主动矩阵式影像感测面板及装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种主动矩阵式影像感测面板，包括一基板以及一影像感测像素。影像感测像素设置于基板上，并具有一扫描线、一数据线、一感光元件以及一薄膜晶体管元件。数据线与扫描线交错设置。感光元件具有一第一端点电极及一第二端点电极，第一端点电极电压大于第二端点电极电压。薄膜晶体管元件具有一第一电极、一第二电极、一第一栅极及一第二栅极，第一电极与数据线电性连接，第二电极与感光元件之第一端点电极电性连接，第一栅极与扫描线电性连接，第二栅极与感光元件之第一端点电极或第二端点电极电性连接。本发明亦揭露一种主动矩阵式影像感测装置。本发明可避免主动矩阵式影像感测面板及装置产生的漏电流现象所造成的影像感测失真的问题。
【专利说明】主动矩阵式影像感测面板及装置
【技术领域】
[0001]本发明系关于一种影像感测面板及装置，特别关于一种主动矩阵式影像感测面板及装置。
【背景技术】
[0002]传统X光成像技术系利用成像胶片接收X光之曝光而成像，但近年来，由于半导体技术的发展，X光成像技术也进化到利用平板式的数位化影像感测面板来成像，即所谓的数位放射造影(digital radiography, DR)技术。
[0003]兹将数位放射造影技术之原理简述如下。当X光进入影像感测装置内时，会先经过一闪烁晶体层(scintillator)，并藉其将X光转变为可见光，再藉由感光元件将所感测到的可见光转成电信号，之后连接至薄膜晶体管元件，再从数据线被读出，再经过影像处理后则变成影像。其中，感光元件从原本的电荷稱合元件(charge coupled device, CCD)也进展到硅基的光电二极管。在目前技术中，也有不需闪烁晶体层，而是直接将X光转成电信号。
[0004]然而，习知常用之薄膜晶体管元件例如为金属氧化物薄膜晶体管，而感光元件例如为NIP型非晶硅光二极管。其中，金属氧化物薄膜晶体管之栅极一般系操作于负极性的电压(例如-5V)，而NIP型非晶硅光二极管的偏压的极性亦为负极性。因此，当感光元件照光之后所产生的电子会往感光元件的下电极移动，进而使下电极及薄膜晶体管之源极的电位下降。但是，若下电极与薄膜晶体管之源极的电位因高强度的光线照射而持续下降，使得栅极与源极之间的电位差持续上升，进而大于薄膜晶体管的临界电压(Thresholdvoltage)时，则薄膜晶体管将被导通而使得源极开始漏电到数据线，如此，影像处理模块处理而取得影像时，将造成感测失真的问题。
[0005]因此，如何提供一种主动矩阵式影像感测面板及装置，可避免主动矩阵式影像感测面板及装置产生的漏电流现象，造成影像感测失真的问题，已成为重要课题之一。
【发明内容】
[0006]有鉴于上述课题，本发明之目的为提供一种可避免产生的漏电流现象，造成影像感测失真的问题之主动矩阵式影像感测面板及主动矩阵式影像感测装置。
[0007]为达上述目的，依据本发明之一种主动矩阵式影像感测面板包括一基板以及一影像感测像素。影像感测像素设置于基板上，并具有一扫描线、一数据线、一感光元件以及一薄膜晶体管元件。数据线与扫描线交错设置。感光元件具有一第一端点电极及一第二端点电极，第一端点电极电压大于第二端点电极电压。薄膜晶体管兀件具有一第一电极、一第二电极、一第一栅极及一第二栅极，第一电极与数据线电性连接，第二电极与感光兀件之第一端点电极电性连接，第一栅极与扫描线电性连接，第二栅极与感光元件之第一端点电极或第二端点电极电性连接。
[0008]为达上述目的，依据本发明之一种主动矩阵式影像感测装置包括一主动矩阵式影像感测面板以及一处理模块。影像感测像素设置于基板上，并具有一扫描线、一数据线、一感光元件以及一薄膜晶体管元件。数据线与扫描线交错设置。感光元件具有一第一端点电极及一第二端点电极，第一端点电极电压大于第二端点电极电压。薄膜晶体管元件具有一第一电极、一第二电极、一第一栅极及一第二栅极，第一电极与数据线电性连接，第二电极与感光元件之第一端点电极电性连接，第一栅极与扫描线电性连接，第二栅极与感光元件之第一端点电极或第二端点电极电性连接。处理模块分别与主动矩阵式影像感测面板之扫描线及数据线电性连接。
[0009]在一实施例中，第二端点电极电性连接至一参考电压，参考电压的极性系为负。
[0010]在一实施例中，感光元件更具有一第一半导体层、一本质半导体层及一第二半导体层，本质半导体层夹置于第一半导体层与第二半导体层之间。
[0011]在一实施例中，第一半导体层与第二端点电极直接接触而电性连接，第二半导体层与第一端点电极直接接触而电性连接。
[0012]在一实施例中，薄膜晶体管元件更具有一通道层，通道层包括一氧化物半导体，氧化物半导体包括氧化物,氧化物包括铟、锌及锡的至少其中之一。
[0013]在一实施例中，第二栅极系透过一导电层与第二端点电极电性连接。
[0014]在一实施例中，第二栅极由薄膜晶体管元件之上延伸至感光元件之上，并与第二端点电极直接接触。
[0015]在一实施例中，第二栅极与第一端点电极系为同一层，且至少部分第一端点电极由感光元件延伸至薄膜晶体管元件之上。
[0016]在一实施例中，至少部分第一端点电极由感光元件延伸至薄膜晶体管元件之上，并与第二栅极直接接触。
[0017]承上所述，因本发明之主动矩阵式影像感测面板及装置中，薄膜晶体管元件之第一电极与数据线电性连接，第二电极与感光元件之第一端点电极电性连接，第一栅极与扫描线电性连接，而第二栅极与感光元件之第一端点电极或第二端点电极电性连接。藉此，可提高薄膜晶体管元件的临界电压，并于感光元件被光线照射而使第一栅极与第二电极之间的电位差升高时，使薄膜晶体管元件不会被导通而发生漏电流现象。因此，本发明可避免主动矩阵式影像感测面板及装置产生的漏电流现象所造成的影像感测失真的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1A为本发明较佳实施例之一种主动矩阵式影像感测面板中，一个影像感测像素的结构示意图。
[0019]图1B为图1A之影像感测像素的等效电路不意图。
[0020]图2为本发明之主动矩阵式影像感测面板中，薄膜晶体管元件的电压与电流的曲线示意图。
[0021]图3及图4A分别为本发明较佳实施例另一态样之主动矩阵式影像感测面板中，一个影像感测像素的结构示意图；图4B为图4A之影像感测像素的等效电路示意图。
[0022]图4C所示为本发明较佳实施例又一态样之主动矩阵式影像感测面板中，一个影像感测像素的结构示意图。
[0023]图5为本发明较佳实施例之一种主动矩阵式影像感测装置的功能方块示意图。[0024]1、Ia?lc、21:主动矩阵式影像感测面板
[0025]11:基板
[0026]2:主动矩阵式影像感测装置
[0027]22:处理模块
[0028]Cl:导电层(第二栅极)
[0029]C2?C3:导电层
[0030]DL:数据线
[0031]El:第一端点电极
[0032]E2:第二端点电极
[0033]E3:第一电极
[0034]E4:第二电极
[0035]ES:蚀刻终止层
[0036]G:(第一)栅极
[0037]Il?13:绝缘层
[0038]14:保护层
[0039]01 ?03:通孔
[0040]P:感光元件
[0041]Pl:第一半导体层
[0042]P2:本质半导体层
[0043]P3:第二半导体层
[0044]SL:扫描线
[0045]T:薄膜晶体管元件
[0046]Tll:栅极介电层
[0047]T12:通道层
[0048]V:参考电压
【具体实施方式】
[0049]以下将参照相关图式，说明依本发明较佳实施例之主动矩阵式影像感测面板及装置，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
[0050]请同时参照图1A及图1B所示，其中，图1A为本发明较佳实施例之一种主动矩阵式影像感测面板I中，一个影像感测像素的结构示意图，而图1B为图1A之影像感测像素的等效电路不意图。
[0051]主动矩阵式影像感测面板I系包括复数影像感测像素设置于一基板11上。在实施上，基板11可为一可透光之材质，例如是玻璃、石英或类似物、塑胶、橡胶、玻璃纤维或其他高分子材料，较佳的可为一硼酸盐无碱玻璃基板(alumino silicate glass substrate)。基板11亦可为一不透光之材质，例如是金属-玻璃纤维复合板、或金属-陶瓷复合板。
[0052]如图1A及图1B所示，于该等影像感测像素中，至少其中之一的影像感测像素具有一扫描线SL、一数据线DL、一感光元件P、一薄膜晶体管元件T以及一导电层Cl。另外，本实施例之影像感测像素更可具有一导电层C2、一绝缘层I1、一绝缘层12、一绝缘层13及一保护层14。其中，扫描线SL、数据线DL、感光元件P、薄膜晶体管元件T、导电层Cl、C2、绝缘层Il?13及保护层14系设置于基板11上。需注意者，图1A仅描绘出I个影像感测像素，就主动矩阵式影像感测面板I而言，其可具有多个影像感测像素呈阵列设置，且多条数据线DL、多条扫描线SL系交错设置。
[0053]数据线DL与扫描线SL交错设置。感光元件P具有一第一端点电极El及一第二端点电极Ε2。第一端点电极El或第二端点电极Ε2可为一透明电极，其材质例如可为氧化铟锡(ΙΤ0)。另外，感光元件P更具有一第一半导体层Ρ1、一本质(Intrinsic)半导体层Ρ2及一第二半导体层P3,本质半导体层P2系位于第一半导体层Pl与第二半导体层P3之间。其中，第一半导体层Pl与第二端点电极E2直接接触而电性连接，而第二半导体层P3与第一端点电极El直接接触而电性连接。于此，感光元件P系为一 NIP型之光二极管，并以非晶硅(a-Si )薄膜沉积制成。在本实施例中，第一半导体层例如为P型半导体，而第二半导体层为N型半导体，当然并不以此为限。此外，如图1B所示，第二端点电极E2电性连接至一参考电压V，参考电压V可提供感光元件P —偏压，且为负极性电压，使得第一端点电极El电压大于第二端点电极电压E2。
[0054]薄膜晶体管元件T例如为N型非晶硅薄膜晶体管，并具有一栅极G、一栅极介电层T11、一通道层T12、一第一电极E3及一第二电极E4。栅极G设置于基板11上,并与扫描线SL电性连接。栅极G之材质系为金属(例如为铝、铜、银、钥、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。部分用以传输驱动信号之导线，可以使用与栅极G同层且同一制程之结构，且彼此电性相连，例如扫描线。栅极介电层Tll设置于栅极G上，且栅极介电层Tll系可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或无机材质例如为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质之多层结构。栅极介电层Tll需完整覆盖栅极G，并可选择部分或全部覆盖基板11。
[0055]通道层T12相对栅极G的位置设置于栅极介电层Tll上。在实施上，通道层T12例如可包含一氧化物半导体。其中，前述之氧化物半导体包括氧化物，且氧化物包括铟、镓、锌及锡其中之一，例如但不限于为氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0),以使薄膜晶体管元件T为一金属氧化物薄膜晶体管。其中，金属氧化物薄膜晶体管具有低漏电流(漏电流介于10-14安培至10-18安培)、高电子能隙(约3.1电子伏特)及对光照射不敏感等特性，为一增益型(Enhancement mode)晶体管。
[0056]第一电极E3与第二电极E4分别设置于通道层T12上，且第一电极E3与第二电极E4分别与通道层T12接触，于薄膜晶体管元件T之通道层T12未导通时，两者系电性分离。其中，第一电极E3例如为薄膜晶体管元件T之漏极，并与数据线DL电性连接，而第二电极E4为薄膜晶体管元件T之源极，并与感光元件P之第一端点电极El电性连接。于此，系透过设置于绝缘层Il及绝缘层12上之一通孔01，并透过第一端点电极El往薄膜晶体管元件T的方向延伸，使第一端点电极El与第二电极E4电性连接。第一电极E3与第二电极E4之材质可为金属(例如铝、铜、银、钥、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。此外，部分用以传输驱动信号之导线，可以使用与第一电极E3与第二电极E4同层且同一制程之结构，例如数据线。
[0057]值得一提的是，本实施例之薄膜晶体管元件T之第一电极E3 (以下亦称为漏极)与第二电极(以下亦称为源极)亦可设置于一蚀刻终止(etch stop )层ES上，且源极与漏极之一端系分别自蚀刻终止层ES之开口与通道层T12接触。其中，蚀刻终止层ES系可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或单层无机材质例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质组合之多层结构。不过，在其他的实施例中，也可将源极与漏极直接设置于通道层T12上，而不需蚀刻终止层ES。
[0058]导电层Cl系与栅极G相对设置，且导电层Cl与感光元件P之第一端点电极El或第二端点电极E2电性连接。在本实施例中，导电层Cl系位于栅极G之上。其中，栅极G称为薄膜晶体管元件T之第一栅极，导电层Cl称为薄膜晶体管元件T之第二栅极，而第一栅极(栅极G)与第二栅极(导电层Cl)系相对而设，且绝缘层Il系设置于导电层Cl (第二栅极)与第一电极E3或第二电极E4之间。另外，绝缘层12完全覆盖导电层Cl，而绝缘层13设置于绝缘层12上。此外，导电层Cl系透过位于绝缘层12及绝缘层13上之一通孔02，并透过导电层C2由通孔02延伸至第二端点电极E2上，使导电层Cl (第二栅极)与第二端点电极E2电性连接。其中，导电层C2亦可连接至参考电压V，以提供感光元件P—偏压(图1A未显示)。导电层C1、C2可为透光(例如ΙΤ0)或不透光(例如金属或合金)的材质所构成。于此，导电层Cl例如为一金属层，而导电层C2的材质系以透明导电层为例。另外，绝缘层Il的材质例如为氧化硅(SiOx)，绝缘层12的材质例如为氮化硅(SiNx)，且绝缘层13的材质例如包含氮化娃(SiNx)或四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(Polyfluoroalkoxy,PFA)。此外，保护层14设置于薄膜晶体管元件T及感光元件P之上，并位于导电层C2及绝缘层13上。于此，保护层14的材质可与绝缘层13的材质相同，并例如可包含氮化硅或四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物。
[0059]另外，请参照图2所示，其为本发明之主动矩阵式影像感测面板I中，薄膜晶体管元件T的电压与电流的曲线示意图。于此，横座标为栅极G (第一栅极)的电压，而纵座标为正规化后之漏极电流。
[0060]在本实施例中，因于栅极G (第一栅极)之上具有一导电层Cl (第二栅极)，且导电层Cl与感光元件P之第二端点电极E2电性连接。另外，第二端点电极E2电性连接至参考电压V，而参考电压V为感光元件P之偏压，且参考电压V的电压极性为负，使得第一端点电极El电压大于第二端点电极El电压。藉由具有负极性之导电层Cl (第二栅极)，可将薄膜晶体管元件T之通道层T12之后通道(back channel,即通道层T12与蚀刻终止层ES之间)所累积的电子导引出，藉此可提高薄膜晶体管元件T的临界电压(Threshold voltage)。于此，藉由导电层Cl以提高薄膜晶体管元件T的临界电压，也可称此薄膜晶体管元件T具有双栅极(dual-gate)的设计(不过实际上，导电层Cl并不具有薄膜晶体管元件T之栅极G原来的功用)。
[0061] 如图2所示，当导电层Cl与负极性之参考电压V连接，且其电压值越来越小时(例如由O、一 IV、…、一10V)，将使薄膜晶体管元件T的栅极电压与漏极电流的曲线往右侧移动，藉此，可提高薄膜晶体管元件T的临界电压(例如临界电压由接近OV往上增加到大约6V)。举例而言，当参考电压V为的电压值为一10V时，藉由导电层Cl连接至参考电压V，使导电层Cl的电压亦为一 10V，可提高薄膜晶体管元件T的临界电压到+6V(以上)。因此，当感光元件P照光之后所产生的电子往第一端点电极El及薄膜晶体管元件T的第二电极E4移动时，虽然会使薄膜晶体管元件T之第二电极E4的电位下降，进而使栅极G与第二电极E4 (源极)之间的电位差VGS持续上升(即负值越来越小)，但是由于薄膜晶体管元件T的临界电压已因导电层Cl的设置而提高，故薄膜晶体管元件T不会被导通，因此，薄膜晶体管元件T不会有漏电流的现象。
[0062]此外，主动矩阵式影像感测面板I可更包含一波长调变层(图未显示)，其系设置于影像感测像素之上。其中，波长调变层可为一闪烁晶体层(scintillator)，用以将收入之光线转换为特定波长之光线，例如将X光转换成可见光，以利感光元件P感光。当然，在感光元件P可直接将X光转成电信号的情况下，波长调变层可省略。
[0063]另外，请参照图3所示，其为本发明较佳实施例另一态样之主动矩阵式影像感测面板Ia中，一个影像感测像素的结构示意图。
[0064]图3与图1A主要的不同在于，图3之影像感测像素的结构中，导电层Cl并不透过另一导电层与感光元件P之第二端点电极E2电性连接，而是导电层Cl由薄膜晶体管元件T之上直接延伸至感光元件P之上，并与第二端点电极E2直接接触。换言之，通孔02系形成于绝缘层12、13上，且导电层Cl系设置于通孔02内，以由薄膜晶体管元件T之上直接延伸至感光元件P上，以直接与第二端点电极E2直接接触而电性连接。其中，导电层Cl系为可透光的材质，并可例如为氧化铟锡(ΙΤ0)。
[0065]另外，请参照图4A及图4B所示，其中，图4A为本发明较佳实施例又一态样之主动矩阵式影像感测面板Ib中，一个影像感测像素的结构示意图，而图4B为图4A之影像感测像素的等效电路不意图。
[0066]与图1A及图1B主要的不同在于，于图4A及图4B的主动矩阵式影像感测面板Ib中，导电层Cl与第一端点电极El系为同一层的结构,使得导电层Cl (第二栅极)与感光兀件P之第一端点电极El电性连接。也可以说，第一端点电极El由感光元件P—直延伸至薄膜晶体管元件T之上，以将第一端点电极El当成薄膜晶体管元件T上的导电层(实际上可不用设置导电层)，因此，使得感光元件P位于薄膜晶体管元件T上。另外，于感光元件P之上设置另一导电层C3，而导电层C3可连接至参考电压V，以提供偏压给感光元件P。在其它的实施态样中，也可只延伸感光元件P之第一端点电极E1，而不将感光元件P的其它部分设置于薄膜晶体管元件T之上。
[0067]由于光线进入感光元件P时，可激发感光元件P而产生电子电洞对，并藉由参考电压V施加一负极性的偏压给感光元件P，使得电子电洞对分离。因此，当感光元件P照光之后所产生的电子往感光元件P的第一端点电极El移动，进而可使第一端点电极El及薄膜晶体管兀件T之第二电极E4的电位下降。本实施态样系将感光兀件P的第一端点电极El因照光而产生的电位下降(负极性电压)直接加载于薄膜晶体管元件T上方之导电层Cl (此时，导电层Cl与第一端点电极El系为同一层结构)，以动态地提供负极性的电压给薄膜晶体管元件T，一样可使薄膜晶体管元件T的栅极电压与漏极电流的曲线往右侧移动，藉此可提高薄膜晶体管元件T的临界电压，使薄膜晶体管元件T不会被导通而产生漏电流现象。
[0068]另外，请参照图4C所示，其为本发明较佳实施例又一态样之主动矩阵式影像感测面板Ic中，一个影像感测像素的结构示意图。
[0069]与图4A主要的不同在于，于主动矩阵式影像感测面板Ic中，部分第一端点电极El系由感光元件P延伸至薄膜晶体管元件T之上，并与导电层Cl直接接触而电性连接。也可以说是，透过感光元件P之第一端点电极El设置于位于导电层Cl上之一通孔03而使第一端点电极El与导电层Cl (第二栅极)电性连接。藉此，于感光兀件P照光时，一样可提供动态的负极性电压给薄膜晶体管元件T，提高薄膜晶体管元件T的临界电压，使薄膜晶体管元件T不会被导通而产生漏电流现象。
[0070]此外，请参照图5所示，其为本发明较佳实施例之一种主动矩阵式影像感测装置2的功能方块示意图。
[0071 ] 主动矩阵式影像感测装置2包含一主动矩阵式影像感测面板21及一处理模块22。其中，主动矩阵式影像感测面板21与处理模块22电性连接，并可为上述实施例之主动矩阵式影像感测面板I?Ic的其中之一，于此不再赘述其内容。
[0072]处理模块22与主动矩阵式影像感测面板21之数据线DL电性连接，并接收主动矩阵式影像感测面板21之感光元件之感光信号以形成一影像数据。影像数据可经过后续的影像处理以及影像显示而呈现出来。另外，处理模块22亦与主动矩阵式影像感测面板21之扫描线SL电性连接，以循序致能扫描线SL而依序读出该等感光信号。
[0073]综上所述，因本发明之主动矩阵式影像感测面板及装置中，薄膜晶体管元件之第一电极与数据线电性连接，第二电极与感光元件之第一端点电极电性连接，第一栅极与扫描线电性连接，而第二栅极与感光元件之第一端点电极或第二端点电极电性连接。藉此，可提高薄膜晶体管元件的临界电压，并于感光元件被光线照射而使第一栅极与第二电极之间的电位差升高时，使薄膜晶体管元件不会被导通而发生漏电流现象。因此，本发明可避免主动矩阵式影像感测面板及装置产生的漏电流现象所造成的影像感测失真的问题。
[0074]以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明之精神与范畴，而对其进行之等效修改或变更，均应包含于本发明权利要求范围中。
【权利要求】
1.一种主动矩阵式影像感测面板，其特征在于，所述的主动矩阵式影像感测面板包括: 一基板；以及 一影像感测像素，设置于所述的基板上，并具有: 一扫描线； 一数据线，与所述的扫描线交错设置； 一感光兀件，具有一第一端点电极及一第二端点电极，所述的第一端点电极电压大于所述的第二端点电极电压；以及 一薄膜晶体管元件，具有一第一电极、一第二电极、一第一栅极及一第二栅极，所述的第一电极与所述的数据线电性连接，所述的第二电极与所述的感光元件之所述的第一端点电极电性连接，所述的第一栅极与所述的扫描线电性连接，所述的第二栅极与所述的感光元件之所述的第一端点电极或所述的第二端点电极电性连接。
2.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测面板，其特征在于，所述的第二端点电极电性连接至一参考电压，所述的参考电压的极性系为负。
3.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测面板，其特征在于，所述的感光元件更具有一第一半导体层、一本质半导体层及一第二半导体层，所述的本质半导体层夹置于所述的第一半导体层与所述的第二半导体层之间。
4.如权利要求3所述的主动矩阵式影像感测面板，其特征在于，所述的第一半导体层与所述的第二端点电极直接接触而电性连接，所述的第二半导体层与所述的第一端点电极直接接触而电性连接。
5.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测面板，其特征在于，所述的薄膜晶体管元件更具有一通道层，所述的通道层包括一氧化物半导体，所述的氧化物半导体包括氧化物，所述的氧化物包括铟、锌及锡的至少其中之一。
6.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测面板，其特征在于，所述的第二栅极系透过一导电层与所述的第二端点电极电性连接。
7.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测面板，其特征在于，所述的第二栅极由所述的薄膜晶体管元件之上延伸至所述的感光元件之上，并与所述的第二端点电极直接接触。
8.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测面板，其特征在于，所述的第二栅极与所述的第一端点电极系为同一层，且至少部分所述的第一端点电极由所述的感光元件延伸至所述的薄膜晶体管元件之上。
9.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测面板，其中至少部分所述的第一端点电极由所述的感光元件延伸至所述的薄膜晶体管元件之上，并与所述的第二栅极直接接触。
10.一种主动矩阵式影像感测装置，包括: 一主动矩阵式影像感测面板,包含: 一基板； 一影像感测像素，设置于所述的基板上，并具有: 一扫描线； 一数据线，与所述的扫描线交错设置；一感光兀件，具有一第一端点电极及一第二端点电极，所述的第一端点电极电压大于所述的第二端点电极电压； 一薄膜晶体管元件，具有一第一电极、一第二电极、一第一栅极及一第二栅极，所述的第一电极与所述的数据线电性连接，所述的第二电极与所述的感光元件之所述的第一端点电极电性连接，所述的第一栅极与所述的扫描线电性连接，所述的第二栅极与所述的感光元件之所述的第一端点电极或所述的第二端点电极电性连接；以及 一处理模块，分别与主动矩阵式影像感测面板之所述的扫描线及所述的数据线电性连接。
11.如权利要求10所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，所述的第二端点电极电性连接至一参考电压，所述的参考电压的极性系为负。
12.如权利要求10所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，所述的感光元件更具有一第一半导体层、一本质半导体层及一第二半导体层，所述的本质半导体层夹置于所述的第一半导体层与所述的第二半导体层之间。
13.如权利要求12所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，所述的第一半导体层与所述的第二端点电极直接接触而电性连接，所述的第二半导体层与所述的第一端点电极直接接触而电性连接。
14.如权利要求10所述的主动 矩阵式影像感测装置，其特征在于，所述的薄膜晶体管元件更具有一通道层，所述的通道层包括一氧化物半导体，所述的氧化物半导体包括氧化物，所述的氧化物包括铟、锌及锡的至少其中之一。
15.如权利要求10所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，所述的第二栅极系透过一导电层与所述的第二端点电极电性连接。
16.如权利要求10所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，所述的第二栅极由所述的薄膜晶体管元件之上延伸至所述的感光元件之上，并与所述的第二端点电极直接接触。
17.如权利要求10所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，所述的第二栅极与所述的第一端点电极系为同一层，且至少部分所述的第一端点电极由所述的感光元件延伸至所述的薄膜晶体管元件之上。
18.如权利要求10所述的主动矩阵式影像感测装置，其中至少部分所述的第一端点电极由所述的感光元件延伸至所述的薄膜晶体管元件之上，并与所述的第二栅极直接接触。
【文档编号】H01L27/146GK103972249SQ201310046161
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年2月5日 优先权日:2013年2月5日
【发明者】吴智濠, 周政旭 申请人:群创光电股份有限公司