激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，更详细地讲，涉及在形成OLED的绝缘膜中，在适用于激光热转印法(laser?induced?thermal?imaging，LITI)时，可形成双锥形，且脱模性(anti-stiction)优良的聚酰亚胺光敏性组合物。
【专利说明】激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，更详细地讲，涉及通过使用与基板的粘接力优良的物质，在使用激光热转印法(laser induced thermal imaging,LITI)时,可形成双锥形(double-taper),且脱模性(anti_stiction)优良的聚酰亚胺光敏性组合物。
【背景技术】
[0002]一般来讲,在平板显示器件(Flat Panel Display Device)中，有机发光显示器件(OLED)是在绝缘基板上形成阳极电极作为下部电极，在阳极电极上形成包括绝缘膜的有机膜层，在有机膜层上形成阴极电极作为上部电极。有机膜层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴抑制层、电子传输层、电子注入层中的至少一个。有机发光器件具备多个像素，且包括绝缘膜(Pixel Defined Layer，像素定义层)来限定各像素并防止电极的短路且用于各层间的平坦化等。作为绝缘膜，可使用有机物及无机物。
[0003]在使用无机物来形成上述绝缘膜时，优点在于，由于膜本身的牢固性优良从而在上述有机发光层转印之后去除供体基板(donor substrate)的转印层时不易被剥离,且能够以较薄的厚度层压。然而，上述无机物不仅填充导通孔(via hole)内部的能力脆弱，而且在增加膜厚的情况下，会由于应力而导致在导通孔周边和第一电极的突出的外围部分产生龟裂，因而有在第一电极与第二电极之间发生短路的危险。
[0004]而且，在使用一般有机物形成绝缘膜的情况下，在形成上述绝缘膜时，为了形成用以限定像素的开口而通过光刻法及湿式蚀刻进行图案形成(patterning),则会给作为有机物的发光层带来损伤。
[0005]为此，作为形成上述绝缘膜的方法之一，可举出激光热转印法(laser inducedthermal imaging, LITI),这是一种将激光中所发出的光转换成热能,利用所转换的热能将转印层转印至有机发光显示装置的基板而形成有机膜层的方法。激光热转印法不仅能够通过以激光感应的成像处理来形成高分辨率的图案(pattern)并能够制造厚度均匀的薄膜，而且使薄膜贴紧，因而排列精密度非常高，且可多层形成，根据激光束的大小，自小型基板的超微细图案至大型基板的均匀像素形成图案均可容易应对。
[0006]过去，在使用激光热转印法形成绝缘膜的情况下，使用聚酰亚胺类的树脂作为有机物，而在LITI上适用现有一般聚酰亚胺组合物的情况下，无法形成双锥形，因而存在工序利润减少的缺点。
[0007]因此，要求有能够弥补现有有机绝缘膜的缺点的新的组合物。
【发明内容】
[0008]技术课题
[0009]为了解决如上所述的问题，本发明其目的在于提供一种在适用于LITI法时可形成双锥形的聚酰亚胺光敏性组合物。[0010]而且，本发明其目的在于提供一种利用上述激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物所制造的绝缘膜及包括该绝缘膜的有机发光显示器件(OLED)。
[0011]解决问题的方案
[0012]为了达到上述目的，本发明提供一种激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于，包含聚酰亚胺前体、轻基苯乙烯高分子、光敏化合物(PAC, photo activecompound)、以及溶剂，上述聚酰亚胺前体含有1，3-双(3-氨丙基)四甲基二硅氧烷(SiDA)作为二胺(diamine)类单体，或者，含有N_2 (氨乙基)3-氨丙基三甲氧基硅烷(KBM-603)作为胺类单体，或者，含有3-环氧丙氧丙基三甲氧基娃烧(3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane, GPTS)作为保护基(protecting group)。
[0013]而且，本发明提供一种利用上述聚酰亚胺光敏性组合物制造的绝缘膜。
[0014]而且，本发明提供一种包括上述绝缘膜的有机发光器件。
[0015]发明效果
[0016]本发明的聚酰亚胺光敏性组合物在适用于激光热转印法(laser inducedthermal imaging, LITI)时可形成双锥形，且脱模性优良，因而能够有效地用于绝缘膜(Pixel Defined Layer)和包括该绝缘膜的有机发光显示器件。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1是激光转印工序的概略图。
【具体实施方式】
[0018]本发明涉及适用于LITI工法时可形成双锥形的聚酰亚胺光敏性组合物。
[0019]以下详细说明本发明。
[0020]本发明的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于，包含聚酰亚胺前体、轻基苯乙烯高分子、光敏化合物(PAC, photo active compound)及溶剂,上述聚酰亚胺前体含有1，3_双(3-氨丙基)四甲基二硅氧烷(SiDA)作为二胺(diamine)类单体，或者，含有N-2(氨乙基)3_氨丙基三甲氧基硅烷(KBM-603)作为胺类单体，或者，含有3-环氧丙氧丙基三甲氧基娃烧(GPTS)作为保护基(protecting group)。
[0021]优选地，上述聚酰亚胺光敏性组合物的特征在于，包含:
[0022](I)上述聚酰亚胺前体20?40重量份；
[0023](2)羟基苯乙烯高分子10?20重量份；
[0024](3)光敏化合物3?20重量份；以及，
[0025](4)溶剂70?90重量份。
[0026]以下对各成分进行说明。
[0027](I)聚酰亚胺前体
[0028]聚酰亚胺前体是使胺类或二胺类单体成分与二酐成分在极性有机溶剂中进行两步缩聚，并在末端键结保护基(protecting group)来制造,本发明其特征是,聚酰亚胺前体含有1，3_双(3-氨丙基)四甲基二硅氧烷(SiDA)作为二胺(diamine)类单体，或者，含有N-2(氨乙基)3_氨丙基三甲氧基硅烷(KBM-603)作为胺类单体，或者，含有3-环氧丙氧丙基三甲氧基娃烧(3-Glycidoxypropy ltrimethoxysi lane, GPTS)作为保护基(protectinggroup)。
[0029]优选地，上述聚酰亚胺前体为由下述化学式I所示的聚酰亚胺前体。
[0030]化学式I
[0031]
【权利要求】
1.一种激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于， 包含聚酰亚胺前体、羟基苯乙烯高分子、光敏化合物、以及溶剂， 上述聚酰亚胺前体含有1，3_双(3-氨丙基)四甲基二硅氧烷(SiDA)作为二胺类单体； 或者，含有N-2(氨乙基)3-氨丙基三甲氧基硅烷(KBM-603)作为胺类单体； 或者，含有3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷(GPTS)作为保护基。
2.根据权利要求1所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于，含有: (1)聚酰亚胺前体20~40重量份； (2)羟基苯乙烯高分子10~20重量份； (3)光敏化合物3~20重量份；以及 (4)溶剂70~90重量份。
3.根据权利要求1所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于， 上述聚酰亚胺前体由下述化学式I所示: 化学式I
4.根据权利要求3所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于， 上述化学式I的X是从2，2-双(3，4-脱水二羧基苯基)-六氟丙烷(6FDA)、5-(2，5-二氧代四氢呋喃基)-3-甲基-3-环己烯-1，2- 二羧酸酐(DOCDA)、或2，3，3’，4’ -联苯四羧酸二酐(a-BPDA)衍生的4价有机基。
5.根据权利要求3所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于， 上述化学式I的Y中的一部分是从4，4’ - 二氨基-3，3’ - 二甲基-二苯甲烷(DADM)或2，2-双(3-氨基-4-羟基苯基)-六氟丙烷(Bis-APAF)衍生的2价有机基。
6.根据权利要求3所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于， 上述Y中的3~50摩尔％是用1，3_双(3-氨丙基)四甲基二硅氧烷(SiDA)或N_2(氨乙基)3-氨丙基三甲氧基硅烷(KBM-603)衍生的有机基。
7.根据权利要求3所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于， 上述R是环氧环己基甲基丙烯酸甲酯(ECMMA): 3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷(GPTS)的比率以摩尔比计为80~99: I~20。
8.根据权利要求1所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于， 上述羟基苯乙烯高分子的聚苯乙烯换算重量平均分子量(Mw)为4，OOO~20，000。
9.根据权利要求1所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于， 上述溶剂是选自于由醇类、乙二醇烷基醚乙酸酯类、乙二醇烷基醚丙酸酯类、乙二醇单烷基醚类、二乙二醇烷基醚类、丙二醇烷基醚乙酸酯类、丙二醇烷基醚丙酸酯类、丙二醇单烷基醚类、二丙二醇烷基醚类、丁二醇单甲醚类、以及二丁二醇烷基醚类、以及Y - 丁内酯所组成的组中的一种以上。
10.根据权利要求1所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物，其特征在于， 进一步包含交联剂及表面活性剂。
11.一种OLED绝缘膜，其特征在于， 利用根据权利要求1所述的激光热转印用聚酰亚胺光敏性组合物并以激光热转印法所制造。
12.根据权利要求11所述的OLED绝缘膜，其特征在于， 上述绝缘膜具有双锥形图案。
13.一种有机发光器件(OLED)，其特征在于， 包括权利要求11所述的绝缘膜。
【文档编号】H01L51/50GK103975275SQ201280060276
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2012年11月29日 优先权日:2011年12月6日
【发明者】金炳郁, 尹赫敏, 金东明, 金镇祐, 黄致容 申请人:东进世美肯株式会社