太阳能电池和使用其的太阳能电池模块的制作方法
【专利摘要】公开了一种太阳能电池和使用该太阳能电池的太阳能电池模块。根据实施例的太阳能电池包括：在支撑基板上的台阶部分；在所述支撑基板和所述台阶部分上的背电极层，具有第一高度差；在所述背电极层上的光吸收层，具有第二高度差；以及在所述光吸收层上的前电极层，具有第三高度差。根据实施例的太阳能电池模块包括：在支撑基板上的台阶部分；在所述支撑基板上的第一太阳能电池；以及在所述台阶部分上的第二太阳能电池，其中所述第一太阳能电池在所述台阶部分的侧边处电性连接到所述第二太阳能电池。
【专利说明】太阳能电池和使用其的太阳能电池模块
【技术领域】
[0001]实施例涉及一种太阳能电池和使用其的太阳能电池模块。
【背景技术】
[0002]最近，由于严重的环境污染和化石燃料短缺，新的可再生能源的发展变得越来越重要并且倍受关注。在这些新的可再生能源之中，太阳能电池作为解决未来能源问题的无污染能源而引人注目，因为太阳能电池几乎不造成环境污染并且具有半永久使用寿命，并且存在用于太阳能电池的无限资源。
[0003]太阳能电池可以定义为当光入射到P-N结二极管上时通过使用产生电子的光伏效应而将光能转换成电能的装置。根据构成结二极管的材料，太阳能电池可以分为硅太阳能电池、主要包括1-1I1-VI族化合物或II1-V族化合物的化合物半导体太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机太阳能电池。
[0004]由CIGS (CuInGaSe) (1-1I1-VI族黄铜矿类化合物半导体的一种)制成的太阳能电池表现出更为出色的光吸收性，更高的光电转换效率且厚度很薄，以及出色的电光稳定性，所以CIGS太阳能电池作为常规的硅太阳能电池的替代物而引人注目。
[0005]通常，CIGS太阳能电池可以通过在玻璃基板上顺序地形成背电极层、光吸收层、缓冲层和前电极层来制造。基板可以通过使用多种材料来制备，例如，钠钙玻璃、不锈钢和聚酰亚胺(PI)。钥(Mo)主要用作背电极层的材料，因为Mo具有与玻璃基板相似的低电阻率和热膨胀系数。
[0006]光吸收层是P型半导体层，并且主要包括CuInSe2或Cu(InxGah)Se2 (用Ga替代一部分In获得的)。光吸收层可以通过多种工艺来形成，例如，蒸镀工艺、溅镀工艺、硒化工艺或电镀工艺。
[0007]缓冲层设置在晶格常数和能带隙存在很大差别的光吸收层和前电极层之间，以在两者之间形成出色的结。缓冲层主要包括通过化学浴沉积(CBD)制备的硫化镉。
[0008]前电极层是N型半导体层，并且相对于光吸收层和缓冲层一起形成PN结。此外，由于前电极层在太阳能电池的前表面处充当透明电极，所以前电极层主要包括具有出色的透光率和导电率的掺杂铝的氧化锌(ΑΖ0)。韩国专利注册号N0.10-0999810中详细公开了CIGS太阳能电池的结构及其制造方法。
[0009]太阳能电池的最小单位被称为单元电池(cell)。通常，一个单元电池产生非常小的电压，约0.5V至约0.6V。因此，使用平板形式的太阳能电池模块，这种太阳能电池模块通过在基板上互相串联多个单元电池以产生几伏特至几百伏特的电压而制造。
[0010]图1是示出了根据相关技术的太阳能电池模块的剖视图。参见图1，第一单元电池Cl的前电极层60与第二单元电池C2的背电极层21接触，所以第一单元电池Cl连接到第二单元电池C2。第一单元电池Cl的前电极层60在垂直方向上突然弯折并且连接到第二单元电池C2的背电极层21。然而，如果前电极层60弯折，那么它会干扰前电极层60中的电子运动，所以会增大单元电池之间的连接电阻。
【发明内容】
[0011]技术问题
[0012]实施例提供了一种太阳能电池和使用该太阳能电池的太阳能电池模块，所述太阳能电池容易制造并且具有改善的光电转换效率。
[0013]技术方案
[0014]根据实施例的太阳能电池包括:在支撑基板上的台阶部分；在所述支撑基板和所述台阶部分上的背电极层，具有第一高度差；在所述背电极层上的光吸收层，具有第二高度差；以及在所述光吸收层上的前电极层，具有第三高度差。
[0015]根据实施例的太阳能电池模块，包括:在支撑基板上的台阶部分；在所述支撑基板上的第一太阳能电池；以及在所述台阶部分上的第二太阳能电池，其中所述第一太阳能电池在所述台阶部分的侧边处电性连接到所述第二太阳能电池。
[0016]根据实施例的用于制造太阳能电池模块的方法，所述方法包括:在包括台阶部分的支撑基板上形成背电极层；在所述背电极层上形成光吸收层；以及在所述光吸收层上形成前电极层。
[0017]有益效果
[0018]根据实施例的太阳能电池包括形成在所述支撑基板上的台阶部分。由于台阶部分，所以形成在支撑基板上的背电极层、光吸收层和前电极层可以分别具有高度差。
[0019]此外，在太阳能电池模块是通过连接多个太阳能电池来形成的情况中，将太阳能电池彼此连接的连接电极由于高度差可以几乎水平地彼此连接，所以可以扩大连接电极之间的接触面积。也就是说，根据实施例的太阳能电池模块可以减小由连接电极的弯折结构引起的接触电阻，并且可以提闻光电效率。
[0020]此外，粗糙图案由于台阶部分而形成在太阳能电池模块中。因此，可以提高太阳能电池模块与形成在太阳能电池模块上的各层之间的粘结强度，所以太阳能电池模块可以具有出色的稳定性和可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是示出了根据相关技术的太阳能电池的剖视图。
[0022]图2是示出了根据实施例的太阳能电池的剖视图。
[0023]图3是示出了根据实施例的太阳能电池的台阶部分的剖视图。
[0024]图4是示出了根据实施例的太阳能电池模块的剖视图。
[0025]图5至图9是示出了根据实施例的制造太阳能电池模块的方法的剖视图。
【具体实施方式】
[0026]在实施例的描述中，应理解，当基板、层、薄膜或电极被称为在另一个基板、另一个层、另一个薄膜或另一个电极“上”或“下”时，它可以“直接地”或“间接地”在另一个基板、另一个层、另一个薄膜或另一个电极上，或者还可以存在一个或多个中间层。已经参照附图描述了层的这种位置。为了说明的目的，可以夸大附图所示的元件大小，并且可以并非完全反映实际大小。[0027]图2是示出了根据实施例的太阳能电池的剖视图，并且图3是示出了根据实施例的太阳能电池的台阶部分的剖视图。
[0028]参见图2，根据实施例的太阳能电池包括支撑基板100、台阶部分110、背电极层200、光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和前电极层600。
[0029]支撑基板100支撑着台阶部分110、背电极层200、光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500和前电极层600。
[0030]支撑基板100具有高强度。例如，支撑基板100可以包括玻璃基板、陶瓷基板例如氧化铝、不锈钢基板、钛基板或聚合物基板。玻璃基板可以包括钠钙玻璃，并且聚合物基板可以包括聚酰亚胺。另外，支撑基板100可以是刚性的或柔性的。
[0031]台阶部分110设置在支撑基板100上。台阶部分110直接与支撑基板100接触。虽然在本申请中为了方便说明的目的，将台阶部分110与支撑基板100加以区分，但是实施例不限于此。例如，台阶部分110可以与支撑基板100形成为一体。具体地讲，台阶部分110可以通过刻蚀支撑基板100的一部分来形成。例如，可以通过喷砂工艺来图案化支撑基板100而形成台阶部分110。
[0032]参见图3，台阶部分110的侧边相对于支撑基板100倾斜。具体地讲，台阶部分110可以包括相对于支撑基板100倾斜的第一侧边111以及与第一侧边111相对应的、相对于支撑基板100倾斜的第二侧边112。第一侧边111和第二侧边112设置成彼此相对。
[0033]当支撑基板100与第一侧边111之间的倾角是Θ I并且支撑基板100与第二侧边112之间的倾角是Θ 2时，倾角01和θ2可以分别在约10°至约90°的范围内。具体地讲，倾角9:和θ2可以分别在约10°至约30°的范围内，但是实施例不限于此。
[0034]此外，倾角Q1等于或不同于倾角θ2。例如，倾角θ2可以大于倾角Q1，但是实施例不限于此。
[0035]另外，参见图2和图3，台阶部分的侧边是平的，但是实施例不限于此。例如，台阶部分的侧边可以是弯折的或平滑地弯曲的。
[0036]台阶部分110具有高度h。具体地讲，台阶部分110的高度h在约1.5 μ m至约Imm的范围内，但是实施例不限于此。由于台阶部分110，所以形成在支撑基板100上的背电极层200、光吸收层300和前电极层600可以具有高度差。此外，在太阳能电池模块是通过连接多个太阳能电池而形成的情况中，由于台阶部分110的高度h，所以将太阳能电池彼此连接的连接电极可以几乎水平地彼此连接。因此，根据实施例的太阳能电池模块可以减小由连接电极的弯折结构引起的接触电阻，并且可以扩大连接电极之间的接触面积，随后将会参照太阳能电池模块更加详细地描述。
[0037]根据一个实施例，当台阶部分110的高度是h，背电极层200的厚度是匕并且光吸收层300的厚度是hP时，台阶部分110的高度可以与背电极层200的厚度hB和光吸收层300的厚度hP的总和相似或相同。例如，根据实施例的太阳能电池可以满足等式h=Y (hB+hP)，其中Y在约0.7至约1.3的范围内，但是实施例不限于此。
[0038]参见图3，台阶部分110的顶面113的宽度Wl可以比台阶部分110的底面的宽度W2窄。台阶部分110的底面与支撑基板100直接接触。
[0039]此外，虽然台阶部分110具有锋利边缘，但是实施例不限于此。例如，台阶部分110可以具有弯曲边缘。如果台阶部分110具有弯曲边缘，那么形成在台阶部分110上的背电极层200和前电极层600可以具有弯曲形状。因此，实施例可以减小连接电极的弯折结构引起的接触电阻。
[0040]背电极层200设置在支撑基板100和台阶部分110上。背电极层200是导电层。背电极层200可以包括选自由以下物质组成的组中的一种:钥(Mo)、金(Au)、铝(Al)、铬(Cr)、钨(W)和铜(Cu)。在上述材料之中，Mo的热膨胀系数与支撑基板100的热膨胀系数相似，所以Mo可以提高粘结性能，并且防止背电极层200从支撑基板100剥落。
[0041]具体地讲，背电极层200与支撑基板100的顶面、台阶部分110的顶面以及台阶部分Iio的侧边直接接触。同时，参见图2，背电极层200仅仅设置在台阶部分110的一个侧边上，但是实施例不限于此。例如，背电极层200可以设置在台阶部分110的两个侧边上。
[0042]背电极层200由于台阶部分110而可以具有第一高度H1。具体地讲，背电极层200由于台阶部分110而可以具有高度差。例如，第一高度Hl在约1.5 μ m至约Imm的范围内，但是实施例不限于此。
[0043]光吸收层300设置在背电极层200上。光吸收层300包括1-1I1-VI族化合物。例如，光吸收层 300 可以具有 CIGSS (Cu (IN, Ga) (Se, S)2)晶体结构、CISS (Cu(IN) (Se, S)2)晶体结构或CGSS (Cu(Ga) (Se, S)2)晶体结构。此外，光吸收层300的能带隙在约IeV至约
1.8eV的范围内。
[0044]光吸收层300由于台阶部分110而可以具有第二高度H2。具体地讲，光吸收层300由于台阶部分110而可以具有高度差。例如，第二高度H2在约1.5 μ m至约Imm的范围内，但是实施例不限于此。
[0045]缓冲层400设置在光吸收层300上。缓冲层400可以包括CdS、ZnS、InxSY或InxSeyZn (O, OH)。缓冲层400的厚度可以在约50nm至约150nm的范围内，并且能带隙在约
2.2eV至约2.4eV的范围内。
[0046]高电阻缓冲层500设置在缓冲层400上。高电阻缓冲层500包括无掺杂的i_ZnO。高电阻缓冲层500的能带隙可以在约3.1eV至约3.3eV的范围内。高电阻缓冲层500可以被省略。缓冲层400和高电阻缓冲层500由于台阶部分110可以分别具有高度差。
[0047]前电极层600可以设置在光吸收层300上。例如，前电极层600可以与形成在光吸收层300上的高电阻缓冲层500直接接触。
[0048]前电极层600可以包括透明导电材料。此外，前电极层600可以具有N型半导体的特性。在这种情况下，前电极层600与缓冲层400 —起形成N型半导体，以便与充当P型半导体层的光吸收层300 —起形成PN结。例如，前电极层600可以包括掺杂铝的氧化锌(AZO)0前电极层600的厚度可以在约IOOnm至约500nm的范围内。
[0049]前电极层600由于台阶部分110而可以具有第三高度H3。具体地讲，前电极层600由于台阶部分110而可以具有高度差。例如，第三高度H3在约1.5 μ m至约Imm的范围内，但是实施例不限于此。
[0050]图4是示出了根据实施例的太阳能电池模块的剖视图。有关太阳能电池的上述说明通过引用的方式并入本文中。
[0051]参见图4，根据实施例的太阳能电池模块包括支撑基板100、台阶部分110、第一太阳能电池Cl和第二太阳能电池C2。虽然图4仅仅图示了两个太阳能电池Cl和C2，但是实施例不限于此。也就是说，根据实施例的太阳能电池模块可以包括至少两个太阳能电池。[0052]第一太阳能电池Cl可以包括形成在支撑基板100上的第一背电极层210、形成在第一背电极层210上的第一光吸收层310以及形成在第一光吸收层310上的第一前电极层610。此外，如图4所示，第一太阳能电池Cl可以进一步包括第一缓冲层410和第一高电阻缓冲层510。
[0053]第二太阳能电池C2可以包括形成在台阶部分110上的第二背电极层220、形成在第二背电极层220上的第二光吸收层320以及形成在第二光吸收层320上的第二前电极层620。此外，类似于第一太阳能电池Cl，第二太阳能电池C2可以进一步包括第二缓冲层420和第二高电阻缓冲层520。
[0054]第一太阳能电池Cl电性连接到第二太阳能电池C2。具体地讲，第一和第二太阳能电池Cl和C2通过第一太阳能电池Cl的第一前电极层610和第二太阳能电池C2的第二背电极层220电性连接彼此。具体地讲，第一太阳能电池Cl的第一前电极层610与第二太阳能电池C2的第二背电极层220接触，使得第一和第二太阳能电池Cl和C2彼此电性连接。也就是说，第一前电极层610和第二背电极层220可以分别充当连接电极。
[0055]如图4所示，第一前电极层610在台阶部分110的侧边处与第二背电极层220接触。因此，第一和第二太阳能电池Cl和C2在台阶部分110的侧边处彼此电性连接。
[0056]形成在支撑基板100上的第一前电极层610连接到形成在台阶部分110上的第二背电极层220，并且由于台阶部分110，可以减小第一前电极层610的弯折。
[0057]具体地讲，第一前电极层610水平地延伸以便与第二背电极层220接触。与此同时，第一前电极层610覆盖第二背电极层220的顶面和侧边。
[0058]如上所述，根据实施例的太阳能电池模块，将太阳能电池彼此连接的连接电极由于台阶部分110的高度差而几乎水平地彼此连接，所以可以进一步扩大连接电极之间的接触面积。因此，根据实施例的太阳能电池模块可以减小由于连接电极的弯折结构引起的接触电阻，使得可以提高太阳能电池模块的光电转换效率。
[0059]如图4所示，第一前电极层610与第二前电极层620间隔开。此外，第一背电极层210与第二背电极层220间隔开。由于第一背电极层210与第二背电极层220间隔开，所以太阳能电池模块可以分成多个太阳能电池Cl和C2。
[0060]同时，虽然图未示出，但是聚合物树脂层(未示出)和保护平板(未示出)可以额外地形成在太阳能电池模块上。聚合物树脂层可以提高太阳能电池模块与保护平板之间的粘结强度，并且可以保护太阳能电池模块免受外部冲击的影响。例如，聚合物树脂层可以包括乙烯醋酸乙烯酯(EVA)薄膜，但是实施例不限于此。
[0061]保护平板保护太阳能电池模块免受外部物理冲击和/或杂质的影响。保护平板是透明的并且可以包括钢化玻璃。例如，钢化玻璃可以包括低铁钢化玻璃。
[0062]如上所述，根据实施例的太阳能电池模块包括台阶部分110。此外，由于台阶部分110，在根据实施例的太阳能电池模块中可以形成粗糙图案。与不具有粗糙图案的太阳能电池模块相比，具有粗糙图案的太阳能电池模块可以提高太阳能电池模块与形成在太阳能电池模块上的各层之间的粘合强度。也就是说，根据实施例的太阳能电池模块，由于粗糙图案，所以可以提高太阳能电池模块与聚合物树脂层之间的粘合强度以及太阳能电池模块与保护平板之间的粘合强度。因此，可以提高根据实施例的太阳能电池模块的稳定性和可靠性。[0063]图5至图10是示出了根据实施例的制造太阳能电池模块的方法的剖视图。有关太阳能电池和太阳能电池模块的上述说明通过引用的方式并入本文中。
[0064]参见图5和图6，背电极层200形成在包括台阶部分110的支撑基板100上。背电极层220可以通过以下方式形成:在支撑基板100上形成背电极，然后形成划分背电极的第一图案P1。例如，可以通过光刻法来形成第一图案P1。
[0065]第一图案Pl可以形成在台阶部分110上。具体地讲，第一图案Pl可以形成在台阶部分110的侧边上。此外，第一图案Pl可以形成在相对于支撑基板100的垂直方向上。或者，第一图案Pl可以相对于支撑基板100倾斜。
[0066]背电极层200被第一图案Pl划分。具体地讲,背电极层200被第一图案Pl分成多个背电极。例如，第一图案Pl的宽度可以在约80 μ m至约200 μ m的范围内，但是实施例不限于此。
[0067]参见图7，光吸收层300、缓冲层400和高电阻缓冲层500形成在背电极层200上。例如，光吸收层300、缓冲层400和高电阻缓冲层500依次形成在背电极层200上，同时彼此接触。
[0068]可以通过溅镀工艺或蒸镀工艺来形成光吸收层300。
[0069]具体地讲，光吸收层300可以通过各种方案来形成，例如，通过同时或分别地蒸镀Cu、In、Ga和Se的方案以及在形成金属前体层之后执行硒化工艺的方案来形成Cu (In, Ga)Se2 (CIGS)基光吸收层300。关于在形成了金属前体层之后执行硒化工艺的细节，通过应用Cu靶、In靶或Ga靶的溅镀工艺在背电极层200上形成金属前体层。
[0070]此后，金属前体层经过硒化工艺以便形成Cu (In，Ga) Se2 (CIGS)基光吸收层300。
[0071]此外，可以同时执行应用Cu靶、In靶和Ga靶的溅镀工艺以及硒化工艺。
[0072]另外，可以通过只应用Cu靶和In靶，或者只应用Cu靶和Ga靶的溅镀工艺以及硒化工艺来形成CIS或CIG基光吸收层300。
[0073]第二图案P2形成在光吸收层300、缓冲层400和高电阻缓冲层500上。第二图案P2形成在台阶部分110上。例如，第二图案P2可以形成在台阶部分110的侧边和顶面上。此外，第二图案P2可以仅仅形成在台阶部分110的侧边上，但是实施例不限于此。
[0074]第二图案P2可以通过机械方案来形成，使得可以部分地暴露背电极层200。第二图案P2的宽度可以在约80 μ m至约200 μ m的范围内，但是实施例不限于此。此外，第二图案P2可以形成为与支撑基板100垂直。或者，第二图案P2可以相对于支撑基板100倾斜。
[0075]参见图8和图9，前电极层600通过在高电阻缓冲层500上沉积透明导电材料而形成在高电阻缓冲层500上。前电极层600可以通过以下方式形成:在光吸收层300上形成前电极，然后形成用于划分前电极的第三图案P3。第三图案P3可以通过机械方案来形成，使得可以部分地暴露背电极层200。第三图案P3的宽度可以在约80 μ m至约200 μ m的范围内，但是实施例不限于此。
[0076]参见图9，第三图案P3形成为穿过光吸收层300、缓冲层400、高电阻缓冲层500以及前电极层600。也就是说，第三图案P3可以使太阳能电池Cl和C2彼此分开。
[0077]第三图案P3可以形成在台阶部分110上。具体地讲，第三图案P3可以形成在台阶部分110的顶面上，但是实施例不限于此。此外，第三图案P3可以形成为与支撑基板100垂直。或者，第三图案P3可以相对于支撑基板100倾斜。[0078]本说明书中任何参考“一个实施例”、“一种实施例”、“示例实施例”等的意思是结合该实施例描述特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。在本说明书中不同位置出现的这种短语并不一定全部指相同的实施例。另外，当结合任何实施例描述特定的特征、结构或特性时，所主张的是，结合这些实施例的其他实施例来实现这种特征、结构或特性在本领域技术人员的技术范围内。
[0079]尽管参照本发明的多个说明性实施例描述了实施例，但应当理解，本领域技术人员在本公开的精神和原理的范围内可以进行多种其他修改和实施例。更具体地讲，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内能够在所讨论的组合配置的组成零件和/或配置上进行多种变型和修改。除在组成零件和/或配置进行变型和修改之外，替代使用对本领域技术人员也是显见的。
【权利要求】
1.一种太阳能电池，包括: 在支撑基板上的台阶部分； 在所述支撑基板和所述台阶部分上的背电极层，具有第一高度差； 在所述背电极层上的光吸收层，具有第二高度差；以及 在所述光吸收层上的前电极层，具有第三高度差。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述台阶部分包括: 第一侧边，相对于所述支撑基板倾斜；以及 第二侧边，与所述第一侧边相对应地、相对于所述支撑基板倾斜。
3.如权利要求2所述的太阳能电池，其中，当所述支撑基板与所述第一侧边之间的倾角是Q1并且所述支撑基板与所述第二侧边之间的倾角是02时，所述倾角01和θ2分别在约10°至约90°的范围内。
4.如权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述台阶部分的顶面宽度比所述台阶部分的底面宽度窄。
5.如权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述背电极层形成在所述第一侧边和所述第二侧边两者上。
6.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述台阶部分与所述支撑基板形成为一体。
7.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一高度差至第三高度差以及所述台阶部分的高度分别在1.5 μ m至Imm的范围内。
8.一种太阳能电池模块，包括: 在支撑基板上的台阶部分； 在所述支撑基板上的第一太阳能电池；以及 在所述台阶部分上的第二太阳能电池， 其中，所述第一太阳能电池在所述台阶部分的侧边处电性连接到所述第二太阳能电池。
9.如权利要求8所述的太阳能电池模块，其中，所述第一太阳能电池包括依次形成在所述支撑基板上的第一背电极层、第一光吸收层和第一前电极层，并且所述第二太阳能电池包括依次形成在所述台阶部分上的第二背电极层、第二光吸收层和第二前电极层。
10.如权利要求9所述的太阳能电池模块，其中，所述第一前电极层通过与所述台阶部分的侧边上的所述第二背电极层直接接触而电性连接到所述第二背电极层。
11.如权利要求9所述的太阳能电池模块，其中，所述第一前电极层形成在所述第二背电极层的侧边上以及所述第二背电极层的顶面上。
12.如权利要求9所述的太阳能电池模块，其中，所述第一前电极层水平地延伸以与所述第二背电极层直接接触。
13.如权利要求9所述的太阳能电池模块，其中，所述第一前电极层与所述第二前电极层间隔开。
14.如权利要求8所述的太阳能电池模块，其中，所述台阶部分包括: 第一侧边，相对于所 述支撑基板倾斜；以及 第二侧边，与所述第一侧边相对应地、相对于所述支撑基板倾斜，并且 其中，当所述支撑基板与所述第一侧边之间的倾角是Θ i并且所述支撑基板与所述第二侧边之间的倾角是02时，所述倾角9:和02分别在约10°至约90°的范围内。
15.一种用于制造太阳能电池模块的方法，所述方法包括: 在包括台阶部分的支撑基板上形成背电极层； 在所述背电极层上形成光吸收层；以及 在所述光吸收层上形成前电极层。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述形成所述背电极层包括: 在包括所述台阶部分的所述支撑基板上形成背电极；以及 在所述台阶部分上形成划分所述背电极的第一图案。
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述第一图案形成在所述台阶部分的侧边上。
18.如权利要求15所述的方法，其中，所述形成所述光吸收层包括: 在所述背电极层上形成所述光吸收层；以及 在所述台阶部分上形成划分所述光吸收层的第二图案。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述第二图案形成在所述台阶部分的侧边上。
20.如权利要求15所述的方法，其中，所述形成所述前电极层包括:在所述光吸收层上形成前电极；以及 在所述台阶部分上形成划分所述前电极的第三图案。
【文档编号】H01L31/18GK103843148SQ201280048333
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年7月13日 优先权日:2011年8月1日
【发明者】朴起昆 申请人:Lg伊诺特有限公司