专利名称：一种新型结构晶闸管的制作方法
技术领域：
本实用新型属于一种电力电子器件，尤其是一种适用于机电设备中马达控制的晶 闸管。
背景技术：
晶闸管是一种三端器件两根主电极和一根栅极。晶闸管和一般的半导体器件相同，内部采用键合工艺进行引线连接。现有技术中，晶闸管采用对称引线框架，主电极的键合位置有限，无法键合多根粗铝线，导致晶闸管的电流容量受到限制。为了提高功率器件内引线的电流容量，现在已经出现了铜带/铜片结构的内引线，可以大幅度提高功率器件内引线的电流容量。但是，采用铜带/铜片结构的内引线，功率器件制造厂，需要大幅度技术改造，投资大，回收慢。而铝线和铜片的导电能力差别，可以通过增加铝线数量来弥补。
实用新型内容从背景技术可知，实践中，有许许多多产品不需要采用铜带/铜片结构的内引线，在原有的铝线结构下，增加r2根粗铝线，就有足够的电流容量。本实用新型的目的就在于，发明一种主电极引线键合区上能够键合更多铝线的新型结构的晶闸管。本实用新型的晶闸管，含有两根主电极和一根栅极，主电极一的外引线与引线框架散热板直接连接，弓I线框架散热板与芯片背面以焊料连接，主电极二的外弓I线和栅极外引线通过内引线连接到各自的键合区；键合区设置在引线框架散热板上；其特征是所述的主电极一的外引线与引线框架散热板的连接部，设有往栅极方向的弯曲部；主电极二的外引线在根部设有横向加长焊接区，横向加长焊接区上设有多根内引线连接到引线框架的主电极二键合区上；所述主电极二键合区面积是栅极键合区的2 4倍。优选的:所述的主电极二键合区呈“ P ”形，栅极键合区设置在右下角缺口处。进一步优选所述的连接横向加长焊接区和主电极二键合区的内引线设有2根。本实用新型将晶闸管的引线框架设计成非对称结构，加大主电极的键合位置面积，使主电极的内引线可以增加到多根，从而加大了晶闸管内引线的电流容量。
图1，采用T0-220型封装的晶闸管结构图；图2，采用T0-251/252型封装的晶闸管结构图。
具体实施方式
本实用新型有两种结构，如图1、2所示。附图I为T0-220封装的晶闸管结构，图2为T0-251/252封装的晶闸管结构，两者仅是外形结构不同，内部结构相同，本实用新型结构可以适用这两类封装形式。外层是塑封体，内部结构具有引线框架散热板4、芯片、焊料、内引线，外引线有一个栅极3和主电极一外引线I和主电极二外引线2，外引线延伸到塑封体外面，成为该器件的脚。芯片与引线框架散热板4的粘结用焊料，芯片上的电极与外引线的连接是内引线，内引线与芯片和外引线的连接采用用键合工艺，键合的具体点就是键合点。主电极一的外引线I与引线框架散热板4连接，其连接处设置一个向栅极侧的弯曲部11，用来给主电极二的外引线2腾出空间，这样，主电极二的外引线的根部设置有横向加长焊接区21，明显的，由于空间的增加，这个区域比栅极外引线3根部的焊接区要大。同时，主电极二键合区5为“
权利要求1.一种新型结构的晶闸管，含有两根主电极和一根栅极，主电极一的外引线(I)与引线框架散热板(4)直接连接，引线框架散热板(4)与芯片背面以焊料连接，主电极二的外引线(2)和栅极外引线(3)通过内引线连接到各自的键合区；键合区设置在引线框架散热板上，其特征是所述的主电极一的外引线(I)与引线框架散热板(4)的连接部，设有往栅极方向的弯曲部(11);主电极二的外引线(2)在根部设有横向加长焊接区(21 )，横向加长焊接区(21)上设有多根内引线(6)连接到引线框架的主电极二键合区(5)上；所述主电极二键合区(5 )面积是栅极键合区(7 )的2 4倍。
2.根据权利要求I所述的晶闸管，其特征是所述的主电极二键合区(5)呈“ ”形，栅极键合区(7)设置在右下角缺口处。
3.根据权利要求I所述的晶闸管，其特征是所述的横向加长焊接区(21)上设置的内引线(6)为两根。
专利摘要本实用新型涉及一种新型结构的晶闸管，含有两根主电极和一根栅极，主电极一的外引线与引线框架散热板直接连接，主电极二的外引线和栅极外引线；其特征是所述的主电极一的外引线与引线框架散热板的连接部，设有往栅极方向的弯曲部；主电极二的外引线在根部设有横向加长焊接区，横向加长焊接区上设有多根内引线连接到引线框架的主电极一键合区上；所述主电极一键合区面积是栅极键合区的2~4倍。本实用新型的引线框架为非对称结构，加大主电极的键合位置面积，使主电极的内引线可以增加到多根，从而加大了晶闸管内引线的电流容量，有利于电子设备的稳定性和可靠性。
文档编号H01L29/74GK202495446SQ201220072740
公开日2012年10月17日 申请日期2012年3月1日 优先权日2012年3月1日
发明者赵振华 申请人:无锡罗姆半导体科技有限公司, 赵振华