半导体结构的形成方法
【专利摘要】一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构具有熔丝区，所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构表面具有高K介质层、以及位于所述高K介质层表面的保护层；去除熔丝区的保护层和高K介质层，直至暴露出浅沟槽隔离结构表面为止；在去除熔丝区的保护层和高K介质层后，在所述保护层和浅沟槽隔离结构表面形成熔丝层；去除所述浅沟槽隔离结构的熔丝区以外的熔丝层、保护层和高K介质层，直至暴露出浅沟槽隔离结构表面，形成熔丝结构。所形成的熔丝结构性能稳定。
【专利说明】半导体结构的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造【技术领域】，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体工艺的微小化以及复杂度的提高，半导体器件也变得更容易受各种缺陷或杂质所影响，而单一金属连线、二极管或晶体管等的失效往往即构成整个芯片的缺陷。因此为了解决这个问题，现有技术便会在集成电路中形成一些可熔断的连接线(fusiblelinks),也就是熔丝(fuse),以确保集成电路的可利用性。
[0003]现有技术中，熔丝用于连接集成电路中的冗余电路，当检测发现电路具有缺陷时，这些可熔断的连接线可用于修复或取代有缺陷的电路；此外，熔丝还能够提供程序化的功能，即先将电路、器件阵列以及程序化电路在芯片上加工好，再由外部进行数据输入，通过程序化电路熔断熔丝以完成电路的设计；例如，在可编程只读存储器(Progra_able ReadOnly Memory, PROM)中，通过熔断熔丝产生断路，即为状态“ I ”，而未断开的熔丝保持连接状态，即为状态“O”。
[0004]现有技术的几种常见熔丝结构中，多晶硅熔丝结构一般在形成具有高K栅介质层和金属栅极层的晶体管的过程中同时形成；具体地，现有技术形成具有高K栅介质层和金属栅极层的晶体管时，会采用后栅工艺(gate last)，首先在半导体衬底表面形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括:高K介质层、高K介质层表面的保护层、以及保护层表面的多晶硅层；后续再以金属替代所述多晶硅层，以形成晶体管的栅极结构；而现有技术的多晶硅熔丝结构形成于浅沟槽隔离结构表面；因此，现有技术为了简化工艺，在半导体衬底表面形成所述伪栅极结构的同时，在浅沟槽隔离结构表面形成所述多晶硅熔丝结构；具体的，如图1至图2所示,包括:
[0005]请参考图1，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100内具有浅沟槽隔离结构101 ;在所述半导体衬底100和浅沟槽隔离结构101表面形成高K介质层102、所述高K介质层102表面的保护层103、以及所述保护层103表面的多晶硅层104。
[0006]请参考图2，刻蚀部分所述半导体衬底100和浅沟槽隔离结构101表面的多晶硅层104、保护层103和高K介质层102，在半导体衬底100表面形成伪栅极结构110，在浅沟槽隔离结构101表面形成熔丝结构120。其中，所述伪栅极结构110包括:高K介质层102a、位于所述高K介质层102a表面的保护层103a、以及位于所述保护层103a表面的多晶硅层104a;所述熔丝结构120包括:高K介质层102b、位于所述高K介质层102b表面的保护层103b、以及位于所述保护层103b表面的多晶娃层104b。
[0007]需要说明的是，在形成所述伪栅极结构110之后，去除所述伪栅极结构110中的多晶硅层104a，并在原多晶硅层104a的位置形成金属栅极层(未示出)，从而形成晶体管的栅极结构。
[0008]然而，如上所述的现有技术中，当所述熔丝结构120与所述伪栅极结构110同时形成时，所述熔丝结构120的性能不稳定。[0009]更多的熔丝结构及其形成方法请参考
【发明者】吴金刚, 王剑屏, 倪景华 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司