有机场效应晶体管的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种电子组件或器件，其包含栅极电极、源极电极和漏极电极，其中该组件或器件进一步包括在源极电极与漏极电极之间提供的有机半导体(OSC)材料，其中该OSC材料包含(a)由式(I)表示的聚合物，和(b)式(II)化合物。可通过选择包含由式I表示的聚合物和(b)式II化合物的半导体材料来制造高质量OFET。
【专利说明】有机场效应晶体管
[0001]本发明提供包含栅极电极、源极电极和漏极电极的电子组件或器件，其中该组件或器件进一步包含在源极与漏极电极之间提供的有机半导体(OSC)材料，其中该OSC材料包含(a)由式I表示的聚合物和(b)式II化合物。高质量OFET可通过选择由通过式I表示的聚合物和(b)式II化合物组成的半导体材料制造。
[0002]近年来，已开发有机半导体(OSC)材料以生产更多功能、更低成本的电子器件。此类材料可用于宽范围器件或设备，包括有机场效应晶体管(OFET)、有机发光电二极管(OLED)、光探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路，仅举数例。有机半导体材料通常以薄层(例如小于I微米厚)的形式存在于电子器件中。
[0003]改进的电荷迁移率为新电子器件的一个目的。另一个目的为改进的OSC层的稳定性、膜均一'丨生和完整性，以及电子器件的稳定性、均一'丨生和完整性。
[0004]有可能改进器件中的OSC层稳定性和完整性的一个方式为在有机粘合剂中包含OSC组分，如W02005/055248A2中所公开。通常，由于在粘合剂中稀释，预期电荷迁移率下降和半导体层中的分子顺序受到破坏。然而，W02005/055248A2的公开内容显示，包含OSC材料和粘合剂的配制剂仍显不出意外的闻载流子迁移率，其与在闻度有序的OSC化合物晶体层中所观察到的迁移率相当。此外，W02005/055248A2所公开的配制剂具有比常规OSC材料好的可加工性。
[0005]W02007/082584A1涉及一种类似于有机场效应晶体管(OFET)的电子器件，其具有短源极至漏极通道长度且含有包含有机半导体化合物和半导体粘合剂的有机半导体材料。
[0006]DPP聚合物及其合成的实例描述于例如US6451459B1、W005/049695、W02008/000664, W02010/049321, W02010/049323, W02010/108873, W02010/115767、W02010/136353,W02010/136352 和 W02011/144566 中。
[0007]EP2034537A2涉及包含半导体层的薄膜晶体管器件，该半导体层包含含有由
【权利要求】
1.一种包含栅极电极、源极电极和漏极电极的电子组件或器件，其中该组件或器件进一步包含提供在该源极电极与漏极电极之间的有机半导体(OSC)材料，其中该OSC材料包含 (a)由下式表示的聚合物:
2.根据权利要求1的电子组件或器件，其中该由式(I)表示的聚合物为下式的聚合物
3.根据权利要求2的电子组件或器件，其中该由式(Ia)表示的聚合物为下式的聚合物
4.根据权利要求1的电子组件或器件，其中该由式(I)表示的聚合物为下式的聚合物
5.根据权利要求4的电子组件或器件，其中该由式(Ib)表示的聚合物为下式的聚合物
6.根据权利要求1-5中任一项的组件或器件，其中该式II化合物为下式的化合物
7.根据权利要求6的组件或器件，其中该式IIa的化合物为下式的化合物
8.根据权利要求5和7的组件或器件，其中该由式(Ib)表示的聚合物为式(Ib-1)的聚合物且该式IIa的化合物为式(IIa-1)的化合物。
9.根据权利要求1-8中任一项的组件或器件，其中该式II化合物的含量基于该式I的聚合物与该式II化合物的量为5-95重量％。
10.一种制备根据权利要求1-9中任一项的器件的方法，其特征在于包含以下步骤:(i)将如权利要求1-9中任一项所定义的一种或多种式II化合物与式I的聚合物，任选与溶剂或溶剂混合物混合， (?)将含有该式II化合物和该式I的聚合物的混合物或该溶剂施用至基材；和任选蒸发该溶剂以形成固体OSC层。
11.一种有机层，尤其是半导体层，包含如权利要求1所定义的式I的聚合物和如权利要求I所定义的式II化合物。
12.—种配制剂，包含: (a)如权利要求1-7中任一项所定义的式I的聚合物， (b)如权利要求1-7中任一项所定义的式II化合物，和 (c)溶剂，或溶剂混合物。
13.根据权利要求11的有机层在有机半导体器件中的用途。
14.根据权利要求12的配制剂在制造有机层，尤其是半导体层中的用途。
15.—种设备,包含根据权利要求1-9中任一项的组件或器件或根据权利要求11的有机层。
【文档编号】H01L51/00GK103975453SQ201280059854
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2012年12月3日 优先权日:2011年12月7日
【发明者】P·比雅尔, N·舍博塔莱瓦, T·魏茨, P·哈约兹 申请人:巴斯夫欧洲公司