有机电致发光装置及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光装置及其制备方法。该有机电致发光装置包括依次层叠结合的衬底层、阳极层、有机功能层和阴极层，所述有机功能层包括空穴传输层和在外加电源驱动下发光的发光层，所述空穴传输层层叠结合在所述阳极层与发光层之间，其中，所述空穴传输层中掺杂有质量百分含量为12～10%的碘化亚铜。其制备方法包括获取衬底、制备阳极层、制备有机功能层和制备阴极层等步骤。本发明有机电致发光装置发光效率高，启动电压低，使用寿命长。其制备方法工艺简单，条件易控，产品合格率高，有效提高了生产效率，适于产业化生产。
【专利说明】有机电致发光装置及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电光源【技术领域】，具体的说是涉及有机电致发光装置及其制备方法。【背景技术】
[0002]有机电致发光(Organic Light Emission Diode,以下简称0LED)具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003]有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。
[0004]到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但是目前由于驱动发光器件的电流较大，发光效率低，器件寿命低，为了实现有机电致发光器件的实用化，人们急于寻找一种驱动电流小，发光效率高的发光器件结构。
[0005]传输层掺杂是目前使用比较广泛的一种降低有机电致发光装置驱动电流的一种方法，该方法可以通过掺杂结构减少器件内阻，提高载流子的注入效率，降低启动电压有利于发光装置发光效率的提高。但是目前通过掺杂获得的传输层掺杂不均匀，内电阻仍然较大，载流子的传输效率较低，所需启动电压较高，导致有机电致发光装置发光效率不太理想，且寿命短。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种启动电压低，能有效提高载流子的注入效率的有机电致发光装置。
[0007]本发明的另一目的在于提供一种条件易控，产品合格率高的有机电致发光装置制备方法。
[0008]为了实现上述发明目的，本发明的技术方案如下:
[0009]一种有机电致发光装置，包括依次层叠结合的衬底层、阳极层、有机功能层和阴极层，其特征在于:所述有机功能层包括空穴传输层和在外加电源驱动下发光的发光层，所述空穴传输层层叠结合在所述阳极层与发光层之间，其中，所述空穴传输层的空穴传输基质材料中掺杂有碘化亚铜，所述碘化亚铜与空穴传输材料质量比为0.2?10:100。
[0010]以及，上述有机电致发光装置的一种制备方法，在制备所述阳极层与发光层的步骤之间，包括制备所述空穴传输层的步骤:
[0011]在镀膜系统中，以碘化亚铜和空穴传输基质材料为两独立的镀源进行镀膜，形成所述空穴传输层，其中，碘化亚铜与空穴传输基质材料的蒸镀速率之比为(0.2?I):10。
[0012]本发明有机电致发光装置的空穴传输层采用碘化亚铜掺杂，有效提高了其电导率与载流子浓度，提高空穴的传输效率，且空穴传输层层结构均匀且稳定，从而有效提高了该有机电致发光装置的发光效率，降低了该有机电致发光装置的启动电压低，延长了其使用寿命。
[0013]本发明有机电致发光装置制备方法将碘化亚铜与空穴传输基质材料为两独立的镀源，通过控制两镀源的蒸镀速率，制备出结构均匀且稳定的空穴传输层掺杂结构，有效降低了空穴传输层的内电阻，提高了空穴传输层对空穴传输效率，从而赋予有机电致发光装置高的发光效率和低的启动电压等优异性能。另外，该方法工艺简单，条件易控，产品合格率高，有效提高了生产效率，适于产业化生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是本发明实施例有机电致发光装置的结构示意图；
[0015]图2是本发明实施例有机电致发光装置制备方法的流程示意图；
[0016]图3是本发明实施例1与对比例I制备的在起始亮度为2000cd/m2下的亮度衰减曲线图。
【具体实施方式】
[0017]为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例与附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0018]本发明实施例提供了一种启动电压低，能有效提高载流子的注入效率的有机电致发光装置，其结构如图1所示。该有机电致发光装置包括依次层叠的衬底层1、阳极层2、有机功能层3和阴极层4。
[0019]其中，有机功能层3包括依次层叠结合的空穴传输层31、电子阻挡层32、发光层33、空穴阻挡层34、电子传输层35。其中，空穴传输层31与阳极层2的与衬底层I相结合面相对的表面层叠结合，电子传输层35与阴极层4的一表面层叠结合，其结构如图1所示。
[0020]在有机功能层3中，空穴传输层31为碘化亚铜与空穴传输基质材料均勻掺杂构成的掺杂层结构，且其厚度优选为20?lOOnm，碘化亚铜碘化亚铜与空穴传输基质材料质量比为0.2?10:100。其中，空穴传输基质材料优选为金属酞菁化合物，具体地如酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)、酞菁氧钥;(VOPc)、酞菁氧钛(TiOPc)、酞菁钴(CoPc)中的至少一种。该空穴传输层31的掺杂结构均匀、稳定，内电阻小，能进一步提高空穴的传输效率。另外，空穴传输层31为碘化亚铜与空穴传输基质材料的掺杂层结构，能有提高该空穴传输层31与阳极层2的欧姆接触，效降低空穴注入的势垒，提高空穴注入效率和载流子的浓度，可以省略对空穴注入层的设置，从而有效降低了本发明实施例有机电致发光装置的厚度，降低了生产成本。在本发明应用的材料中，碘化亚铜可以作为一种还原剂来使用，其比较容易接受外来的电子。而在空穴传输层中，通常是基质材料转移电子到掺杂剂中，使基质空穴传输材料中的空穴增多，因而增加了传输层的导电性，从而降低器件的启动电压，增加载流子注入效率，从而提闻光效。
[0021]电子阻挡层32的设置是为了将阴极层4注入的电子尽可能的截留在发光层33中，以提高空穴与电子在发光层33中相遇机率，以提高两者复合而形成的激子量，并将激子能量传递给发光材料，从而激发发光材料的电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能，以达到增强发光层33的发光强度的目的。当然，如果不考虑本发明实施例有机电致发光装置的发光强度，也可以不在此位置设置电子阻挡层32。
[0022]发光层33中发光材料可以根据实际的需求(如发光颜色等要求)灵活选择。如可以选用DCJTB = Alq3，其中，DCJTB为主体材料，其分子式为C3tlH35N3O, (8_羟基喹啉)-铝(Alq3)为客体材料，且主、客体掺杂质量比为100:8 ;或者选用NPB:1r (MDQ)2(acac)，其中，N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -联苯-4，4’ - 二胺(NPB)为主体材料，二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉(乙酰丙酮)(Ir (MDQ)2(acac))为客体材料，且主、客体掺杂质量比为5:100。当然，发光材料还可选用本领域的其他材料，如双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中至少一种。该发光层33的厚度可以设置为25nm，当然，其厚度还可是本领域常规的其他厚度范围。
[0023]空穴阻挡层34的设置是为了使得从阳极层4注入的空穴尽可能的截留在发光层33中，并使得该空穴与电子在发光层33中相遇机率，以提高两者复合而形成的激子量，以达到增强发光层33的发光强度的目的。该空穴阻挡层34所选用的材料可选用本领域公知的空穴阻挡材料，如TPB1、Bphen、BAlq等，其厚度也可选用本领域常规的厚度。当然，如果不考虑本发明实施例有机电致发光装置的发光强度，也可以不在此位置设置空穴阻挡层34。
[0024]电子传输层35为碱金属掺杂剂与电子传输基质材料均勻掺杂构成的掺杂结构。该电子传输层厚度优选为20?IOOnm,且其掺杂的碱金属掺杂剂在电子传输层中的质量百分含量优选为2?20%。其中，碱金属掺杂剂优选为碳酸锂(Li2CO3)，叠氮化锂(LiN3)，叠氮化铯(CsN3),碳酸铯(Cs2CO3),氟化铯(CsF);电子传输基质材料优选为(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、l，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I’ -联苯-4-羟基)铝(BAlq)中的至少一种。该电子传输层35的掺杂结构均勻、稳定，内电阻小，对电子的传输效率进一步提高。同时还能效降低电子注入的势垒，提高电子注入效率，可以省略对电子注入层的设置，从而有效降低了本发明实施例有机电致发光装置的厚度，降低了生产成本。
[0025]在图1有机电致发光装置中的衬底层I可选用本领域常用的材质及常规的厚度。如其材质可选用玻璃材质的基板等。
[0026]阳极层2的材质可选用铟掺杂氧化锡薄膜(ITO)，厚度为lOOnm。当然，该阳极层2的材质还可以选用本领域其他的正极材料，如金属单质或金属合金等，厚底也可以设置成本领域常规的其他厚度。
[0027]阴极层4的材质优选为金属银(Ag)、铝(Al)、银镁合金(Ag-Mg)或镁铝合金(Al-Mg),其厚度为lOOnm。当然,该阴极层4的材质还可以选用本领域其他的负极材料,如其他金属单质或金属合金等，厚底也可以设置成本领域常规的其他厚度。
[0028]由上述可知，本发明有机电致发光装置的空穴传输层31采用碘化亚铜掺杂，有效提高了其电导率与载流子浓度，提高空穴的传输效率，且空穴传输层31层结构均匀且稳定，从而有效提高了该有机电致发光装置的发光效率，降低了该有机电致发光装置的启动电压低，延长了其使用寿命。或优选的将有机电致发光装置的电子传输层35也同时设置为含有碱金属掺杂剂的掺杂层结构，与空穴传输层31掺杂结构共同作用，以达到提高有机电致发光装置中载流子的注入效率和浓度，以实现显著提高该有机电致发光装置的发光效率，降低了该有机电致发光装置的启动电压低的效果。同时还能效降低空穴、电子注入的势垒，提高空穴、电子注入效率，可以省略对空穴注入层、电子注入层的设置，从而有效降低本发明实施例有机电致发光装置的厚度，降低生产成本。
[0029]相应地，本发明实施例还提供了一种关于上文所述的有机电致发光装置的制备方法。该制备方法流程如图2所示，同时请掺见图1，包括如下步骤:
[0030]S01.获取衬底:根据实际需要获取所需尺寸的衬底，作为衬底层I ;
[0031]S02.制备阳极层2:在衬底层I的一表面镀阳极层2 ；
[0032]S03.制备有机功能层3:在步骤S02制备的阳极层2的与衬底层I相结合面相对的表面镀有机功能层3，其中，该有机功能层3包括空穴传输层31和在外加电源驱动下发光的发光层33,空穴传输层31层叠结合在阳极层2与发光层33之间,其中，空穴传输层31中掺杂有质量百分含量为0.2?10%的碘化亚铜。
[0033]S04.制备阴极层4:在步骤S03制备的有机功能层3的与阳极层2相结合面相对的表面镀阴极层4，得到有机电致发光装置。
[0034]具体地，上述步骤SOl中的所选用的衬底如上文所述，可选用本领域常规的衬底材料，如玻璃。
[0035]优选地，在进行下述步骤S02之前，还包括对该衬底层I进行清洗的预处理:
[0036]将衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干备用。
[0037]上述步骤S02中，将衬底置于磁控溅射系统中在衬底表面溅射成膜，形成阳极层
2。其溅射条件采用本领域常规的工艺条件即可。
[0038]优选地，在进行下述步骤S03之前，还包括对步骤S02中的阳极层2进行等离子处理:将该镀有阳极层2的衬底置于凳子离子处理室中，进行等离子处理。该等离子处理条件采用本领域常规的工艺条件即可。经等离子处理后阳极层2能有效的提高阳极功函数，降低空穴的注入势垒。
[0039]上述步骤S03中，制备有机功能层3的方法根据其结构而调整，如当有机功能层3的结构如图1所示包含依次层叠结合的空穴传输层31、电子阻挡层32、发光层33、空穴阻挡层34、电子传输层35时，将经步骤S02处理后含有阳极层2的衬底置于真空镀膜系统中，在该阳极层2外表面依次镀空穴传输层31、电子阻挡层32、发光层33、空穴阻挡层34、电子传输层35等功能层,在蒸镀各层时，以相应层的材料为镀源制备各层，其中，镀空穴传输层31、电子阻挡层32、发光层33、空穴阻挡层34、电子传输层35各层的镀源如上文所述，为了节约篇幅，在此不再赘述。其中，如镀空穴传输层31时，将碘化亚铜、空穴传输基质材料分别置于真空镀膜系统的两个蒸发源内，通过共掺杂的方法制备掺杂的空穴传输层31，其中，碘化亚铜与空穴传输基质材料的蒸镀速率之比优选为(0.2?I):10。在镀电子传输层35时，将碱金属掺杂剂、电子传输基质材料分别置真空镀膜系统的两个蒸发源内，通过共掺杂的方法制备掺杂的电子传输层35，其中，碱金属掺杂剂与电子传输基质材料的蒸镀速率之比优选为(0.2?2):10o在制备空穴传输层31和电子传输层35时,通过控制各镀源的蒸镀速率，以实现相应镀源之间的均匀掺杂，并控制相应镀源掺杂的比例，以分别获得结构均匀且稳定的空穴传输层31和电子传输层35。另外，通过对蒸镀时间和蒸镀速率的控制，实现对有机功能层3中各功能层后度的控制。
[0040]具体地，上述步骤S04中，将镀有有机功能层3的衬底置于镀膜系统中，以阴极材料为镀源在有机功能层3外表面进行镀膜，形成阴极层4。其蒸镀条件采用本领域常规的工艺条件即可。如其蒸镀速度为0.5nm/s,通过控制蒸镀时间,使得阴极层4的厚度为lOOnm。
[0041]由上述可知，上述有机电致发光装置制备方法将碘化亚铜与空穴传输基质材料为两独立的镀源，或进一步的以碱金属掺杂剂与电子传输基质材料为两独立的镀源，并通过控制各镀源的蒸镀速率，制备出结构均勻且稳定的空穴传输层掺杂结构和电子传输层，有效降低了空穴传输层和电子传输层的内电阻，分别提高了空穴传输层和电子传输层对载流子传输效率，从而赋予有机电致发光装置高的发光效率和低的启动电压等优异性能。另外，该方法工艺简单，条件易控，产品合格率高，有效提高了生产效率，适于产业化生产。
[0042]现结合具体实例，对本发明实施例有机电致发光装置的结构及其制备方法进行进一步详细说明。
[0043]实施例1
[0044]一种有机电致发光装置，其结构为玻璃基板/ITO (IOOnm) /Cu1: CuPc (20nm) /TAPC (IOnm) /DCJTB: Alq3 (20nm) /BAlq (IOnm) /Cs2CO3: TPBi (20nm) /Al (IOOnm)。其中，空穴传输层为CuI与CuPc的互相掺杂的混合物层，且CuI在空穴传输层中的掺杂的质量百分比为2% ；电子传输层为Cs2CO3与TPBi的互相掺杂的混合物层,且Cs2CO3在电子传输层中的掺杂的质量百分比为2%。
[0045]该有机电致发光装置制备方法包括以下几个步骤:
[0046]步骤Sll.提供玻璃衬底:将玻璃衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干备用；
[0047]步骤S12.在磁控溅射系统中，在步骤Sll中的玻璃衬底上制备ITO阳极层，并对阳极层进行如上文所述的等离子处理；
[0048]步骤S13.在真空镀膜系统中，在步骤S12中制备的ITO阳极层外表面依次蒸镀Cu1: CuPc空穴传输层，TPAC电子阻挡层，DCJTB: Alq3发光层，BAlq空穴阻挡层，Cs2CO3: TPBi电子传输层；
[0049]其中，蒸镀Cu1: CuPc空穴传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的CuI和CuPc分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得空穴传输层；具体地，CuI的蒸镀速度在0.01nm/s, CuPc的蒸镀速度为0.5nm/s ；
[0050]蒸镀Cs2CO3 = TPBi电子传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的Cs2CO3和TPBi分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得电子传输层；具体地，Cs2CO3的蒸镀速度在0.01nm/s, TPBi的蒸镀速度为0.5nm/s ；
[0051]步骤S14:在真空镀膜系统中，在电子注入层外表面蒸镀阳极Al层，形成阴极，得到有机电致发光装置。
[0052]实施例2
[0053]一种有机电致发光装置，其结构为玻璃基板ITO (IOOnm) /Cu1: ZnPc (40nm) /TAPC (IOnm) /DCJTB: Alq3 (20nm) /BAlq (IOnm) /Li2CO3:BPhen (40nm) /Al (IOOnm)。其中，空穴传输层为CuI与ZnPc的互相掺杂的混合物层，且CuI在空穴传输层中的掺杂的质量百分比为5% ;电子传输层为Li2CO3与BPhen的互相掺杂的混合物层，且Li2CO3在电子传输层中的掺杂的质量百分比为5%。
[0054]该有机电致发光装置制备方法包括以下几个步骤:
[0055]步骤S21.提供玻璃衬底:将玻璃衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干备用；
[0056]步骤S22.在磁控溅射系统中，在步骤S21中的玻璃衬底上制备ITO阳极层，并对阳极层进行如上文所述的等离子处理；
[0057]步骤S23.在真空镀膜系统中，在步骤S22中制备的ITO阳极层外表面依次蒸镀CuI = ZnPc空穴传输层，TPAC电子阻挡层，DCJTB = Alq3发光层，BAlq空穴阻挡层，Li2CO3IBPhen电子传输层；
[0058]其中，蒸镀Cu1: ZnPc空穴传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的CuI和ZnPc分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得空穴传输层；具体地，CuI的蒸镀速度在0.02nm/s, ZnPc的蒸镀速度为0.4nm/s ；
[0059]蒸镀Li2CO3 = BPhen电子传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的Li2CO3和BPhen分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得电子传输层；具体地，Li2CO3的蒸镀速度在0.02nm/s, BPhen的蒸镀速度为0.4nm/s ；
[0060]步骤S24:在真空镀膜系统中，在电子注入层外表面蒸镀阳极Al层，形成阴极，得到有机电致发光装置。
[0061]实施例3
[0062]一种有机电致发光装置，其结构为玻璃基板/ITO (IOOnm) /Cu1: VOPc (60nm) /TAPC(IOnm) /DCJTB:Alq3(20nm) /BAlq(IOnm) /CsN3:BCP (60nm) /Al (IOOnm)。其中，空穴传输层为CuI与VOPc的互相掺杂的混合物层，且CuI在空穴传输层中的掺杂的质量百分比为10% ;电子传输层为CsN3与BCP的互相掺杂的混合物层，且CsN3在电子传输层中的掺杂的质量百分比为15%。
[0063]该有机电致发光装置制备方法包括以下几个步骤:
[0064]步骤S31.提供玻璃衬底:将玻璃衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干备用；
[0065]步骤S32.在磁控溅射系统中，在步骤S31中的玻璃衬底上制备ITO阳极层，并对阳极层进行如上文所述的等离子处理；
[0066]步骤S33.在真空镀膜系统中，在步骤S32中制备的ITO阳极层外表面依次蒸镀CuIiVOPc空穴传输层，TPAC电子阻挡层，DCJTB = Alq3发光层，BAlq空穴阻挡层，CsN3 = BCP电子传输层；
[0067]其中，蒸镀CuI = VOPc空穴传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的CuI和VOPc分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得空穴传输层；具体地，CuI的蒸镀速度在0.05nm/s, VOPc的蒸镀速度为0.5nm/s ；
[0068]蒸镀CsN3 = BCP电子传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的CsN3和BCP分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得电子传输层；具体地，CsN3的蒸镀速度在0.06nm/s, BCP的蒸镀速度为0.4nm/s ；[0069]步骤S34:在真空镀膜系统中，在电子注入层外表面蒸镀阳极Al层，形成阴极，得到有机电致发光装置。
[0070]实施例4
[0071 ] 一种有机电致发光装置，其结构为玻璃基板/ITO (IOOnm) /Cu1: TiOPc (80nm) /TAPC (IOnm) /DCJTB: Alq3 (20nm) /BAlq (IOnm) /LiN3: Alq3 (80nm) /Al (IOOnm)。其中，空穴传输层为CuI与TiOPc的互相掺杂的混合物层，且CuI在空穴传输层中的掺杂的质量百分比为8% ;电子传输层为LiN3与Alq3的互相掺杂的混合物层，且LiN3在电子传输层中的掺杂的质量百分比为15%。
[0072]该有机电致发光装置制备方法包括以下几个步骤:
[0073]步骤S41.提供玻璃衬底:将玻璃衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干备用；
[0074]步骤S42.在磁控溅射系统中，在步骤S41中的玻璃衬底上制备ITO阳极层，并对阳极层进行如上文所述的等离子处理；
[0075]步骤S43.在真空镀膜系统中，在步骤S42中制备的ITO阳极层外表面依次蒸镀CuIiTiOPc空穴传输层，TPAC电子阻挡层，DCJTBiAlq3发光层，BAlq空穴阻挡层，LiN3 = Alq3电子传输层；
[0076]其中，蒸镀CuI = TiOPc空穴传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的CuI和TiOPc分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得空穴传输层；具体地，CuI的蒸镀速度在0.04nm/s, TiOPc的蒸镀速度为0.5nm/s ；
[0077]蒸镀LiN3 = Alq3电子传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的LiN3和Alq3分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得电子传输层；具体地，LiN3的蒸镀速度在0.06nm/s, Alq3的蒸镀速度为0.4nm/s ；
[0078]步骤S44:在真空镀膜系统中，在电子注入层外表面蒸镀阳极Al层，形成阴极，得到有机电致发光装置。
[0079]实施例5
[0080]一种有机电致发光装置，其结构为玻璃基板/ITO (IOOnm) /Cu1: CoPc (IOOnm) /TAPC (IOnm) /DCJTB: Alq3 (20nm) /BAlq (IOnm) /CsF:BAlq (IOOnm) /Al (IOOnm)。其中，空穴传输层为CuI与CoPc的互相掺杂的混合物层，且CuI在空穴传输层中的掺杂的质量百分比为10% ;电子传输层为CsF与BAlq的互相掺杂的混合物层，且CsF在电子传输层中的掺杂的质量百分比为20%。
[0081]该有机电致发光装置制备方法包括以下几个步骤:
[0082]步骤S51.提供玻璃衬底:将玻璃衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干备用；
[0083]步骤S52.在磁控溅射系统中，在步骤S51中的玻璃衬底上制备ITO阳极层，并对阳极层进行如上文所述的等离子处理；
[0084]步骤S53.在真空镀膜系统中，在步骤S52中制备的ITO阳极层外表面依次蒸镀CuIiCoPc空穴传输层，TPAC电子阻挡层，DCJTBiAlq3发光层，BAlq空穴阻挡层，CsFiBAlq电子传输层；
[0085]其中，蒸镀Cu1: CoPc空穴传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的CuI和CoPc分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得空穴传输层；具体地，CuI的蒸镀速度在0.05nm/s, CoPc的蒸镀速度为0.5nm/s ；
[0086]蒸镀CsF = BAlq电子传输层的方法为:在真空镀膜系统中，把掺杂用的CsF和BAlq分别至于两个蒸发源中，通过调节加热速度与热量供给，进行同时蒸镀，制得电子传输层；具体地，CsF的蒸镀速度在0.05nm/s, BAlq的蒸镀速度为0.lnm/s ；
[0087]步骤S54:在真空镀膜系统中，在电子注入层外表面蒸镀阳极Al层，形成阴极，得到有机电致发光装置。
[0088]实施例6
[0089]一种有机电致发光装置，其结构为玻璃基板/ITO (IOOnm) /Cu1: CuPc (20nm) /TAPC(IOnm) /DCJTB: Alq3 (20nm) /BAlq(IOnm) /TPBi (20nm) /Al (IOOnm)。其中，空穴传输层为CuI与CuPc的互相掺杂的混合物层，且CuI在空穴传输层中的掺杂的质量百分比为2% ；电子传输层为非掺杂结构。
[0090]该有机电致发光装置制备方法掺见实施例1。
[0091]对比例I
[0092]一种有机电致发光装置，其结构为玻璃基板/ITO (IOOnm) /CuPc (20nm) /TAPC (IOnm) /DCJTB:Alq3 (20nm) /BAlq (IOnm) /TPBi (20nm) /Al (IOOnm);相比实施例1，本对
比例I中的有机电致发光装置没有采用掺杂的传输层结构。
[0093]有机电致发光装置进行发光性能测试
[0094]将上述实施例1，6与对比例I制备`的有机电致发光装置在起始亮度为2000cd/m2下的亮度衰减测试，测试结果如图3所示。由图3可明显看出，采用了掺杂的空穴、电子传输层结构，使得有机电致发光装置的驱动电流较小，因而可以获得较长的使用寿命。
[0095]将上述实施例1至实施例6和对比例I制备的有机电致发光装置进行发光性能测试，测试结果如下述表1:
[0096]表1
【权利要求】
1.一种有机电致发光装置，包括依次层叠结合的衬底层、阳极层、有机功能层和阴极层，其特征在于:所述有机功能层包括空穴传输层和在外加电源驱动下发光的发光层，所述空穴传输层层叠结合在所述阳极层与发光层之间，其中，所述空穴传输层的空穴传输基质材料中掺杂有碘化亚铜，所述碘化亚铜与空穴传输材料质量比为0.2?10:100。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于:所述空穴传输层的厚度为20 ?lOOnm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于:所述空穴传输基质材料为金属酞菁化合物。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于:所述有机功能层还包括电子传输层，所述电子传输层层叠结合在所述阴极层与发光层之间，其中，所述电子传输层中掺杂有质量百分含量为2?20%的碱金属掺杂剂。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光装置，其特征在于:所述碱金属掺杂剂为碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯、碳酸铯、氟化铯中的至少一种。
6.根据权利要求4或5所述的有机电致发光装置，其特征在于:所述电子传输层的厚度为20?IOOnm0
7.如权利要求1?6任一项所述的有机电致发光装置制备方法，在制备所述阳极层与发光层的步骤之间，包括制备所述空穴传输层的步骤: 在镀膜系统中，以碘化亚铜和空穴传输基质材料为两独立的镀源进行镀膜，形成所述空穴传输层，其中，碘化亚铜与空穴传输基质材料的蒸镀速率之比为(0.2?I):10。
8.如权利要求7所述的有机电致发光装置制备方法，其特征在于:所述空穴传输基质材料为金属酞菁化合物。
9.如权利要求7或8所述的有机电致发光装置制备方法，其特征在于:在制备所述发光层与阴极层的步骤之间，还包括制备电子传输层的步骤: 在镀膜系统中，以碱金属掺杂剂和电子传输基质材料为两独立的镀源进行镀膜，形成所述电子传输层，其中，碱金属掺杂剂与电子传输基质材料的蒸镀速率之比为(0.2?2):10。
10.如权利要求9所述的有机电致发光装置制备方法，其特征在于:所述电子传输基质材料为(8-羟基喹啉)_铝、4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲、双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI, 08)-(1, I’-联苯-4-羟基)铝中的至少一种。
【文档编号】H01L51/56GK103855309SQ201210504763
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2012年11月30日 优先权日:2012年11月30日
【发明者】周明杰, 王平, 冯小明, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司