有机发光显示器及其制作方法
【专利摘要】一种有机发光显示器，包括基板、设置于基板的阳极阵列层、设置阳极阵列层上并覆盖阳极阵列层的共用空穴传输层、设置于共用空穴传输层上且使共用空穴传输层部分露出的绿光发射有机阵列层、设置于绿光发射有机阵列层上并覆盖绿光发射有机阵列层以及从绿光发射有机阵列层露出的共用空穴传输层的共用蓝光发射有机层、设置于共用蓝光发射有机层上的电子传输阵列层、设置于电子传输阵列层上的阴极阵列层及设置于有机发光显示器的出光方向的一侧的红光转换介质阵列层。本发明的有机发光显示器的结构简单，有利于实现高分辨率。本发明还提供了一种有机发光显示器的制造方法。
【专利说明】有机发光显示器及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种有机发光显示器及其制作方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管（organic light emitting diode, 0LED)显不器,又称为有机电发光显示器（organic electroluminesence display, 0ELD)或有机发光显示器，已广泛地研究应用于平面显示器领域中。与传统的液晶显示器（liquid crystal display, IXD)相t匕，由于其具有自发光的特性，因而具有较高亮度且不需背光（backlight)系统。此外，有机发光显示器还具有轻薄、低功率消耗、可视角度更大等优良特性。
[0003]一般地，显示器是否能全彩色显示是检验显示器是否在市场上具有竞争力的重要依据之一，因此许多全彩色化技术也应用到了有机发光显示器上。目前，制作全彩化有机发光显示器的方法主要有两种，第一种全彩化方法是像素并置法（RGB side by side)，即利用精细金属掩膜（fine metal mask，FMM)技术来蒸镀每个像素的颜色(例如RGB)发光层。但是，利用像素并置法制作的全彩化有机发光显示器，通常需要使用多个精细金属掩膜依次来形成空穴传输层、颜色(例如RGB)发光层等，制作过程对位困难，步骤复杂。特别是，当有机发光显示器的分辨率越高，像素间距越小时，利用精细金属掩膜蒸镀颜色(例如RGB)发光层越容易造成混色问题，从而良率较低。第二种全彩化方法是白光OLED与彩色滤光片（color filter)搭配使用法,即通过彩色滤光片将白光转换成有色光(例如红光、绿光、蓝光)。利用白光OLED与彩色滤光片搭配使用制作的全彩化有机发光显示器，虽然在一定程度上解决了混色的问题，较易实现高分辨率，但是，在通过彩色滤光片滤掉不需要的光色时，将降低有机发光显示器的元件效率达50%以上，并增加有机发光显示器功率消耗。为了减低有机发光显示器的元件效率的损失，现有技术也采用微共振腔效应先对白光OLED进行光谱修饰，然而白光OLED属于宽带光谱，因此无法得到饱和度高的单色光，特别是在绿光方面，所以还是需要使用彩色滤光片。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于，提供一种有机发光显示器，其结构简单，有利于实现高分辨率。
[0005]本发明的另一目的在于，提供一种有机发光显示器的制造方法，其利用较少的掩膜进行制作，不仅有利于简化有机发光显示器的制作过程，降低成本，而且有利于实现有机发光显示器的高分辨率。
[0006]本发明提供一种有机发光显示器，包括基板以及依次形成在基板上的阳极阵列层、共用空穴传输层、绿光发射有机阵列层、共用蓝光发射有机层、电子传输阵列层、阴极阵列层以及红光转换介质阵列层。基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并具有多个像素区域，各像素区域具有第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区。阳极阵列层设置于基板的第一表面上，并包括多个阳极，多个阳极分别位于各像素区域的第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区。共用空穴传输层设置于阳极阵列层上，并覆盖阳极阵列层。绿光发射有机阵列层设置于共用空穴传输层上，并包括多个绿光发射单元，各绿光发射单元覆盖各位于各像素区域的第一子像素区及第二子像素区的共用空穴传输层，而露出位于各像素区域的第三子像素区的共用空穴传输层。共用蓝光发射有机层设置于绿光发射有机阵列层上，覆盖绿光发射有机阵列层以及从绿光发射有机阵列层露出的共用空穴传输层。电子传输阵列层设置于共用蓝光发射有机层上，并包括多个电子传输单元，多个电子传输单元分别位于各像素区域的第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区。阴极阵列层设置于电子传输阵列层上，并包括多个阴极，多个阴极分别位于多个电子传输单元上。红光转换介质阵列层设置于有机发光显示器的出光方向的一侧，并包括多个红光转换介质单元，多个红光转换介质单元分别位于各像素区域的第一子像素区。
[0007]在本发明的一个具体实施方案中，红光转换介质阵列层设置于阴极阵列层上方，多个红光转换介质单元分别设置于位于第一子像素区的多个阴极的上方，各阳极包括设置于基板的反射金属层及设置于反射金属层上的透明导电层，且各阴极为透明电极。
[0008]在本发明的一个具体实施方案中，绿光发射有机阵列层包括第一绿光发射阵列层及位于第一绿光发射阵列层上的第二绿光发射阵列层。第一绿光发射阵列层包括多个第一绿光发射单元。各第一绿光发射单元覆盖位于各像素区域的第一子像素区及第二子像素区的共用空穴传输层，而露出位于各像素区域的第三子像素区的共用空穴传输层。第二绿光发射阵列层包括多个第二绿光发射单元，多个第二绿光发射阵列单元分别位于多个第一绿光发射单元上。
[0009]在本发明的一个具体实施方案中，有机发光显示器还包括设置于共用空穴传输阵列层上的绿光空穴传输阵列层，其包括多个绿光空穴传输单元。各绿光空穴传输单元覆盖位于各像素区域的第一子像素区及第二子像素区的共用空穴传输层，而露出位于各像素区域的第三子像素区的共用空穴传输层。绿光发射有机阵列层的多个绿光发射单元分别位于多个绿光空穴传输单元上。
[0010]在本发明的一个具体实施方案中，红光转换介质阵列层设置于基板的第二表面或设置于基板内部。各阳极为透明电极，且各阴极为反射电极。
[0011]本发明还提供一种有机发光显示器的制造方法，其包括以下步骤:。提供基板，基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并具有多个像素区域，各像素区域具有第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区。在基板的第一表面上形成阳极阵列层，阳极阵列层包括多个阳极，多个阳极分位于各像素区域的第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区。在阳极阵列层上形成共用空穴传输层，覆盖阳极阵列层。在共用空穴传输层上形成绿光发射有机阵列层，绿光发射有机阵列层包括多个绿光发射单元，各绿光发射单元覆盖位于各像素区域的第一子像素区及第二子像素区的共用空穴传输层，而露出位于各像素区域的第三子像素区的共用空穴传输层。在绿光发射有机阵列层上形成共用蓝光发射有机层，并覆盖绿光发射有机阵列层以及从绿光发射有机阵列层露出的共用空穴传输层。在共用蓝光发射有机层上形成电子传输阵列层，电子传输阵列层包括多个电子传输单元，多个电子传输单元分别位于各像素区域的第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区。在电子传输阵列层上形成阴极阵列层，阴极阵列层包括多个阴极，多个阴极分别位于多个电子传输单兀上。以及在有机发光显不器的出光方向的一侧形成红光转换介质阵列层，红光转换介质阵列层包括多个红光转换介质单元，多个红光转换介质单元分别位于各像素区域的第一子像素区。
[0012]在本发明的一个具体实施方案中，形成红光转换介质阵列层包括在阴极阵列层上方形成红光转换介质阵列层，多个红光转换介质单元分别形成在位于第一子像素区的多个阴极的上方。形成阳极阵列层包括在基板的第一表面形成反射金属阵列层以及在反射金属阵列层上形成透明电极阵列层；且各阴极为透明电极。
[0013]在本发明的一个具体实施方案中，形成绿光发射有机阵列层包括在共用空穴传输层上形成第一绿光发射阵列层及在第一绿光发射阵列层上形成第二绿光发射阵列层。第一绿光发射阵列层包括多个第一绿光发射单元，各第一绿光发射单元覆盖位于各像素区域的第一子像素区及第二子像素区的共用空穴传输层，而露出位于各像素区域的第三子像素区的共用空穴传输层。第二绿光发射阵列层包括多个第二绿光发射单元，多个第二绿光发射阵列单元分别位于多个第一绿光发射单元上。
[0014]在本发明的一个具体实施方案中，形成第一绿光发射阵列层与形成第二绿光发射阵列层是通过精细金属掩膜蒸镀方法制作形成，且形成第一绿光发射阵列层与形成第二绿光发射阵列层是使用同一个精细金属掩膜。
[0015]在本发明的一个具体实施方案中，形成红光转换介质阵列层包括在基板的第二表面形成红光转换介质阵列层或在基板中形成红光转换介质阵列层，各阳极为透明电极，且各阴极为反射电极。
[0016]在本发明的一个具体实施方案中，有机发光显示器的制造方法还包括在共用空穴传输层上形成绿光空穴传输阵列层。绿光空穴传输阵列层包括多个绿光空穴传输单兀，各绿光空穴传输单元覆盖位于各像素区域的第一子像素区及第二子像素区的共用空穴传输层，而露出位于各像素区域的第三子像素区的共用空穴传输层，绿光发射有机阵列层的多个绿光发射单元分别位于多个绿光空穴传输单元上。
[0017]在本发明的一个具体实施方案中，形成绿光空穴传输阵列层和形成绿光发射有机阵列层是通过精细金属掩膜蒸镀方法制作形成，且形成绿光空穴传输阵列层和形成绿光发射有机阵列层是采用同一个精细金属掩膜。
[0018]本发明有益效果是，本发明的有机发光显示器及其制作方法，通过在阳极阵列层上设置共用空穴传输层，配合绿光发射有机阵列层和共用蓝光发射有机层使得每个像素区域发射两个子像素的绿光和一个子像素的蓝光，并在有机发光显不器的出光方向的一侧设置红光转换介质阵列层，将其中一个像素的绿光转换成红光，从而实现有机发光显示器的全彩色化，不仅使本发明的机发光显示器的结构简单，同时实现了利用较少的掩膜进行制作并且避免使用彩色滤光片，从而使得本发明的有机发光显示器实现高分辨率及低成本。
[0019]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图I是本发明的第一实施例的有机发光显示器的一个像素单元的剖面结构示意图。[0021]图2是本发明的第二实施例的有机发光显示器的一个像素单元的剖面结构示意图。
[0022]图3是本发明的第三实施例的有机发光显示器的一个像素单元的剖面结构示意图。
[0023]图4是本发明的第四实施例的有机发光显示器的一个像素单元的剖面结构示意图。
[0024]图5是本发明的第五实施例的有机发光显示器的一个像素单元的剖面结构示意图。
具体实施例
[0025]为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本发明的具体本实施例、结构、特征及其功效，详细说明如后。
[0026]图1是本发明的第一实施例的有机发光显示器的一个像素单元的剖面示意图。请参考图1，本实施例中，有机发光显示器为顶发光型机发光显示器，有机发光显示器100包括基板Iio以及依次设置于基板110上的阳极阵列层120、共用空穴传输层130、绿光发射有机阵列层140、共用蓝光发射有机层150、电子传输阵列层160、阴极阵列层170以及红光转换介质阵列180。可以理解的是，有机发光显示器100包括多个像素单元，这些像素单元呈阵列式排布，为了简洁，图1中仅绘示一个像素单元的结构。
[0027]基板110例如是透明基板，其可由玻璃、石英或透明高分子材料等制成。基板110包括第一表面112以及与第一表面112相对的第二表面114。基板110具有多个像素区域115，一个像素区域115可以构建一个像素单元。每个像素区域115具有第一子像素区115r、第二子像素区115g以及第三子像素区115b。
[0028]阳极阵列层120设置于基板110的第一表面112上，并包括多个呈阵列排布的阳极122。本实施例中，阳极112分位于各像素区域115的第一子像素区115r、第二子像素区115g及第三子像素区115b。阳极阵列层120包括设置于基板112的第一表面112的反射金属层及设置于反射金属阵列层上的透明电极阵列层122b。透明电极阵列层例如可由铟锡氧化物(ITO)制成。因此，各阳极122为包括反射金属122a和透明电极的反射电极122b。
[0029]共用空穴传输层130，设置于阳极阵列层120上，并覆盖阳极阵列层120的多个阳极122。所谓共用空穴传输层130是指共用空穴传输层130是一整体的层结构，其覆盖所有像素区域115，也即覆盖每个像素区域115的第一子像素区115r、第二子像素区115g及第三子像素区115b，第一子像素区115r、第二子像素区115g及第三子像素区115b中每个子像素区发光均利用共用空穴传输层130进行空穴传输。
[0030]绿光发射有机阵列层140设置于共用空穴传输层130上，并包括多个绿光发射单元142。每个绿光发射单元142覆盖像素区域115位于第一子像素区115ι及第二子像素区115g的共用空穴传输层130，而露出位于第三子像素区115b的共用空穴传输层130。
[0031]共用蓝光发射有机层150设置于绿光发射有机阵列层140上，并覆盖绿光发射有机阵列层140以及从绿光发射有机阵列层140露出的共用空穴传输层130。所谓共用蓝光发射有机层150是指共用蓝光发射有机层150是一整体的层结构，其覆盖所有像素区域115，也即覆盖每个像素区域115的第一子像素区115r、第二子像素区115g及第三子像素区共用空穴传输层130，并配合绿光发射有机卜像素区域115的第一子像素区1151~和第3发射蓝光，并在有机发光显不器100的出嘗其中第一子像素区1151发射的绿光转换化。
出作方法如下:
-表面112和与第一表面112相对的第二表度115具有第一子像素区1151'、第二子像素
戎阳极阵列层120。形成阳极阵列层120包[域115的第一子像素区1151'、第二子像素；120包括在基板110的第一表面112形成I明电极阵列层。
穴传输层130，覆盖阳极阵列层120。共用像素区域115，也即覆盖每个像素区域115三子像素区115匕子像素区115r、第二子像素区115g及第三子像素区115b。
[0043]之后，在电子传输阵列层160上形成阴极阵列层170。阴极阵列层170包括多个阴极172。多个阴极172分别位于多个电子传输单元172上。可以理解的是，对于顶发光型有机发光显示器而言，其顶部应该是透光的，因此每个阴极172由透明导电材料制成。在本实施例中，阴极172可由铟锡氧化物(ITO)制成。
[0044]再者，在阴极阵列层170上方形成红光转换介质阵列层180。红光转换介质阵列层180包括多个红光转换介质单元182。多个红光转换介质单元182分别形成在位于第一子像素区115r的多个阴极172的上方。本实施中，多个红光转换介质单元182例如是设置在透明基板中。
[0045]图2是本发明的第二实施例的有机发光显示器的一个像素单元的局部剖面示意图。请参考图2，本实施例中，有机发光显示器IOOa为底发光型有机发光显示器。第二实施例的有机发光显示器IOOa与第一实施例的有机发光显示器100结构大致相同，二者的区别在于:有机发光显示器IOOa的阳极阵列层120a的各阳极为透明电极，且阴极阵列层170a的各阴极为反射电极，因此，有机发光显示器IOOa的出光方向B是朝向阳极阵列层120a。本实施例中，红光转换介质阵列180形成在出光方向B的一侧，例如是形成在基板110的第二表面114。
[0046]有机发光显示器IOOa的制作方法与有机发光显示器100的制作方法大致相同，二者的区别在于:在基板Iio的第一表面112上形成阳极阵列层120a，是直接在基板110的第一表面112形成透明电极阵列层；在电子传输阵列层160上形成阴极阵列层170a时，阴极阵列层170a的多个阴极为反射电极；在基板110的第二表面114上形成红光转换介质阵列 180。
[0047]图3为本发明的第三实施例的有机发光显示器的一个像素单元的局部剖面示意图。请参考图3，本实施例中，有机发光显示器IOOb也为底发光型有机发光显示器。第三实施例的有机发光显示器IOOb与第二实施例的有机发光显示器IOOa结构大致相同，二者的区别在于:有机发光显不器IOOb的红光转换介质阵列层的多个红光转换介质单兀182b设置于基板110的内部。
[0048]有机发光显示器IOOb的制作方法与有机发光显示器IOOa的制作方法大致相同，二者的区别在于:多个红光转换介质单元182b直接形成在基板110中，避免了额外使用其他的玻璃基板。
[0049]图4为本发明的第四实施例的有机发光显示器的一个像素单元的局部剖面示意图。请参考图4，本实施例中，有机发光显示器IOOc为顶发光型有机发光显示器。第四实施例的有机发光显示器IOOc与第一实施例有机发光显示器IOOa结构大致相同，二者的区别在于:有机发光显示器IOOc的绿光发射有机阵列层140c包括第一绿光发射阵列层142及位于第一绿光发射阵列层142上的第二绿光发射阵列层144。第一绿光发射阵列层142包括多个第一绿光发射单元142c。各第一绿光发射单元142c覆盖位于各像素区域115的第一子像素区115a及第二子像素区115g的共用空穴传输层130，而露出位于第三子像素区115b的共用空穴传输层130。第二绿光发射阵列层144包括多个第二绿光发射单元144c。多个第二绿光发射阵列单元144c分别位于多个第一绿光发射单元142c上。第一绿光发射阵列层142与第二绿光发射阵列层144是通过精细金属掩膜蒸镀方法制作形成的，且形成第一绿光发射阵列层142与形成第二绿光发射阵列层144是使用同一个精细金属掩膜。相对有机发光显示器IOOa而言，本实施例的有机发光显示器IOOc的绿光发射有机阵列层140包括第一绿光发射阵列层142及第二绿光发射阵列层144增加了绿光发射有机阵列层140的厚度，从而实现调变共振腔。
[0050]图5为本发明的第五较佳实施例的有机发光显示器的一个像素单元的局部剖面示意图。请参考图5，本实施例中，有机发光显示器IOOd为顶发光型有机发光显示器。第五较佳实施例的有机发光显不器IOOd与第一较佳实施例有机发光显不器100结构大致相同，二者的区别在于:第五较佳实施例的有机发光显示器IOOd还包括设置于共用空穴传输层130上的绿光空穴传输阵列层132。绿光空穴传输阵列层132包括多个绿光空穴传输单元132d。各绿光空穴传输单元132d覆盖位于各像素区域115的第一子像素区115r及第二子像素区115g的共用空穴传输层130，而露出位于第三子像素区115g的共用空穴传输层130。绿光发射有机阵列层140的多个绿光发射单元142分别位于多个绿光空穴传输单元134上。在本实施例中，形成绿光空穴传输阵列层132和形成绿光发射有机阵列层140是通过精细金属掩膜蒸镀方法制作形成，且形成绿光空穴传输阵列层132和形成绿光发射有机阵列层140是采用同一个精细金属掩膜。本实施例通过在共用空穴传输层130上设置绿光空穴传输阵列层132，实现了调变共振腔。
[0051]有机发光显示器IOOd的制作方法与有机发光显示器100的制作方法大致相同，二者的区别在于:制作有机发光显示器IOOd还包括在共用空穴传输层130上形成绿光空穴传输阵列层132，绿光空穴传输阵列层132包括多个绿光空穴传输单元132d，各绿光空穴传输单元132d覆盖各像素区域115的位于第一子像素区1151 及第二子像素区115g的共用空穴传输层130，而露出位于第三子像素区115g的共用空穴传输层130。并在多个绿光空穴传输单元132d上分别形成构成绿光发射有机阵列层140的多个绿光发射单元142。在本实施例中，形成绿光空穴传输阵列层132和形成绿光发射有机阵列层140是通过精细金属掩膜蒸镀方法制作形成，且形成绿光空穴传输阵列层132和形成绿光发射有机阵列层140是采用同一个精细金属掩膜。
[0052]综上所述，本发明的有机发光显示器及其制作方法，通过在阳极阵列层120上设置共用空穴传输层130，配合绿光发射有机阵列层140和共用蓝光发射有机层150使得每个像素区域115在第一子像素区1151 和第二子像素区115g发射绿光和在第三子像素区115r发射蓝光，并在有机发光显不器的出光方向A或B的一侧设置红光转换介质阵列层180,将其中第一子像素区115r的绿光转换成红光，从而实现有机发光显示器的全彩色化，不仅使本发明的机发光显示器的结构简单，同时实现了利用较少的掩膜进行制作并且避免使用彩色滤光片，从而使得本发明的有机发光显示器实现高分辨率及低成本。
[0053]以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种有机发光显示器，其特征在于，其包括： 基板，具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该基板具有多个像素区域，各该像素区域具有第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区； 阳极阵列层，设置于该基板的该第一表面上，并包括多个阳极，该多个阳极分位于各该像素区域的该第一子像素区、该第二子像素区及该第三子像素区； 共用空穴传输层，设置于该阳极阵列层上，并覆盖该阳极阵列层； 绿光发射有机阵列层，设置于该共用空穴传输层上，并包括多个绿光发射单元，各该绿光发射单元覆盖位于各该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层，而露出位于各该像素区域的该第三子像素区的该共用空穴传输层； 共用蓝光发射有机层，设置于该绿光发射有机阵列层上，覆盖该绿光发射有机阵列层以及从该绿光发射有机阵列层露出的该共用空穴传输层； 电子传输阵列层，设置于该共用蓝光发射有机层上，并包括多个电子传输单元，该多个电子传输单元分别位于各该像素区域的该第一子像素区、该第二子像素区及该第三子像素区； 阴极阵列层，设置于该电子传输阵列层上，并包括多个阴极，该多个阴极分别位于该多个电子传输单元上；以及 红光转换介质阵列层，设置于该有机发光显示器的出光方向的一侧，并包括多个红光转换介质单元，该多个红光转换介质单元分别位于各该像素区域的该第一子像素区。
2.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于：该红光转换介质阵列层设置于该阴极阵列层上方，该多个红光转换介质单元分别设置于位于该第一子像素区的该多个阴极的上方，各该阳极包括设置于该基板的反射金属层及设置于该反射金属层上的透明导电层，且各该阴极为透明电极。
3.如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，该绿光发射有机阵列层包括第一绿光发射阵列层及位于该第一绿光发射阵列层上的第二绿光发射阵列层，该第一绿光发射阵列层包括多个第一绿光发射单元，各该第一绿光发射单元覆盖位于各该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层，而露出位于各该像素区域的该第三子像素区的该共用空穴传输层，该第二绿光发射阵列层包括多个第二绿光发射单元，该多个第二绿光发射阵列单元分别位于该多个第一绿光发射单元上。
4.如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，还包括绿光空穴传输阵列层，设置于该共用空穴传输阵列层上，并包括多个绿光空穴传输单元，各该绿光空穴传输单元覆盖位于各该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层，而露出位于该第三子像素区的该共用空穴传输层，该绿光发射有机阵列层的该多个绿光发射单元分别位于该多个绿光空穴传输单元上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，该红光转换介质阵列层设置于该基板的该第二表面或设置于该基板内部，各该阳极为透明电极，且各该阴极为反射电极。
6.—种有机发光显不器的制造方法,其特征在于,其包括： 提供基板，该基板具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，并具有多个像素区域，各该像素区域具有第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区； 在该基板的该第一表面上形成阳极阵列层，该阳极阵列层包括多个阳极，该多个阳极分位于各该像素区域的该第一子像素区、该第二子像素区及该第三子像素区； 在该阳极阵列层上形成共用空穴传输层，覆盖该阳极阵列层； 在该共用空穴传输层上形成绿光发射有机阵列层，该绿光发射有机阵列层包括多个绿光发射单元，各该绿光发射单元覆盖位于各该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层，而露出位于各该像素区域的该第三子像素区的该共用空穴传输层； 在该绿光发射有机阵列层上形成共用蓝光发射有机层，并覆盖该绿光发射有机阵列层以及从该绿光发射有机阵列层露出的该共用空穴传输层； 在该共用蓝光发射有机层上形成电子传输阵列层，该电子传输阵列层包括多个电子传输单元，该多个电子传输单元分别位于各该像素区域的该第一子像素区、该第二子像素区及该第三子像素区； 在该电子传输阵列层上形成阴极阵列层，该阴极阵列层包括多个阴极，该多个阴极分别位于该多个电子传输单元上；以及 在该有机发光显不器的出光方向的一侧形成红光转换介质阵列层，该红光转换介质阵列层包括多个红光转换介质单元，该多个红光转换介质单元分别位于各该像素区域的该第一子像素区。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成该红光转换介质阵列层包括在该阴极阵列层上方形成该红光转换介质阵列层，该多个红光转换介质单元分别形成在位于该第一子像素区的该多个阴极的上方；形成该阳极阵列层包括在该基板的该第一表面形成反射金属阵列层以及在该反射金属阵列层上形成透明电极阵列层；且各该阴极为透明电极。
8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成该绿光发射有机阵列层包括在该共用空穴传输层上形成第一绿光发射阵列层及在该第一绿光发射阵列层上形成第二绿光发射阵列层，该第一绿光发射阵列层包括多个第一绿光发射单元，各该第一绿光发射单元覆盖位于各该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层，而露出位于各该像素区域的该第三子像素区的该共用空穴传输层，该第二绿光发射阵列层包括多个第二绿光发射单元，该多个第二绿光发射阵列单元分别位于该多个第一绿光发射单元上。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成该第一绿光发射阵列层与形成该第二绿光发射阵列层是通过精细金属掩膜蒸镀方法制作形成，且形成该第一绿光发射阵列层与形成该第二绿光发射阵列层是使用同一个精细金属掩膜。
10.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成该红光转换介质阵列层包括在该基板的该第二表面形成该红光转换介质阵列层或在该基板中形成该红光转换介质阵列层，各该阳极为透明电极，且各该阴极为反射电极。
11.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括在该共用空穴传输层上形成绿光空穴传输阵列层，该绿光空穴传输阵列层包括多个绿光空穴传输单兀，各该绿光空穴传输单元覆盖各位于该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层，而露出位于各该像素 区域的该第三子像素区的该共用空穴传输层，该绿光发射有机阵列层的该多个绿光发射单元分别位于该多个绿光空穴传输单元上。
12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，形成该绿光空穴传输阵列层和形成该绿光发射有机阵列层是通过精细金属掩膜蒸镀方法制作形成，且形成该绿光空穴传输阵列层和形成该绿光发射有机阵列层是采用同一个精细金属掩膜。
【文档编号】H01L51/50GK103839960SQ201210483780
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月23日 优先权日:2012年11月23日
【发明者】林冠亨, 沈仕旻, 李孟庭 申请人:友达光电股份有限公司