非晶硅形成的第一本征硅层，第一本征硅层与η型第一中间层接触， 第二光电转换单元包括由包含多个晶体的结晶硅形成的第二本征硅层，第二本征硅层与P型第一中间层接触。
9.如权利要求3所述的装置，其中 第一中间层和第二中间层掺杂有η型杂质或P型杂质， 第一中间层和第二中间层包含SiOx: H、SiCx: H和SiNx: H中的至少一种。
10.如权利要求I所述的装置，其中，第一中间层的折射率在2.3至3.0的范围内，第二中间层的折射率在I. 6至2. I的范围内。
11.如权利要求10所述的装置，其中，第一中间层的电导率大于10_3(Qcm)-1，第二中间层的电导率小于KT4(Qcm)'
12.如权利要求10所述的装置，其中，第一中间层的厚度为10A至500 A,第二中间层的厚度为50 A至1500 A。
13.如权利要求10所述的装置，其中，第一中间层的氧浓度小于40at%，第二中间层的氧浓度为4(^丨％至70at%。
14.如权利要求I所述的装置，其中，中间单元包括k个层，其中k是大于2的整数，根据下面的等式将中间层的折射率定义为na， (w, X I + H,X if,，+...+ Wjix di) IArΜ1%η, η α Ci1--M2+...+4) 其中，Il1至!!,表示中间单元中包括的k个层中的各个层的折射率，Cl1至dk表示中间单元中包括的k个层中的各个层的厚度。
15.如权利要求I所述的装置，其中，中间单元的折射率为I.7至2. 5，并且中间单元的厚度为100 A至1500 A。
16.一种光电转换装置，所述光电转换装置包括基底和多个光电转换单体，其中，基底具有多个单体区域，所述多个光电转换单体在基底上，并且分别对应于所述多个单体区域，所述多个光电转换单体串联地结合并且每个光电转换单体包括 第一电极层，在基底上； 第一光电转换单元，在第一电极层上并具有第一能带隙； 第二光电转换单元，具有与第一能带隙不同的第二能带隙，第二光电转换单元在第一光电转换单元上； 中间单元，在第一光电转换单元和第二光电转换单元之间，中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件，第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换单元的折射率，第一中间层具有第一折射率，第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率； 第二电极层，在第二光电转换单元上。
17.如权利要求16所述的装置，其中 第一中间层的电导率高于第二中间层的电导率， 两个第一中间层分别设置在中间单元的最外侧，使得第一光电转换单元与所述两个第一中间层中的一层直接接触，并且第二光电转换单元与所述两个第一中间层中的另一层直接接触。
18.如权利要求17所述的装置，其中 第一光电转换单兀包括由非晶娃形成的第一本征娃层、在第一本征娃层和基底之间的第一类型导电层以及在第一本征硅层上的第二类型导电层， 第二光电转换单元包括由包含多个晶体的结晶硅形成的第二本征硅层、在第二本征硅层和中间单元之间的第三类型导电层以及在第二本征硅层上的第四类型导电层。
19.如权利要求16所述的装置，其中，中间单元包括k个层，其中k是大于2的整数，根据下面的等式将中间层的折射率定义为na，(nixd1+n2x d2+---+nkx dk) Ma (rf2+...+4) 其中，Il1至!!,表示中间单元中包括的k个层中的各个层的折射率，Cl1至dk表示中间单元中包括的k个层中的各个层的厚度。
20.如权利要求16所述的装置，其中，中间单元的折射率为I.7至2. 5，并且中间单元的厚度为100 A至1500 A。
21.如权利要求16所述的装置，其中 通过第一分隔槽将第一电极层划分到所述多个单体区域中， 通过第二分隔槽将第一光电转换单元、第二光电转换单元、中间单元和第二电极层划分到所述多个单体区域中。
22.如权利要求21所述的装置，其中，在每个光电转换单体中， 通孔顺序地穿透第二光电转换单元、中间单元和第一光电转换单元，以暴露相邻的光电转换单体的第一电极层， 第二电极层通过所述通孔电连接到相邻的光电转换单体的第一电极层。
23.如权利要求21所述的装置，其中 通孔设置在所述多个光电转换单体中的第一光电转换单体中，所述通孔顺序地穿透第一光电转换单体的第二光电转换单元、中间单元和第一光电转换单元，所述通孔暴露所述多个光电转换单体中的第二光电转换单体的第一电极层，第二光电转换单体与第一光电转换单体相邻， 第一光电转换单体的第二电极层通过所述通孔电连接到第二光电转换单体的第一电极层。
全文摘要
本发明公开了一种光电转换装置，所述装置包括第一光电转换单元，在基底上并具有第一能带隙；第二光电转换单元，具有与第一能带隙不同的第二能带隙，第二光电转换单元在第一光电转换单元上；中间单元，在第一光电转换单元和第二光电转换单元之间，中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件，第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换单元的折射率，第一中间层具有第一折射率，第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率。
文档编号H01L27/144GK102769020SQ20121010695
公开日2012年11月7日 申请日期2012年4月12日 优先权日2011年5月4日
发明者全基元, 南毓铉, 郑胜在 申请人:三星Sdi株式会社, 三星电子株式会社