电互连结构的形成方法
【专利摘要】电互连结构的形成方法，包括：半导体衬底表面具有介质层，介质层内具有贯穿其厚度的第一开口；在介质层表面以及第一开口的侧壁和底部表面形成种子层；在种子层表面形成第二光刻胶层，第二光刻胶层的材料为导电光刻胶，且第二光刻胶层内具有贯穿其厚度的第三开口，第三开口的底部暴露出第一开口；在第二光刻胶层表面形成第一光刻胶层，第一光刻胶层的材料为非导电光刻胶，且第一光刻胶层内具有贯穿其厚度的第二开口，且第二开口与第三开口贯通；采用电镀工艺在第一开口和第三开口底部的种子层表面形成导电结构，导电结构的顶部表面低于或等于第一光刻胶层的顶部表面；在形成导电结构后，去除第二光刻胶层和第一光刻胶层。所述电互连结构性能稳定。
【专利说明】电互连结构的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造【技术领域】，尤其涉及电互连结构的形成方法。
【背景技术】
[0002]在半导体制造领域中，为了实现半导体器件之间的电连接，目前已发展出各种金属互连结构以及形成工艺，例如铜互连结构，以及形成铜互连结构的铜电镀工艺(ECP，electro-coppering plating)。然而，随着超大规模集成电路(ULSI)的发展,半导体器件的特征尺寸(CD)不断缩小，形成金属互连结构的工艺也受到了挑战。
[0003]现有技术的铜互连结构的形成过程的剖面结构示意图，如图1至图3所示，包括:
[0004]请参考图1，在半导体衬底100表面形成介质层101，所述介质层101内具有贯穿其厚度的开口 102，所述介质层101的表面和开口 102的侧壁和底部表面具有以金属为材料的种子层103。
[0005]请参考图2，采用电镀工艺在所述种子层103表面形成铜互连层104。
[0006]请参考图3，刻蚀部分所述介质层表面的铜互连层104 (如图2所示)，形成铜互连结构104a。
[0007]此外，也可以采用化学机械抛光工艺去除高于介质层101表面的铜互连层104(如图2所示),形成铜互连结构(未示出)。
[0008]然而，采用现有技术所形成的铜互连结构形貌不佳，稳定性差。
[0009]更多铜互连结构的相关资料请参考
【发明者】洪中山 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司