包含纳米结构的发光装置制造方法

包含纳米结构的发光装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及发光装置。所述发光装置包含：布置于阳极(2)和阴极(4)之间的发光层(20)；包含第一电荷传输材料并且布置于发光层和阳极之间的第一电荷传输层(8)；布置于第一电荷传输层和发光层之间、或者与第一电荷传输层和发光层接触的纳米结构材料(6)。
【专利说明】包含纳米结构的发光装置
【背景技术】
[0001]有机发光装置(OLED)在照明和显示应用中正变得越来越重要。然而，为了鼓励广泛使用，对OLED技术仍然可以做出显著的改进。例如，全内反射目前将从装置所提取的光的量限制到由OLED所发射的光的大约20-35%。尽管外部散射膜或微镜阵列(MLA)可以帮助提取一些发射光，但仍然需要其他方法来进一步提高装置的效率。
[0002]发明概述
[0003]将纳米结构材料掺入OLED装置的有机层中可以帮助改善从装置的有机模式(organic modes)的光提取
[0004]一些实施方式包括发光装置，该发光装置包含:布置于阳极和阴极之间的发光层；包含第一电荷传输材料并且布置于发光层和阳极或阴极之间的第一电荷传输层；布置于第一电荷传输层和发光层之间、或者与第一电荷传输层和发光层接触的纳米结构材料。在一些实施方式中，从装置发射的基本上所有光都可穿过第一电荷传输层。
[0005]本文中更详细地描述了这些实施方式和其他实施方式。
【专利附图】

【附图说明】
[0006]图1A是有机发光装置的一个实施方式的不意图。
[0007]图1B是纳米结构可以怎样基本上渗入纳米结构接触的层的一个例子的示意图。
[0008]图1C是纳米结构可以怎样基本上使纳米结构接触的层变形的一个例子的示意图。
[0009]图2A是有机发光装置的一个实施方式的示意图。
[0010]图2B是有机发光装置的一个实施方式的不意图。
[0011]图3A是有机发光装置的一个实施方式的不意图。
[0012]图3B是有机发光装置的一个实施方式的不意图。
[0013]图4A是帮助说明可以如何量化纳米结构的x、y和z维度的图。
[0014]图4B描绘了颗粒的理想化的例子，该颗粒可以被描述为在Xz面观察时的基本上矩形的、准平面的和/或被描述为曲形或波形纳米片。
[0015]图4C描绘了曲形或波形纳米片的一个例子。
[0016]图5描绘了大致胶囊形颗粒的理想例子。
[0017]图6A-6I描绘了各表面的扫描电子显微图像，这些表面包含以不同的沉积速率沉积的纳米结构的一些实施方式。
[0018]图7A-7B是各有机发光装置的实施方式的示意图。
[0019]图8是装置A (方形数据点)和对照装置I (三角形数据点)的发光效率和功率效率与亮度的图表。
[0020]图9是对照装置I (方形数据点)、对照装置2 (三角形数据点)和装置A的发光效率和功率效率的图表。
[0021]图10是对照装置I (方形数据点)、装置A(空心圆形数据点)和具有可选的光提取材料的装置A (菱形数据点)的发光效率和功率效率的图表。
[0022]图11是描绘了本文中所述装置的一些例子的发光效率和功率效率随沉积速率增加而增加的图。
[0023]图12A-C是描绘了装置B (具有各种掺杂物的Host-2)的发光效率、功率效率和外部量子效率的变化的图表。
[0024]发明详述
[0025]图1是本文中所描述的装置的一些实施方式的示意图。发光层20被布置于第一电极2和第二电极4之间。纳米结构材料6被布置在发光层20上,并且第一电荷传输层8被布置在纳米结构材料6和第一电极2之间。可选的第二电荷传输层9可以被布置于第二电极4和发光层20之间。装置中也可以存在其他层，例如电荷注入层(诸如电子注入层或空穴注入层)、电荷阻挡层(诸如电子阻挡层或空穴阻挡层)、空穴阻挡层等。
[0026]电极和电荷传输层的特征可取决于具体的装置结构。例如，如果第一电极2是阳极，那么第一电荷传输层8是空穴传输层，第二电极4是阴极，并且如果存在的话，第二电荷传输层9是电子传输层。相反，如果第一电极2是阴极,那么第一电荷传输层8是电子传输层，第二电极4是阳极，并且如果存在的话第二电荷传输层9是空穴传输层。因此，如果存在的话，空穴传输层可被布置于发光层和阳极之间，并且如果存在的话，电子传输层可被布置于发光层和阴极之间。
[0027]此外，光的方向可以取决于具体装置结构，例如顶部发射或底部发射。在一些实施方式中，纳米结构材料可以在从装置发射的光的路径中。在一些实施方式中，纳米结构材料可以不在从装置发射的光的路径中。在一些实施方式中，光可以从发光层20经由纳米结构材料6、第一电荷传输层8和第一电极2的方向发射。在一些实施方式中，由装置所发射的光的路径可以在远离纳米材料6的方向上。
[0028]纳米结构材料包括能够形成纳米结构的任意材料，无论其是否存在纳米结构。纳米结构材料诸如纳米结构材料6可以是以下形式的:布置于发光层和第一电荷传输层之间的表面上、或者与发光层和第一电荷传输层接触的表面上的多个纳米结构；和/或在过渡层中，该过渡层包含第一电荷传输材料和纳米结构材料的混合物并且被布置于发光层和第一电荷传输层之间。
[0029]在本发明所描绘或描述的一些图中，纳米结构材料被描绘为发光装置中的一个层。然而，纳米结构材料可以不是以传统意义上的层的形式。例如，纳米结构诸如纳米结构50可以基本上渗入纳米结构接触的层，例如电荷传输层8，如图1B中所示。纳米结构诸如纳米结构50也可以基本上使纳米结构接触的层变形，例如电荷传输层8，如图1C中所示。在一些实施方式中，纳米结构可以渗入层或使层变形该层厚度的至少约5%、至少约10%、至少约30%、至少约50%、至少约90%或至少约100%的，或者至少约lnm、至少约3nm、至少约5nm、至少约IOnm或至少约20nm,其中渗入的方向垂直于基本上由接触该纳米结构的层的表面所形成的平面。
[0030]在一些实施方式中，纳米结构可以基本上渗入发光层、电子传输层、空穴传输层、过渡层、空穴阻挡层、电子阻挡层或激子阻挡层或者使这些层变形。在一些实施方式中，纳米结构可以基本上渗入电子传输层或者使电子传输层变形。在一些实施方式中，纳米结构可以基本上渗入空穴传输层或者使空穴传输层变形。在一些实施方式中，纳米结构可以基本上渗入发光层或者使发光层变形。在一些实施方式中，纳米结构可以基本上渗入过渡层或者使过渡层变形。
[0031]与无纳米结构材料的类似装置相比(例如表1-5中所示)，包含纳米结构材料可以使OLED的光输出、发光效率或功率效率增长约2%至约60%、约5%至约60%、约10%至约 60%、约 10%至约 50% ;约 2%，诸如 2.22%或 2.28% ;约 4%，诸如 4.17%,3.51%或
4.08%;约 5%，诸如 4.54%;约 6%，诸如 5.88%;约 7%，诸如 6.67%;约 8%，诸如 7.84%或 7.94% ;约9%，诸如 9.46%或 9.52% ;约 10%，诸如 9.68% ;约 16%，诸如 16.13% ;约18%，诸如 18.31% ;约 21%，诸如 20.6% ;约 22%，诸如 22.65% ;约 25%，诸如 24.2% ;约28%，诸如 28.2%或 27.5% ;约 50%，诸如 51.9%或 53.9% ;约 60%，诸如 60.6%，或者任意这些值所界定的范围内或任意这些值之间的任意增量。
[0032]—些实施方式可以具有图2A和2B所表不的结构。发光层20被布置于阳极10和阴极35之间。可选的多个纳米结构50可以被布置于发光层20的表面21上。可选的过渡层60可以被布置于发光层20的表面21和空穴传输层15之间。可选的电子传输层30可以被布置于发光层20和阴极35之间。可选的光提取层200可以被布置于阳极10上。在一些实施方式中，阳极10可以被布置于透明基材上(未显示)。也可以存在其他层。
[0033]在一些实施方式中，光7可以从发光层20经由多个纳米结构50 (如果存在)、过渡层60(如果存在)、空穴传输层15、阳极10和光提取材料200(如果存在)的方向发射(图2A)。在一些实施方式中，光7可以从发光层20以远离多个纳米结构50 (如果存在)、经由电子传输层30(如果存在)并经由阴极35的方向发射(图2B)。
[0034]一些实施方式可以具有图3A-B所表示的结构。发光层20被布置于阳极10和阴极35之间。电子传输层30被布置于发光层20和阴极35之间。可选的多个纳米结构50可以被布置于发光层20的表面21上。可选的过渡层60可以被布置于发光层20的表面21和电子传输层30之间。可选的空穴传输层15可以被布置于阳极10和发光层20之间。阴极35可以被布置于可选的光提取层200上。光7可以从发光层20经由多个纳米结构50 (如果存在)、过渡层60 (如果存在)、电子传输层30、阴极35和光提取材料200 (如果存在)的方向发射(图3A)。也可以存在其他层。在一些实施方式中，光7可以在远离多个纳米结构
50、经由空穴传输层15 (如果存在)并且经由阳极10的方向上发射(图3B)。
[0035]纳米结构材料(诸如纳米结构材料6)或者多个纳米结构(诸如纳米结构50)可以基本上渗入下一层(例如过渡层或电荷传输层)或使下一层变形、或者可以与下一层形成粗糙界面。在一些实施方式中，纳米结构材料在所布置的表面内部或者表面上的周期(间隔)可以变化。在一些实施方式中，纳米结构在基体材料内可以具有不规则的周期。在一些实施方式中，在纳米结构层的界面或表面中，纳米结构的周期在约0.0OOOlym至约50 μ m、约0.001 μ m至约20 μ m、约0.050 μ m至约5 μ m、约0.0001 μ m至约Iym或约0.1 μ m至约10 μ m之间。在一些实施方式中，例如5，5"-双(苯并恶唑-2-基)-3，3':5'，3"-三联吡啶(10C-2)，周期可以在约0.0001 μ m和约1.0 μ m之间。在一些实施方式中，例如3，
5-二 [3-(苯并恶唑-2-基)苯基]吡啶(10C-1)，周期可以在约0.Ιμπι和约10.Ομπι之间。
[0036]在一些实施方式中，当投射在X，y平面内或者透射在与其上布置有纳米结构的表面平行的平面(例如21)内时，单个纳米结构的最大面积可以是约0.ΟΟΟΙμL?2至约L O μ m2、约 0.0Ol μ m2 至约 0.5 μ m2、约 I μ m2 至约 3 μ m2 或约 0.04 μ m2 至约 0.150 μ m2。
[0037]多个纳米结构在它们被布置的表面上可以是任意种类的纳米结构，该表面例如发射层的表面诸如表面21。在任意给定装置中，纳米结构可以彼此类似，或者可以在尺寸、形状和排布方面改变。纳米结构可以包含具有一个或多个在纳米至微米范围内尺寸的任意结构。例如，纳米突起物或纳米颗粒可以具有:约50nm至约5μηι、约IOOnm至约Ιμπκ约50nm、约lOOnm、约200nm、约300nm、约500nm、约I μ m、约2 μ m、约5 μ m或任意这些长度所界定的范围内或任意这些长度之间的任意值的平均X尺寸；约50nm至约5μηι、约IOOnm至约 I μ m、约 50nm、约 lOOnm、约 200nm、约 300nm、约 500nm、约 I μ m、约 2 μ m、约 5 μ m 或任意这些长度所界定的范围内或任意这些长度之间的任意值的平均I尺寸；和/或约0.5nm至约 500nm、约 Inm 至约 lOOnm、约 0.lnm、约 0.5nm、约 lnm、约 2nm、约 5nm、约 10nm、约 50nm、约lOOnm、约200nm、约300nm、约500nm或任意这些长度所界定的范围内或任意这些长度之间的任意值的平均z尺寸。
[0038]尽管纳米结构可以是不规则形状的，但三个尺寸X、y和z，可以如图4A中所描绘量化。若在纳米结构Iio周围形成矩形棱柱形箱体120，使得该箱体具有尽可能地小的体积同时仍将颗粒包含于其中，那么X尺寸是该箱体的最长尺寸，y尺寸为该箱体的第二长尺寸，且z尺寸为该箱体的第三长尺寸。
[0039]可通过描述以特定平面观察时纳米结构的形状，来表征纳米结构的三维形状。例如，当以二维的xy、χζ或yz平面观察时，纳米结构可是基本上矩形的、基本上正方形的、基本上椭圆形的、基本上圆形的、基本上弓形的、基本上三角形的、基本上平行四边形的等。具体形状不需要在几何上是完美的，仅需可被普通观察者辨识为合理地相似于已知形状即可。也可使用其他术语来表征或描述纳米结构的三维形状。
[0040]图4B描绘了当以χζ平面观察时基本上是矩形的纳米结构210的理想化的例子。如该图所示，纳米结构看起来是完美的矩形，但当以XZ平面或任何其他平面观察时，此形状仅需要可被辨识为与矩形相似，从而基本上为矩形的即可。
[0041]对于图4B，当以χζ平面观察时，因为X尺寸远大于z尺寸，所以也可将纳米结构210描述为基本上线形的。如该图所示，纳米结构在X尺寸上看起来是完美直线的，但当以χζ平面或任何其他平面观察时，该形状仅需要可被辨识为与线相似，从而基本为线形的即可。
[0042]也可将纳米结构210描述为纳米片(nanoflake)。术语“纳米片”为广义的术语，其包括形状像片状且具有在纳米至微米范围内的任何尺寸的纳米结构。这可包括在一维度(例如z)中相对薄且在另外两个维度(例如xy)中具有相对大的面积的纳米结构。
[0043]较大面积的表面仅需为可辨认的，但不需是平面的。例如,具有较大面积的表面可基本处于xy平面(诸如纳米结构210)，但也可为曲形或波形的，使得大部分表面不在该平面中。
[0044]也可将纳米结构210描述为准平面(pseudoplanar)。术语“准平面”为广义的术语，其包括本质上为平面的纳米结构。例如，与基本在xy平面中的纳米结构的xy面积相比，准平面纳米结构可具有相对不明显的z尺寸。
[0045]在图4C中，纳米结构250为曲形或波形纳米片的实例。如果大部分表面不在平面中，则纳米片可包括具有大的曲形或波形表面260以及小的垂直于该表面上给定点280的厚度270的纳米结构。
[0046]对于任何纳米片或准平面纳米结构(包括纳米结构210、纳米结构250等),较大面积或表面的平方根与垂直于该大表面上的点的厚度之比(例如xy面积的平方根与z尺寸之比)可以是约I至约100000、约3、约5、约10、约20、约100、约1000、约10000、约100000或任意这些比例所界定的范围内或任意这些比例之间的任意值
[0047]若纳米结构的形状可被普通观察者合理地辨识为类似于针的形状，则可以将该纳米结构描述为针状。
[0048]若纳米结构的形状可被普通观察者合理地辨识为类似于纤维的形状，则可以将该纳米结构描述为纤维形。这可以包括沿着一个维度具有细长的表面且在另一维度具有圆柱形、圆形或弧形表面的纳米结构。纤维形纳米结构也可以是基本上线性的、扭曲的或弯曲的。
[0049]若纳米结构的形状可被普通观察者合理地辨识为类似于带的形状，则可以将该纳米结构描述为带形。这可以包括沿着一个维度具有细长的平坦矩形表面且在另一维度是薄的的纳米结构。带形也可为弯曲或扭曲的，使得该纳米结构不需要为基本共面成带形。
[0050]图5描绘了基本上胶囊形的纳米结构1010的理想化实例。当以xy或χζ平面观察时，纳米结构1010也可被描述为基本上卵形的。当以yz平面观察时，纳米结构1010也可被描述为基本上圆形的。
[0051]若纳米结构的形状可被普通观察者合理地辨识为类似于棒的形状，则可以将纳米结构描述为棒形的。这可以包括沿着一个维度是细长的纳米结构。棒形纳米结构可以是基本上直的，或可以具有一定的曲率或弯曲。
[0052]若x、y以及z尺寸相似，例如彼此在一个数量级内，则可以将纳米结构描述为颗粒状的。
[0053]若纳米结构的形状可被普通观察者合理地辨识为类似于圆拱或半球的形状，则可以将纳米结构描述为圆拱形。这可以包括具有以下性质的纳米结构，其在一个维度或平面(诸如xy平面)中基本上是圆形或卵形的并且在另一个维度(诸如XZ和/或yz平面)中是弧形或圆形的。从纳米结构到纳米结构或者在相同纳米结构内，每个这样的弧形、圆形或卵形的半径可以改变或者可以是基本上均匀的。
[0054]图6A-6F描绘了纳米结构材料(10C-1)的一个实施方式的SEM图像。以下的描述可适用于以xy平面观察时该图中的至少一个突起物或颗粒:圆形、卵形、带形、纤维形和/或胶囊形的，但并未穷尽。以下的描述可适用于以yz平面观察时该图中的至少一个突起物或颗粒:基本上纤维形、线形、棒形的，但并未穷尽。以下的其他描述也可适用于该图中的至少一个突起物或颗粒:纤维状、带状，但并未穷尽。
[0055]图6G-6I描绘了纳米结构实施方式(6G:10C_2，6H和61:10C-3)的表面的SEM图像。以下的描述可适用于以xy平面观察时该图中的至少一个突起物或颗粒:圆形、卵形、圆拱形或半球形，但并未穷尽。以下的描述可适用于以yz平面观察时该图中的至少一个突起物或颗粒:基本上弧形或半球形，但并未穷尽。以下的其他描述也可适用于该图中的至少一个突起物或颗粒:纤维状、带状，但并未穷尽。
[0056]在SEM(图6A-6I)中标出了诸如500nm、20 μ m的比例尺，其可以提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明:大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸在约Iym至约5μηι的范围内。
[0057]纳米结构材料的折射率可以改变。例如折射率可以是约1.1、约1.5、约1.7、约1.8或任意这些值所界定的范围内或任意这些值之间的任意折射率。在一些实施方式中，纳米结构材料中材料的折射率可以大于或等于发射层的折射率。
[0058]根据装置的结构，纳米结构材料的电荷传输性质可以改变。例如被布置于发光层和空穴传输层之间的纳米结构材料可以具有空穴传输性质。类似地，被布置于发光层和电子传输层之间的纳米结构材料可以具有电子传输性质。在一些实施方式中，纳米结构材料的电荷传输性质是这样的，包含纳米结构材料对空穴或电子从电极到发射层的迁移影响最小或者基本上无影响。
[0059]在一些实施方式中，纳米结构材料可以包含有机化合物，包括分子量在约60g/mol至约2000g/mol或者约120g/mol至约1000g/mol范围内的非聚合的有机化合物。在一些实施方式中，纳米结构材料可以具有稳定的平面构象。
[0060]一些纳米结构材料包括可选地被取代的芳族或杂芳族的环或环状体系，例如可选地被取代的苯基、可选地被取代的吡啶基、可选地被取代的咔唑基、可选地被取代的苯并咪唑、可选地被取代的苯并恶唑、可选地被取代的苯并噻唑等。
[0061]在一些实施方式中，纳米结构材料可以是线性的，例如其中非末端的环是可选地被取代的I，3-亚苯基、可选地被取代的I，4-亚苯基、可选地被取代的2，4-亚吡啶基、可选地被取代的2，5-亚吡啶基或以类似方式连接的单环亚芳基的材料。一些纳米结构材料可以包含具有末端苯并噻唑或苯并恶唑的化合物。
[0062]一些纳米结构材 料包含可选地被取代的4-(苯并恶唑-2-基)_4’ -(4- 二苯基氨基苯基)-3，3’ -联吡啶；可选地被取代的4-(苯并恶唑-2-基)-4”_(咔唑-1-基)三联苯；可选地被取代的2-(4" -(9H-咔唑-9-基)-[1，1':4f，1"-三联苯]-4-基)苯并[d]噻唑；可选地被取代的4-(苯并恶唑-2-基)-4”_[二(4-甲基苯基)氨基]三联苯；可选地被取代的4"-(苯并噻唑-2-基)-4”_[二(4-甲基苯基)氨基]三联苯；可选地被取代的4"-(苯并[d]恶唑-2-基)4，^二苯基-[1，1':4f，1"-三联苯]-4-胺；可选地被取代的5，5’ -双(苯并恶唑-2-基)-3，3’ -联吡啶；可选地被取代的5，5 ^ -双(苯并噻唑-2-基)-3，3 ^ -联吡啶；可选地被取代的3，3 ^ -双(苯并恶唑-2-基)-2，2'-联吡啶；可选地被取代的3乂 -双(苯并[d]噻唑-2-基)-2义-联吡啶；可选地被取代的5，5^ -双(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)-3，3 ^ -联吡啶；可选地被取代的3，5-二 [3-(苯并恶唑-2-基)苯基]吡啶(10C-1);可选地被取代的3，5-双(3_(苯并[d]噻唑-2-基)苯基)吡啶；可选地被取代的3，5-二 [5-(苯并恶唑-2-基)吡啶-3-基]苯；可选地被取代的1，3_双(5-(苯并[d]噻唑-2-基)吡啶-3-基)苯；可选地被取代的5，5"-双(苯并恶唑-2-基)-3，3':5'，3"-三联吡啶(10C-2);可选地被取代的5，5"-双(苯并噻唑-2-基)-3，3^ ，3"-三联吡啶；可选地被取代的4_(苯并恶唑-2-基)-4”_[二(4-甲基苯基)氨基]三联苯；可选地被取代的4-(苯并恶唑-2-基)-4”-(二苯基氨基)三联苯；可选地被取代的4-(苯并噻唑-2-基)-4”-( 二苯基氨基)三联苯；可选地被取代的4-(苯并噻唑-2-基)-4’-(4_ 二苯基氨基苯基)-3，3’_联吡啶；可选地被取代的4-(苯并噻唑-2-基)-4’-[4-(咔唑-1-基)苯基]_3，3’-联吡啶；可选地被取代的4-(苯并恶唑-2-基)-4’-[4-(咔唑-1-基)苯基]_3，3’-联吡啶；可选地被取代的6W -双(苯并[d]噻唑-2-基)-3，3,-联吡啶；可选地被取代的6W -双(苯并[d]恶唑-2-基)-3，3 ^ -联吡啶；可选地被取代的3，5-二 [5-(苯并噻唑-2-基)吡啶-3-基]-1-甲苯；可选地被取代的3，5-二 [5-(苯并恶唑-2-基)吡啶-3-基]-1-甲苯；可选地被取代的3，3"-双(苯并[d]恶唑-2-基)-1，1' ，1"-三联苯；可选地被取代的2，2' -(5'-乙烯基_[1，广:3'，1"-三联苯]_3，3" - 二基)双(苯并[d]恶唑)；可选地被取代的3，5_ 二([1，1' -联苯]-3-基)吡啶；可选地被取代的1，1':3'，1":3" ,1" ':3" '，1""-五联苯；可选地被取代的3，3'，5，5'-四(苯并[d]恶唑-2-基)-1，1' -联苯(10C-3);或可选地被取代的3，3'，5，5'-四(苯并[d]噻唑-2-基)_1，1'-联苯。
[0063]除非另有说明，当化合物或化学结构特征例如芳基被称为“可选地被取代的”时，其包括无取代基的特征(即未取代的)或者“被取代的”特征，“被取代的”特征指该特征具有一个或多个取代基。术语“取代基”具有本领域普通技术人员已知的通常含义，包括替代连接到母化合物或结构特征上的一个或多个氢原子的片段。在一些实施方式中，取代基可以是本领域已知的普通有机片段，其可以具有15g/mol至50g/mol、15g/mol至100g/mol、15g/mol 至 150g/mol、15g/mol 至 200g/mol、15g/mol 至 300g/mol 或者 15g/mol 至 500g/mol的分子量(例如取代基的原子的原子质量的总和)。在一些实施方式中，取代基包含:0_30、0-20,0-10或0-5个碳原子；和0-30、0-20、0-10或0_5个杂原子，杂原子独立地为N、O、S、
S1、F、Cl、Br或I ;前提是取代基包含至少一个C、N、O、S、S1、F、Cl、Br或I的原子。取代基的例子包括但不限于烷基、烯基、炔基、杂烷基、杂烯基、杂炔基、芳基、杂芳基、羟基、烷氧基、芳氧基、酸基、酸氧基、烷基竣酸酷、疏基、烧硫基、氛基、卤素、硫代擬基、O-氣基甲酸基、N-氨基甲酰基、O-硫代氨基甲酰基、N-硫代氨基甲酰基、C-酰胺基、N-酰氨基、S-亚磺酰氨基(S-sulfonamido)、N_ 亚磺酰氨基、异氰酸基(isocyanato)、硫氰酸基(thiocyanato)、异硫氰酸基(isothiocyanato)、硝基、甲娃烷基(silyl)、亚氧硫基(sulfenyl)、亚硫酰基(sulfinyl)、磺酰基、卤代烷基、卤代烷氧基、三卤代甲烷磺酰基、三卤代甲烷磺酰氨基等。
[0064]为了方便起见，对于分子的片段或部分，使用术语“分子量”来指示分子的片段或部分中原子的原子质量的总和，即使它不是一个完整的分子。
[0065]下面描绘了与本文中涉及的一些化学名称相关的结构。这些结构可以是未取代的，如下所示，或者取代基可以独立地在当结构为未取代的时通常由氢原子占据的任意位
置。除非连接点用I表示，连接可以发生在通常由氢原子占据的任意位置。
[0066]
【权利要求】
1.发光装置，其包含: 布置于阳极和阴极之间的发光层； 包含第一电荷传输材料并且布置于所述发光层和所述阳极或所述阴极之间的第一电荷传输层；和 布置于所述第一电荷传输层和所述发光层之间、或者与所述第一电荷传输层和所述发光层接触的纳米结构材料。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中由所述装置发射的光穿过所述第一电荷传输层。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电荷传输层是布置于所述发光层和所述阴极之间的电子传输层。
4.如权利要求2所述的发光装置，其还包含布置于所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层。
5.如权利要求 1所述的发光装置，其中所述第一电荷传输层是布置于所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层。
6.如权利要求5所述的发光装置，其还包含布置于所述发光层和所述阴极之间的电子传输层。
7.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置，其中所述纳米结构材料是基本上渗入纳米结构接触的层或者使纳米结构接触的层变形的纳米结构的形式。
8.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置，其中所述纳米结构材料的至少一部分包含多个布置于最靠近所述第一电荷传输层的发光层的表面上的纳米结构。
9.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置，其中所述纳米结构材料的至少一部分在过渡层中，所述过渡层包含所述第一电荷传输材料和所述纳米结构材料的混合物并且布置于所述发光层和所述第一电荷传输层之间。
10.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置，其中所述纳米结构材料包含有机化合物。
11.如权利要求10所述的发光装置，其中所述有机化合物具有稳定的平面构象。
12.如权利要求10所述的发光装置，其中所述有机化合物包含可选地被取代的芳族或杂芳族的环或环状体系。
13.如权利要求10所述的发光装置，其中所述有机化合物是:
14.如权利要求1所述的发光装置，其还包含光提取材料。
15.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置，其中所述纳米结构材料具有在每cm2所述发光层表面的面积上约Ing至约500ng的总质量。
16.如权利要求15所述的发光装置，其中所述纳米结构材料具有在每cm2所述发光层表面的面积上约IOng至约IOOng的总质量。
17.如权利要求9-14所述的发光装置，其中所述过渡层具有约1:1至约1: 10的纳米结构材料与电荷传输材料的重量比。
18.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置，其中与除缺乏所述纳米结构材料外相同的装置相比，所述纳米结构材料使所述装置的发光效率增加至少约5 %。
19.如前面权利要求中任意一项所述的发光装置，其还包含光提取材料，所述光提取材料布置于以下物质之上:所述阳极、所述阴极、布置于所述阳极和所述光提取层之间的透明层、或布置于所述阴极和所述光提取层之间的透明层。
20.如权利要求19所述的发光装置，其中与除缺乏所述光提取材料外相同的装置相t匕，所述光提取材料使所述装置的功率效率增加至少约10%。
21.如权利要求19所述的发光装置，其中所述纳米结构材料与所述光提取材料的组合协同地增加所述装置的发光效率。
22.如权利要求21所述的发光装置，其中所述纳米结构材料与所述光提取材料的组合使所述装置的发光效率协同地增加至少约15%。
【文档编号】H01L51/52GK103975456SQ201280055344
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2012年11月9日 优先权日:2011年11月10日
【发明者】赖倩茜, 郑世俊, 大卫·T·西斯克, 望月周 申请人:日东电工株式会社